Views
3 years ago

Preface - kmutt

Preface - kmutt

KMUTT Annual Research

KMUTT Annual Research Abstracts 2005 ดีวีดี ซึ่งผิวของแผนจะประพฤติตัวเสมือนเปนเกรตติง เลี้ยวเบน ดังนั้นเมื่อแสงเลเซอรตกกระทบบนผิวของแผน จะทําใหเกิดริ้วมืดริ้วสวางของการแทรกสอดขึ้น และเมื่อ ใชสมการในเรื่องเกรตติงก็จะสามารถหาระยะหางระหวาง รองบนผิวของแผนได จากผลการทดลองพบวาระยะหาง ระหวางรองของแผนดีวีดีนอยกวาแผนซีดี จึงเปนเหตุผลที่ ทําใหแผนดีวีดี เก็บขอมูลไดมากกวา NC-133 การเคลือบฟลมบางไดอิเล็กตริกแบบหลาย ชั้นสําหรับการสะทอนแสงสูง อดิศร เพ็ชรจรูญ, อาทร โภไคยพิสิฐ, พิเชษฐ ลิ้มสุวรรณ การประชุมวิชาการวิทยาศาสตรและเทคโนโลยี ครั้งที่ 4, 16 มีนาคม 2548, มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร (ศูนย รังสิต), กรุงเทพฯ ในงานวิจัยนี้ไดกลาวถึงการเคลือบสารไดอิเล็ก ตริกแบบหลายชั้น เพื่อใหไดกระจกที่มีการสะทอนแสงสูง สําหรับใชเปนกระจกเลเซอรของฮีเลียม-นีออนเลเซอร กระจกเคลือบสารไดอิเล็กตริกแบบหลายชั้น ประกอบ ดวยชั้นของฟลมไดอิเล็กตริกที่มีดัชนีหักเหสูงสลับกับชั้น ของฟลมไดอิเล็กตริกที่มีดัชนีหักเหต่ําเคลือบสลับกันไป โดยแตละชั้นมีความหนา λ / 4 ในที่นี้ชั้นของฟลมที่ เคลือบจะอยูในรูป : อากาศ – (HL) N H-แกว โดยที่ชั้น แรกสุดที่เคลือบบนแผนแกวจะเปนสารไดอิเล็กตริกที่มี ดัชนีหักเหสูง (H) ชั้นที่สองจะเปนสารไดอิเล็กตริกที่มี ดัชนีหักเหต่ํา (L) และชั้นสุดทายของการเคลือบจะเปน สารที่มีดัชนีหักเหสูง (H) อีกครั้งหนึ่ง ดังนั้นถาไมนับชั้น แรก จํานวนชั้นของฟลมที่เคลือบจะไดเปนคูของฟลม H– L โดย N เปนจํานวนคูของฟลม H-L ในการทดลองได เลือก ZnS เปนสารเคลือบที่มีดัชนีหักเหสูง (n H = 2.3) และ MgF 2 เปนสารเคลือบที่มีดัชนีหักเหต่ํา (n L = 1.38) เพื่อทําการเคลือบลงบนแผนแกว ซึ่งมีดัชนีหักเห n = 1.51 โดยวิธีการระเหยของสารภายในระบบ สุญญากาศ ระหวางที่ทําการเคลือบสารแตละชั้น ความ หนาของฟลมที่เคลือบถูกวัดและควบคุมโดยเครื่องวัด ความหนาของฟลมดวยแสง และเครื่องวัดความหนาของ ฟลมดวยควอทซ จากผลการทดลองพบวา สภาพการ สะทอนแสงของกระจกที่เคลือบ 13 ชั้น มีคา 99.6% ที่ ความยาวคลื่น 632.8 nm NC-134 การศึกษาเออรเบียมแยกเลเซอรในงาน การกําจัดหินน้ําลาย อรรถพล เชยศุภเกตุ, อาทร โภไคยพิสิฐ, กาญจนา กาญจนทวีวัฒน, พิเชษฐ ลิ้มสุวรรณ การประชุมทางวิชาการของมหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร ครั้งที่ 43, 1-4 กุมภาพันธ 2548, มหาวิทยาลัย เกษตรศาสตร, กรุงเทพฯ 257 งานวิจัยนี้ศึกษาเกี่ยวกับประสิทธิภาพและ ลักษณะของฟนภายหลังจากการกําจัดหินน้ําลายดวย เออรเบียมแยกเลเซอรที่ระดับความหนาแนนพลังงาน ตางๆ ระดับความหนาแนนพลังงานที่ใชคือ 14.96, 29.68, 50.47 และ 99.90 J/cm 2 /pulse ที่อัตราการซ้ํา พัลส 1 Hz โดยฉีดละอองน้ําตลอดเวลาขณะยิงดวย เลเซอร และใชฟนตัวอยางจํานวน 7 ซี่ตอระดับความ หนาแนนพลังงานคาหนึ่ง จากการทดลองพบวาที่ระดับ ความหนาแนนพลังงาน 29.68 J/cm 2 /pulse เหมาะสม ที่สุด เนื่องจากไมเกิดการแตกของฟนและมีประสิทธิภาพ เทากับ 10.37 ± 4.74 (10 -3 mm 2 /pulse) NC-135 การกัดขยายรอยแฝงจากการเจาะดวย อนุภาคนิวเคลียรโดยสารละลายเคมีสําหรับการ พัฒนาฟลมแทรกเอทชพอลิสไตรีน จีรวุฒิ แกวเสนีย, วิเชียร รตนธงชัย, พิชญ ศุภผล, พินพรรณ วิศาลอัตถพันธุ การประชุมวิชาการวิทยาศาสตรและเทคโนโลยีแหง ประเทศไทย ครั้งที่ 31, 18-20 ตุลาคม 2548, มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี, จ.นครราชสีมา, หนา 202 การเกิดรอยแฝงในแผนฟลมพอลิสไตรีนที่มี ความหนาประมาณ 25 ไมโครเมตร เกิดขึ้นโดยการเจาะ ดวยอนุภาคที่เกิดจากการแตกตัวระหวางปฏิกิริยา นิวเคลียรของเทอรมอลนิวตรอนและยูเรเนียม-235 ใน ปฏิกรณนิวเคลียรของประเทศไทยเปนเวลา 4 ชั่วโมง รอย ที่เกิดขึ้นนั้นจะถูกทําใหขยายใหญขึ้นเพื่อใหเกิดเปนรู ตอเนื่อง โดยการกัดเซาะในของผสมระหวางสารละลาย กรดซัลฟุริกและโพแตสเซียมไดโครเมตที่ 80 องศา เซลเซียสเปนเวลา 16 ชั่วโมง สูตรของสารกัดเซาะที่ National Conference

