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Calcul direct du Champ et du potentiel électrostatique

Cours Calcul direct du Champ et du potentiel électrostatique pour les classes prépas; les étudiants de licences et les élèves ingénieurs.

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Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

I) <strong>Calcul</strong> Direct<br />

<strong>Calcul</strong> <strong>du</strong> <strong>Champ</strong> <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong><br />

Pour cela on utilise l’expression <strong>du</strong> champ électrique crée par une distribution de charges<br />

donnée par loi la de Coulomb, tout en exploitant les propriétés de symétrie <strong>et</strong> d’invariance s’il<br />

y a lieu.<br />

1) Exemple 1<br />

a) champ créé par un fil fini de charge<br />

On considère un fil rectiligne P 1 P 2 de densité linéique homogène 0 . On veut calculer le<br />

champ électrique E⃗ à un point M à une distance <strong>du</strong> segment. Compte tenu des symétries, on<br />

travaille en coordonnées cylindriques avec l'axe z confon<strong>du</strong> avec l'axe <strong>du</strong> fil. Les bouts <strong>du</strong><br />

segment sont respectivement z 1 <strong>et</strong> z 2 . On obtient le champ E⃗ en appliquant l'expression<br />

intégrale de la loi de Coulomb :<br />

E⃗ (M) =<br />

P 2<br />

1<br />

∫ λ<br />

4πε 0 ( PM ⃗⃗⃗⃗⃗⃗<br />

0 (PM) 3) dl<br />

P 1<br />

Dans ce système de coordonnées cylindriques on a :<br />

OP ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = ze⃗⃗⃗⃗ Z <strong>et</strong> dl = dz<br />

PM ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = PO ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ + OM ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = −ze⃗⃗⃗⃗ Z + ρe⃗⃗⃗<br />

ρ<br />

(PM) 3 = (z 2 + ρ 2 ) 3/2<br />

<strong>et</strong> l'intégrale s'écrit :<br />

E⃗ (M) =<br />

Z 2<br />

1<br />

∫ λ<br />

4πε 0 ( −ze ⃗⃗⃗⃗ Z + ρe⃗⃗⃗<br />

ρ<br />

0 (z 2 + ρ 2 ) 3/2) dz<br />

Z 1<br />

Z 2<br />

E⃗ (M) = 1<br />

ρe⃗⃗⃗<br />

ρ<br />

∫ λ<br />

4πε 0 (<br />

0 (z 2 + ρ 2 ) 3/2) dz − 1<br />

ze⃗⃗⃗⃗<br />

Z<br />

∫ λ<br />

4πε 0 (<br />

0<br />

Z 1<br />

(z 2 + ρ 2 ) 3 ) dz = (I) + (II)<br />

2<br />

La deuxième intégrale s'éffectue avec un changement de variable avec ρ = cte:<br />

u 2 = z 2 + ρ 2 donc u<strong>du</strong> = zdz<br />

Z 2<br />

(II) = − 1<br />

z dz<br />

∫ λ<br />

4πε 0 (<br />

0<br />

(z 2 + ρ 2 ) 3 ) = − λ 0<br />

∫ ( u<strong>du</strong><br />

4πε<br />

Z 1<br />

2<br />

0 u 3 ) = − λ 0<br />

∫ ( <strong>du</strong><br />

4πε<br />

u 0 u 2 ) = λ 0<br />

[ 1 4πε<br />

1 u 0 u ] u 1<br />

1<br />

Or u 1 = √z 1 2 + ρ 2 = P 1 M <strong>et</strong><br />

u 2<br />

Z 2<br />

Z 1<br />

(II) = 1<br />

4πε 0<br />

( 1 u 2<br />

− 1 u 1<br />

)<br />

u 2 = √z 2 2 + ρ 2 = P 2 M<br />

(II) = λ 0<br />

( 1<br />

4πε 0 P 2 M − 1<br />

P 1 M ) = (II) = λ 0<br />

(<br />

ρ<br />

ρ4πε 0 P 2 M − ρ<br />

P 1 M ) = λ 0<br />

[cos α<br />

ρ4πε 2 − cos α 1 ]<br />

0<br />

Pour le composant <strong>du</strong> champ dans la <strong>direct</strong>ion, e⃗⃗⃗ ρ , il faut évaluer l'intégrale (I):<br />

