Versuch: "Diode, Transistor, Thyristor"
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<strong>Diode</strong>, <strong>Transistor</strong>, Thyristor<br />
beobachtet werden, als man Halbleiterkristalle höchster Reinheit herstellen konnte. Verunreinigungen<br />
überdecken nämlich diesen Effekt, wie im folgenden veranschaulicht werden soll.<br />
1.3 Störstellenleitung in Halbleitern<br />
Die Leitfähigkeit von Halbleitern kann um viele Größenordnungen dadurch gesteigert werden,<br />
dass man das Material durch die Zugabe von Fremdatomen "verunreinigt". Das nennt man<br />
Dotieren. Dabei werden entweder fünfwertige Atome wie z.B. Antimon oder dreiwertige wie<br />
z.B. Indium in das Wirtsgitter eingebaut. Technisch geschieht das beispielsweise durch Legieren<br />
oder Eindiffundieren des Dotierstoffes.<br />
Es soll zunächst der Leitungsvorgang infolge Dotierung mit fünfwertigen Störstellen betrachtet<br />
werden (Bild 3). Ein Valenzelektron des Störatoms bleibt ohne Bindung im Kristallgitter<br />
und steht daher als freier Ladungsträger zur Verfügung. Eine solche Störstelle bezeichnet man<br />
daher als Donator. Das Donatoratom wird, nachdem es sein Elektron abgegeben hat, zu einem<br />
positiv geladenen Ion. Den mit Donatoren dotierten Halbleiter nennt man einen n-Leiter. Ein<br />
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typischer Wert sind 10 Donatoratome je cm , sodass zur Störstellenleitung wesentlich mehr<br />
Elektronen zur Verfügung stehen, als zur Eigenleitung. Andererseits entspricht dieser Dotierungsgrad<br />
einem Fremdatom auf etwa 10 Atomen des Wirtsmaterials. Die Reinheitsanforde-<br />
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rungen an den Halbleiterkristall sind also nach wie vor extrem hoch.<br />
Bild 3: Störstellenleitung im Si-Kristall durch Dotieren mit Sb<br />
In Bild 4 wird der Leitungsvorgang infolge Dotierung mit dreiwertigen Störstellen skizziert.<br />
Dem Fremdatom fehlt dann jeweils ein Valenzelektron, um die Bindungen zu den benachbarten<br />
Atomen abzusättigen. In diese Bindungslücke kann dann aus einer vollständigen Bindung<br />
(bei geringer Energiezufuhr z.B. durch Erwärmung) ein Bindungselektron nachrücken, wodurch<br />
dort ein Loch entsteht. Eine solche Störstelle bezeichnet man dann als Akzeptor. Das<br />
Akzep- toratom wird zu einem negativ geladenen Ion. Das Loch kann im Kristallverband genauso<br />
wandern, wie es schon bei der Eigenleitung beschrieben wurde. Man bezeichnet das<br />
Halbleitermaterial jetzt als p-Leiter. (Mit n und p werden in der Literatur gewöhnlich Elektronen<br />
und Löcher bezeichnet.)<br />
Bild 4: Störstellenleitung im Si-Kristall durch Dotieren mit In<br />
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