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Entwicklung einer Nanotechnologie-Plattform für die ... - JuSER

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5 HERSTELLUNG VON CROSSBAR-STRUKTUREN<br />

30 nm hergestellt werden. Allerdings bedurfte es dabei der Reduzierung der Lackdicke<br />

<strong>für</strong> <strong>die</strong> Nanoimprint-Lithographie, da bei Verwendung der standardisierten Lackdicke<br />

Ätzverluste <strong>die</strong> Herstellung kl<strong>einer</strong> Linienbreiten erschwerten (vgl. Kapitel 4.2.5). Eine<br />

Reduzierung der Lackdicke implizierte jedoch stets den Verlust großer Flächen während<br />

des Imprints (vgl. Kapitel 4.2.3). Im Fall der Crossbar-Strukturen bedeutete <strong>die</strong>s, dass<br />

<strong>die</strong> Zuleitungsperipherie und <strong>die</strong> Kontaktflächen nicht gleichzeitig mit den 30 nm<br />

Strukturen hergestellt werden konnten. Eine elektrische Charakterisierung <strong>die</strong>ser Single-<br />

Crosses war daher nicht möglich. Gleiches galt <strong>für</strong> Arrays mit einem Half-Pitch<br />

< 100 nm. Diese konnten im Zentrum defektfrei hergestellt werden (siehe<br />

Abbildung 5.10 c). Die elektrische Funktionsfähigkeit <strong>die</strong>ser war aufgrund teils<br />

unvollständiger Zuleitungen, nur bedingt vorhanden. Die Umgehung des Problems<br />

defektbehafteter Zuleitungen war u.a. <strong>die</strong> Realisierung der Kontaktperipherie durch<br />

andere Herstellungsverfahren (vgl. Kapitel 5.4).<br />

Die Funktionsfähigkeit der Arrays (mit einem Half-Pitch ≥ 100 nm) wurde anhand von<br />

Leitungswiderstandsmessungen überprüft. Dazu wurden 8 bit-Arrays mit Linienbreiten<br />

von 100 nm, 200 nm und 500 nm untersucht. In Abbildung 5.11 sind beispielhaft <strong>die</strong><br />

Messergebnisse verschiedener Strukturen dargestellt.<br />

Widerstand [kOhm]<br />

8<br />

7<br />

6<br />

5<br />

4<br />

3<br />

30 nm Elektrode<br />

15 nm Elektrode<br />

Widerstand [kOhm]<br />

4<br />

3<br />

2<br />

1<br />

Pt Bottom-Elektrode<br />

Ag/Pt Top-Elektrode<br />

2<br />

0 200 400 600<br />

Linienbreite [nm]<br />

0<br />

1 2 3 4 5 6 7 8<br />

Elektrode<br />

a)<br />

b)<br />

Abbildung 5.11: Leitungswiderstandmessungen: a) zweier unterschiedlich hohen Platin-<br />

Elektroden, b) eines Arrays mit 30 nm dicken Pt Bottom-Elektroden und 60 nm dicken<br />

Ag/Pt Top-Elektroden. Die Linienbreiten betrugen hierbei 200 nm. Die Messungen<br />

wurden an Arrays durchgeführt, bei denen funktionales bzw. isolierendes Material (TiO 2<br />

oder Methyl-Silsesquioxan) zwischen Bottom- und Top-Elektroden integriert wurde.<br />

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