u 2<br />

u 2<br />

1/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

Z 2<br />

(I) = λ 0 ρ dz<br />

∫ (<br />

4πε 0 (z 2 + ρ 2 ) 3/2) = ρλ 0 dz<br />

∫ (<br />

4πε 0 (z 2 + ρ 2 ) 3/2) = ρλ 0<br />

∫ (<br />

dz<br />

4πε 0 (PM) 3)<br />

Z 1 Z 1<br />

L’intégration s'effectue avec un changement de variable.<br />

On a ρ = PM cos α z = PM sinα tan α = z ρ<br />

Donc<br />

dz<br />

= dα<br />

ρ cos 2 α<br />

Z 2<br />

dz = ρ<br />

dα<br />

cos 2 α<br />

α 2<br />

Z 2<br />

<strong>et</strong><br />

ρ<br />

cos α = PM<br />

(I) = ρλ 0<br />

∫ (<br />

dz<br />

4πε 0 (PM) 3) = ρλ 0<br />

∫ ( cosα 3<br />

4πε 0 ρ ) dα ρ<br />

cos 2 = λ 0<br />

∫ cos(α)dα<br />

α ρ4πε<br />

Z 1 α 0 1<br />

α 2<br />

(I) = λ 0<br />

∫ cos(α)dα = λ 0<br />

[sin α<br />

ρ4πε 0 ρ4πε 2 − sin α 1 ]<br />

α 0 1<br />

E⃗ (M) = (I)e ⃗⃗⃗ ρ + (II)e⃗⃗⃗⃗ Z = λ 0<br />

[sin α<br />

ρ4πε 2 − sin α 1 ]e⃗⃗⃗ ρ + λ 0<br />

[cos α<br />

0 ρ4πε 2 − cos α 1 ] e⃗⃗⃗⃗<br />

Z<br />

0<br />

E⃗ (M) = λ 0<br />

[(sin α<br />

ρ4πε 2 − sin α 1 )e ⃗⃗⃗ ρ + (cos α 2 − cos α 1 )e⃗⃗⃗⃗ Z ]<br />

0<br />

Pour un fil infini on aura α 1 → − π 2<br />

<strong>et</strong> α 2 → + π 2<br />

E⃗ (M) = λ 0<br />

[(sin π ρ4πε 0 2 − sin (− π 2 )) e ⃗⃗⃗ ρ + (cos π 2 − cos (− π 2 )) e ⃗⃗⃗⃗ Z]<br />

E⃗ (M) = λ 0<br />

e⃗⃗⃗<br />

ρ2πε ρ<br />

0<br />

b) <strong>Calcul</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> créé par un fil fini de charge<br />

On considère un fil rectiligne P 1 P 2 de densité linéique homogène 0 . On veut calculer le<br />

<strong>potentiel</strong> V(M) à un point M à une distance <strong>du</strong> segment. Compte tenu des symétries, on<br />

travaille en coordonnées cylindriques avec l'axe z confon<strong>du</strong> avec l'axe <strong>du</strong> fil. Les bouts <strong>du</strong><br />

segment sont respectivement z 1 <strong>et</strong> z 2 . On obtient en appliquant la loi de Coulomb :<br />

