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Strain state analysis InGaN - Fachbereich Physik und Elektrotechnik ...

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Fachbereich 01 00 Name Institut des für Bereiches Festkörperphysik Bereich Elektronenmikrokopie Physik/Elektrotechnik Name des Fachbereiches 4.2 Effect of lattice plane bending - result Specimen thickness: 15 nm

Fachbereich 01 00 Name Institut des für Bereiches Festkörperphysik Bereich Elektronenmikrokopie Physik/Elektrotechnik Name des Fachbereiches 5. Summary Optimum imaging conditions for strain-state analysis of InGaN - two-beam condition using 0000 and 0002 beams - 0002 on optic axis - COLC 12 12 0 2 - defocus not critical (between -150 and 50 nm)

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