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Nueva Familia de Convertidores CA/CC con Corrección del Factor ...

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81,9(56,'$'&$5/26,,,'(0$'5,'DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNI<strong>CA</strong>7(6,6'2&725$/NUEVA FAMILIA DE CONVERTIDORES <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> CON CORRE<strong>CC</strong>IÓN DELFACTOR DE POTENCIA E INTERVALO DE INDUCTANCIAS EN SERIE (SII).Autor'$QWRQLR/i]DUR%ODQFRIngeniero IndustrialDirectores'$QGUpV%DUUDGR%DXWLVWDDoctor Ingeniero Industrial'(PLOLR2OtDV5XL]Doctor Ingeniero IndustrialLeganés, 2003


7(6,6'2&725$/NUEVA FAMILIA DE CONVERTIDORES <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> CONCORRE<strong>CC</strong>IÓN DEL FACTOR DE POTENCIA E INTERVALO DEINDUCTANCIAS EN SERIE (SII).Autor:Directores:$QWRQLR/i]DUR%ODQFR'U$QGUpV%DUUDGR%DXWLVWD'U(PLOLR2OtDV5XL]7ULEXQDO&DOLILFDGRUPresi<strong>de</strong>nte: D.Vocales: D.D.D.Vocal Secretario: D.CalificaciónLeganés, a <strong>de</strong> <strong>de</strong> 2003


$EVWUDFW$EVWUDFWConventional power supplies return harmonic currents to the utility. Harmonics Regulations ariseto reduce the problems related to harmonics currents (voltage distortion, extra heating, lowercapability of energy generation and transmission, etc.). However, the presence of these regulationssuch as the IEC 61000-3-2 has provi<strong>de</strong>d new possibilities for power supplies. Now, it is enough topresent harmonic currents lower than the regulation limits. Based on this i<strong>de</strong>a, a new group ofsolutions, which take non-sinusoidal current from the line, have gained much attention because oftheir potential lower cost and lower complexity compared with the two stages approach, mainlyfor low power applications. These solutions have been also called single – stage PFC (powerfactor correction ) AC / DC <strong>con</strong>verters.The revision of the state of the art of the single-stage PFC <strong>con</strong>verters allows <strong>de</strong>tecting which arethe main features that could be improved. These are the following:• The maximum value and the variation of the storage capacitor voltage should bereduced in or<strong>de</strong>r to obtain a lower size and a lower cost for this capacitor.• The harmonic <strong>con</strong>tent of the input current of the <strong>con</strong>verter should comply with the IEC61000-3-2 Class D limits. In this case, the <strong>con</strong>verter can be applied to feed also the“high impact products” such as PCs, PC monitors and television sets.In or<strong>de</strong>r to achieve these aims, in this thesis an original family of <strong>con</strong>verters has been proposed.This new family is characterized by presenting a stage of the switching period, in which themagnetizing inductance of the two inner transformers result <strong>con</strong>nected in series while theircommon reset is produced. The name of “Series Inductance Interval (SII)” come from this feature.In this work a <strong>de</strong>tailed analysis of the steady - state operation for the proposed <strong>con</strong>verters has beencarried out. Moreover, some calculus programs has been <strong>de</strong>veloped to automatically <strong>de</strong>sign both,the power stage and the regulator of the feedback loop. In this work a large signal average mo<strong>de</strong>lhas been obtained for each <strong>con</strong>verter of the family. These mo<strong>de</strong>ls are oriented to circuit simulationand they have been <strong>de</strong>veloped using PSpice. The simulation results have been used to predict thesmall signal behavior as well as to <strong>de</strong>termine which values of gain, bandwidth and phase marginare required for the proper operation of the <strong>con</strong>verters.Finally, a prototype of each <strong>con</strong>verter of the proposed family has been built in or<strong>de</strong>r to checkboth, the circuits and the mo<strong>de</strong>ls <strong>de</strong>veloped. These prototypes have corroborated the goodoperation of this new family of <strong>con</strong>verters.XI


$EVWUDFWXII


ËQGLFHËQGLFH $JUDGHFLPLHQWRV IV 3ODQWHDPLHQWR\5HVXPHQGHOD7HVLV V $EVWUDFW XI ËQGLFH XIII /LVWDGH6tPERORV XXIII /LVWDGH$FUyQLPRV XXVII /LVWDGH)LJXUDV XXIX /LVWDGH7DEODV XLI ,1752'8&&,Ï1$/$&255(&&,Ï1'(/)$&725'(327(1&,$ 1 ,QWURGXFFLyQ 3 *HQHUDOLGDGHV\GHILQLFLRQHV 4 &DUDFWHUtVWLFDVGHODHWDSDFOiVLFDGHHQWUDGDGHXQFRQYHUWLGRU&$&& 6 3UREOHPDVJHQHUDGRVSRUORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWH 7 5HJXODFLyQGHORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWH 9'LUHFWLYD&((VREUH&RPSDWLELOLGDG(OHFWURPDJQpWLFD(OPDUFDGR 10&(1.5.1.1 Directivas Comunitarias. 101.5.1.2 La Directiva sobre CEM 89/336/CEE. 111.5.1.3 El marcado CE. Aplicación <strong>de</strong> la Directiva. 111.5.1.4 Alcance <strong>de</strong> la Directiva: Componente y Aparato. 13/DQRUPDDUPRQL]DGD,(& 151.5.2.1 Normas armonizadas 151.5.2.2 IEC 61000-3-2 vigencia y evolución. 171.5.2.3 Características y aplicación <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 1995. 191.5.2.4 Características y aplicación <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 2000. 22 &ODVLILFDFLyQGHORVPpWRGRVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD 236ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDOHQGRVHWDSDV 261.6.1.1 El emulador <strong>de</strong> resistencia. 291.6.1.2 Equilibrio <strong>de</strong> potencias en el emulador <strong>de</strong> resistencia. 301.6.1.3 El problema dinámico <strong>de</strong>l emulador <strong>de</strong> resistencia. 301.6.1.4 Topologías válidas para implementar un emulador <strong>de</strong> resistencia. 321.6.1.5 Métodos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong>l emulador <strong>de</strong> resistencia. 331.6.1.5.1 Control por multiplicador aplicado al <strong>con</strong>vertidor elevador. 331.6.1.5.2 Control como seguidor <strong>de</strong> tensión aplicado al <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN. 34(YROXFLyQGHODVVROXFLRQHVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD 35%HQHILFLRV\OLPLWDFLRQHVGHODVVROXFLRQHVDFWLYDVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD37XIII


ËQGLFH &RQFOXVLRQHV 38 (67$'2'(/$7e&1,&$'(/26&)3&21&255,(17('(39(175$'$126,1862,'$/ ,QWURGXFFLyQ 41 3DUiPHWURVGHFRPSDUDFLyQHQWUHODVGLVWLQWDVVROXFLRQHV 41 5HSDVRGHODVVROXFLRQHVPiVLQWHUHVDQWHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFD 425HGXFFLyQGHOQ~PHURGHLQWHUUXSWRUHV 425HGXFFLyQGHOD]RVGHFRQWURO 44&RPELQDFLyQGHWRSRORJtDV 46&RQIRUPDGRUHVGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD 472.3.4.1 Transformador multi<strong>de</strong>vanado. 492.3.4.2 <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> <strong>con</strong>exión <strong>de</strong> una fuente <strong>de</strong> tensión y una resistencia sin 50pérdidas.6DOLGDForwardDGLFLRQDO 50&RQYHUWLGRUHVFRQGRVHQWUDGDV 52&RQYHUWLGRUHVFRQVHOHFWRUGHUDQJR 530pULWRV\OLPLWDFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFD 542.3.8.1 Estrategia seguida en este trabajo. 56 &RQFOXVLRQHV 57 35(6(17$&,Ï1'(/$)$0,/,$'(&)3&21,17(59$/2'(59,1'8&7$1&,$6(16(5,(6,, ,QWURGXFFLyQ 61 $FHUFDPLHQWRDOSULQFLSLRGHIXQFLRQDPLHQWR 61'LDJUDPDGHEORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLD 613DUWLFXODUL]DFLyQGHOGLDJUDPDGHEORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLDSDUDHO62FRQYHUWLGRU6,,%3ULQFLSDOHVFDUDFWHUtVWLFDVIXQFLRQDOHV 64 )DPLOLDGHFRQYHUWLGRUHV6,, 651RPEUHGHOD)DPLOLD6,, 653UHVHQWDFLyQGHODVGLVWLQWDVWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,, 663.3.2.1 Convertidor SII-B2. 663.3.2.2 Convertidor SII-B1. 663.3.2.3 Convertidor SII-B-2D. 673.3.2.4 Convertidor SII-F2. 683.3.2.5 Convertidor SII-F1. 693.3.2.6 Convertidor SII-F1-SS. 70&ODVLILFDFLyQGHODVGLVWLQWDVWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,, 70 &RQFOXVLRQHV 71XIV


ËQGLFH)81&,21$0,(172'(/$)$0,/,$'(&)36,, 75 ,QWURGXFFLyQ 77 5HVXPHQGHORVHVWXGLRVUHDOL]DGRVVREUHOD)DPLOLD6,, 78)XQFLRQDPLHQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 78(VWXGLR(VWiWLFR 790RGHODGRGLQiPLFR 80 &RQYHQLRV\QRWDFLyQ 817UDQVIRUPDGRUHV 817HQVLRQHVFRUULHQWHV\WLHPSRV 82 &RPSRUWDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 83$SUR[LPDFLRQHV\FRQGLFLRQHVGHUpJLPHQSHUPDQHQWH 830RGRVGHIXQFLRQDPLHQWR 844.4.2.1 Causas <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> funcionamiento. 844.4.2.2 Fronteras entre los modos <strong>de</strong> funcionamiento en la familia SII. 864.4.2.3 Implicaciones <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> funcionamiento. 88'HVFULSFLyQGHOSHULRGRGHFRQPXWDFLyQ 904.4.3.1 Estudio <strong>de</strong>tallado para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 914.4.3.2 Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 en Zona 2. 1004.4.3.3 Descripción resumida <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el resto <strong>de</strong> los105<strong>con</strong>vertidores SII.2SHUDFLyQGHOFRQPXWDGRUPDJQpWLFR&RQVLGHUDFLRQHVIXQFLRQDOHVGHGLVHxR 112%DODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 1144.4.5.1 Ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo. 1144.4.5.2 Estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el 118<strong>con</strong>vertidor SII-B2.4.4.5.3 Resumen <strong>de</strong> las expresiones <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para los distintos120<strong>con</strong>vertidores SII. &RPSRUWDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG 123(TXLOLEULRGHSRWHQFLDVDIUHFXHQFLDGHUHG 1239DORUPHGLRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 1244.5.2.1 Obtención <strong>de</strong> V C1 a partir <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia entrada – salida. 1254.5.2.2 Obtención <strong>de</strong> V C1 a partir <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia P DAUX , P DS2 . 1254.5.2.3 Obtención <strong>de</strong> V C1 a partir <strong>de</strong> la corriente media en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>126almacenamiento. &RQFOXVLRQHV 129 (678',2(67È7,&2'(/$)$0,/,$'(&)3&21,17(59$/2'( 131,1'8&7$1&,$6(16(5,(6,, ,QWURGXFFLyQ 135 0HWRGRORJtDXWLOL]DGDHQHODQiOLVLVHVWiWLFR 1369DORUHVFDUDFWHUtVWLFRV\3DUiPHWURVGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 1365.2.1.1 Especificaciones. 1365.2.1.2 Valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 137XV


ËQGLFH5.2.1.3 Parámetros <strong>de</strong> diseño. 1383URJUDPDVGH&iOFXOR 1395.2.2.1 Estructura <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo. 1395.2.2.2 Determinación <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. 1415.2.2.3 Corriente <strong>de</strong> entrada. 1425.2.2.4 Corrientes <strong>de</strong> pico, medias y eficaces. 1445.2.2.5 Mo<strong>de</strong>los <strong>de</strong> pérdidas. 145 $QiOLVLVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 149&LFORGHWUDEDMR 1495.3.1.1 Variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. 1505.3.1.2 Variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. 1515.3.1.3 Conclusiones <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo en los <strong>con</strong>vertidores SII. 1527DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 1535.3.2.1 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. 1535.3.2.1.1 Rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> K P . 1535.3.2.1.2 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada en los <strong>con</strong>vertidores SII. 1555.3.2.2 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el rendimiento. 1585.3.2.3 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 1635.3.2.3.1 Relación energía almacenada y tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong> un componente 165magnético.5.3.2.3.2 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l166<strong>con</strong>vertidor interno 2.5.3.2.3.3 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l169<strong>con</strong>vertidor interno 1 si éste presenta topología )O\EDFN.5.3.2.3.4 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l170<strong>con</strong>vertidor interno 1 si éste presenta topología elevadora.5.3.2.3.5 Conclusiones. 1725.3.2.4 Variación <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , <strong>con</strong> la 173potencia <strong>de</strong> carga.5.3.2.5 Variación <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , <strong>con</strong> el valor 175eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.5.3.2.6 Conclusiones <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, 176K P , en los <strong>con</strong>vertidores SII.7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 1775.3.3.1 <strong>Factor</strong>es que influyen sobre el tamaño y el coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>178almacenamiento.5.3.3.1.1 Aspectos <strong>con</strong>structivos <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos. 1785.3.3.1.1.1 Ten<strong>de</strong>ncias <strong>con</strong>trapuestas <strong>de</strong> la capacidad y el tamaño <strong>con</strong> la tensión. 1785.3.3.1.1.2 Valores comerciales <strong>de</strong> capacidad y tensión <strong>de</strong> ruptura. 1795.3.3.1.1.3 Influencia <strong>de</strong>l encapsulado <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. 1805.3.3.1.1.4 Relación coste – tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos. 1815.3.3.1.2 Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento y capacidad mínima. 1825.3.3.1.3 Tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y su rango <strong>de</strong> 183variación.5.3.3.1.3.1 Selección <strong>de</strong> la tensión nominal <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 1865.3.3.1.4 Tensión final en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 1875.3.3.1.4.1 Proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. 187XVI


