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반도체 디바이스
반도체 디바이스
동기형은 당초 컴퓨터 등의 캐시 메모리로서
파이프라인 버스트 SRAM이 개발되었습니다. 그러나
컴퓨터용 CPU가 2차 캐시 메모리까지 내장하게
되어서, 네트워크 관련기기를 중심으로 용도가
변천되었습니다.
통신 기기는 인터넷의 브로드밴드화, LAN의 고속화로
인해 대량의 데이터 통신이 요구됨에 따라 고속
★ FeRAM(Ferroelectric(강유전체) RAM)
FeRAM은 DRAM과 같은 구조를 가지고 있지만,
콘덴서 부분이 강유전체 재료로 형성되어 있습니다.
DRAM은 여기에 전하를 축적해 데이터를 기억하지만,
FeRAM는 강유전체 재료의 잔류극성 전압이 +
또는 -로 유지되며, 이 상태를 읽어서 "1"과 "0"을
판별합니다. 잔류극성 전압은 전원을 꺼도 유지되기
대용량의 데이터 버퍼가 필요하게 되었습니다. 또한
때문에 FeRAM은 비휘발성입니다.
통신 기기 용도에 적합한 동기형 SRAM이 개발되어
★ MRAM(Magnetic(자성체) RAM)
있습니다.
MRAM은 기억소자에 자성체를 사용합니다. 자기화된
소자 상의 배선에 전류가 흐르면 자기장의 방향에
SRAM셀의 구조도 (6트랜지스터)
따라 배선저항이 변하는 것을 이용하여 데이터를
기억합니다.
★ SRAM (Static RAM)
액세스 타임이 늦는 제품(저소비전력 SRAM)과
SRAM은 메모리셀에 플립플롭 회로를 사용해서 그림과
고속성이 요구되는 제품(고속 SRAM)으로 분류합니다.
같이 6개의 트랜지스터 또는 4개의 트랜지스터와
2개의 저항으로 구성됩니다. u1개의 트랜지스터와
SRAM의 용도
1개의 콘덴서로 구성된 DRAM에 비하여 대용량화에는
저소비전력 SRAM은 휴대전화나 휴대정보단말기 등
불리하지만, 리프레시 동작이 필요 없고, 외부
주로 배터리로 구동되는 기기에 사용합니다.
노이즈에도 강하다는 특성을 갖추고 있습니다. 이것은
고속 SRAM은 비동기형과 동기형으로 나눕니다.
대용량이 필요 없는 시스템에 사용합니다.
전자는 메모리 테스터나 공업용 계측기 등의
SRAM은 그 용도에 따라서 저소비전력에서 비교적
버퍼용으로 사용됩니다.
SRAM셀의 구조도 (4트랜지스터 + 저항)
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