V(M) =<br />

P 2<br />

1<br />

∫ λ 0<br />

4πε 0 PM<br />

P 1<br />

dl<br />

dl = dz PM = √z 2 + ρ 2<br />

V(M) =<br />

V(M) =<br />

Z 2<br />

1<br />

∫ λ 0<br />

4πε 0 PM dz<br />

Z 1<br />

=<br />

Z 2<br />

λ 0 dz<br />

∫<br />

= λ 0<br />

[ln (z + √z<br />

4πε 0 √z 2 + ρ<br />

Z 2 4πε 2 + ρ 2 Z 2<br />

)]<br />

0 Z1<br />

1<br />

λ 0<br />

4πε 0<br />

[ln (z 2 + √z 2 2 + ρ 2 ) − ln (z 1 + √z 1 2 + ρ 2 )] = λ 0<br />

4πε 0<br />

ln [ (z 2 + √z 2 2 + ρ 2 )<br />

(z 1 + √z 1 2 + ρ 2 ) ]<br />

V(M) = λ 0<br />

4πε 0<br />

[ln(z 2 + PM 2 ) − ln(z 1 + PM 1 )]<br />

Z 2<br />

Z 1<br />

α 2<br />

α 1<br />

2/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

2) Exemple 2<br />

a) champ créé par un fil infini de charge<br />

Considérons par exemple un fil rectiligne infini parallèle à la <strong>direct</strong>ion donnée par (oz) <strong>et</strong><br />

chargé uniformément avec une densité linéique de charge . Les seuls éléments de symétrie<br />

conservant tout point M sont le miroir méridien 1 contenant le fil, <strong>et</strong> le miroir 2<br />

perpendiculaire au fil <strong>et</strong> contenant M. Ces miroirs devant laisser invariant le champ en M, le<br />

champ en M est parallèle à leur intersection. On vérifie la rapidité d’utilisation de Curie, il<br />

faudrait considérer deux éléments de fil symétriques par rapport à 2 , <strong>et</strong> le champ résultant<br />

des deux champs élémentaires qu’ils créent.<br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong><br />

Il faut partir de la représentation suivante :<br />

Un élément <strong>du</strong> fil de longueur dz <strong>et</strong> centré sur P crée au point M un champ électrique<br />

1 λdz<br />

dE⃗ (M) =<br />

PM ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗<br />

4πε 0 (PM) 3<br />

Par projection selon les coordonnées cylindriques :<br />

dE ρ (M) = dE(M)cosθ =<br />

1 λdz<br />

4πε<br />

dE⃗ (M) =<br />

0 (a 2 + z 2 ) cosθ<br />

dE<br />

{ z (M) = −dE(M)sinθ = −<br />

1 λdz<br />

4πε 0 (a 2 + z 2 ) sinθ<br />

Ainsi, le premier élément de fil, situé à la distance OP 1 , fait apparaître un champ élémentaire<br />

1 λdz<br />

dE⃗⃗⃗⃗ 1 (M) =<br />

dE 1 ρ (M) = 4πε 0 (a 2 + z 2 ) cosθ<br />

dE<br />

{ 1 z (M) = 1 λdz<br />

4πε 0 (a 2 + z 2 ) sinθ<br />

Le deuxième élément de fil, situé à la distance OP 2 , fait apparaître un champ élémentaire<br />

dE 2 ρ (M) = 1 λdz<br />

dE⃗⃗⃗⃗ 4πε<br />

2 (M) =<br />

0 (a 2 + z 2 ) cosθ<br />

dE<br />

{ 2 z (M) = 1 λdz<br />

4πε 0 (a 2 + z 2 ) sinθ<br />

de même norme que dE⃗⃗⃗⃗ 1 (M), mais dont les composantes vérifient :{ dE 1ρ (M) = dE 2ρ (M)<br />

dE 1 z (M) = −dE 2z (M)<br />

En conclusion, on pourra remarquer que la composante <strong>du</strong> champ électrique suivant (oz)<br />

s’annule par raison de symétrie <strong>et</strong> le théorème de superposition donne pour deux éléments<br />