ËQGLFH5.3.3.1.4.2 Capacidad <strong>de</strong> regulación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. 1885.3.3.1.5 Gráficos volumen – tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 1935.3.3.1.6 Conclusiones. 1955.3.3.2 Variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia 196<strong>de</strong> carga en los <strong>con</strong>vertidores SII.5.3.3.2.1 Justificación cualitativa a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 198almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.5.3.3.2.2 Justificación matemática a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 199almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.5.3.3.2.3 Justificación equivalente en otros <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica. 2005.3.3.3 Variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> el valor 202eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red en los <strong>con</strong>vertidores SII.5.3.3.3.1 Justificación <strong>de</strong> la variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>205almacenamiento <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.5.3.3.4 Conclusiones <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en 207los <strong>con</strong>vertidores SII.)RUPDGHRQGDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD 208 'LVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 210,QIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxR 2105.4.1.1 Influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.2115.4.1.1.1 Influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 212almacenamiento.5.4.1.1.2 Tabla <strong>de</strong> volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 2155.4.1.2 Tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado. 2175.4.1.3 Rendimiento, corrientes <strong>de</strong> pico y eficaces. 2195.4.1.4 Forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. 2235.4.1.5 Parámetro adimensional <strong>de</strong> carga y modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores 226SII.5.4.1.6 Cuadro resumen <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño 227sobre los valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.3URFHVRGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 2285.4.2.1 Ejemplo <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 2295.4.2.1.1 Selección <strong>de</strong> V C1@265 o <strong>de</strong>l rango en el cual se almacena la energía en el 230<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.5.4.2.1.2 Selección <strong>de</strong> V C1@85 . 2335.4.2.1.3 Selección <strong>de</strong> K P . 2335.4.2.2 Diseños más favorables para cada topología SII. 234 &RPSDUDFLyQGHWRSRORJtDV 2367DPDxRGHORVFRPSRQHQWHVPDJQpWLFRV 2367DPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\FRUULHQWHVFLUFXODQWHVSRUORV 239FRQYHUWLGRUHVLQWHUQRV/LVWDGHFRPSRQHQWHV 242&RQFOXVLRQHVGHODFRPSDUDFLyQHQWUHWRSRORJtDV6,, 244 &RQFOXVLRQHV 245XVII


ËQGLFH 02'(/$'2',1È0,&2


ËQGLFH5HVXOWDGRVGHVLPXODFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDHQSHTXHxDVHxDO 2965HVXOWDGRVGHVLPXODFLyQHQHOGRPLQLRGHOWLHPSR,QIOXHQFLDGHODJDQDQFLD 298DQFKRGHEDQGD\PDUJHQGHIDVHGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ6.5.3.1 Efecto <strong>de</strong>l ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. 2996.5.3.2 Efecto <strong>de</strong> la ganancia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. 3006.5.3.3 Efecto <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. 3026.5.3.4 Simulaciones <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada real. 303&RQVLGHUDFLRQHVGHGLVHxRGHOUHJXODGRUGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 306 &RQFOXVLRQHV 310 5(68/7$'26(;3(5,0(17$/(6 313 ,QWURGXFFLyQ 315 &RQYHUWLGRU6,,% 316)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 316)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGH 317HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3195HQGLPLHQWR 3195HVSXHVWDGLQiPLFD 321 &RQYHUWLGRU6,,%' 323)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 323)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGH 325HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3275HQGLPLHQWR 3285HVSXHVWDGLQiPLFD 329 &RQYHUWLGRU6,,) 331)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 332)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGH 334HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3365HQGLPLHQWR 3375HVSXHVWDGLQiPLFD 338 &RQYHUWLGRU6,,)66 340)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 341)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGH 343HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3455HQGLPLHQWR 3467.5.4.1 Rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1 3465HVSXHVWDGLQiPLFD 348 9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGR 348XIX


ËQGLFH9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRHQUpJLPHQHVWiWLFR 3499DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRHQUpJLPHQGLQiPLFR 3507.6.2.1 Consi<strong>de</strong>raciones acerca <strong>de</strong> la relación entre la sobreoscilación y las 350prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.7.6.2.2 Criterio <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l regulador. 3507.6.2.3 Resultados experimentales <strong>de</strong> la operación <strong>con</strong> carga pulsante. 353 &RQFOXVLRQHV 354 &21&/86,21(6 357 $SRUWDFLRQHVGHOSUHVHQWHWUDEDMR 359$SRUWDFLRQHVGHVGHHOSXQWRGHYLVWDGHORVFRQYHUWLGRUHVDOWHUQD±FRQWLQXD 360$SRUWDFLRQHVGHVGHHOSXQWRGHYLVWDGHODQiOLVLV\GLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV 362SURSXHVWRV$SRUWDFLRQHVGHVGHHOSXQWRGHYLVWDGHOPRGHODGR\FRQWUROGHORV362FRQYHUWLGRUHVSURSXHVWRV 6XJHUHQFLDVSDUDIXWXURVWUDEDMRV 3635()(5(1&,$6 365&RPSDWLELOLGDG(OHFWURPDJQpWLFD 3673XEOLFDFLRQHV2ILFLDOHV\1RUPDV 367$SOLFDFLyQGHOD'&VREUH&(0\ODVQRUPDVDUPRQL]DGDVDVRFLDGDV 367'LUHFFLRQHVGH2UJDQLVPRV2ILFLDOHV\2UJDQLVPRVGHQRUPDOL]DFLyQ 367&)35HV~PHQHVGHO(VWDGRGHOD7pFQLFD 368&)36ROXFLRQHV3DVLYDV 368&)36ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDO 3686ROXFLRQHVHQGRVHWDSDV 3683RVWUHJXODGRUHVGHDOWRUHQGLPLHQWR 3693URFHVDGRSDUDOHORGHHQHUJtD 3695HXELFDFLyQGHEORTXHVGHSRWHQFLD 3693RVWUHJXODGRUVHULH 369&RQYHUWLGRUELGLUHFFLRQDO 369)LOWURVDFWLYRV 370&)36ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDQRVLQXVRLGDO 3705HGXFFLyQGHOQ~PHURGH,QWHUUXSWRUHV 3705HGXFFLyQGHOD]RVGHFRQWURO 370&RPELQDFLyQGH7RSRORJtDV 370&RQIRUPDGRUHVGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD 370Realimentación magnética negativa 370Bomba <strong>de</strong> carga 370Resistencia sin pérdidas 371Interruptor magnético 3716DOLGD)RUZDUG$GLFLRQDO 371XX


ËQGLFH(QWUDGD$GLFLRQDO 371'REODGRUGHWHQVLyQ 371&RQYHUWLGRUHV6,, 371$VSHFWRVWHFQROyJLFRVHQFRQYHUWLGRUHVDOWHUQDFRQWLQXD 371*HQHUDOLGDGHVHQFRQYHUWLGRUHVFRQWLQXDFRQWLQXD 372&RPSRQHQWHV0DJQpWLFRV 3720pWRGRVGH0RGHODGR'LQiPLFR\$SOLFDFLRQHV 3720RGHORVHQ3HTXHxD6HxDO 3720RGHORV3URPHGLDGRV 3736HPLQDULRVVREUH0RGHORV3URPHGLDGRVRULHQWDGRVD6LPXODFLyQGH&LUFXLWRV 3736LPXODFLyQGHFLUFXLWRV 3748VRGHOVLPXODGRU36SLFH 374$OJRULWPRV\&RQYHUJHQFLDHQ36SLFH 374)DEULFDQWHV 374$1(;2$(67,0$&,Ï1'(/5,=$'2(1(/&21'(16$'25'($/0$&(1$0,(172$ ,QWURGXFFLyQ 375$ )XQFLyQDSUR[LPDGDDODFRUULHQWHTXHFLUFXODSRUHOFRQGHQVDGRUGH376DOPDFHQDPLHQWR$ (VWXGLRGHODYDOLGH]GHODDSUR[LPDFLyQSURSXHVWD 377$ ([SUHVLyQDSUR[LPDGDSDUDHOUL]DGRHQODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGH379DOPDFHQDPLHQWR$ &RQFOXVLRQHV 380375XXI


ËQGLFHXXII


ËQGLFH/LVWDGH6tPERORVaa 01Relación <strong>de</strong> inductancias.Frontera entre los modos <strong>de</strong> operación Zona 0 y Zona 1 en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2a 12 Frontera entre los modos <strong>de</strong> operación Zona 1 y Zona 2dD v C1D v OhRelación entre los valores nominal y final <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento durante el tiempo <strong>de</strong> mantenimientoRizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoRizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salidarendimientoh 1 Rendimiento <strong>con</strong>vertidor interno 1h 2 Rendimiento <strong>con</strong>vertidor interno 2h DESCm Om RA EA EFB MAXC 1C MINC Ocos(j )D(w t)DDd Ad 1d 2Rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scargaPermeabilidad magnética <strong>de</strong>l vacíoPermeabilidad magnética relativaÁrea efectiva <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong> un componente magnéticoAmperios eficacesValor máximo <strong>de</strong> la <strong>de</strong>nsidad <strong>de</strong> flujo magnético en el núcleo <strong>de</strong> un componentemagnéticoCon<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoValor mínimo <strong>de</strong> la capacidad <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento que satisface laespecificación <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimientoCon<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida<strong>Factor</strong> <strong>de</strong> <strong>de</strong>splazamiento. En régimen permanente sinusoidal, se le ha <strong>de</strong>nominadofactor <strong>de</strong> potencia.Ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.Ciclo <strong>de</strong> trabajoCiclo <strong>de</strong> trabajo en régimen permanente.En (1.10), Equivalente <strong>de</strong> potencia reactiva <strong>de</strong>bida a los armónicos <strong>de</strong> corrienteDuración normalizada <strong>con</strong> el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, correspondiente a la<strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 en los modos <strong>de</strong> operación Zona 0 y Zona 1Duración normalizada <strong>con</strong> el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, correspondiente a la<strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 21 en los modos <strong>de</strong> operación Zona 1 y Zona 2Duración normalizada <strong>con</strong> el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, correspondiente a la etapa en laque DS 1 y D AUX comparten la corriente <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 , en el modo <strong>de</strong>operación Zona 2XXIII


ËQGLFHd 3d 4Duración normalizada <strong>con</strong> el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, correspondiente al intervalo <strong>de</strong>inductancias en serie, en el modo <strong>de</strong> operación Zona 2Duración normalizada <strong>con</strong> el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, correspondiente al tiempomuerto, en el modo <strong>de</strong> operación Zona 2d Z0 Ciclo <strong>de</strong> trabajo correspondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 0d Z1 Ciclo <strong>de</strong> trabajo correspondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 1d Z2 Ciclo <strong>de</strong> trabajo correspondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 2D AUXD MAXD NOMDS 1DS 2Diodo auxiliar en todas las topologías SII, excepto en la SII-B-2DCiclo <strong>de</strong> trabajo máximoCiclo <strong>de</strong> trabajo nominal que verifica la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, para un <strong>de</strong>terminado diseñoDiodo <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> la vía <strong>de</strong> procesado único, excepto en SII-B-2DDiodo <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> la vía <strong>de</strong> doble procesado, excepto en SII-B-2DDS 1-AUXDiodo que, en la topología SII-B-2D, realiza las funciones <strong>de</strong> los diodos DS 1 y D AUXDS 1-2 Diodo que, en la topología SII-B-2D, realiza las funciones <strong>de</strong> los diodos DS 1 y DS 2D SSf CF jF DF PI DISTI EI EFI ni REDái DS1 ñ(w t)ái DS2 ñ(w t)i O (w t)I ODiodo que, en la topología SII-F1-SS, permite utilizar un único interruptor <strong>con</strong>troladoFrecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación<strong>Factor</strong> <strong>de</strong> <strong>de</strong>splazamiento<strong>Factor</strong> <strong>de</strong> distorsión<strong>Factor</strong> <strong>de</strong> potenciaValor eficaz equivalente <strong>de</strong> la corriente <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando todos los armónicos menos elprimeroValor eficaz <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entradaCorriente eficazValor eficaz <strong>de</strong>l armónico enésimo <strong>de</strong> la corrienteCorriente <strong>de</strong> redEvolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> corriente media (promediada en un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación) que circula por el diodo DS 1Evolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> corriente media (promediada en un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación) que circula por el diodo DS 2Corriente media <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor alterna – <strong>con</strong>tinuaCorriente media cedida a la cargaI PL11 Corriente <strong>de</strong> pico por la inductancia L 11I PL12 Corriente <strong>de</strong> pico por la inductancia L 12I PL2 Corriente <strong>de</strong> pico por la inductancia L 2I PL21 Corriente <strong>de</strong> pico por la inductancia L 21XXIV


ËQGLFHI PC Corriente que circula por la inductancia L 12 cuando corta el diodo DS 1I PD Corriente que circula por la inductancia L 12 cuando corta el diodo DS 2i SEC Corriente que circula por el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 1KK CRÍTI<strong>CA</strong>K DK PL 11L 12L 13L 21L 21s , L 21pL 22l El GAPL LINEAParámetro adimensional <strong>de</strong> cargaParámetro adimensional <strong>de</strong> carga, frontera entre el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo ydis<strong>con</strong>tinuoParámetro adimensional <strong>de</strong> carga, que cumple la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, para un <strong>de</strong>terminado diseñoTanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesadoInductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su <strong>de</strong>vanado primarioInductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su <strong>de</strong>vanado secundarioInductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su <strong>de</strong>vanado terciario. (Soloen las topologías SII-F1 y SII-F1-SS)Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su <strong>de</strong>vanado primarioInductancias en el mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> tres inductancias e interruptor <strong>de</strong>sfasadoInductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su <strong>de</strong>vanado secundarioLongitud efectiva <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong> un componente magnéticoLongitud <strong>de</strong>l entrehierro <strong>de</strong> un componente magnéticoInductancia <strong>de</strong> la línean 1 Relación <strong>de</strong> transformación primario-secundario <strong>de</strong>l transformador T 1 . Definida (1:n 1 )M dMFn 23Relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scargaMargen <strong>de</strong> faseRelación <strong>de</strong> transformación secundario-secundario <strong>de</strong>l transformador T 1 . Definida(1:n 23 ). (Solo en las topologías SII-F1 y SII-F1-SS)n 2 Relación <strong>de</strong> transformación primario-secundario <strong>de</strong>l transformador T 2 . Definida (1:n 2 )N1 Número <strong>de</strong> espiras <strong>de</strong>l <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 1N2 Número <strong>de</strong> espiras <strong>de</strong>l <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 1N3Pp DS1 (w t)p DS1 (w t)p DAUX (w t)P Ep E (w t)P ONúmero <strong>de</strong> espiras <strong>de</strong>l <strong>de</strong>vanado terciario <strong>de</strong> T 1 . (Solo <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS)Potencia activaPotencia instantánea <strong>de</strong> simple procesadoPotencia instantánea <strong>de</strong> doble procesadoPotencia instantánea cedida al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoPotencia activa <strong>de</strong> entradaPotencia instantánea <strong>de</strong> entradaPotencia <strong>de</strong> salidaXXV


