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Strain state analysis InGaN - Fachbereich Physik und Elektrotechnik ...

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Fachbereich 01 00 Name Institut des für Bereiches Festkörperphysik Bereich Elektronenmikrokopie Physik/Elektrotechnik Name des Fachbereiches 0004 0002 0000 0002 0004 0004 L>0 0002 0000 0002 0004 L

Fachbereich 01 00 Name Institut des für Bereiches Festkörperphysik Bereich Elektronenmikrokopie Physik/Elektrotechnik Name des Fachbereiches 3. Optimum imaging conditions - Simulation Structure: 5 nm thick In 0.4Ga 0.6N embedded in GaN Interfaces: modeled with error-function Method: Bloch-wave Strain-state: according to „thick specimen limit“ Lattice plane bending and lens aberrations NOT taken into account here Optimum condition t=15 nm L=-2.2

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