symétriques :<br />

dE⃗ (M) = 2dE⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 1 (M)<br />

ρ<br />

Donc<br />

E⃗ (M) = 2 ∫ dE⃗⃗⃗⃗ ρ (M) = 2e⃗⃗⃗⃗ ρ ∫<br />

1 λdz<br />

4πε 0 (a 2 + z 2 ) cosθ<br />

Pour intégrer sur θ, il faut remarquer que :<br />

dz = a<br />

dθ<br />

cos 2 θ<br />

( a 2<br />

cos θ ) = (a 2 + z 2 )<br />

3/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

E⃗ (M) =<br />

2 e⃗⃗⃗⃗ 4πε ρ ∫<br />

λdz<br />

0 (a 2 + z 2 ) cosθ =<br />

E⃗ (M) =<br />

λ<br />

2πaε 0<br />

e ρ<br />

π<br />

2<br />

λ<br />

2πε 0<br />

e ρ<br />

⃗⃗⃗⃗ ∫ cosθdθ =<br />

0<br />

a<br />

dθ<br />

⃗⃗⃗⃗ ∫<br />

cos 2 θ<br />

( a cosθ =<br />

λ<br />

)2<br />

cos θ<br />

λ<br />

π<br />

e⃗⃗⃗⃗ 2πaε ρ [sinθ]<br />

2<br />

0<br />

0<br />

2πaε 0<br />

e ρ<br />

= λ e⃗⃗⃗⃗<br />

2πaε ρ<br />

0<br />

π<br />

2<br />

⃗⃗⃗⃗ ∫ cosθdθ<br />

d’où l’on tire :<br />

E⃗ (M) =<br />

λ e⃗⃗⃗⃗<br />

2πaε ρ<br />

0<br />

Nous verrons dans le prochain chapitre comment r<strong>et</strong>rouver ce résultat avec beaucoup plus de<br />

facilité.<br />

0<br />

b) <strong>Calcul</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> crée par un fil infini chargé<br />

E⃗ (M) = −grad ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ V(M) dV(M) = − E⃗ (M)dl ⃗⃗⃗⃗<br />

λ<br />

E⃗ (M) = e⃗⃗⃗⃗<br />

2πrε r<br />

0<br />

⃗⃗⃗⃗ dl = dre⃗⃗⃗⃗<br />

r<br />

V(M) = − ∫<br />

λ dr = −<br />

λ ln r + cte<br />

2πrε 0 2πε 0<br />

V(M) = − ∫ E⃗ (M)dl ⃗⃗⃗⃗<br />

3) Exemple 3 : <strong>Champ</strong> électrique sur l’axe d’un anneau uniformément chargé<br />

Soit Q la charge totale <strong>et</strong> a le rayon de l’anneau. Un élément dl porte une charge<br />

Q<br />

dq = dl = λ 2πa<br />

0dl avec dl = adθ<br />

Le champ électrique pro<strong>du</strong>it en point P situé à une distance z <strong>du</strong> centre de l’anneau vaut ( en<br />

mo<strong>du</strong>le) :<br />

4/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

1 dq<br />

‖dE⃗ (M)‖ =<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 )<br />

Le champ dE⃗ (M) se décompose en : dE⃗⃗⃗⃗ 1 (M) perpendiculaire à z dE⃗⃗⃗⃗ 2 (M) parallèle à z.<br />

Vu la symétrie axiale, la somme sur le pourtour de l’anneau des composantes dE⃗⃗⃗⃗ 1 (M)<br />

perpendiculaires à z est nulle.<br />

Composante parallèle : dE 2 (M) = dE(M)cosφ Or<br />

z<br />

cosφ =<br />

√(z 2 + a 2 )<br />

Donc<br />

1 dq z<br />

dE 2 (M) =<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) √(z 2 + a 2 ) = 1 zdq<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) 3/2 = 1 zλ 0 dl<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) 3/2<br />

En faisant la somme de toutes les charges dq sur le pourtour de l’anneau, il vient :<br />

<strong>Champ</strong> sur l’axe d’un anneau :<br />

1 zλ 0 dl<br />

E 2 (M) = E(M) =<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) 3/2 = 1<br />

2π<br />

zλ 0<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) 3/2 ∫ adθ<br />

0<br />

1 zλ 0 2πa<br />

E 2 (M) = E(M) =<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) 3/2 = E 1 zQ<br />