ËQGLFHP O,PCP TOTALESQR(f)R 1Rec ER LINEAR OSPotencia <strong>de</strong> salida a plena cargaPérdidas <strong>de</strong> potencia totalesPotencia reactivaFunción <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l reguladorPuente rectificadorPuente rectificadorReluctancia magnéticaResistencia <strong>de</strong> la líneaResistencia <strong>de</strong> salidaPotencia aparenteS 1 Interruptor <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno número 2S 2 Interruptor <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno número 1T(f)Función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l lazo abierto <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorT 1 Transformador <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno número 2T 2 Transformador <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno número 1T CT MV C1V C1@85V C1@265V EV EFV Gv GSV FV NOMV OV RECTww tPeriodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutaciónTiempo <strong>de</strong> mantenimientoTensión media en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoTensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, para el valor más reducido <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entradaTensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, para el valor más elevado <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entradaTensión <strong>de</strong> entrada instantáneaVoltios eficacesAmplitud <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entradaTensión puerta – fuente <strong>de</strong> un MOSFETValor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento cuando ha transcurrido eltiempo <strong>de</strong> mantenimientoValor nominal para la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoTensión <strong>de</strong> salida, valor medio.Tensión <strong>de</strong> entrada rectificada.Pulsación <strong>de</strong> redÁngulo <strong>de</strong> redXXVI


ËQGLFH/LVWDGH$FUyQLPRVA1, A2,A12, A14AENORBT<strong>CA</strong><strong>CC</strong>CECEECEICEMCENCENELE<strong>CC</strong>FPDATDFTDOCEDOPDOWEEEEMIENENACETSIETTIECIEEEM<strong>CC</strong>MCDMOSFETPFCPFPPSpicePWMEnmiendas ($PHQGPHQWa la norma IEC / EN 61000-3-2Asociación Española <strong>de</strong> Normalización y CertificaciónBaja TensiónCorriente AlternaCorriente ContinuaCertificación EuropeaComunidad E<strong>con</strong>ómica EuropeaComisión Electrotécnica InternacionalCompatibilidad Electromagnética.Comité Europeo <strong>de</strong> NormalizaciónComité Europeo <strong>de</strong> Normalización ElectrotécnicaCorrección <strong>de</strong>l <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> PotenciaDistorsión Armónica TotalTransformada Discreta <strong>de</strong> Fourier ('LVFUHWH)RXULHU7UDQVIRUP)Diario Oficial <strong>de</strong> las Comunida<strong>de</strong>s EuropeasFecha <strong>de</strong> publicación ('DWH2I3XEOLFDWLRQ)Fecha <strong>de</strong> retirada ('DWH2I:LWKGUDZQ)Espacio E<strong>con</strong>ómico EuropeoInterferencia Electromagnética ((OHFWURPDJQHWLF,QWHUIHUHQFH)Norma Europea ((XURSHDQ1RUP)Entidad Nacional <strong>de</strong> AcreditaciónInstituto Europeo <strong>de</strong> Normalización <strong>de</strong> las Telecomunicaciones ((XURSHDQ7HOHFRPPXQLFDWLRQV6WDQGDUGV,QVWLWXWH)Equipos Terminales <strong>de</strong> TelecomunicacionesComisión Electrotécnica Internacional (,QWHUQDWLRQDO(OHFWURWHFKQLFDO&RPPLVVLRQ).Instituto <strong>de</strong> Ingenieros Eléctricos y ElectrónicosModo <strong>de</strong> Conducción Continuo.Modo <strong>de</strong> Conducción Dis<strong>con</strong>tinuo.Tipo <strong>de</strong> transistor <strong>de</strong> efecto <strong>de</strong> campo (0HWDO2[LGH6HPLFRQGXFWRU)LHOG(IIHFW7UDQVLVWRU)3RZHU)DFWRU&RUUHFWLRQ (corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia)Pre-regulador <strong>de</strong>l <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> Potencia.3HUVRQDOFRPSXWHU6LPXODWLRQ3URJUDPZLWK,QWHJUDWHG&LUFXLW(PSSKDVLV (Programa <strong>de</strong>simulación <strong>de</strong> circuitos para or<strong>de</strong>nador)Modulación <strong>de</strong> ancho <strong>de</strong> pulso (3XOVH:LGWK0RGXODWLRQ)XXVII


ËQGLFHSIISII-B1SII-B2SII-B-2DSII-F1SII-F1-SSSII-F2UEUNEIntervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie6HULHV,QGXFWDQFHV,QWHUYDO)Convertidor <strong>con</strong> Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie. Topología elevadora en el primario <strong>de</strong>T 2Convertidor <strong>con</strong> Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie. Topología elevadora en el secundario<strong>de</strong> T 2Convertidor <strong>con</strong> Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie. Topología elevadora <strong>con</strong> 2 diodosConvertidor <strong>con</strong> Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie. Topología Flyback en el primario <strong>de</strong>T 1Convertidor <strong>con</strong> Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie. Topología Flyback en el primario <strong>de</strong>T 1 , <strong>con</strong> interruptor únicoConvertidor <strong>con</strong> Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie. Topología Flyback en el secundario <strong>de</strong>T 1Unión EuropeaNorma EspañolaXXVIII


ËQGLFH/LVWDGH)LJXUDV&DStWXOR,QWURGXFFLyQDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLDFigura 1.1 <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> <strong>de</strong>splazamiento, F j , en el caso <strong>de</strong> tensión sinusoidal y corriente <strong>con</strong> armónicos.Se ha representado la tensión, la corriente y el primer armónico <strong>de</strong> la corriente. 5Figura 1.2 Ejemplos <strong>de</strong> formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente, que para el caso <strong>de</strong> tensión sinusoidal presentanlos valores <strong>de</strong> los parámetros F P , DAT, Fj , F D y corriente eficaz total que se indican. 6Figura 1.3 a) Esquema <strong>de</strong>l rectificador mas filtro por <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. B) Simulación mediante PSpice <strong>de</strong>este montaje, alimentando a una carga <strong>de</strong> 100 W <strong>de</strong>s<strong>de</strong> una red <strong>de</strong> 220 V EF , 50 Hz. 6Figura 1.4 Esquema unifilar básico <strong>de</strong> red eléctrica a la que se <strong>con</strong>ecta una carga productora <strong>de</strong>armónicos y otros <strong>con</strong>sumos. 8Figura 1.5 Logotipo <strong>de</strong>l marcado CE. 12Figura 1.6 Procedimientos para evaluar la <strong>con</strong>formidad <strong>de</strong> un producto <strong>con</strong> la Directiva CEM. 13Figura 1.7 Aplicación <strong>de</strong> la Directiva a distintos elementos 14Figura 1.8 Relación entre Organismos <strong>de</strong> Normalización y sus documentos. 15Figura 1.9 Tabla resumen <strong>de</strong> los aspectos más relevantes para la aplicación <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 1995. 20Figura 1.10 Evolución <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al variar su primer armónico manteniendo fijos elvalor <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong> los armónicos igual al <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la Clase A. 21Figura 1.11 Evolución <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada cuando ésta presenta unos armónicos pares iguales alos que permiten los límites <strong>de</strong> la Clase A. 22Figura 1.12 Evolución <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> las Clases A y D <strong>de</strong> la norma EN 61000-3-2 <strong>con</strong> la potencia. 22Figura 1.13 Clasificación y características más relevantes <strong>de</strong> las soluciones a la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong>potencia. Parte I. 27Figura 1.14 Clasificación y características más relevantes <strong>de</strong> las soluciones a la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong>potencia. Parte II. Se <strong>de</strong>staca el grupo <strong>de</strong> soluciones que componen el estado <strong>de</strong> la técnica<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 28Figura 1.15 Esquema <strong>de</strong>l emulador <strong>de</strong> resistencia. Convertidor alterna <strong>con</strong>tinua i<strong>de</strong>al que <strong>de</strong>mandacorriente sinusoidal <strong>de</strong> la red. 29Figura 1.16 Formas <strong>de</strong> onda principales correspondientes a un emulador <strong>de</strong> resistencia i<strong>de</strong>al. a)Corrientes y tensiones. b) Potencias. 29Figura 1.17 a) Esquema básico <strong>de</strong>l emulador <strong>de</strong> resistencia y su lazo <strong>de</strong> realimentación. Formas <strong>de</strong>onda correspondientes a un lazo <strong>de</strong> realimentación que transmite la variación <strong>de</strong> 100 Hz <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> salida al ciclo <strong>de</strong> trabajo. b) Tensión y corriente <strong>de</strong> salida. c) Tensión ycorriente <strong>de</strong> entrada. d) Ciclo <strong>de</strong> trabajo. 30Figura 1.18 Convertidor alterna <strong>con</strong>tinua en dos etapas. Se representan los anchos <strong>de</strong> banda <strong>de</strong> loslazos <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> los dos <strong>con</strong>vertidores. 31Figura 1.19 a) Relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones, m(w t). b) Resistencia vista por el PFP, r O (w t). 32Figura 1.20 Esquema básico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>trol por multiplicador aplicado al <strong>con</strong>vertidor elevador 33Figura 1.21 Esquema <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando como seguidor <strong>de</strong> tensión. 34Figura 1.22 Evolución temporal <strong>de</strong> las técnicas <strong>de</strong> CFP. 36XXIX


ËQGLFH&DStWXOR (VWDGR GH OD WpFQLFD GH ORV &)3 FRQ FRUULHQWH GH HQWUDGD QRVLQXVRLGDOFigura 2.1 Técnica <strong>de</strong> reducción <strong>de</strong>l número <strong>de</strong> interruptores. a) Diagrama <strong>de</strong> bloques. b)Implementación <strong>con</strong> combinación <strong>de</strong> topologías elevadora y )O\EDFN. 43Figura 2.2 Corriente <strong>de</strong> entrada típica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores CFP <strong>con</strong> reducción <strong>de</strong>l número <strong>de</strong>interruptores. 43Figura 2.3 Técnica <strong>de</strong> reducción <strong>de</strong> lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol. a) Diagrama <strong>de</strong> bloques. b) Implementación <strong>con</strong>combinación <strong>de</strong> topologías )O\EDFN y reductora. 44Figura 2.4 Corriente <strong>de</strong> entrada típica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores CFP <strong>con</strong> reducción <strong>de</strong> lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol,cuando su <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> /<strong>CC</strong> interno opera en MCD. 45Figura 2.5 Técnica <strong>de</strong> combinación <strong>de</strong> topologías. a) Diagrama <strong>de</strong> bloques. b) Convertidor BIFRED,combinación <strong>de</strong> topología elevadora y )O\EDFN. 46Figura 2.6 Corriente <strong>de</strong> entrada típica <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor BIFRED. 46Figura 2.7 Diagrama <strong>de</strong> bloques general <strong>de</strong> los <strong>con</strong>formadores <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. 47Figura 2.8 Corriente <strong>de</strong> entrada típica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> CFP <strong>con</strong>formadores <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada. 48Figura 2.9 Esquema <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> transformador multi<strong>de</strong>vanado, que se propone en [60]. 49Figura 2.10 <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> <strong>con</strong>exión <strong>de</strong> una fuente <strong>de</strong> tensión y una resistencia sin pérdidas. a)Diagrama <strong>de</strong> bloques. b) Implementación <strong>con</strong> <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> Flyback. 50Figura 2.11 Convertidor <strong>con</strong> salida )RUZDUG adicional. a) Diagrama <strong>de</strong> bloques y b) Implementación <strong>con</strong><strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> )O\EDFN. 51Figura 2.12 Corriente <strong>de</strong> entrada típica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> CFP <strong>con</strong> una salida )RUZDUG adicional. 51Figura 2.13 <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> dos entradas. a) Diagrama <strong>de</strong> bloques. b) Implementación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorBi-Forward. 52Figura 2.14 Corriente <strong>de</strong> entrada típica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> CFP que presentan dos entradas. 52Figura 2.15 <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> selector <strong>de</strong> rango. a) Diagrama <strong>de</strong> bloques. b) Implementación <strong>con</strong><strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> )RUZDUG <strong>con</strong> dos interruptores. 53Figura 2.16 a) Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, cuando se utiliza el selector <strong>de</strong> rango. b)Corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. 54&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,Figura 3.1 Diagrama <strong>de</strong> bloques común para la familia SII. 61Figura 3.2 Diagrama <strong>de</strong> bloques para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 61Figura 3.3 Particularización <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 62Figura 3.4 Flujo <strong>de</strong> energía en los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII. 63Figura 3.5 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 y sus principales características funcionales. 65Figura 3.6 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 66Figura 3.7 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-BB. 67Figura 3.8 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D. 68Figura 3.9 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2. 68Figura 3.10 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1. 69Figura 3.11 Esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 70XXX


