Dissertation_M_Fischer.pdf - OPUS - Universität Augsburg

12 2 Grundlagen
2.1.5.1 Homoepitaxie
Bei der Homoepitaxie wird Diamant auf einem Diamanteinkristall gewachsen. Ein Nukleationsschritt
ist damit nicht notwendig. Ein weiterer Vorteil der Homoepitaxie liegt darin, dass das Substrat und
die Schicht im wesentlichen identische Gitterkonstanten (bei undotierten Proben) sowie den gleichen
thermischen Ausdehungskoeffizienten besitzen. Damit hat man einen vernachlässigbaren Gittermisfit
zwischen Schicht und Substrat und auch das Abkühlen von Prozess- auf Raumtemperatur erzeugt
keine Spannungen in der Schicht. Zudem weisen die Substrate, typischerweise HPHT-Kristalle, eine
sehr hohe Kristallqualität auf. Auf diesen können CVD-Schichten mit hoher Qualität hergestellt
werden [Bau07]. Ein großer Nachteil besteht jedoch darin, dass sich bis jetzt die Größe der Substrate
auf eine Kantenlänge von ca. 1 cm beschränkt.
Abbildung 2.8 Strategien zur Erzeugung großflächiger Einkristalle über Homoepitaxie: a) durch homoepitaktisches
Überwachsen einer Anordnung von exakt parallel ausgerichteten Einzelkristallen, die durch
ein Lift-off-Verfahren auf dem gleichen Kristall hergestellt wurden [Yam10] [Yam11]; das Ramanspektrum
zeigt, dass eine Verbreiterung des Ramanpeaks an der Kontaktstelle vorliegt. b) durch Wachstum auf den
Seitenflächen [Mok06]