258 สามารถขยายขนาดของรอยแฝงอยางมีประสิทธิภาพดี ที่สุดคือของผสมระหวาง 35 กรัมของโพแตสเซียมไดโคร เมตใน 100 ลูกบาศกเซนติเมตรของสารละลายกรดซัล ฟุริก ขนาดเสนผานศูนยกลางและความหนาแนนของรูที่ เกิดขึ้นมีคาเฉลี่ยเทากับ 11.6±0.9 ไมโครเมตร และ 1.6±0.3×10 5 รูตอตารางเซนติเมตร ตามลําดับ NC-136 การเกิดรูพรุนในแผนฟลมพอลิสไตรีนโดย เทคนิคการเจาะรูดวยอนุภาคนิวเคลียรและการ ขยายขนาดรูดวยการกัดเซาะดวยสารเคมี จีรวุฒิ แกวเสนีย, วิเชียร รตนธงชัย, พิชญ ศุภผล, พินพรรณ วิศาลอัตถพันธุ การประชุมเสนอผลงานวิจัยระดับบัณฑิตศึกษาแหงชาติ ครั้งที่ 5, 10-11 ตุลาคม 2548, มหาวิทยาลัย เกษตรศาสตร, กรุงเทพฯ เมมเบรนแทรค-เอทซถูกนํามาใชประโยชนได หลายดาน เชน ใชกรองแยกเซลล ใชกรองอากาศ ใชกรอง สารละลายอิเล็กโตรไลตในแบตเตอรี่ และใชในการบําบัด น้ําเสีย เปนตน งานวิจัยนี้ไดศึกษาและพัฒนาการผลิต เมมเบรนแทรค-เอทซที่เตรียมขึ้นจากแผนฟลมพอลิสไต รีนหนา 13 ไมโครเมตร โดยเริ ่มตนนําแผนฟลมพอลิสไต รีนไปอาบรังสีนิวตรอนจากเครื่องปรมาณูวิจัยฯ ทําใหเกิด รอยแฝงขึ้นโดยฟชชันแฟรกเมนต จากปฏิกิริยานิวเคลียร ฟชชัน ระหวางนิวตรอนกับยูเรเนียม-235 ในฉาก ยูเรเนียม จากนั้นนําแผนฟลมพอลิสไตรีนไปลางกัดขยาย รูในสารละลายเคมีผสมระหวางกรดซัลฟวริกเขมขน 40 เปอรเซ็นต กับโพรแทสเซียมไดโครเมตร 35 กรัม ที่ อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส นาน 6-10 ชั่วโมง ปรากฏรู บนแผนฟลมเปนรูพรุนวัดเสนผานศูนยกลางได 1.28 ± 0.06 ไมโครเมตร ถึง 3.37±0.35 ไมโครเมตร คํานวณ ไดความหนาแนนรูพรุนเฉลี่ย 1.84±0.39 ตอตาราง เซนติเมตร และทําการศึกษาหาความสัมพันธของ ฟลักซ ของน้ําผานแผนฟลมพอลิสไตรีนกับความดันที่กระทําบน แผนฟลม NC-137 ผลของแผนคัดกรองอนุภาคตอการผลิต แผนกรองรูพรุนนิวเคลียรแทรคเอทซ อาภาพร ทองผุด, วิเชียร รตนธงชัย, พิชญ ศุภผล, พินพรรณ วิศาลอัตถพันธุ KMUTT Annual Research Abstracts 2005 การประชุมวิชาการวิทยาศาสตรและเทคโนโลยีแหง ประเทศไทย ครั้งที่ 31, 18-20 ตุลาคม 2548, มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี, จ.