ËQGLFHFigura 5.14 Diagrama <strong>de</strong> bloques general <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor que presenta división paralelo <strong>de</strong> energía. 154Figura 5.15 Evolución <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> simple procesado y doble procesado cuando la corriente <strong>de</strong>entrada es sinusoidal. a) K P = 0,4. b) K P = 0,5. c) K P = 0,6. 155Figura 5.16 Comparación <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> procesado simple y <strong>de</strong> procesado doble para: a) corriente <strong>de</strong>entrada sinusoidal, b) corriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> armónicos 155Figura 5.17 Forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada y la evolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> las potencias<strong>de</strong> simple y doble procesado para tres valores distintos <strong>de</strong> K P. 156Figura 5.18 Variación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>tenido armónico <strong>con</strong> K Ppara un <strong>con</strong>vertidor SII-B <strong>de</strong> 100 W <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>entrada. 157Figura 5.19 Evolución <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> las Clases A y D <strong>de</strong> la norma EN 61000-3-2 <strong>con</strong> la potencia. 157Figura 5.20 Rendimiento <strong>con</strong>junto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 159Figura 5.21 Rendimiento global teórico en función <strong>de</strong> K P. Consi<strong>de</strong>rando h 1 = h 2 = 0,9 y por tantoin<strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> K P . 159Figura 5.22 Variación <strong>con</strong> K P<strong>de</strong> los valores eficaces y medios <strong>de</strong> algunas corrientes características <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-F2. 160Figura 5.23 Variación <strong>con</strong> K P<strong>de</strong> las pérdidas <strong>de</strong> potencia en los <strong>con</strong>vertidores internos 1 y 2 <strong>de</strong> latopología SII-F2. 161Figura 5.24 Variación <strong>con</strong> K P<strong>de</strong> los rendimientos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos y <strong>de</strong>l rendimiento global<strong>de</strong> la topología SII-F2. 163Figura 5.25 Representaciones equivalentes <strong>de</strong> la topología elevadora operando en MCD. Tanto en latopología )O\EDFN como en la elevadora cuando operan en MCD, el componente magnéticoalmacena toda la energía extraída <strong>de</strong> la entrada para luego ce<strong>de</strong>rla a la carga. 164Figura 5.26 La energía almacenada en un componente magnético se <strong>con</strong>fina en su mayoría en elentrehierro. La proximidad al entrehierro provoca una reducción <strong>de</strong> la sección efectiva alpaso <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> los <strong>con</strong>ductores que componen los <strong>de</strong>vanados. 166Figura 5.27 Esquema simplificado, dimensiones y magnitu<strong>de</strong>s que <strong>de</strong>terminan la inductancia <strong>de</strong> uncomponente magnético. 166Figura 5.28 a) Tensión <strong>de</strong> entrada. b) Corriente <strong>de</strong> entrada. c) Evolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> lapotencia instantánea <strong>de</strong> entrada. Se ha tomado como parámetro, el tanto por uno <strong>de</strong> potencia<strong>de</strong> simple procesado. 168Figura 5.29 La Energía que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong>bloques en el paso por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red es in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> K P. 169Figura 5.30 Convertidor interno 1 <strong>de</strong> la topología SII-B2-2D. Corrientes extraídas <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento en el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación correspondiente a w t = 0. 171Figura 5.31 <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> atenuación <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorinterno 1 en las topologías SII-B. Diseño para entrada universal y 48 V <strong>de</strong> salida. 172Figura 5.32 Convertidor interno 1 <strong>de</strong> la topología SII-F2. Corrientes por el MOSFET S 2 y el diodo DS 2 enun periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. 174Figura 5.33 Variación <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P, <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga enel <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS diseñado para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72V 174Figura 5.34 Comparación <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, ciclo <strong>de</strong> trabajo, potencias <strong>de</strong> simple y dobleprocesado y tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , para tensiones <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>85 y 265 V eficaces. 175Figura 5.35 <strong>Factor</strong>es clave en el tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 178XXXIII


ËQGLFHFigura 5.36 a) Variación <strong>de</strong> la capacidad mínima necesaria para almacenar una energía fija <strong>con</strong> la tensióna la que se almacena la energía. b) Consi<strong>de</strong>rando fija la capacidad, ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong>l mismo. c) Ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la tensión a la que se almacena la energía. 179Figura 5.37 Volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en función <strong>de</strong> la tensión nominal <strong>de</strong> este<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador para dos combinaciones <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> carga y tiempo <strong>de</strong> mantenimiento y dosseries comerciales <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos [126], [127]. Detalle <strong>de</strong> los datos <strong>de</strong> los<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores utilizados para las tensiones nominales <strong>de</strong> 100, 160 y 200 V. 180Figura 5.38 Extracto <strong>de</strong> las hojas <strong>de</strong> características <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores Surge Serie SREA. 181Figura 5.39 Comparación <strong>de</strong> coste para los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores Nichi<strong>con</strong> serie VX. a) Volumen 0,8 cm 3 . b)Volumen 6,33 cm 3 . c) Volumen 10,43 cm 3 . 182Figura 5.40 “Convertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga” en la topología SII-F2. 183Figura 5.41 Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento frente al valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red paradistintas soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica. 184Figura 5.42 Comparación <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para tres soluciones típicas <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>. 185Figura 5.43 Volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en función <strong>de</strong> la tensión nominal <strong>de</strong> este<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador para dos combinaciones <strong>de</strong> P O,PC y T M y dos series comerciales <strong>de</strong><strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos. 186Figura 5.44 Proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en el <strong>con</strong>vertidor SII-F2. 187Figura 5.45 Variación <strong>de</strong>l parámetro d <strong>con</strong> D NOM para las topologías básicas que pue<strong>de</strong> presentar el<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga y los dos modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción MCD y M<strong>CC</strong>. a) M = 0.5 y b) M = 2. 192Figura 5.46 Tamaño frente a tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para: V O = 48 V, T M= 10 ms y P O,PC = 100W. a) Topologías )O\EDFN y )RUZDUG para D NOM = 0,2. b) Topologías)O\EDFN y )RUZDUG para D NOM = 0,4. c) Convertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga )O\EDFN en MCD. d)Convertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga )O\EDFN en M<strong>CC</strong>. 194Figura 5.47 Evolución <strong>de</strong> la potencia neta entrante al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para cada<strong>con</strong>mutación o valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red. 197Figura 5.48 Variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, paravarias tensiones eficaces <strong>de</strong> red. Convertidor SII-F2, tensión <strong>de</strong> salida V O = 56 V, n 1 = 1,2 , n 2=1, a = 4. 197Figura 5.49 Diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> las topologías SII. 198Figura 5.50 Diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> las topologías SII. El <strong>con</strong>vertidor 1 transfiere sólo la potencia que seextrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, (1-K P )·P O , y que ha sido procesada dos veces. 200Figura 5.51 Conexión <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores )O\EDFN <strong>con</strong>ectados en cascada y gobernados por un únicociclo <strong>de</strong> trabajo. 201Figura 5.52 Variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS paratensiones <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 24, 48 y 72V y rango universal <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada. 202Figura 5.53 Variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento frente al valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada para distintas soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica. Se incluyen losresultados obtenidos para los <strong>con</strong>vertidores SII y una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 56V. 203Figura 5.54 Comparación <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para tres soluciones <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>. Se incluyen los resultados para tres diseños distintos <strong>de</strong> la topologíaSII-F1-SS correspondientes a tres tensiones <strong>de</strong> salida diferentes, 24 V, 48 V y 72V. 204Figura 5.55 a) Diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> las topologías SII. Potencias <strong>de</strong> simple (K P·P O ) y doble procesado((1-K P )·P O ). b) El <strong>con</strong>vertidor 2 transfiere toda la potencia que se toma <strong>de</strong> la entrada, P O . c) El<strong>con</strong>vertidor 1 transfiere sólo la potencia que se extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,(1-K P )·P O ). 205XXXIV


ËQGLFHFigura 5.56 Convertidor SII-F1-SS diseñado para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72 V: a) Variación <strong>de</strong> lasfunciones (1-K P (V G )) y µ(V G ). b) Variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. 207Figura 5.57 Estructura )O\EDFN <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 2 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> una topología SII.Corriente <strong>de</strong> entrada para un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. 208Figura 5.58 Valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento correspondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS diseñado para tres tensiones <strong>de</strong> salida diferentes. Se han representado también losvalores característicos <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, D V C1 , V C1_@85 yV C1_@265 , así como los valores comerciales <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura. 211Figura 5.59 Participación <strong>de</strong> la inductancia L 22 en la corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en lastopologías: a) SII-B2 y b) SII-F2. 215Figura 5.60 Tabla <strong>de</strong> volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para un producto Potencia <strong>de</strong> salida aplena carga x tiempo <strong>de</strong> mantenimiento <strong>de</strong> 1 J. Con<strong>de</strong>nsadores PANASONIC Serie M. 216Figura 5.61 Convertidor SII-B2. Forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo en un semiperiodo <strong>de</strong> red para dosvalores <strong>de</strong> n 2 . 222Figura 5.62 Convertidor SII-F1-SS. Variación, <strong>con</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño, <strong>de</strong> lacorriente absorbida <strong>de</strong> la red. 223Figura 5.63 Convertidor SII-B2 Variación <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> el parámetro n 2. 224Figura 5.64 Evolución <strong>de</strong> los armónicos normalizados respecto <strong>de</strong> su límite correspondiente en Clase Dpara los ór<strong>de</strong>nes 3,9,11. 224Figura 5.65 Especificaciones y Proceso <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII: Des<strong>de</strong> la selección <strong>de</strong> losvalores característicos hasta la obtención <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> diseño óptimo. 229Figura 5.66 Convertidor SII-F1-SS diseñado para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 48 V. Evolución, como función<strong>de</strong>l rango en el que se almacena la energía en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, <strong>de</strong> a)corrientes <strong>de</strong> pico y b) <strong>de</strong>l rendimiento. 231Figura 5.67 Convertidor SII-F1-SS diseñado para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 48 V y para utilizar<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 35V como <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, (n 23 = 0,7). Influencia <strong>de</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño n 1 y a en la selección <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> trabajo óptimo. 233Figura 5.68 Energía que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong> almacenar, sin saturarse, el componente magnético <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII, según la topología queestos presenten. 237Figura 5.69 Potencia máxima que pue<strong>de</strong> transferir el componente magnético, según el tamaño <strong>de</strong> sunúcleo y la longitud <strong>de</strong>l entrehierro que se seleccione. Potencias que han <strong>de</strong> transferir comomínimo los componentes magnéticos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII según su topología. 238Figura 5.70 Tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para diferentes topologías SII en función <strong>de</strong>lrango <strong>de</strong> tensión en el que se almacena la energía en este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. <strong>Convertidores</strong>diseñados para 48 V <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> salida y tensión <strong>de</strong> entrada universal. 240Figura 5.71 Corriente circulante por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (extraída y cedida) en lastopologías a) SII-F y b) SII-B. 241&DStWXOR0RGHODGRGLQiPLFRGHODIDPLOLDGH&)36,,Figura 6.1 Simulación <strong>con</strong> PSpice <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong> topología )O\EDFN, operando en MCDy <strong>con</strong>trolado mediante un lazo <strong>de</strong> banda ancha. Se representan las magnitu<strong>de</strong>s: a) Tensión ycorriente <strong>de</strong> salida (nótese el escalón <strong>de</strong> carga). b) Tensión y corriente <strong>de</strong> entrada. c) Ciclo <strong>de</strong>trabajo. 252Figura 6.2 Convertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> )O\EDFN <strong>con</strong>trolado mediante un lazo <strong>de</strong> banda ancha. 253Figura 6.3 Convertidor SII-B2, éste pue<strong>de</strong> representarse como la adición <strong>de</strong> la estructura SII a un<strong>con</strong>vertidor )O\EDFN. 253XXXV


ËQGLFHFigura 6.4 Simulación ciclo a ciclo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2, mediante PSpice. a) Corriente y tensión <strong>de</strong>salida, b) Corriente y tensión <strong>de</strong> entrada, c) Ciclo <strong>de</strong> trabajo, d) corrientes cedidas a la cargapor las vías <strong>de</strong> simple (DS 1 ) y doble procesado (DS 2 ) 254Figura 6.5Medida <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia^Y 2^G<strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong> topología )O\EDFNmediante un analizador <strong>de</strong> impedancias. 256Figura 6.6 Evolución <strong>de</strong> los puntos <strong>de</strong> trabajo a lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo <strong>de</strong> red para: a) Convertidor)O\EDFN operando <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante y en MCD y b) Convertidor SII. 258Figura 6.7 Aplicaciones <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los promediados en general. Obtención <strong>de</strong> funciones <strong>de</strong>transferencia en pequeña señal mediante técnicas analíticas y aplicaciones <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>lospromediados gran señal orientados a simulación <strong>de</strong> circuitos. 260Figura 6.8 Metodología para la obtención <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los promediados propuesta en [109] 262Figura 6.9 Dos posibles implementaciones <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 263Figura 6.10 Simulación mediante PSpice <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong> las variables <strong>de</strong> estado <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor)O\EDFN que opera en MCD y <strong>de</strong> su correspondiente mo<strong>de</strong>lo promediado. 264Figura 6.11 Obtención <strong>de</strong> la duración (d 1 ) correspondiente al intervalo <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> lainductancia Lm, a partir <strong>de</strong> la comparación <strong>de</strong>l valor medio y <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> su corriente. 265Figura 6.12 Sustitución <strong>de</strong> los interruptores <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS por fuentes <strong>de</strong>pendientes. 266Figura 6.13 Corrientes instantáneas y medias que circulan por las inductancias L 12 y L 21 <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorSII-F1-SS. 267Figura 6.14 Descripciones equivalentes <strong>de</strong>l funcionamiento en <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. a)Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> dos inductancias. b) Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> 3 inductancias e interruptor <strong>de</strong>sfasado. 269Figura 6.15 Formas <strong>de</strong> ondas <strong>de</strong> las corrientes por las inductancias L 12 y L 21 <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SScuando opera en el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1. 272Figura 6.16 Implementación <strong>de</strong>l circuito selector <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> operación. 274Figura 6.17 Utilización <strong>de</strong>l <strong>con</strong>trolador UC 3843 en modo tensión. 276Figura 6.18 Diagrama <strong>de</strong> bloques en gran señal <strong>de</strong> los componentes <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentaciónexceptuando la etapa <strong>de</strong> potencia. 277Figura 6.19 Representación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación así como <strong>de</strong> lasmagnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> ambos mo<strong>de</strong>los, cuya evolución proporcionada por la simulación mediantePSpice permitirá validar el mo<strong>de</strong>lo promediado. a) Circuito en <strong>con</strong>mutación. b) Mo<strong>de</strong>lopromediado. 279Figura 6.20 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación en régimen permanente.a) Tensión <strong>de</strong> entrada. b) Corriente <strong>de</strong> entrada rectificada. c) Ciclo <strong>de</strong> trabajo. 282Figura 6.21 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación en régimen permanente.a) Ciclo <strong>de</strong> trabajo. b) Corriente por la inductancia L 21 . c) Corriente por la inductancia L 12 . 283Figura 6.22 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación ante escalones <strong>de</strong> carga.Y ~ . d) Ciclo <strong>de</strong>a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Tensión media <strong>de</strong> salida, áv O ñ. c) Tensión <strong>de</strong> salida, 2trabajo. e) Corriente <strong>de</strong> entrada rectificada. 284Figura 6.23 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación. Detalle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong>carga positivo. a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Corriente <strong>de</strong> entrada rectificada. c) Ciclo <strong>de</strong> trabajo. 285Figura 6.24 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación. Detalle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong>carga positivo. a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Tensión media <strong>de</strong> salida, áv O ñ. c) Tensión <strong>de</strong> salida. 286Figura 6.25 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación. Detalle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong>carga positivo. a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Corriente por la inductancia L 12 . c) Corriente por lainductancia L 21 . 287XXXVI


