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Amplitude der Bestrahlungsstärke<br />
in der PD <strong>bei</strong> dDepth<br />
Amplitude der Bestrahlungsstärke<br />
an der Oberfläche der PD<br />
˜E(t) Signalfunktion der Bestrahlungsstärke<br />
ÊDepth<br />
ÊSurface<br />
e − Elementarladung ≈ 1, 602 · 10 −19 C<br />
W<br />
m 2<br />
W<br />
m2 W<br />
m2 f Frequenz −<br />
fS Sample(Abtast) -Frequenz −<br />
fc Cut(Grenz)-Frequenz −<br />
ft technische Frequenz Hz<br />
fUt Dichtefunktion der zufälligen<br />
Veränderlichen Ut<br />
−<br />
fx, fy, fR Frequenz des Ortes 1<br />
m<br />
f ′ Brennweite mm<br />
FF Füllfaktor, FF = APD<br />
APixel<br />
FUt<br />
Verteilungsfunktion der zufälligen<br />
Veränderlichen Ut<br />
g(ξ) im Werte- und Definitionsbereich normiertes Signal 1<br />
g(t) im Wertebereich normiertes Zeitsignal 1<br />
ˆg Signalamplitude einer physikalischen Größe −<br />
˜g(t) Zeitsignal einer physikalischen Größe −<br />
G(ft) Fourier-Transformierte von g(t) −<br />
gds Ausgangsleitwert eines MOS-Transistors S<br />
gmb Substratsteilheit S<br />
gm Transkonduktanz S<br />
h Plancksches Wirkungsquantum<br />
h = 6, 63 · 10 −34 Js<br />
[0, 1]<br />
hU Häufigkeitverteilung von Spannungsereignissen −<br />
H(ft) komplexe Übertragungsfunktion −<br />
H, H’ Hauptebenen der Gegenstands- und Bildseite (m, m)<br />
I(x, y) 2D-Bildfunktion (optische Intensität)<br />
I, i Elektrische Stromstärke A<br />
I komplexe Stromstärke A<br />
XIV<br />
−<br />
W<br />
m 2
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