Views
4 years ago

Strain state analysis InGaN - Fachbereich Physik und Elektrotechnik ...

Strain state analysis InGaN - Fachbereich Physik und Elektrotechnik ...

Fachbereich 01 00 Name Institut des für Bereiches Festkörperphysik Bereich Elektronenmikrokopie Physik/Elektrotechnik Name des Fachbereiches 4.2 Effect of lattice plane bending - introduction InGaN GaN

Fachbereich 01 00 Name Institut des für Bereiches Festkörperphysik Bereich Elektronenmikrokopie Physik/Elektrotechnik Name des Fachbereiches 4.2 Effect of lattice plane bending - method Model: 5 nm In 0.2Ga 0.8N QW in GaN Displacement field: Finite-element method 3D model of atoms Object exit wave-function: Multislice (EMS) Specimen orientation: optimum conditions Imaging parameters: CM20/ST FEG defocus between -150 and +50 nm Evaluation: strain profile (from phase of 0002 Fourier component)

Analysis of quasar images - Fachbereich Physik - Universität Hamburg
Robust ''trapping states' - Fachbereich Physik - Universität Hamburg
Solid State Theory - Institut für Theoretische und Angewandte Physik ...
Dynamic Model for the Stress and Strain State Analysis of a Spur ...
Analysis of Strain - Engineering Faculty Websites - Arizona State ...