นครราชสีมา, หนา 193 แผนคัดกรองอนุภาคทําใหฟชชันแฟรกเมนต จากปฏิกิริยานิวเคลยรฟชชันระหวางเทอรมัลนิวตรอนจาก เครื่องปฏิกรณปรมาณูวิจัยกับยูเรเนียม-235 ในฉาก ยูเรเนียมไปตกกระทบบนแผนฟลมโพลีคารบอเนต (Polycarbonate, PC) บาง 15 ไมโครเมตร ในทิศทาง เกือบจะเปนแนวตั้งฉากทั้งหมด เมื่อนําแผนฟลม PC ไป กัดขยายรอยแฝงของฟชชันแฟรกเมนตดวยสารละลาย โซเดียมไฮดรอกไซด ที่ความเขมขน 6 นอรมอล อุณหภูมิ 70 องศาเซลเซียส นาน 60 นาที พบวามีรอยปรากฏอยู ในแผนฟลม PC เปนรูพรุน รูเดี่ยวมีลักษณะรูเปนวงกลม มากขึ้น วัดเสนผานศูนยกลางของรอยได 3.73±0.32 ไมโครเมตร นอกจากนี้ยังพบวาผลการใชแผนคัดกรอง อนุภาคที่มีความหนาเพิ่มขึ้นในระหวางการอาบรังสี เมื่อ นําแผนฟลม PC ไปลางกัดขยายรอยทางเคมีภายใต เงื่อนไขดังกลาวจะไดจํานวนรูพรุนลดลง NC-138 ฟสิกสกับการเรียนรูรวมอุตสาหกรรม ตวงรักษ นันทวิสารกุล, สุพัฒนพงษ ดํารงรัตน การประชุมแหงชาติฟสิกสศึกษาระดับปริญญาบัณฑิต, 8-9 ธันวาคม 2548, โรงแรมเชียงใหมแกรนดวิว, จ.เชียงใหม, หนา 2 ภาควิชาฟสิกส คณะวิทยาศาสตร มหาวิทยาลัย เทคโนโลยีพระจอมเกลาธนบุรี ไดเปดวิชาเรียนรูรวม อุตสาหกรรมเปนวิชาเลือกในระดับปริญญาตรี ตั้งแตป การศึกษา 2546 เพื่อเปดโอกาสใหนักศึกษาไดเรียนรูการ ทํางาน ฝกทักษะการคิดวิเคราะห และประยุกตใชความรู ในการแกปญหาโจทยจริงในอุตสาหกรรม ในปการศึกษา แรก มีนักศึกษาเขารวมโครงการเพียง 6 คน ในปถัดมา มี นักศึกษาเขารวมลงทะเบียนมากขึ้น (13 คน) ผลการ ประเมินพบวา มีนักศึกษาถึง 11 คน ไดชวยแกปญหา โจทยไดสําเร็จ มีผลงานวิจัย 3 เรื่อง ทําใหโรงงาน ประหยัดเวลาและลดคาใชจายในการผลิต จึงเสนอรับ นักศึกษาเขาทํางานหลังสําเร็จการศึกษา 4 คน ดวย เหตุผลดังกลาว ทําใหในปการศึกษานี้ มีนักศึกษาเขารวม โครงการถึง 23 คน คิดเปนจํานวน 50% ของนักศึกษาใน National Conference