2(M) = E(M) =<br />

4πε 0 (z 2 + a 2 ) 3/2<br />

Pour z = 0, le champ électrique est nul. Ce résultat est-il surprenant ?<br />

A grande distance l’anneau est vu comme un point <strong>et</strong> le champ tend vers celui d’une charge<br />

ponctuelle. z >>>> a :<br />

1 Q<br />

E(M) =<br />

4πε 0 z 2<br />

4) Exemple 4 :<br />

a) champ sur l’axe d’un disque uniformément chargé<br />

Considérons un disque de rayon R portant la charge totale Q uniformément répartie à sa<br />

surface, ce qui correspond à une densité surfacique :<br />

Q<br />

σ =<br />

πR 2<br />

nous nous proposons de calculer le champ <strong>électrostatique</strong> crée par ce disque en un point M de<br />

son axe Oz à la distance z (z>0) de son centre O (Figure). Tout plan contenant la droite OM<br />

5/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

est un plan de symétrie paire; le champ E⃗ est nécessairement porté par la <strong>direct</strong>ion commune à<br />

tous ces plans, c'est à dire par Oz.<br />

Soit M un point de l’axe (Oz). Les plans contenant (Oz) sont des plans médiateurs pour la<br />

distribution de charges donc E⃗ (M) est nécessairement suivant e⃗⃗⃗⃗<br />

Z<br />

Le champ dE⃗ (M) crée par un élément de surface dS, de charge dq = σdS,a pour<br />

expression:<br />

1 σdS<br />

dE⃗ (M) =<br />

4πε 0 r 2 e ⃗⃗⃗⃗ r,<br />

PM ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = r⃗<br />

On peut associer deux à deux les éléments symètriques de surface de façon que les<br />

composantes normales à Oz des champs correspondants se compensent comme nous l'avons<br />

prévu à partir des éléments de symétrie <strong>du</strong> problème, seules les composantes suivant (oz)<br />

s'ajoutent avec dE Z (M) = dE(M)cosα . Ainsi<br />

dE Z (M) = dE(M)cosα =<br />

1 σdS<br />

4πε 0 r 2 cosα<br />

avec dS = ρdρdθ<br />

Ainsi<br />

(en coordonnées polaires) r 2 = ρ 2 + z 2<br />

cosα = z r = z<br />

√(ρ 2 + z 2 )<br />

dE(M) = dE Z (M) =<br />

1 σdS<br />

1 σρdρdθ z<br />

cosα =<br />

4πε 0 r2 4πε 0 r 2 r = σz ρdρdθ<br />

4πε 0 (ρ 2 + z 2 ) 3/2<br />

L'expression <strong>du</strong> champ E⃗ (M) en M (qui se confond avec sa composante sur Oz) est donnée<br />

par:<br />

E(M) = ∬<br />

σz ρdρdθ<br />

4πε 0 (ρ 2 + z 2 ) 3/2 = σz<br />

ρdρ<br />

∫ dθ ∫<br />

4πε 0 (ρ 2 + z 2 ) 3/2<br />

2π<br />

0<br />

0<br />

R<br />

6/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

E(M) =<br />

R<br />

σz ρdρ<br />

∫<br />

2ε 0 (ρ 2 + z 2 ) 3/2<br />

0<br />

On pose u = ρ 2 + z 2 donc <strong>du</strong> = 2ρdρ<br />

E(M) =<br />

σz<br />

2ε 0<br />

(R 2 +Z 2 )<br />

∫<br />

Z 2<br />

<strong>du</strong><br />

(u) 3/2<br />

(R 2 +Z 2 )<br />

= σz ∫ u −3/2 d u<br />

2ε 0<br />

Z 2<br />

E(M) =<br />

(R 2 +Z 2 )<br />

σz<br />

∫ u −3/2 d<br />

2ε 0<br />

Z 2<br />

u = − σz [u −1/2 (R<br />

] 2 +Z 2 ) σz<br />

2ε Z 2 = [ 1<br />

0 2ε 0 |Z| −<br />

1<br />

√(R 2 + Z 2 ) ]<br />

E(M) ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗<br />

σz = [ 1<br />

2ε 0 |Z| −<br />

1<br />

√(R 2 + Z 2 ) ] e ⃗⃗⃗⃗ Z<br />

Soit: C<strong>et</strong>te expression est valable quelque soit le signe de z.<br />

