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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

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Abkürzungs- und

Abkürzungs- und Symbolverzeichnis 1T1R : Ein Transistor und ein Widerstand ″ : Zoll A : Leiterquerschnitts-Fläche AFM : Atomic Force Microscopy BEOL : Back-End-Of-Line CAD : Computer Aided Design CAFM : Conductive Atomic Force Microscopy CMOS : Complemantary Metal Oxide Semiconductor DRAM : Dynamic Random Access Memory DUV : Deep Ultra Violet EMS : Elektrochemische Metallisierungs-Speicherzelle FeRAM : Ferroelectric Random Access Memory FIB : Focused Ion Beam FPGA : Field Programmable Gate Array FTIR : Fourier Transformations IR Spektroskopie HSQ : Hydrogen-Silsesquioxan I B : Beam Current (Ionenstrahl-Strom) IC : Integrated Circuit ITRS : International Technology Roadmap for Semiconductors k 1 : Technologie Konstante (0.5 – 0.9) l : Leitungslänge mbar : Millibar M c : Kritisches Molekulargewicht MIM : Metall Isolator Metall MRAM : Magnetic Random Access Memory MSQ : Methyl-Silsesquioxan (Spin-On Glass) 7

M w : Molekulargewicht NIL : Nanoimprint-Lithographie PCRAM : Phase Change Random Access Memory PMMA : Polymethylmethacrylat - C 5 H 8 O 2 (thermoplastischer Kunststoff) P RF R Elektrode : RF-Power der Ionenquelle PS : Polystyrol - C 8 H 8 : Leitungswiderstand REM : Rasterelektronenmikroskop RESET : Ausschalten: 1 → 0 RIBE : Reactive Ion Beam Etching RIE : Reactive Ion Etching R OFF : OFF-Widerstand (hochohmig) R ON : ON-Widerstand (niederohmig) rpm : Rounds per Minute (Drehzahl) rpm/s : Rounds per Minute per Second (Beschleunigung) RRAM : Resistive Random Access Memory sccm : Standard Cubic Centimeter per Minute SET : Einschalten: 0 → 1 SFIL : Step and Flash Imprint Lithography T g : Glasübergangstemperatur TOF-SIMS : Time of Flight - Secondary Ion Mass Spectroscopy U A U B U ext : Acceleration Voltage : Beam Voltage : Extraction Voltage der Ionen aus der Quelle UV-NIL : Ultra Violet Nanoimprint-Lithographie XRR : X-Ray Reflektion γ : Energieaustausch κ : Leitfähigkeit κ : Elektrische Leitfähigkeit λ : Wellenlänge 8