  • Page 2:

    ISBN 974-456-652-3

  • Page 6:

    CONTENTS Page Preface International

  • Page 10 and 11:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 12 and 13:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 14 and 15:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 16 and 17:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 18 and 19:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 20 and 21:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 22 and 23:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 24 and 25:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 26 and 27:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 28 and 29:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 30 and 31:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 32 and 33:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 34 and 35:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 36 and 37:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 38 and 39:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 40 and 41:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 42 and 43:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 44 and 45:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 46 and 47:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 48 and 49:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 50 and 51:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 52 and 53:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 54 and 55:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 56 and 57:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 58:

    National Journals

  • Page 61 and 62:

    54 นอยกวาแบบต

  • Page 63 and 64:

    56 (Least Square Matching Method)

  • Page 65 and 66:

    58 อุณหภูมิ 30 แ

  • Page 67 and 68:

    60 สเปกตรัม จา

  • Page 69 and 70:

    62 ขอมูลดานทร

  • Page 71 and 72:

    64 22.8 มาตรฐานเป

  • Page 73 and 74:

    66 2545 NJ-033 EFFECTS OF ELEVATED

  • Page 75 and 76:

    68 เปลือกที่ม

  • Page 77 and 78:

    70 ของการดูดซ

  • Page 79 and 80:

    72 การสกัดดวย

  • Page 81 and 82:

    74 collection of authentic texts th

  • Page 83 and 84:

    76 รอยละ 32 มีสา

  • Page 86 and 87:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 88 and 89:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 90 and 91:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 92 and 93:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 94 and 95:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 96 and 97:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 98 and 99:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 100 and 101:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 102 and 103:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 104 and 105:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 106 and 107:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 108 and 109:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 110 and 111:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 112 and 113:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 114 and 115:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 116 and 117:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 118 and 119:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 120 and 121:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 122 and 123:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 124 and 125:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 126 and 127:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 128 and 129:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 130 and 131:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 132 and 133:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 134 and 135:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 136 and 137:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 138 and 139:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 140 and 141:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 142 and 143:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 144 and 145:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 146 and 147:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 148 and 149:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 150 and 151:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 152 and 153:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 154 and 155:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 156 and 157:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 158 and 159:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 160 and 161:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 162 and 163:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 164 and 165:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 166 and 167:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 168 and 169:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 170 and 171:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 172 and 173:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 174 and 175:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 176 and 177:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 178 and 179:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 180 and 181:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 182 and 183:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 184 and 185:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 186 and 187:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 188 and 189:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 190 and 191:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 192 and 193:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 194 and 195:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 196 and 197:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 198 and 199:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 200 and 201:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 202 and 203:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 204 and 205:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 206 and 207:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 208 and 209:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 210 and 211:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 212 and 213:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 214: National Conferences
  • Page 217 and 218: 210 จอมเทียนปา
  • Page 219 and 220: 212 การสกัดสาร
  • Page 221 and 222: 214 ไดแก อุณหภู
  • Page 223 and 224: 216 โดยกลไกของ
  • Page 225 and 226: 218 เคลือบเมื่
  • Page 227 and 228: 220 สําเริง จัก
  • Page 229 and 230: 222 ลดเวลาตลอด
  • Page 231 and 232: 224 อุณหภูมิสู
  • Page 233 and 234: 226 NC-043 การวิเคร
  • Page 235 and 236: 228 เกิดพฤติกร
  • Page 237 and 238: 230 เดียว เพื่อ
  • Page 239 and 240: 232 มากนอยเพีย
  • Page 241 and 242: 234 หลักที่พบใ
  • Page 243 and 244: 236 NC-073 การออกแบ
  • Page 245 and 246: 238 บทความนี้น
  • Page 247 and 248: 240 นําเอาเวคเ
  • Page 249 and 250: 242 งานวิจัยนี
  • Page 251 and 252: 244 การอบแหงลด
  • Page 253 and 254: 246 แยกเฟสต่ํา
  • Page 255 and 256: 248 กลบ โดยเปรี
  • Page 257 and 258: 250 นํามาใช คือ
  • Page 259 and 260: 252 วิเคราะหหา
  • Page 261 and 262: 254 NC-123 การวิเคร
  • Page 263: 256 NC-129 เครื่องผ
  • Page 267 and 268: 260 ครั้งที่ 43, 1-
  • Page 269 and 270: 262 calculated with the use of the
  • Page 271 and 272: 264 Version 1.3.1 และ Softwar
  • Page 273 and 274: 266 ขนไกได จากก
  • Page 275 and 276: 268 โครงสรางขอ
  • Page 277 and 278: 270 การปลูกพืช
  • Page 279 and 280: 272 ระดับพึงพอ
  • Page 281 and 282: 274 ของแกสโซฮอ
  • Page 283 and 284: 276 1) สภาพทั่วไ
  • Page 285 and 286: 278 อนุปริญญา แ
  • Page 287 and 288: 280 อาชีวศึกษา
  • Page 289 and 290: 282 กระทบตอคุณ
  • Page 291 and 292: 284 ตั้งกลไกแข
  • Page 293 and 294: 286 นุชจรินทร เ
  • Page 295 and 296: 288 โดยรวมผูบร
  • Page 297 and 298: 290 แนนกระแสไฟ
  • Page 299 and 300: 292 NC-222 ผลงานตีพ
  • Page 301 and 302: 294 NC-227 เตาเผาไห
  • Page 303 and 304: 296 จําเพาะรวม
  • Page 305 and 306: 298 NC-238 จลนพลศาส
  • Page 307 and 308: 300 ทนงเกียรติ
  • Page 309 and 310: 302 ดีเซลนั้นม
  • Page 311 and 312: 304 NC-254 การใชเทค
  • Page 313 and 314: 306 อาคารศูนยก
  • Page 315 and 316:

    308 กระบวนการร

  • Page 317 and 318:

    310 บรรยากาศขอ

  • Page 319 and 320:

    312 metal ions on 2-AP biosyntheis

  • Page 321 and 322:

    314 total clones while the ethanol

  • Page 323 and 324:

    316 การประชุมท

  • Page 325 and 326:

    318 BioThailand (The 16 th Annual M

  • Page 327 and 328:

    320 สูงที่สุดพ

  • Page 329 and 330:

    322 นัยสําคัญท

  • Page 331 and 332:

    324 ความเขมขนร

  • Page 333 and 334:

    326 ปลูกแบบพรา

  • Page 335 and 336:

    328 นี้ทําใหทร

  • Page 337 and 338:

    330 ดุลชาติ มาน

  • Page 339 and 340:

    332 ไมโครเมตร ส

  • Page 341 and 342:

    334 In this study, we collected seq

  • Page 343 and 344:

    336 กนกรัตน นาค

  • Page 345 and 346:

    338 การพัฒนาสื

  • Page 347 and 348:

