semiconductor_Korea.pdf (4.02MB)
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반도체란<br />
반도체란<br />
전공정<br />
후공정<br />
포토(photo)에칭 및 불순물 확산 공정을 반복해서<br />
웨이퍼상에 반도체 칩을 형성합니다.<br />
<br />
웨이퍼를 잘라서 만든 칩을 리드 프레임 위에 붙인<br />
뒤 와이어로 칩의 전극과 리드를 접속한 다음에<br />
<br />
기상 성장<br />
경면 연마된 웨이퍼(실리콘 단결정 기판)에 기상<br />
<br />
<br />
<br />
몰드 수지로 IC칩을 싸서 테스트를 실시해 불량품을<br />
제거하는 공정입니다.<br />
<br />
<br />
<br />
성장층을 만듭니다.<br />
다이싱<br />
다이아몬드 날의 커터를 사용하여 반도체 디바이스가<br />
기상 성장<br />
만들어진 웨이퍼에서 개개의 칩을 잘라냅니다.<br />
불순물 선택 확산<br />
사진 기술을 응용한 포토(photo)에칭 기술을 사용해서<br />
<br />
SiO2 <br />
칩 마운트 및 와이어 본딩<br />
칩을 리드 프레임 위에 붙입니다. 그리고 칩의 전극과<br />
다이싱(dicing)<br />
선택적으로 불순물을 확산시켜 부분적으로 필요한<br />
극성 및 불순물 농도의 영역을 만듭니다. 이 과정을<br />
반복해서 반도체 디바이스를 만듭니다.<br />
<br />
<br />
<br />
리드를 금이나 알루미늄 등의 와이어로 접속시킵니다.<br />
패키징<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
기계적 강도를 주기 위해서 에폭시 수지 등으로 본딩<br />
와이어와 반도체 칩 등을 봉입합니다.<br />
<br />
<br />
<br />
선별 검사<br />
마지막으로 테스터로 전기적 특성을 측정 및 판정해서<br />
<br />
<br />
<br />
불량품을 제거합니다.<br />
불순물 확산<br />
웨이퍼 절단<br />
전극 금속 증착<br />
알루미늄 또는 구리 등을 웨이퍼의 표면에 증착하여<br />
전극 및 배선을 형성합니다.<br />
<br />
<br />
N + <br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
배선, 전극 금속의 증착<br />
<br />
<br />
패키징(몰딩)<br />
칩 마운트 및 본딩<br />
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