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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

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4 DIE HERSTELLUNGSTECHNOLOGIEN<br />

den Strukturgräben freiliegt (Abbildung 4.27 b). Anschließend kann der PMMAbasierte<br />

Underlayer (NXR-3020) in einem O 2 -Prozess bis auf das Substrat durchgeätzt<br />

werden (Abbildung 4.27 c). Dabei beträgt <strong>die</strong> Selektivität des UV-Lacks gegenüber dem<br />

Underlayer-Lack in einem Sauerstoffprozess ~ 11, wodurch der NXR-2010 als<br />

Ätzmaske während der Strukturierung des NXR-3020 <strong>die</strong>nt [118].<br />

UV-Lack<br />

Underlayer-Lack<br />

Underlayer-Lack<br />

Substrat<br />

250 nm<br />

Substrat<br />

250 nm<br />

a)<br />

b)<br />

Substrat<br />

c)<br />

Lack<br />

250 nm<br />

Abbildung 4.27:<br />

Zweilagen-Lackstrukturierung:<br />

a) Zweilagen-Lacksystem nach dem<br />

Aufschleudern,<br />

b) Entfernen des Rsidual-Layers des<br />

Top-Lacks (hier NXR-2010) in einem<br />

CF 4 -Prozess,<br />

c) Strukturieren des PMMA-basierten<br />

Underlayer-Lacks (hier NXR-3020) in<br />

einem O 2 -Plasma-Prozess.<br />

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