pdf, 2.2 Mb - Walther Meißner Institut - Bayerische Akademie der ...

IVAbbildungsverzeichnis4.7 Magnetisierung in Abhängigkeit vom Magnetfeld für verschiedene Temperatureneines Schichtsystems . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385.1 Schematische Darstellung eines GMR-Kontakts . . . . . . . . . . . . . 395.2 Maske für den ersten Lithographieschritt . . . . . . . . . . . . . . . . . 405.3 Mikroskopaufnahme einer Probe nach dem ersten Lithographieschritt . 425.4 Maske für den zweiten Lithographieschritt . . . . . . . . . . . . . . . . 435.5 Mikroskopaufnahme einer strukturierten Mesa-Struktur (helles Quadrat)mit SiO 2 (dunkle Fläche) umgeben . . . . . . . . . . . . . . . . . 445.6 Maske für den letzten Lithographieschritt . . . . . . . . . . . . . . . . . 455.7 Fertig strukturierte Probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 465.8 Gebondete Probe auf Probenhalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466.1 Schematische Darstellung des Stromverlaufs durch das Schichtsystem . 486.2 U (I )-Kennlinien einer Co/ZnO/Ni-Probe mit 14,1 nm ZnO-Dicke imVergleich mit einer Probe ohne Co und Ni . . . . . . . . . . . . . . . . 496.3 U (I )-Kennlinien einer 15 nm dicken ZnO-Probe in Abhängigkeit vonder Temperatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 516.4 Darstellung des differenziellen Widerstandes bei U 4P = 0 in Abhängigkeitvon der Temperatur der Probe aus Abb. 6.3 . . . . . . . . . . . . . 526.5 R(T )-Messung der 15 nm dicken ZnO-Probe . . . . . . . . . . . . . . . 536.6 RA-Produkt in Abhängigkeit von der Temperatur für verschiedengroßeKontaktflächen einer Probe mit einer Dicke der ZnO-Schicht von 100 nm 546.7 RA-Produkt in Abhängigkeit der Temperatur für verschiedengroße Kontaktflächenund verschiedene ZnO-Schichtdicken . . . . . . . . . . . . . 556.8 Widerstandsmessung in Abhängigkeit des Magnetfeldes (a) und Darstellungdes MR(H ) (b) einer Probe mit 15 nm dicken ZnO bei einerTemperatur von 1,8 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 576.9 Veranschaulichung des magnetischen und elektrischen Schaltverhaltens 596.10 Stromabhängigkeit des GMR-Effektes einer Probe mit 20 nm dickemZnO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 606.11 Temperaturabhängigkeit des GMR-Effektes einer Probe mit 15 nm ZnO 616.12 Schichtdickenabhängigkeit des MR-Effekts für verschiedene Temperaturen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 636.13 Temperaturabhängigkeit der Spindiffusionslänge l ZnOsf. . . . . . . . . . . 65