Cas limites:<br />

* Si le point M est très éloigné <strong>du</strong> disque |Z| ≫≫ R, on aura:<br />

E(M) =<br />

σ<br />

[ Z<br />

2ε 0 |Z| − Z<br />

√(R 2 + Z 2 ) ] = σ Z<br />

1 −<br />

2ε 0 |Z|<br />

[<br />

1<br />

√( R2<br />

Z 2 + 1) ]<br />

E(M) =<br />

E(M) =<br />

σ Z<br />

1 −<br />

2ε 0 |Z|<br />

[<br />

σ Z<br />

2ε 0 |Z|<br />

1<br />

√( R2<br />

Z 2 + 1) ]<br />

= σ Z<br />

2ε 0 |Z|<br />

−1/2<br />

[1 − (R2<br />

Z 2 + 1) ] ≅ σ<br />

2ε 0<br />

−1/2<br />

[1 − (R2<br />

Z 2 + 1) ]<br />

Z<br />

|Z|<br />

[1 − (1 −<br />

R2<br />

2Z 2)]<br />

E(M) =<br />

σ Z<br />

R2<br />

[1 − (1 −<br />

2ε 0 |Z| 2Z 2)] = σR2 Z<br />

4ε 0 Z 2 |Z| = σπR 2 Z<br />

4πε 0 Z 2 |Z| = Q Z<br />

4πε 0 Z 2 |Z|<br />

C'est l'expression <strong>du</strong> champ crée en M par une charge Q = σπR 2 (c'est la charge totale <strong>du</strong><br />

disque) placée en O.<br />

* Si le point M est très proche <strong>du</strong> disque |Z| ≪< R , l'expression <strong>du</strong> champ devient<br />

approximativement égale à :<br />

7/8


Ahmed Chouk<strong>et</strong><br />

<strong>Calcul</strong> <strong>direct</strong> <strong>du</strong> champ <strong>et</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> <strong>électrostatique</strong>s<br />

E(M) ≅<br />

σ Z<br />

2ε 0 |Z|<br />

[<br />

1 −<br />

1<br />

√( R2<br />

Z 2 + 1) ]<br />

Nous r<strong>et</strong>rouvons ainsi, au voisinage immédiat <strong>du</strong> disque, le champ d'un plan uniformément<br />

chargé.<br />

≅ 1<br />

E(z < 0) ≅ −<br />

σ<br />

2ε 0<br />

E(z > 0) ≅<br />

σ<br />

2ε 0<br />

Remarquons la discontinuité de σ ε 0<br />

de E à la traversée de la couche superficielle chargée.<br />

E(z > 0) − E(z < 0) =<br />

σ<br />

ε 0<br />

b) Question : <strong>Calcul</strong> <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong> créé par un disque de rayon R <strong>et</strong> de charge surfacique σ<br />

uniforme sur son axe.<br />

Potentiel créé par un disque uniformément chargé<br />

dV =<br />

1 σdS<br />

4πε 0 r = 1 σ2πρdρ<br />

4πε 0 r<br />

0<br />

R<br />

σ<br />

V = ∫ ρdρ =<br />

2ε 0 r<br />

R<br />

σ ρdρ<br />

∫<br />

2ε 0 √(ρ 2 + z 2 )<br />

0<br />

On pose u = ρ 2 + z 2<br />

<strong>du</strong> = 2ρdρ<br />

V =<br />

R 2 +Z 2<br />

R 2 +Z 2<br />

σ<br />

∫ <strong>du</strong> = σ ∫ u −1/2 <strong>du</strong> = σ [ 1 2ε 0 √u 2ε 0 2ε 0 2 u1/2 ]Z 2<br />

Z 2 Z 2<br />

8/8<br />

R 2 +Z 2 =<br />

σ<br />

4ε 0<br />

[√R 2 + Z 2 − √Z 2 ]<br />

On remarque que le champ diverge pour R tends vers l’infini c’est normale puisqu’il y a des<br />

charge à l’infini.<br />

Trouver le champ électrique à partir <strong>du</strong> <strong>potentiel</strong>

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