ËQGLFHFigura 6.26 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación. Detalle <strong>de</strong> un escalón<strong>de</strong> carga negativo. a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Corriente <strong>de</strong> entrada rectificada. c) Ciclo <strong>de</strong>trabajo. 288Figura 6.27 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación. Detalle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong>carga negativo. a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Tensión media <strong>de</strong> salida, áv O ñ. c) Tensión <strong>de</strong> salida. 289Figura 6.28 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación. Detalle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong>carga negativo. a) Corriente <strong>de</strong> salida. b) Corriente por la inductancia L 12 . c) Corriente por lainductancia L 21 . 290Figura 6.29 Comparación <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS que proporcionan elmo<strong>de</strong>lo promediado y el programa <strong>de</strong> cálculo. Diseño para Tensión Universal cuyosparámetros son: n 1 =1,5; n 23 =1,2; n 2 =0,6; a =3; K=0,17. Tensión <strong>de</strong> entrada eficaz 230 V,tensión <strong>de</strong> salida 56V y potencia <strong>de</strong> carga 100W. 291Figura 6.30 Comparación <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS que proporcionan elmo<strong>de</strong>lo promediado y el programa <strong>de</strong> cálculo. Diseño para Tensión en Rango Europeo cuyosparámetros son: n 1 =1,2; n 23 =1,2; n 2 =1; a =3,7; K=0,28. Tensión <strong>de</strong> entrada eficaz 230 V,tensión <strong>de</strong> salida 56V y potencia <strong>de</strong> carga 100W. 292Figura 6.31 Evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SSen función <strong>de</strong>: a) Valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. b) Potencia <strong>de</strong> carga. 293Figura 6.32 Evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SSen <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, w t. Regulador fijo y optimizado para el punto <strong>de</strong> máxima ganancia. 294Figura 6.33 Simulación temporal <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. Se incluyenescalones <strong>de</strong> carga para distintas ángulos <strong>de</strong> red y tensiones <strong>de</strong> entrada eficaces. 295Figura 6.34 Evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS enfunción <strong>de</strong>: a) Valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. b) Potencia <strong>de</strong> carga. 297Figura 6.35 Evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS enfunción <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red. 298Figura 6.36 Funciones <strong>de</strong> transferencia extremas para la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII -F1-SS en unamplio rango <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada. 298Figura 6.37 Simulación temporal <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>trolados mediante los reguladores A y Bespecificados en la tabla 6.6. a) Regulador A: f C =4,9 kHz, ô T(100)ô = 34 dB; MF=29º. b)Regulador B: f C =1,32 kHz, ô T(100)ô = 35 dB; MF=31º. 300Figura 6.38 Simulación temporal <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>trolado mediante el regulador Cespecificado en la tabla 6.7: Regulador C: f C = 4,8 kHz, T(100) = 58 dB; MF = 28º 301Figura 6.39 Simulación temporal <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>trolado mediante el regulador Cespecificado en la tabla 6.7: Influencia <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y <strong>de</strong> la menor ganancia para los ángulos <strong>de</strong> red reducidos sobre el rizado queaparece en la tensión <strong>de</strong> salida. 302Figura 6.40 Simulación temporal <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>trolado mediante el regulador Cespecificado en la tabla 6.7: Regulador D: f C =4,9 kHz, T(100) = 60 dB; MF=68º 303Figura 6.41 Simulación temporal <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>trolado mediante el regulador Bespecificado en la tabla 6.9. Influencia <strong>de</strong> la ganancia insuficiente. 304Figura 6.42 Simulación temporal <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>trolado mediante: a) Regulador Aespecificado en la tabla 6.9: Influencia <strong>de</strong> la ganancia insuficiente. b) Regulador Cespecificado en la tabla 6.9. 305Figura 6.43 Representación <strong>de</strong>l módulo y la fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, T(f), para dos criteriosdiferentes <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l regulador: a) Optimización <strong>de</strong>l comportamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor paraun punto <strong>de</strong> operación próximo al <strong>de</strong> máxima ganancia. b) Optimización <strong>de</strong>l comportamiento<strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor para un punto <strong>de</strong> operación próximo al <strong>de</strong> mínima ganancia. 307Figura 6.44 Representación <strong>de</strong>l módulo y la fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, T(f), para un criterio <strong>de</strong>diseño <strong>de</strong>l regulador que optimiza las prestaciones <strong>de</strong>l lazo en <strong>con</strong>junto. 308XXXVII


ËQGLFH&DStWXOR5HVXOWDGRVH[SHULPHQWDOHVFigura 7.1 Etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 316Figura 7.2 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 para varios ciclos <strong>de</strong> red (220 V EF .y 60W)Y 5(&, tensión <strong>de</strong> entrada rectificada (100 V/div), L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (0,5 A/div). Base<strong>de</strong> tiempos 5 ms. a) Ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión <strong>de</strong> salida comparador <strong>de</strong> error (0,5 V /div,acoplamiento en <strong>CA</strong>)). b) Y &, tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (10V /div). 318Figura 7.3 a) Evolución teórica <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entrada para un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD. b) Medida, sobre el prototipo<strong>con</strong>struido <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2, <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> cargay el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. 320Figura 7.4 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 ante escalones <strong>de</strong> carga. Y 5(&, tensión <strong>de</strong>entrada rectificada (100 V/div), L 5(' , corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div), 'Y 2 , rizado <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> salida (1 V/div, acoplamiento en <strong>CA</strong>), , 2 , corriente <strong>de</strong> salida (1A/div), base <strong>de</strong>tiempos 5 ms. a) Frecuencia <strong>de</strong> la carga pulsante 25 Hz. b) Frecuencia <strong>de</strong> la carga pulsante100 Hz. 321Figura 7.5 Convertidor SII-B2. Detalle <strong>de</strong>l flanco <strong>de</strong> subida <strong>de</strong> un escalón positivo <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>carga. Y 5(&, tensión <strong>de</strong> entrada rectificada (100 V/div),L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div),'Y 2 , rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (1 V/div, acoplamiento en <strong>CA</strong>), , 2 , corriente <strong>de</strong> salida(1A/div), base <strong>de</strong> tiempos 5 ms. a) El flanco <strong>de</strong> subida se produce aproximadamente enw t =p /2. b) El flanco <strong>de</strong> subida se produce enw t = 0. 322Figura 7.6 Etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D. 323Figura 7.7 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 para varios ciclos <strong>de</strong> red (220 V EF y100W). 9 5(& tensión <strong>de</strong> entrada rectificada (100 V/div), i RED , corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div).a) D v O , rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (1 V/div). b) ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión <strong>de</strong> salidacomparador <strong>de</strong> error (0,5 V /div, acoplamiento en <strong>CA</strong>)). c) D v C1 , rizado <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (2V /div). 325Figura 7.8 Comparación <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada medida en el prototipo y la obtenida teóricamentemediante el programa <strong>de</strong> cálculo correspondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D. a) forma <strong>de</strong> onda,b) <strong>con</strong>tenido armónico. 326Figura 7.9 Convertidor SII-B-2D. Medida sobre el prototipo <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. a) MOSFET IRFPC50. b)CoolMOS SPW20N60S5 329Figura 7.10 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D ante escalones <strong>de</strong> carga. Y 5(&, tensión<strong>de</strong> entrada rectificada (250 V/div), L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div), Ciclo <strong>de</strong> trabajo(tensión <strong>de</strong> salida comparador <strong>de</strong> error (2 V /div, acoplamiento en <strong>CA</strong>)), , 2 , corriente <strong>de</strong>salida (1A/div), base <strong>de</strong> tiempos 20 ms. 329Figura 7.11 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D ante escalones <strong>de</strong> carga. Y 5(&, tensión<strong>de</strong> entrada rectificada (250 V/div), L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (2 A/div), , 2 , corriente <strong>de</strong> salida(1A/div), base <strong>de</strong> tiempos 10 ms. a) Detalle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong> carga positivo, Ciclo <strong>de</strong> trabajo(tensión <strong>de</strong> salida comparador <strong>de</strong> error (2 V /div, acoplamiento en <strong>CA</strong>)). b) Detalle <strong>de</strong> unescalón <strong>de</strong> carga negativo, 'Y 2 , rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (0,5 V/div, acoplamiento en<strong>CA</strong>). 330Figura 7.12 Etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2. 331Figura 7.13 Fotografía <strong>de</strong>l prototipo SII-F2. 332XXXVIII


ËQGLFHFigura 7.14 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 para varios ciclos <strong>de</strong> red (230 V EF ,100W). Y 5(&, tensión <strong>de</strong> entrada rectificada (100 V/div),L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div).a) 'Y 2 , rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (1 V/div). b) ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión <strong>de</strong> salidacomparador <strong>de</strong> error (0,5 V /div, acoplamiento en <strong>CA</strong>)). c) 'Y & , rizado <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (2V /div). 334Figura 7.15 Convertidor SII-F2. Comprobación <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimiento. Y 5(&, tensión <strong>de</strong> entradarectificada (250 V/div),L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (2 A/div). Y & , tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento (50 V /div), Y 2 , tensión <strong>de</strong> salida (50 V/div). 337Figura 7.16 Convertidor SII-F2. Medida sobre el prototipo <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. a) MOSFET IRFPC50. b)CoolMOS SPW20N60S5. 338Figura 7.17 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 ante escalones <strong>de</strong> carga. Y 5(&, tensión <strong>de</strong>entrada rectificada (250 V/div), L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (2 A/div), Ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión<strong>de</strong> salida comparador <strong>de</strong> error (2 V /div, acoplamiento en <strong>CA</strong>)), , 2 , corriente <strong>de</strong> salida(1A/div),'Y 2 , rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (2 V/div, acoplamiento en <strong>CA</strong>). 339Figura 7.18 Etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 340Figura 7.19 Fotografía <strong>de</strong>l prototipo SII-F1-SS. 341Figura 7.20 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS medidas a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Y *6 , tensión puerta-fuente <strong>de</strong>l MOSFET S 1 (20 V/div), Base <strong>de</strong> tiempos 5 µs. a) L '$8;corriente por el diodo D AUX (2 A/div),L & , corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento(2 A/div). b) L '6 corriente por el diodo DS 2 (5 A/div),. 343Figura 7.21 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS para varios ciclos <strong>de</strong> red (230 V EF , 100W). Y 5(', tensión <strong>de</strong> entrada (250 V/div),L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div). a) 'Y 2 , rizado<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (100 mV/div). b) Ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión <strong>de</strong> salida comparador <strong>de</strong>error (200 mV /div). c) 'Y & , rizado <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (0,5V /div). Base <strong>de</strong> tiempos 4 ms. 'Y 2 y 'Y &Ã acoplamiento en <strong>CA</strong>) 344Figura 7.22 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS ante escalones <strong>de</strong> carga. Y 5(', tensión<strong>de</strong> entrada (500 V/div), base <strong>de</strong> tiempos 10 ms. a) L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (0,5 A/div), , 2 ,corriente <strong>de</strong> salida (1A/div),'Y 2 , rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (1 V/div, acoplamiento en<strong>CA</strong>) b) L 5('(1 A/div), , 2 (2 A/div),Ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión <strong>de</strong> salida comparador <strong>de</strong> error(1 V /div, acoplamiento en <strong>CA</strong>)). 348Figura 7.23 Comparación <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS y la queproporciona el mo<strong>de</strong>lo promediado. Tensión <strong>de</strong> entrada eficaz 230 V y potencia <strong>de</strong> carga100W. 349Figura 7.24 Funciones <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> las plantas <strong>de</strong> máxima y mínima ganancia, regulador utilizadoen el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS y funciones <strong>de</strong> transferencia correspondientes a dos puntos <strong>de</strong>operación <strong>de</strong> los que se suce<strong>de</strong>n en el funcionamiento <strong>con</strong> carga pulsante <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorSII-F1-SS. a) Tensión <strong>de</strong> entrada 255 V EF , Potencia <strong>de</strong> carga 33 W, ángulo <strong>de</strong> red 129º. b)Tensión <strong>de</strong> entrada 255 V EF , Potencia <strong>de</strong> carga 100 W, ángulo <strong>de</strong> red 43º. 351Figura 7.25 Operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong> carga pulsante. Y 5(', tensión <strong>de</strong> entrada (500V/div),L 5(', corriente <strong>de</strong> entrada (1 A/div). , 2 , corriente <strong>de</strong> salida (2A/div).'Y 2 , rizado <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> salida (1 V/div). 353$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFigura A.1 Evolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong>: a) tensión <strong>de</strong> entrada y ciclo <strong>de</strong> trabajo, b) corriente <strong>de</strong>entrada, c) corriente y d) tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 375Figura A.2 Corriente real por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y su función aproximada para el<strong>con</strong>vertidor SII-F2 operando <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada universal. 377XXXIX


ËQGLFHFigura A.3 Áreas bajo la corriente real en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y bajo la funciónaproximada. 378Figura A.4 Rizado normalizado, respecto <strong>de</strong>l correspondiente a un <strong>con</strong>vertidor en dos etapas <strong>con</strong>corriente <strong>de</strong> entrada sinusoidal, frente al valor <strong>de</strong>l K P para 265 V EF . 380XL


