Einführung in die Elektronik für Physiker
Einführung in die Elektronik für Physiker
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Grundschaltungen des FET<br />
05.12.2009 Hartmut Gemmeke, WS2009/2010, <strong>E<strong>in</strong>führung</strong> <strong>in</strong> <strong>die</strong> <strong>Elektronik</strong>, Vorlesung 11 15<br />
Messung der Steuerkennl<strong>in</strong>ie e<strong>in</strong>es JFET‘s<br />
U<br />
GS<br />
= U<br />
P<br />
" 1# I $ '<br />
& D )<br />
&<br />
% I )<br />
D0 (<br />
aus ID =<br />
ID0 UGS #U $ ' 2<br />
& P )<br />
&<br />
% U<br />
)<br />
P (<br />
Der benutzte JFET BF145 ist e<strong>in</strong> n-Kanal<br />
JFET und darf daher nur mit negativer<br />
Gate-Spannung betrieben werden, damit<br />
<strong>die</strong> Gate-Diode gesperrt bleibt!<br />
Der Dra<strong>in</strong>strom I D ergibt sich aus dem<br />
Spannungsabfall u y am bekannten<br />
Source-Widerstand R S als Funktion von<br />
U GS .<br />
Damit lassen sich I D0 und U P bestimmen.<br />
Die maximale Steilheit S max lässt sich<br />
ebenfalls graphisch ablesen und aus der<br />
Formel <strong>für</strong> S=dI D /dU GS =S(U GS , I D0 , U P )<br />
berechnen. Was ergibt der Vergleich?<br />
!<br />
ux=UGS<br />
uy=RS!iD<br />
05.12.2009 Hartmut Gemmeke, WS2009/2010, <strong>E<strong>in</strong>führung</strong> <strong>in</strong> <strong>die</strong> <strong>Elektronik</strong>, Vorlesung 11 16<br />
+<br />
12V<br />
ue
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