BPY 62 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor ...

BPY 62GrenzwerteMaximum RatingsBezeichnungDescriptionBetriebs- und LagertemperaturOperating and storage temperature rangeLöttemperatur bei TauchlötungLötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,Lötzeit t ≤ 5 sDip soldering temperature ≥ 2 mm distancefrom case bottom, soldering time t ≤ 5 sLöttemperatur bei KolbenlötungLötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,Lötzeit t ≤ 3 sIron soldering temperature ≥ 2 mm distancefrom case bottom, soldering time t ≤ 3 sKollektor-EmitterspannungCollector-emitter voltageKollektorstromCollector currentKollektorspitzenstrom, τ < 10 µsCollector surge currentEmitter-BasisspannungEmitter-base voltageVerlustleistung, T A = 25 °CTotal power dissipationWärmewiderstandThermal resistanceSymbolSymbolWertValueT op ; T stg – 55 ... + 125 °CT S 260 °CT S 300 °CV CE 50 VI C 100 mAI CS 200 mAV EB 7 VEinheitUnitP tot 200 mWR thJA 500 K/WSemiconductor Group 239