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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />

keine Ätzmaske vorhanden ist. Somit bestimmt das richtige Gasmischungsverhältnis<br />

sowie <strong>die</strong> geeignete Wahl von U B <strong>die</strong> Güte der Strukturflanken. Abbildung 4.25 zeigt<br />

90° steile Strukturflanken, <strong>die</strong> mit einem Mischungsverhältnis (CF 4 :Ar) von 1:1 erzielt<br />

wurden, welches zugleich das optimale Ergebnis der Ätzreihe darstellt. Die Ätztiefe<br />

beträgt hier 30 nm (3 min Ätzzeit), was der Größenordung der Residual-Dicke nach<br />

einem Nanoimprint-Prozess entspricht. Da <strong>die</strong> Residual-Lackdicke in <strong>die</strong>sem Versuch<br />

höher war, wurde der Residual-Layer nicht vollständig entfernt.<br />

35<br />

25<br />

Ätzrate [nm/min]<br />

25<br />

15<br />

Ätzrate [nm/min]<br />

15<br />

5<br />

0 125 250<br />

Strahlstrom I B [mA]<br />

5<br />

0 400 800<br />

Strahlspannung U B [V]<br />

Ätzrate [nm/min]<br />

17<br />

12<br />

7<br />

2<br />

a)<br />

0 50 100<br />

CF 4 -Gehalt [%]<br />

c)<br />

b)<br />

Abbildung 4.24:<br />

Ätzratenabhängigkeiten des NXR-2010:<br />

a) Variation von I B bei U B = 450 V und<br />

CF 4 –Gehalt = 100 % (10sccm),<br />

b) Variation von U B bei I B = 125 mA<br />

und CF 4 -Gehalt = 100 % (10 sccm),<br />

c) Variation des CF 4 -Gehalts in einem<br />

CF 4 /Ar Mischgas (10 sccm) bei<br />

I B = 125 mA und U B = 450 V.<br />

60

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