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Leistungselektronik Feldeffekt-Transistor: Kennlinien, Funktion und Schaltzeichen (JFET), der zwischen dem Gate und dem Source-Drain-Kanal einen sperrenden Übergang hat, und dem Isolated Gate FET (IGFET), der eine isolierende Schicht zwischen Gate und dem Source-Drain-Kanal hat. Da diese in MOS-Technologie gefertigt wird, spricht man in diesem Zusammenhang von MOSFET. Bei dieser Technologie ist das Gate elektrisch über einen Isolator, nämlich eine Metalloxydschicht angeschlossen und hat eine extrem hohe Impedanz. 4
Leistungselektronik Über das Gate fließt also kein Strom, die Steuerung erfolgt leistungslos. Neben diesen Technologien gibt es noch organische Feldeffekttransistoren (OFET), die aus Polymeren bestehen und das ferroelektrisch arbeitende FeFET, das sich für Speicherzellen eignet. Mit dem FinFET und dem MuGFET (Multiple Gate FET) gibt es Varianten mit mehreren Gates, die den Ladungsträgerkanal umschließen, die weniger Energie benötigen, kleiner realisiert werden können und wesentlich kürzere Schaltzeiten haben. Sie eignen sich für Mikroprozessoren und SRAMs. Galliumnitrid GaN, gallium nitride Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial, das in der Optoelektronik, bei hochintegrierten Leistungs- und Frequenzbereiche von verschiedenen Halbleitermaterialien optischen Speichermedien, in der Mikrowellentechnik, in Schaltern, der Leistungselektronik und bei Halbleiterlichtquellen eingesetzt wird. Galliumnitrid hat diverse Vorteile gegenüber Galliumarsenid (GaAs) und Silizium. Es zeichnet sich durch gute Hochfrequenzeigenschaften und einen geringen Energieverbrauch aus. Außerdem hat es einen hohen 5
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