ËQGLFH/LVWDGH7DEODV&DStWXOR,QWURGXFFLyQDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLDTabla 1.1 Evolución hasta la actualidad <strong>de</strong> las normas IEC / EN referentes a los límites para lasemisiones <strong>de</strong> corriente armónica (equipos <strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada £ 16 A por fase). 17Tabla 1.2 Versiones vigentes en la actualidad (Julio <strong>de</strong> 2003) <strong>de</strong> la norma 61000-3-2 que <strong>con</strong>templaAENOR para cumplir la Directiva 89/336/CEE sobre CEM. 19Tabla 1.3 Clasificación básica <strong>de</strong> los tipos <strong>de</strong> soluciones para la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia. 24Tabla 1.4 Topologías válidas para implementar un emulador <strong>de</strong> resistencia i<strong>de</strong>al. 33&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHODIDPLOLDGH&)36,,Tabla 4.1 Convenio para los símbolos que nombran las tensiones y corrientes en un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación. 82Tabla 4.2 Expresión para las tensiones <strong>de</strong> magnetización, V M , y <strong>de</strong>smagnetización, V D , aplicadas a L 21en Zona 1. Expresión <strong>de</strong> la frontera entre las Zonas 1 y 2, a 12 . 88Tabla 4.3 Zona 0, resumen <strong>de</strong> formas <strong>de</strong> onda y circuitos equivalentes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 93Tabla 4.4 Zona 1, resumen <strong>de</strong> formas <strong>de</strong> onda y circuitos equivalentes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 96Tabla 4.5 Zona 2, resumen <strong>de</strong> formas <strong>de</strong> onda y circuitos equivalentes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 99Tabla 4.6 Zona 2, resumen <strong>de</strong> formas <strong>de</strong> onda y circuitos equivalentes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2. Mo<strong>de</strong>lo<strong>de</strong> tres bobinas. 104Tabla 4.7 Periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B1. 105Tabla 4.8 Periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D. 106Tabla 4.9 Periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2. 107Tabla 4.10 Periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1. 108Tabla 4.11 Periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 109Tabla 4.12 Formas <strong>de</strong> onda a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación en modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 2 para los<strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII. 111Tabla 4.13 Consi<strong>de</strong>raciones funcionales <strong>de</strong> diseño y rango <strong>de</strong> valores para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento particularizadas para cada topología <strong>de</strong> la familia SII. 113&DStWXOR(VWXGLRHVWiWLFRGHODIDPLOLDGH&)36,,Tabla 5.1 Número máximo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores en paralelo, según el or<strong>de</strong>n <strong>de</strong>l armónico, para cada valor<strong>de</strong> K p . 158Tabla 5.2 Expresiones para comparar la energía que pue<strong>de</strong> ser extraída por el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga,<strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong> la topología <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor, <strong>de</strong> su modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción y <strong>de</strong> los distintosdiseños que se pue<strong>de</strong>n realizar. Los diferentes diseños se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarán realizando un barrido<strong>con</strong> la variable D NOM . 191Tabla 5.3 Tensiones en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, para variastensiones <strong>de</strong> entrada y salida. 203Tabla 5.4 Consi<strong>de</strong>ración funcional <strong>de</strong> diseño que <strong>de</strong>termina el máximo valor para la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, particularizada para cada topología <strong>de</strong> la familia SII. 212XLI


ËQGLFHTabla 5.5 Ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y <strong>de</strong> su variación normalizada<strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. 213Tabla 5.6 <strong>Convertidores</strong> SII-B1 y SII-B2. Ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y <strong>de</strong> su variación normalizada <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>ltransformador T 2 ,n 2 . 214Tabla 5.7 Volumen en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para un D V C1 <strong>con</strong>stante. 217Tabla 5.8 Ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. 218Tabla 5.9 Influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 23 en <strong>con</strong>junción <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias,a, sobre la K P , el rendimiento y las corrientes <strong>de</strong> pico más significativas en el <strong>con</strong>vertidorSII-F1-SS. Los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F2 presentan ten<strong>de</strong>ncias semejantes. 219Tabla 5.10 Influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 1 en <strong>con</strong>junción <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias,a, sobre la K P , el rendimiento y las corrientes <strong>de</strong> pico más significativas en el <strong>con</strong>vertidorSII-F1-SS. Los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F2 presentan ten<strong>de</strong>ncias semejantes. 220Tabla 5.11 Influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 2 en <strong>con</strong>junción <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias,a, sobre la K P , el rendimiento y las corrientes <strong>de</strong> pico más significativas en el <strong>con</strong>vertidoresSII-F1-SS. Los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F2 presentan ten<strong>de</strong>ncias semejantes. 221Tabla 5.12 Influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 2 en <strong>con</strong>junción <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias,a, sobre la K P , el rendimiento y las corrientes <strong>de</strong> pico más significativas en el <strong>con</strong>vertidorSII-B2. El <strong>con</strong>vertidor SII-B1 presenta ten<strong>de</strong>ncias semejantes. 222Tabla 5.13 Variación, <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño, <strong>de</strong> K P para 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> red y frontera enel cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> Clase D y A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. 225Tabla 5.14 Convertidor SII-F1-SS. Ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong>l parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, que asegura laoperación en MCD, <strong>con</strong> el resto <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. 226Tabla 5.15 Convertidor SII-B2. Ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong>l parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, que asegura laoperación en MCD, <strong>con</strong> el resto <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. 227Tabla 5.16 Resumen <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre los valores característicos <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII. 228Tabla 5.17 Tensiones <strong>de</strong> ruptura comerciales que pue<strong>de</strong>n utilizarse <strong>con</strong> el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS enfunción <strong>de</strong>l parámetro n 23 . 230Tabla 5.18 Diseños más favorables para cada una <strong>de</strong> las principales topologías SII. 235Tabla 5.19 Expresión <strong>de</strong>l parámetro d para los grupos <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores SII-F y SII-B, cuando durantetodo el proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga operan en MCD, y cuando pasan a operar en M<strong>CC</strong> durante esteproceso. 241Tabla 5.20 Valores <strong>de</strong> K D , d MCD y d M<strong>CC</strong> para los <strong>con</strong>vertidores SII-F1-SS, SII-F2, y SII-B2correspondientes a los valores que se recogen en la tabla 5.18. 242Tabla 5.21 Comparativa <strong>de</strong> la lista <strong>de</strong> componentes <strong>de</strong> cada topología SII. 243&DStWXOR0RGHODGRGLQiPLFRGHODIDPLOLDGH&)36,,Tabla 6.1 Zona 2, resumen <strong>de</strong> formas <strong>de</strong> onda y circuitos equivalentes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS.Mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> tres bobinas e interruptor <strong>de</strong>sfasado. 270Tabla 6.2 Mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS correspondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 2.Expresiones <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes. 272Tabla 6.3 Mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS correspondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 1.Expresiones <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes. 273Tabla 6.4 Denominación <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s <strong>con</strong> las que se comparan el mo<strong>de</strong>lo promediado y el circuitoen <strong>con</strong>mutación. 280XLII


ËQGLFHTabla 6.5 Variación <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> cruce, ganancia a 100 Hz y margen <strong>de</strong> fase <strong>con</strong> el valor eficaz<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, potencia <strong>de</strong> carga y ángulo <strong>de</strong> red. Regulador fijo y optimizado parala planta <strong>de</strong> máxima ganancia. 294Tabla 6.6 Características <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación que se obtienen mediante la aplicación <strong>de</strong> los dosreguladores A y B <strong>con</strong> los que se estudiará el efecto <strong>de</strong>l ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo abierto enlos <strong>con</strong>vertidores SII. 299Tabla 6.7 Características <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación que se obtienen mediante la aplicación <strong>de</strong> los dosreguladores B y C <strong>con</strong> los que se estudiará el efecto <strong>de</strong> la ganancia <strong>de</strong>l lazo abierto en los<strong>con</strong>vertidores SII. 301Tabla 6.8 Características <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación que se obtienen mediante la aplicación <strong>de</strong> los dosreguladores C y D <strong>con</strong> los que se estudiará el efecto <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l lazo abierto en los<strong>con</strong>vertidores SII. 302Tabla 6.9 Características <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación que se obtienen mediante la aplicación <strong>de</strong> los tresreguladores A, B y C <strong>con</strong> los que se estudiará el efecto <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red real sobre elcomportamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 304Tabla 6.10 Prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación obtenidas <strong>con</strong> los criterios que se presentan en lasfiguras 6.43.a a 6.44 cuando el <strong>con</strong>vertidor opera en las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> mínima y máximaganancia. 308&DStWXOR5HVXOWDGRVH[SHULPHQWDOHVTabla 7.1 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 medidas a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Y *6 ,tensión puerta-fuente <strong>de</strong> los MOSFET S 1 y S 2 (10 V/div). L 6(& , corriente por el <strong>de</strong>vanadosecundario <strong>de</strong> T 1 (2 A/div).L & , corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (2 A/div).Base <strong>de</strong> tiempos 5 µs. 317Tabla 7.2 Contenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor SII-B2 diseñado <strong>con</strong> K P = 0,66y operando <strong>con</strong> 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada y a plena carga, 100 W. 318Tabla 7.3 Evolución <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y elvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Medida sobre el prototipo y valores teóricos. 319Tabla 7.4 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D medidas a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Y *6 , tensión puerta-fuente <strong>de</strong> los MOSFET S 1 y S 2 (20 V/div). L '6$8; , corriente por el diodoDS 1-AUX (5 A/div); L '6 , corriente por el diodo DS 1-2 (5 A/div); L & , corriente por el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (5 A/div); Y '6B6 , tensión drenador-fuente <strong>de</strong>l MOSFET S2(50 V/div). Base <strong>de</strong> tiempos 10 µs. 324Tabla 7.5 Contenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D diseñado <strong>con</strong> K P =0,64 y operando <strong>con</strong> 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada y a plena carga, 100 W. 327Tabla 7.6 Comparación <strong>de</strong> características <strong>de</strong> los MOSFET empleados en los prototipos <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII. 327Tabla 7.7 Convertidor SII-B-2D. Evolución <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Medida sobre el prototipoutilizando dos MOSFET diferentes como interruptor S 1 y valores teóricos . 328Tabla 7.8 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 medidas a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Y *6 ,tensión puerta-fuente <strong>de</strong> los MOSFET S 1 y S 2 (20 V/div), L & , corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (5 A/div), L 6(& , corriente por el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 1 (5 A/div), L '6 ,corriente por el diodo DS 1 (5 A/div), L '6 , corriente por el diodo DS 2 (5 A/div), Base <strong>de</strong>tiempos 5 µs. 333Tabla 7.9 Contenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor SII-F2 diseñado <strong>con</strong> K P = 0,79 yoperando <strong>con</strong> 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada y a plena carga, 100 W. 335XLIII


ËQGLFHTabla 7.10 Contenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor SII-F2 diseñado <strong>con</strong> K P = 0,79 yoperando <strong>con</strong> 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada y a plena carga, 100 W. Comparación <strong>con</strong> loslímites <strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 y aplicación a la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> lamáscara <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la antigua norma IEC 61000-3-2:1995. 336Tabla 7.11 Convertidor SII-F2. Evolución <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Medida sobre el prototipo yvalores teóricos. 336Tabla 7.12 Principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS medidas a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Y *6 , tensión puerta-fuente <strong>de</strong> los MOSFET S 1 (20 V/div). L ( corriente <strong>de</strong> entrada (5A/div), L 6 ,corriente por el MOSFET (5A/div), L '66 corriente por el diodo D SS (5A/div),L '6 corriente porel diodo DS 1 (2 A/div);L & , corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (5 A/div); Base<strong>de</strong> tiempos 5 µs. 342Tabla 7.13 Contenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS diseñado <strong>con</strong> K P =0,72 y operando <strong>con</strong> 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada y plena carga, 100 W. 345Tabla 7.14 Convertidor SII-F1-SS. Evolución <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Medida sobre el prototipo yvalores teóricos. 345Tabla 7.15 Convertidor SII-F1-SS, utilizando el MOSFET IRFPC50. Medida sobre el prototipo <strong>de</strong> laevolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. 346Tabla 7.16 Convertidor SII-F1-SS, utilizando el CoolMOS SPW20N60S5. Medida sobre el prototipo <strong>de</strong>la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada. 347Tabla 7.17 Prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación para seis puntos <strong>de</strong> operación que aparecen durante laoperación <strong>con</strong> carga pulsante <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 352XLIV


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD ,QWURGXFFLyQ 3 *HQHUDOLGDGHV\GHILQLFLRQHV 4 &DUDFWHUtVWLFDVGHODHWDSDFOiVLFDGHHQWUDGDGHXQFRQYHUWLGRU&$&& 6 3UREOHPDVJHQHUDGRVSRUORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWH 7 5HJXODFLyQGHORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWH 9'LUHFWLYD&((VREUH&RPSDWLELOLGDG(OHFWURPDJQpWLFD(OPDUFDGR&( 101.5.1.1 Directivas Comunitarias. 101.5.1.2 La Directiva sobre CEM 89/336/CEE. 111.5.1.3 El marcado CE. Aplicación <strong>de</strong> la Directiva. 111.5.1.4 Alcance <strong>de</strong> la Directiva: Componente y Aparato. 13/DQRUPDDUPRQL]DGD,(& 151.5.2.1 Normas armonizadas 151.5.2.2 IEC 61000-3-2 vigencia y evolución. 171.5.2.3 Características y aplicación <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 1995. 191.5.2.4 Características y aplicación <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 2000. 22 &ODVLILFDFLyQGHORVPpWRGRVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD 236ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDOHQGRVHWDSDV 261.6.1.1 El emulador <strong>de</strong> resistencia. 291.6.1.2 Equilibrio <strong>de</strong> potencias en el emulador <strong>de</strong> resistencia. 301.6.1.3 El problema dinámico <strong>de</strong>l emulador <strong>de</strong> resistencia. 301.6.1.4 Topologías válidas para implementar un emulador <strong>de</strong> resistencia. 321.6.1.5 Métodos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong>l emulador <strong>de</strong> resistencia. 331.6.1.5.1 Control por multiplicador aplicado al <strong>con</strong>vertidor elevador. 331.6.1.5.2 Control como seguidor <strong>de</strong> tensión aplicado al <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN. 34(YROXFLyQGHODVVROXFLRQHVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD 35%HQHILFLRV\OLPLWDFLRQHVGHODVVROXFLRQHVDFWLYDVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRU 37GHSRWHQFLD &RQFOXVLRQHV 381


