semiconductor_Korea.pdf (4.02MB)
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반도체 디바이스<br />
반도체 디바이스<br />
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동기형은 당초 컴퓨터 등의 캐시 메모리로서<br />
파이프라인 버스트 SRAM이 개발되었습니다. 그러나<br />
컴퓨터용 CPU가 2차 캐시 메모리까지 내장하게<br />
되어서, 네트워크 관련기기를 중심으로 용도가<br />
변천되었습니다.<br />
통신 기기는 인터넷의 브로드밴드화, LAN의 고속화로<br />
인해 대량의 데이터 통신이 요구됨에 따라 고속<br />
★ FeRAM(Ferroelectric(강유전체) RAM)<br />
FeRAM은 DRAM과 같은 구조를 가지고 있지만,<br />
콘덴서 부분이 강유전체 재료로 형성되어 있습니다.<br />
DRAM은 여기에 전하를 축적해 데이터를 기억하지만,<br />
FeRAM는 강유전체 재료의 잔류극성 전압이 +<br />
또는 -로 유지되며, 이 상태를 읽어서 "1"과 "0"을<br />
판별합니다. 잔류극성 전압은 전원을 꺼도 유지되기<br />
대용량의 데이터 버퍼가 필요하게 되었습니다. 또한<br />
때문에 FeRAM은 비휘발성입니다.<br />
통신 기기 용도에 적합한 동기형 SRAM이 개발되어<br />
★ MRAM(Magnetic(자성체) RAM)<br />
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있습니다.<br />
MRAM은 기억소자에 자성체를 사용합니다. 자기화된<br />
소자 상의 배선에 전류가 흐르면 자기장의 방향에<br />
SRAM셀의 구조도 (6트랜지스터)<br />
따라 배선저항이 변하는 것을 이용하여 데이터를<br />
기억합니다.<br />
★ SRAM (Static RAM)<br />
액세스 타임이 늦는 제품(저소비전력 SRAM)과<br />
SRAM은 메모리셀에 플립플롭 회로를 사용해서 그림과<br />
고속성이 요구되는 제품(고속 SRAM)으로 분류합니다.<br />
같이 6개의 트랜지스터 또는 4개의 트랜지스터와<br />
2개의 저항으로 구성됩니다. u1개의 트랜지스터와<br />
SRAM의 용도<br />
1개의 콘덴서로 구성된 DRAM에 비하여 대용량화에는<br />
저소비전력 SRAM은 휴대전화나 휴대정보단말기 등<br />
불리하지만, 리프레시 동작이 필요 없고, 외부<br />
주로 배터리로 구동되는 기기에 사용합니다.<br />
노이즈에도 강하다는 특성을 갖추고 있습니다. 이것은<br />
고속 SRAM은 비동기형과 동기형으로 나눕니다.<br />
대용량이 필요 없는 시스템에 사용합니다.<br />
전자는 메모리 테스터나 공업용 계측기 등의<br />
SRAM은 그 용도에 따라서 저소비전력에서 비교적<br />
버퍼용으로 사용됩니다.<br />
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SRAM셀의 구조도 (4트랜지스터 + 저항)<br />
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