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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

5.2 :

5.2 : Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen verschiedener Prozessfortschritte bei der Herstellung von Bottom-Elektroden 5.3 : Planarisierungsprozess 5.4 : Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen des Planarisierungsprozesses 5.5 : Aufbau des Mask-Aligners und Prinzipdarstellung der Alignment- Prozedur 5.6 : Alignment-Marker 5.7 : Positionierte Alignment-Marker 5.8 : Optische Mikroskopaufnahme der Alignment-Marker nach der Nanoimprint-Lithographie 5.9 : Prozessablauf der Top-Elektroden 5.10 : Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen verschiedener Crossbar- Strukturen 5.11 : Leitungswiderstandmessungen 5.12 : Herstellungsprozess alternativer Zuleitungen mittels optischer Lithographie und Lift-Off-Technik 5.13 : REM-Aufnahme einer Bottom-Elektrode, deren Zuleitungsperipherie partiell in alternativer Herstellungsweise realisiert wurde 5.14 : Widerstandsmessungen an Pt Bottom-Elektroden 5.15 : Crossbar-Arrays ohne Planarisierung 5.16 : Integration von TiO 2 in die Crossbar-Plattform 5.17 : I(U)-Kennlinie einer resistiven Speicherzelle mit schaltbarem TiO 2 6.1 : Molekulare Struktur des MSQ 6.2 : Herstellung von Crossbar-Strukturen mit integriertem MSQ 6.3 : Einzelkreuzstruktur und I(U)-Kennlinien quasistatischer Messungen 6.4 : Verlauf des ON-Widerstandes R ON in Abhängigkeit von der Zellgröße 6.5 : Statistische Auswertung der Formierspannung, SET-Spannung, RESET-Spannung 5

6.6 : I(U)-Kennlinie an einer Pt/MSQ/Pt-Zelle 6.7 : Lateralstruktur bestehend aus zwei Ag-Elektroden, zwischen denen sich MSQ befindet 6.8 : REM-Aufnahmen an Lateralstrukturen nach einem Formierungsprozess mit 20 V 6.9 : FTIR-Analyse an Pt/MSQ-Schichten, die mit unterschiedlichen Temperaturen ausgeheizt wurden 6.10 : Statistische Auswertung der Formierspannung, SET-Spannung, RESET-Spannung an 800°C-MSQ-Zellen 6.11 : Retention-Messung an einer 100 nm x 100 nm Pt/MSQ/Ag-Zelle 6.12 : Endurance-Messung an einer 100 nm x 100 nm Pt/MSQ/Ag-Zelle 6.13 : Anzahl der Pulse, die für ein Schaltevent benötigt wurden 6.14 : Schnelle Pulsmessungen mit 10 ns Pulsen 6.15 : REM-Aufnahme einer Pt/MSQ/Ag-Wort-Struktur 6.16 : Programmierung der Wortstruktur 6.17 : Parasitärer Spannungspfad in einem 2 x 2 bit Array 7.1 : Mehrlagen-Crossbar-Arrays 7.2 : Zerstörung der Ag-Top-Elektrode durch Temperaturbehandlung 7.3 : Resistives Schalten einer Ag-dotierten Pt/Ag-MSQ/Ag-Zelle 7.4 : Herstellung von Pt/Ag-MSQ/Pt-Crossbar-Strukturen 7.5 : Resistives Schalten in Pt/Ag-MSQ/Pt-Zellen 7.6 : TOF-SIMS-Analyse an verschiedenen Pt/MSQ/Ag-Schichtstapeln 7.7 : Resistives Schalten in 3D-Pt/Ag-MSQ/Pt-Crossbar-Strukturen 6