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD2


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD ,QWURGXFFLyQEl número <strong>de</strong> cargas no lineales <strong>con</strong>ectadas a la red <strong>de</strong> suministro <strong>de</strong> energía eléctrica ha aumentadonotablemente en los últimos años. Se pue<strong>de</strong>n en<strong>con</strong>trar reguladores electrónicos <strong>de</strong> velocidad <strong>de</strong>motores, equipos <strong>de</strong> iluminación y fuentes <strong>de</strong> alimentación <strong>de</strong> aparatos electrónicos <strong>de</strong> muy variadopropósito, tales como equipos <strong>de</strong> audio, cocinas <strong>de</strong> inducción, sistemas <strong>de</strong> telecomunicaciones, etc.Entre ellos <strong>de</strong>stacan sin embargo los equipos <strong>de</strong> las tecnologías <strong>de</strong> la información, or<strong>de</strong>nadorespersonales y sus monitores y los receptores <strong>de</strong> televisión.La masiva utilización <strong>de</strong> fuentes <strong>de</strong> alimentación <strong>de</strong> equipos electrónicos ha supuesto que la re<strong>de</strong>léctrica se haya polucionado enormemente, principalmente a causa <strong>de</strong> los armónicos <strong>de</strong> corrienteinyectados en la red por estas fuentes <strong>de</strong> alimentación. Aparecen importantes problemas asociados alos armónicos <strong>de</strong> corriente, fundamentalmente la distorsión <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la tensión,calentamientos adicionales, ruidos y la limitación <strong>de</strong> la capacidad <strong>de</strong> la red para proporcionar energíaeléctrica a los usuarios.Se produce una <strong>con</strong>troversia entre las compañías eléctricas por un lado y los diseñadores y fabricantes<strong>de</strong> fuentes <strong>de</strong> alimentación por otro. Las compañías eléctricas abogan por un <strong>con</strong>sumo <strong>de</strong> corriente <strong>con</strong>elevado factor <strong>de</strong> potencia y bajo o nulo <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> corriente. Para lograr estos objetivos,la fuente <strong>de</strong> alimentación resulta penalizada, ya que se incrementa su coste, su peso y tamaño ytambién su robustez.Como arbitro en este litigio, aparece en el ámbito <strong>de</strong> la Unión Europea, la directiva sobreCompatibilidad Electromagnética (CEM), que regula los armónicos <strong>de</strong> corriente (que pue<strong>de</strong>n inyectaren la red eléctrica las fuentes <strong>de</strong> alimentación <strong>de</strong> los equipos electrónicos) a través <strong>de</strong> su normaarmonizada IEC /EN 61000-3-2.En este capítulo se recogen en primer lugar unas <strong>de</strong>finiciones acerca <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia y <strong>de</strong>l<strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente. A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scribe la generación <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong>corriente asociada a la etapa clásica <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión alterna / <strong>con</strong>tinua, y los problemas que originan losarmónicos <strong>de</strong> corriente.Posteriormente se tratará el marco legal que regula la inyección <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong> corriente,comenzando por <strong>de</strong>scribir la Directiva sobre CEM 89/336/CEE y los métodos que <strong>con</strong>templa paraobtener la <strong>con</strong>formidad <strong>con</strong> sus requisitos esenciales <strong>de</strong> manera que se permita la librecomercialización <strong>de</strong> un producto en la Unión Europea. Se <strong>de</strong>scribirá la norma armonizada IEC 61000-3-2, proporcionándose un resumen <strong>de</strong> los aspectos más significativos que <strong>con</strong>viene tener en cuentapara su correcta aplicación. Así mismo se tratarán los cambios que se han incluido en la última versión<strong>de</strong> esta norma y cómo estos cambios han modificado el campo <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> los circuitos para lacorrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia (CFP), o circuitos limitadores <strong>de</strong> armónicos, que se han venidointroduciendo en las fuentes <strong>de</strong> alimentación.Finalmente se <strong>de</strong>scribirán las principales estrategias que se han planteado para la obtención <strong>de</strong>lcumplimiento <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. Por tanto, se estudiarán las ventajas e in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> lassoluciones pasivas y <strong>de</strong> las soluciones activas. Dentro <strong>de</strong> estas últimas, por un lado aquellas solucionesque obtienen una corriente sinusoidal (las <strong>de</strong>nominadas soluciones que realizan una <strong>con</strong>versión en dosetapas y aquellas que persiguen un mejor procesado energético) y por otro las soluciones que<strong>de</strong>mandan una corriente no sinusoidal y que buscan abaratar el coste <strong>de</strong> las soluciones en dos etapas.3


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD *HQHUDOLGDGHV\GHILQLFLRQHVEn los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> es necesario <strong>de</strong>terminar como es la calidad <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada. Tradicionalmente, se han utilizado dos parámetros para cuantificar este aspecto,el factor <strong>de</strong> potencia (F P ) y la distorsión armónica total (DAT). Aunque <strong>con</strong> la entrada en vigor <strong>de</strong> lanorma IEC 61000-3-2, la calidad <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente absorbida por una fuente <strong>de</strong>alimentación, se mi<strong>de</strong> exclusivamente por el cumplimiento o incumplimiento <strong>de</strong> los límites impuestossobre cada uno <strong>de</strong> los armónicos, la información que proporcionan el factor <strong>de</strong> potencia y la distorsiónarmónica total resulta también valiosa, fundamentalmente por estar <strong>con</strong>tenida en un solo valor.El <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> Potencia se <strong>de</strong>fine como el cociente entre la potencia activa y la potencia aparente:[:][ ]3RWHQFLD$FWLYD) 3 =3RWHQFLD$SDUHQWH9 $o bien matemáticamente:(1.1))3S W =9 × ,((=717 ò071×7X W 2ò0X W L W GW× GW ×717 ò0L W 2× GW(1.2)La distorsión armónica total se <strong>de</strong>fine como el cociente entre el valor eficaz <strong>de</strong>l término <strong>de</strong> distorsión(todos los armónicos exceptuando el primero, I DIST ) y el valor eficaz <strong>de</strong>l primer armónico. Esta<strong>de</strong>finición se recoge en la expresión (1.3).2 2 2 2, ',67,2+ ,3+ ,4+ ,5+'$7 = =,1,1...(1.3)Aplicando la fórmula <strong>de</strong> 3DUVHYDO, la <strong>de</strong>finición (1.3) se pue<strong>de</strong> expresar tal y como se recoge en laigualdad (1.4).'$7,=2',67, ( -=,1,1,21(1.4)Don<strong>de</strong> I E es el valor eficaz <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada e I 1 el valor eficaz <strong>de</strong>l primer armónico.I DIST es el valor eficaz equivalente al resto <strong>de</strong> los armónicos menos el primero.Las expresiones (1.1) y (1.2) recogen las <strong>de</strong>finición generales <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia, es <strong>de</strong>cir cuandotanto la tensión como la corriente pue<strong>de</strong>n presentar un cierto <strong>con</strong>tenido armónico. Sin embargo, en uncaso menos general, pero más próximo a la realidad, la tensión <strong>de</strong> la red pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse comosinusoidal pura, y las <strong>de</strong>finiciones recogidas en (1.1) y (1.2) se pue<strong>de</strong>n reescribir en (1.5).Como se pue<strong>de</strong> observar en la igualdad (1.5), el factor <strong>de</strong> potencia pue<strong>de</strong> expresarse como producto <strong>de</strong>dos factores, que reflejan por un lado la distorsión que presenta la formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada, y por otro el <strong>de</strong>sfase relativo que pueda presentar el primer armónico <strong>de</strong> la corriente respecto<strong>de</strong> la tensión. Estos aspectos se ponen <strong>de</strong> manifiesto en la figura 1.1.4


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD3 9 × , × FRVj, ) 3 = ==× FRVj6 9 × + + , + , + + , + (1.5)) j = FRVj XWXWLWL W, )LJXUD)DFWRUGHGHVSOD]DPLHQWR) j HQHOFDVRGHWHQVLyQVLQXVRLGDO\FRUULHQWHFRQDUPyQLFRV6HKDUHSUHVHQWDGRODWHQVLyQODFRUULHQWH\HOSULPHUDUPyQLFRGHODFRUULHQWHQQLas <strong>de</strong>finiciones <strong>de</strong> estos factores son:• <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> <strong>de</strong>splazamiento, F j : Desfase <strong>de</strong>larmónico fundamental <strong>de</strong> la corrienterespecto a la tensión. Este parámetroscoinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> el tradicional cosjcorrespondiente al régimen permanentesinusoidal, que se ha venido<strong>de</strong>nominando erróneamente como factor<strong>de</strong> potencia.• <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> distorsión, F D : Relación entre elvalor eficaz <strong>de</strong>l armónico fundamentalrespecto al valor eficaz total <strong>de</strong> la onda.La <strong>de</strong>finición <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> distorsión se recoge <strong>de</strong> forma matemática en la expresión (1.6). En el casoque se está analizando (tensión sinusoidal y corriente <strong>con</strong> armónicos), el factor <strong>de</strong> distorsión pue<strong>de</strong>expresarse en función <strong>de</strong> la distorsión armónica, tal y como se hace en (1.6). A partir <strong>de</strong> (1.7) esposible también relacionar el factor <strong>de</strong> potencia y la distorsión armónica total.)',=,1(=,21,1+ +,2Q=+ 11+'$72(1.6)=36=1× cosj) 321 (1.7)1+'$7En [21] se muestran algunos ejemplos interesantes <strong>de</strong> los posibles casos que pue<strong>de</strong>n aparecer<strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> los factores <strong>de</strong> distorsión y <strong>de</strong>splazamiento, estos ejemplos se recogen en lafigura 1.2. En esta figura se pue<strong>de</strong> observar como el factor <strong>de</strong> potencia se reduce tanto por el efecto<strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> <strong>de</strong>splazamiento como por el <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> distorsión.La situación que <strong>de</strong>mandará <strong>de</strong> la red un valor <strong>de</strong> corriente eficaz menor, correspon<strong>de</strong> al factor <strong>de</strong>potencia unidad (figura 1.2.d). Como caso opuesto al anterior, en la figura 1.2.a, se muestra la forma<strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente típica <strong>de</strong> un rectificador <strong>con</strong> filtro por <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. Este último caso <strong>de</strong>manda <strong>de</strong>la red una corriente eficaz doble a la que se necesita si el <strong>con</strong>sumo presenta factor <strong>de</strong> potencia unidad.Los casos extremos mostrados en la figura 1.2 (figura 1.2.d y figura 1.2.a) correspon<strong>de</strong>n,respectivamente, a las preferencias <strong>de</strong> las compañías eléctricas y a los fabricantes <strong>de</strong> fuentes <strong>de</strong>alimentación. Las compañías eléctricas prefieren un <strong>con</strong>sumo que presente un factor <strong>de</strong> potencia lomás próximo posible a la unidad ya que entre otros aspectos, para la misma potencia suministrada alabonado, su acometida podrá estar dimensionada <strong>con</strong> unos <strong>con</strong>ductores <strong>de</strong> menor sección. La figura1.2.a representa la situación más ventajosa para los fabricantes y diseñadores <strong>de</strong> fuentes <strong>de</strong>alimentación. La etapa <strong>de</strong> entrada compuesta por un rectificador y filtro por <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, presentacomo ventajas, un coste reducido, un menor tamaño a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> resultar una solución robusta y fiable.5


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDL) M ÃÃ) ' ) M ÃÃ) ' a) b)YYLI EF = 2,63 AF P =0,5DAT= 172%I EF = 1,44 AF P =0.9DAT= 47%c) d)L) M ÃÃ) ' ) M ÃÃ) ' YYLj ÃāI EF = 1,5 AF P =0,87DAT= 0%I EF = 1,3 AF P =1DAT= 0%)LJXUD(MHPSORVGHIRUPDVGHRQGDGHFRUULHQWHTXHSDUDHOFDVRGHWHQVLyQVLQXVRLGDOSUHVHQWDQORVYDORUHVGHORVSDUiPHWURV) 3 '$7)j ) ' \FRUULHQWHHILFD]WRWDOTXHVHLQGLFDQ &DUDFWHUtVWLFDV GH OD HWDSD FOiVLFD GH HQWUDGD GH XQ FRQYHUWLGRU&$&&La forma más extendida para realizar la <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> corriente alterna a <strong>con</strong>tinua utiliza unrectificador en puente al que se le aña<strong>de</strong> un filtro por <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador tal y como se representa en la figura1.3.a. Este circuito resulta sencillo, robusto, e<strong>con</strong>ómico y <strong>de</strong> reducido tamaño, sin embargo poseealgunos in<strong>con</strong>venientes muy importantes. En la figura 1.3.b se muestran los resultados <strong>de</strong> simulación,correspondientes a este circuito cuando alimenta a una carga <strong>de</strong> 100 W a partir <strong>de</strong> una red <strong>de</strong> 220 V EF ,50 Hz.b)Y 5('Y 6a)L (Impedancia<strong>de</strong> la línea0,5W + 1mH220 V EF50 HZY 5('Y ( &100 µFY 6Carga100WY (L (Y Y 5(' 6 0700600$ ()500ÃPWHQULHR&40030020010001 3 5 7 9 11 13 15 17 19 211~PHURÃGHOÃDUPyQLFR6)LJXUDD(VTXHPDGHOUHFWLILFDGRUPDVILOWURSRUFRQGHQVDGRU%6LPXODFLyQPHGLDQWH36SLFHGHHVWHPRQWDMHDOLPHQWDQGRDXQDFDUJDGH:GHVGHXQDUHGGH9 () +]Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 1.3.b, sólo aparece circulación <strong>de</strong> corriente durante el breveinstante <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los diodos. Por tanto, la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente que se <strong>de</strong>vuelve a lared presenta una forma muy picuda, presentando un elevado valor eficaz y un mal factor <strong>de</strong> forma.Los armónicos <strong>de</strong> esta corriente presentan una magnitud bastante similar a la correspondiente al