    340 one of the causes of difficulty

  • Page 349 and 350:

    342 ทวีรัตน วิจ

  • Page 351 and 352:

    344 program, Cytoscape. This model

  • Page 353 and 354:

    346 production demand. Nevertheless

  • Page 355 and 356:

    348 อุลตราไวโอ

  • Page 357 and 358:

    350 นี้อยูในชว

  • Page 359 and 360:

    352 เพื่อนําสว

  • Page 361 and 362:

    354 trichloroacetic acid (TCA) ม

  • Page 363 and 364:

    356 ทรัพยากรที

  • Page 365 and 366:

    358 ในประเทศสห

  • Page 367 and 368:

    360 8-9 ธันวาคม 2548,

  • Page 369 and 370:

    362 ซึ่งเกิดขอ

  • Page 371 and 372:

    364 NC-391 การวิเคร

  • Page 373 and 374:

    366 การประชุมว

  • Page 375 and 376:

    368 2547) พบวามหาว

  • Page 377 and 378:

    370 กนกพร ลีลาเ

  • Page 380:

    Authors Index

  • Page 383 and 384:

    376 จงจิตร หิรั

  • Page 385 and 386:

    378 ธ ธนธร ทองส

  • Page 387 and 388:

    380 พยุงศักดิ์

  • Page 389 and 390:

    382 วรรณพ วิเศษ

  • Page 391 and 392:

    384 สุดารัตน จิ

  • Page 393 and 394:

    386 อุลาวัณย กุ

  • Page 395 and 396:

    388 138, 141, 142 Jarunya Narangaja

  • Page 397 and 398:

    390 Panida Kongsawadworakul 191 Pan

  • Page 399 and 400:

    392 Sorakrich Maneewan 124, 136 Sor

  • Page 401 and 402:

    394 KMUTT Annual Research Abstracts

  • Page 404 and 405:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 406 and 407:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 408 and 409:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 410 and 411:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 412 and 413:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 414 and 415:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 416 and 417:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 418 and 419:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 420 and 421:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 422 and 423:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 424 and 425:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 426 and 427:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 428 and 429:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 430 and 431:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 432 and 433:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 434 and 435:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 436 and 437:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 438 and 439:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 440 and 441:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 442 and 443:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 444 and 445:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 446 and 447:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 448:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

  • Page 452:

    KMUTT Annual Research Abstracts 200

แผนการจัดการความรู้ - kmutt
Cover, Foreword, Preface, Acknowledgements, Content - iarc
Cover, Foreword, Preface, Acknowledgements, List of ... - IARC
The British essayists, with prefaces, biographical, historical, and critical
preface - National Institute of Fuel-Cell Technology - West Virginia ...
Front Matter (Title Page, TOC, Preface and Forward) - Store
The Interpretation Of Dreams Sigmund Freud (1900) PREFACE
Preface - FHWA Safety Program - U.S. Department of Transportation
Energy Efficiency in Industry in Thailand
Preface to the Third Edition - Handbook of inter-rater reliability, 3rd ...
2007 Graduate Catalog and 2006 Annual R & D Report - Sirindhorn ...
AU Abstracts 2008 - AU Journal - Assumption University of Thailand
Annual Report 2006 - Thai Beverage Public Company Limited
Abstracts of the Scientific Posters, 2013 AACC Annual Meeting ...
BIO-DATA Name: Somchart Soponronnarit (สมชาติ โสภณรณ ... - kmutt
CURRICULUM VITAE Name Mr. Somkiat Prachayawarakorn ... - kmutt
ประวัติ (CV) - kmutt
ตัวอยางจดหมายสมัครงาน - kmutt
คำแนะนำการเขียนคำขอสิทธิบัตร - kmutt
Suranaree Journal of Science and Technology - kmutt
Download Oral presentation program - kmutt
แบบสำรวจความพึงพอใจ การใช้บริการยานพาหนะ รับ - kmutt
รายชื่อเล่มวิทยานิพนธ์ระดับบัณฑิตศึกษา - kmutt
ประกาศกองกิจการนักศึกษา มหาวิทยาลัยเทคโนโล - kmutt