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設 計 , 或 最 佳 化 以 用 於 製 造 臨 界 尺 寸 等 於 或 小 於 180 nm 之 半 導 體元 件 者 ;e. 具 下 列 任 一 特 性 之 自 動 裝 載 多 腔 中 心 晶 圓 處 理 系 統 :1. 晶 圓 輸 入 及 輸 出 之 界 面 , 且 此 界 面 連 接 二 組 以 上 之 半 導 體 製 程 設備 ; 或2. 設 計 以 形 成 一 個 能 在 真 空 環 境 中 進 行 循 序 多 晶 圓 加 工 之 整 合 系 統 ;註 解 :3B001.e. 不 管 制 非 設 計 於 真 空 下 操 作 之 自 動 機 器 人 晶 圓 處 理 系統 。f. 如 下 之 微 影 設 備 :1. 利 用 光 學 或 X 光 方 法 , 進 行 對 準 及 曝 光 之 步 進 重 覆 式 操 作 ( 對 晶 圓之 直 接 步 進 ) 或 步 進 掃 描 式 操 作 ( 掃 描 器 ) 等 步 驟 之 晶 圓 加 工 設 備 , 且具 下 列 任 一 特 性 ;a. 光 源 波 長 小 於 245 nm; 或b. 能 夠 產 生 ‘ 最 小 可 解 析 特 徵 ’ 尺 寸 等 於 或 小 於 180 nm 之 圖 案 ;技 術 註 解 :‘ 最 小 可 解 析 特 徵 ’ 尺 寸 係 由 下 列 公 式 計 算 :MRF = ( 以 nm 為 單 位 之 曝 光 光 源 波 長 ) × (K 因 數 )/( 數 值 孔 徑 )其 中 K 因 數 = 0.45MRF = 最 小 可 解 析 特 徵 尺 寸2. 可 產 生 等 於 或 小 於 180 nm 特 徵 尺 寸 之 壓 模 微 影 設 備 ;說 明 :3B001.f.2. 包 括 :- 微 觸 壓 印 工 具192