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Das Forschungszentrum Jülich - d-nb, Archivserver DEPOSIT.D-NB ...

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A - Ziele und Ei<strong>nb</strong>ettung in den Forschungsbereich<br />

<strong>Das</strong> Arbeitsprogramm des Instituts für Photovoltaik fokussiert sich auf Dünnschichtsolarzellen auf der<br />

Basis von Silizium und seinen Legierungen in amorpher und mikrokristalliner Form. Ziel der<br />

Entwicklung sind preisgünstige Photovoltaik-Module mit hohem Wirkungsgrad. Die Attraktivität dieser<br />

Technologie liegt in den geringen Materialkosten und den kostengünstigen Abscheideverfahren auf<br />

vielfältigen Substratmaterialien bei niedriger Prozesstemperatur. <strong>Das</strong> Arbeitsprogramm umfasst die<br />

Gesamtentwicklung von der Materialforschung über Solarzellenentwicklung, Prozesstechnologie bis<br />

zur Realisierung von Solarmodulen. Dabei soll die Technologie so entwickelt werden, dass sie<br />

industrieller Fertigung nahe kommt und von den industriellen Partnern bei geringen Transferkosten<br />

genutzt werden kann.<br />

Es werden Stapelzellen (Tandem- und Tripel-Zellen) mit angepasster spektraler Absorption der<br />

Schichten entwickelt werden, um das Solarspektrum möglichst vollständig zu nutzen. Als<br />

Abscheideverfahren wird vor allem Glimmentladung angewandt sowie die "Hot Wire" Technik. Die<br />

niedrigen Abscheidetemperaturen von 100-300°C ermöglichen den Einsatz billiger und flexibler<br />

Substrate, wie z.B. Glas, Stahl oder Plastikfolien. Durch gezielt rau gestaltete TCO-Schichten, z.B.<br />

texturiertes Zinkoxid, soll der Lichteinfang verbessert werden. Weiterführende Konzepte zielen darauf<br />

hin, Wirkungsgrade von 14% und mehr langfristig zu erreichen. Dazu gehören Arbeiten zu einem<br />

optimalem Ausnutzen des Sonnenspektrums (Photonen-Management). Hier werden u.a. die<br />

folgenden Forschungsansätze verfolgt:<br />

• neue oberflächenstrukturierte Materialien.<br />

• selektive Reflektoren innerhalb und an der Rückseite des Schichtsystems.<br />

• angepasste Wellenleiterstrukturen.<br />

Die Arbeiten sind Teil des Helmholtz Forschungsprogramms "Erneuerbare Energien", in dem neben<br />

der Photovoltaikforschung in <strong>Jülich</strong> und am HMI Berlin auch Arbeiten auf dem Gebiet solarthermischer<br />

Kraftwerke, konzentrierender Solartechnik und Systemanalyse (DLR) und Arbeiten zur<br />

geothermischen Stromerzeugung (Geoforschungsinstitut Potsdam) durchgeführt werden. Die<br />

Photovoltaikforschung konzentriert sich auf die Entwicklung von Dünnschichtsolarzellen mit dem Ziel,<br />

eine kostengünstige und nachhaltige Energiequelle zu erschließen. Dabei sind Dünnschicht-<br />

Solarzellen aus Verbindungs-Halbleitern, insbesondere aus der Materialfamilie Cu (In, Ga) (S, Se)2<br />

und aus III-V Halbleitern Schwerpunkte der Arbeiten am Hahn-Meitner Institut Berlin. Dünnschicht-<br />

Solarzellen auf der Basis von Silizium werden sowohl am HMI als auch am FZJ entwickelt, wobei das<br />

HMI die Herstellung einer Solarzelle mit einem Saatschichtkonzept bei Prozesstemperaturen kleiner<br />

als 600°C anstrebt, während das FZJ die direkte Abscheidung von Silizium bei Temperaturen kleiner<br />

als 300°C verfolgt.<br />

B - Programmstruktur<br />

<strong>Das</strong> <strong>Jülich</strong>er Programm umfasst drei Forschungsbereiche: Material- und Solarzellenentwicklung,<br />

Prozesstechnologie und das Überzeichnungsvorhaben "Photonen-Management"<br />

C - Programmergebnisse<br />

Herausragende wissenschaftliche Ergebnisse<br />

Material- und Solarzellenentwicklung<br />

Ein zentrales Forschungsthema des Instituts stellen die Materialeigenschaften von mikrokristallinem<br />

Silizium dar. Hier geht es einerseits um ein besseres Verständnis des Materials, andererseits um eine<br />

Verbesserung der Materialeigenschaften für die spezielle Anwendungen (z.B. als intrinsische<br />

Absorberschicht bzw. als p/n Kontaktschicht). Wichtige Ergebnisse sind hier dieHerstellung von<br />

mikrokristallinen SiC-Schichten bei Substrattemperaturen kleiner als 400 C (S. Klein, R. Carius, F.<br />

Finger, L. Houben, Low substrate deposition of crystalline SiC using HWCVD, Thin Solid Films (zur<br />

Publikation angenommen)) sowie das Erreichen hoher Leitfähigkeiten (nahe 300 S/cm) für Bor-<br />

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