Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />
keine Ätzmaske vorhanden ist. Somit bestimmt das richtige Gasmischungsverhältnis<br />
sowie <strong>die</strong> geeignete Wahl von U B <strong>die</strong> Güte der Strukturflanken. Abbildung 4.25 zeigt<br />
90° steile Strukturflanken, <strong>die</strong> mit einem Mischungsverhältnis (CF 4 :Ar) von 1:1 erzielt<br />
wurden, welches zugleich das optimale Ergebnis der Ätzreihe darstellt. Die Ätztiefe<br />
beträgt hier 30 nm (3 min Ätzzeit), was der Größenordung der Residual-Dicke nach<br />
einem Nanoimprint-Prozess entspricht. Da <strong>die</strong> Residual-Lackdicke in <strong>die</strong>sem Versuch<br />
höher war, wurde der Residual-Layer nicht vollständig entfernt.<br />
35<br />
25<br />
Ätzrate [nm/min]<br />
25<br />
15<br />
Ätzrate [nm/min]<br />
15<br />
5<br />
0 125 250<br />
Strahlstrom I B [mA]<br />
5<br />
0 400 800<br />
Strahlspannung U B [V]<br />
Ätzrate [nm/min]<br />
17<br />
12<br />
7<br />
2<br />
a)<br />
0 50 100<br />
CF 4 -Gehalt [%]<br />
c)<br />
b)<br />
Abbildung 4.24:<br />
Ätzratenabhängigkeiten des NXR-2010:<br />
a) Variation von I B bei U B = 450 V und<br />
CF 4 –Gehalt = 100 % (10sccm),<br />
b) Variation von U B bei I B = 125 mA<br />
und CF 4 -Gehalt = 100 % (10 sccm),<br />
c) Variation des CF 4 -Gehalts in einem<br />
CF 4 /Ar Mischgas (10 sccm) bei<br />
I B = 125 mA und U B = 450 V.<br />
60