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDprimer armónico, tal y como se pue<strong>de</strong> observar también en la figura 1.3.b. Por tanto, el valor eficaztotal resulta <strong>de</strong> 1,42 A EF frente a los 620 mA EF <strong>de</strong>l primer armónico, algo más <strong>de</strong> el doble paraasegurar los 100 W cedidos a la carga y <strong>con</strong> un rizado en la tensión <strong>de</strong> salida inferior al 5%.Incrementar el valor <strong>de</strong> la capacidad <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> disminuir el rizado <strong>de</strong> la tensión supondríadisminuir el intervalo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los diodos y en <strong>con</strong>secuencia aumentar el valor <strong>de</strong> pico yeficaz <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al circuito.Por otro lado, tal y como se <strong>de</strong>talla en la figura 1.3.b, <strong>de</strong>bido a la impedancia <strong>de</strong> la línea, la tensión <strong>de</strong>entrada al circuito aparece distorsionada. 3UREOHPDVJHQHUDGRVSRUORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWHLos problemas directamente relacionados <strong>con</strong> la existencia <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong> corriente en las re<strong>de</strong>s <strong>de</strong>distribución <strong>de</strong> energía eléctrica, pue<strong>de</strong>n resumirse como sigue:• Pérdidas adicionales <strong>de</strong> potencia.Las pérdidas totales que se producen en la red eléctrica <strong>de</strong>bido a la resistencia <strong>de</strong> líneaaumentan, <strong>de</strong>bido a que los armónicos <strong>de</strong> or<strong>de</strong>n superior al fundamental introducen untermino adicional en el valor eficaz <strong>de</strong> la corriente.2(2 23 Ã5× , = 5 × ,1 , ',67727$/(6/,1($ Ã/,1($• Distorsión <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> tensión.(1.8)El esquema mostrado en la figura 1.4, correspon<strong>de</strong> a un sistema <strong>con</strong> generación <strong>de</strong> tensióni<strong>de</strong>al (nodo G) <strong>con</strong>ectado a una línea que presenta una cierta impedancia y que reparte laenergía eléctrica a varios <strong>con</strong>sumos. Si los <strong>con</strong>sumos provocan la inyección <strong>de</strong> corrientesarmónicas en la red, <strong>de</strong>bido a la impedancia <strong>de</strong> la línea, aparecerán armónicos <strong>de</strong> tensión enel nodo C tal y como indica la expresión 1.9.Y&= 91× VHQ w W - 5/,1($+Mw//,1($×L1-å ¥ Q=2 5/,1($+Mw//,1($×LQ(1.9)Si <strong>con</strong>ectado al nodo C existe un <strong>con</strong>sumo generador <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong> corriente, aunque elresto <strong>de</strong> abonados <strong>con</strong>ectados al nodo C no inyecten armónicos <strong>de</strong> corriente en la red, éstosúltimos también verán distorsionada la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la tensión que les suministra lacompañía.En la actualidad, el problema <strong>de</strong> la distorsión <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> tensión, no se <strong>de</strong>beexclusivamente a <strong>con</strong>sumos <strong>con</strong>centrados, <strong>de</strong> elevada potencia y que generen armónicos <strong>de</strong>corriente, sino también y en gran medida a la suma <strong>de</strong> un número ingente <strong>de</strong> pequeños<strong>con</strong>sumos productores todos ellos <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong> corriente. Téngase en cuenta, que unacarga, <strong>con</strong> la estructura mostrada en la figura 1.3.a, <strong>de</strong>manda siempre su pico <strong>de</strong> corrientepara idéntico ángulo <strong>de</strong> red. La unión <strong>de</strong> muchos receptores <strong>de</strong> televisión <strong>de</strong>mandando elpico <strong>de</strong> corriente en el mismo instante, pue<strong>de</strong>n provocar una distorsión en la tensión <strong>con</strong> elaspecto <strong>de</strong>l <strong>de</strong>talle que se representa en la figura 1.3.b, pero mucho más acusado. Tal ycomo se verá en el apartado 1.5.2, esta es la razón por la cual la norma IEC 61000-3-27


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDimpone unos límites más severos a los equipos <strong>de</strong>nominados <strong>de</strong> alto impacto, entre los quese encuentran los aparatos <strong>de</strong> televisión.Generadori<strong>de</strong>alGRed eléctricaR LINEAL LINEACargaproductora<strong>de</strong> armónicosC, (2, (21222324= ,+,+,+,+,25+...Otros<strong>con</strong>sumidores)LJXUD(VTXHPDXQLILODUEiVLFRGHUHGHOpFWULFDDODTXHVHFRQHFWDXQDFDUJDSURGXFWRUDGHDUPyQLFRV\RWURVFRQVXPRV• Limitación <strong>de</strong> la generación y transferencia <strong>de</strong> potencia.Si se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra el generador i<strong>de</strong>al <strong>de</strong> la figura 1.4, y se tienen en cuenta la <strong>de</strong>scomposición<strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia como producto <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> distorsión multiplicado por el factor <strong>de</strong><strong>de</strong>splazamiento, se pue<strong>de</strong> expresar <strong>de</strong> forma cualitativa la potencia aparente que suministradicho generador, tal y como se recoge en (1.10).2 2 26 = 3 + 4 +'2(1.10)El primer término representaría la potencia activa, el segundo término correspon<strong>de</strong>ría a lapotencia asociada al <strong>de</strong>sfase entre la tensión y el primer armónico <strong>de</strong> la corriente y el últimotérmino, también un término <strong>de</strong> carácter reactivo, estaría asociado a la existencia <strong>de</strong>armónicos <strong>de</strong> corriente. A partir <strong>de</strong> esta expresión se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir <strong>de</strong> forma sencilla, quedado que un generador tiene un límite <strong>de</strong> potencia aparente, si la carga <strong>de</strong>manda corriente<strong>de</strong>sfasada respecto a la tensión o <strong>con</strong> un <strong>con</strong>tenido <strong>de</strong> armónicos significativos, se reducirála potencia activa que el generador será capaz <strong>de</strong> transferir a la carga.De forma idéntica una línea eléctrica también ve limitada la potencia activa que pue<strong>de</strong>transferir cuanto mayor sea la potencia reactiva que tenga que ce<strong>de</strong>r a una carga.• Sobredimensionamiento <strong>de</strong> los componentes: Los <strong>con</strong>ductores (<strong>con</strong> especial mención al<strong>con</strong>ductor <strong>de</strong> neutro en sistemas trifásicos a cuatro hilos), filtros EMI, transformadores,lámparas <strong>de</strong> incan<strong>de</strong>scencia, etc. <strong>de</strong>ben po<strong>de</strong>r soportar las corrientes armónicas y en<strong>con</strong>secuencia el calentamiento adicional que implica un mayor valor eficaz total. Por otrolado los motores han <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r soportar no solo un calentamiento extra sino que veránlimitado su par eficaz por la aparición <strong>de</strong> pares parásitos.• Fallos <strong>de</strong> operación. Estos pue<strong>de</strong>n darse en una amplio campo <strong>de</strong> componentes y equipos.Aparecen fallos en fusibles, interruptores automáticos, equipos <strong>de</strong> medida (transformadores<strong>de</strong> medida y otros), y también en equipos <strong>de</strong> telecomunicaciones, aparatos <strong>de</strong> televisión,etc.8


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD• Contaminación medioambiental. Ésta se <strong>de</strong>be <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar asociada, no sólo a la necesidad <strong>de</strong>una generación <strong>de</strong> energía superior a la estrictamente necesaria, sino también en relación alaumento <strong>de</strong>l ruido electromagnético, al aumento <strong>de</strong> la <strong>con</strong>taminación acústica <strong>de</strong>bido a laoperación sonora <strong>de</strong> <strong>de</strong>terminados equipos, etc.• Estrategias <strong>de</strong> PDUNHWLQJ. Relacionada <strong>con</strong> la <strong>con</strong>taminación medioambiental, se ha<strong>con</strong>vertido en una estrategia comercial la oferta <strong>de</strong> equipos que “presumiblemente” realizanun <strong>con</strong>sumo limpio, libre <strong>de</strong> armónicos. Adicionalmente al marcado CE, obligatorio en laUnión Europea, no es difícil en<strong>con</strong>trar etiquetas similares a 3)& (iniciales inglesas <strong>de</strong>corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia) y otras. 5HJXODFLyQGHORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWHAnte el <strong>con</strong>flicto que aparece entre el <strong>con</strong>sumo sin armónicos que <strong>de</strong>mandan las compañías eléctricasy por otro lado la penalización en coste, tamaño y fiabilidad que los circuitos reductores <strong>de</strong> armónicosintroducen en las fuentes <strong>de</strong> alimentación, diversos organismos, como la IEC (ComisiónElectrotécnica Internacional) y sus miembros asociados (El CENELEC en Europa, Comité Europeo <strong>de</strong>Normalización Electrotécnica) y también el IEEE (Instituto <strong>de</strong> Ingenieros Eléctricos y Electrónicos),han actuado como mediadores al <strong>de</strong>sarrollar una serie <strong>de</strong> normativas y recomendaciones, que permitanun equilibrio entre las dos posiciones.La Unión Europea (UE) ha asumido un papel pionero ya que ha sido la primera en establecer unmarco legal que limite la emisión <strong>de</strong> corrientes armónicas a través <strong>de</strong> la directiva sobreCompatibilidad Electromagnética (CEM) 89/336/CEE y su norma armonizada IEC 61000-3-2.En este apartado, se <strong>de</strong>scribirá en primer lugar, el marco <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el cual se aplican estas normas, lasDirectivas Comunitarias. En <strong>con</strong>creto se centrará el estudio en la Directiva <strong>de</strong> CEM que se aplica atodos aquellos equipos finales eléctricos o electrónicos, que <strong>con</strong>tengan componentes eléctricos y/oelectrónicos capaces <strong>de</strong> causar perturbaciones electromagnéticas o cuyo funcionamiento pueda verseafectado por dichas perturbaciones.Con el fin <strong>de</strong> unificar criterios se introduce el marcado CE, que permite la libre distribución ycomercialización <strong>de</strong> productos en el mercado europeo; se asegura así la legalidad <strong>de</strong> estos productos,en lo que a su <strong>con</strong>formidad <strong>con</strong> las directivas que le son aplicables se refiere. En este apartado serecogerá también una breve introducción <strong>de</strong> lo que este método <strong>de</strong> certificación <strong>con</strong>lleva.La directiva 89/336/CEE sobre CEM se apoya en las normas armonizadas para otorgar la <strong>con</strong>formidad<strong>de</strong> los equipos. Entre estas normas, dos son las que afectan más directamente al presente trabajo, laIEC 61000-3-2 y la IEC 61000-4-7. La primera será <strong>de</strong>scrita en <strong>de</strong>talle, también su evolución, ya queésta ha ido modificando el campo <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> los circuitos reductores <strong>de</strong> armónicos. La normaIEC 61000-4-7 se tratará muy brevemente, ya que es una norma <strong>de</strong> <strong>con</strong>sulta relativa a métodos <strong>de</strong>ensayo y técnicas <strong>de</strong> medida.En las referencias [1] a [4] se pue<strong>de</strong> en<strong>con</strong>trar la información oficial acerca <strong>de</strong> las DirectivasComunitarias y en <strong>con</strong>creto sobre la Directiva <strong>de</strong> CEM. De forma complementaria resulta útil<strong>con</strong>sultar las referencias [12] a [15] <strong>de</strong>bido al enfoque práctico que éstas presentan. En las referencias[5] a [11] se recogen los textos originales <strong>de</strong> las normas y recomendaciones técnicas a las que se haráreferencia en este trabajo. En los apartados 1.5.1 y 1.5.2 se presenta un breve resumen <strong>de</strong> los9


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD<strong>con</strong>tenidos anteriores, <strong>de</strong>stacando los aspectos más directamente relacionados <strong>con</strong> el presente trabajo.Una vez <strong>de</strong>scrito el marco legal sobre las corrientes armónicas se mostrará un breve resumen yclasificación <strong>de</strong> las técnicas para la reducción <strong>de</strong> los armónicos <strong>de</strong> corriente, entre las que <strong>de</strong>stacan losmétodos pasivos y los métodos activos en dos etapas. Se <strong>de</strong>scribirán también las ventajas ylimitaciones <strong>de</strong> cada uno. 'LUHFWLYD &(( VREUH &RPSDWLELOLGDG (OHFWURPDJQpWLFD (O PDUFDGR&(De los varios objetivos que ha perseguido la creación <strong>de</strong>l Mercado Único Europeo, el movimientolibre <strong>de</strong> mercancías entre los estados europeos es fundamental. Todos los Estados Miembros imponenestándares y obligaciones a los fabricantes <strong>de</strong> mercancías en interés <strong>de</strong> la calidad, seguridad,protección al <strong>con</strong>sumidor, etc. A causa <strong>de</strong> las diferencias en los procedimientos y requisitos, éstasactúan como barreras técnicas al comercio, ya que los fabricantes <strong>de</strong>ben modificar sus productos paralos diferentes mercados nacionales. 'LUHFWLYDV&RPXQLWDULDVLa Comisión Europea trató <strong>de</strong> eliminar esas barreras proponiendo Directivas que expusieran <strong>con</strong><strong>de</strong>talle los requisitos que <strong>de</strong>bían satisfacer los productos antes <strong>de</strong> que se pusieran a la venta en la UE,aunque resultó difícil por la <strong>de</strong>tallada naturaleza <strong>de</strong> cada Directiva y la necesidad <strong>de</strong> unanimidad antes<strong>de</strong> po<strong>de</strong>r ser adoptada. En 1985, el Consejo <strong>de</strong> Ministros adoptó una resolución que establecía un “Nuevo Enfoque a la Armonización Técnica y Estándares”.Bajo este “nuevo enfoque”, las Directivas se limitan a establecer los requisitos esenciales que se <strong>de</strong>bensatisfacer antes <strong>de</strong> que los productos puedan ponerse a la venta en cualquier lugar <strong>de</strong> la UE. Los<strong>de</strong>talles técnicos se proporcionan en los estándares obtenidos <strong>de</strong> los organismos europeos <strong>de</strong>normalización CEN (Comité Europeo <strong>de</strong> Normalización), CENELEC y ETSI (Instituto Europeo <strong>de</strong>Normalización en las Telecomunicaciones). El seguimiento <strong>de</strong> estos estándares <strong>de</strong>mostrará la<strong>con</strong>formidad <strong>de</strong> los requisitos esenciales <strong>de</strong> cada Directiva. Los productos afectados por cadaDirectiva <strong>de</strong>ben cumplir sus requisitos esenciales, pero los que cumplen todos y están etiquetadoscomo tales, podrán circular libremente por la Comunidad y ningún estado miembro pue<strong>de</strong> rechazarlospor motivos técnicos.Las directivas <strong>de</strong> “nuevo enfoque” <strong>con</strong>stituyen una nueva aproximación a la armonización técnica, yaque no recogen especificaciones técnicas obligatorias (mínimos), sino requisitos esenciales (máximos)que <strong>de</strong>ben satisfacer los productos para su libre circulación en la UE [2]. Este nuevo enfoque permiteque sean los propios fabricantes los que puedan autocertificar el cumplimiento <strong>de</strong> los requisitosesenciales establecidos, y estampar el marcado CE en sus productos.Las Directivas Comunitarias que <strong>de</strong>ben cumplir los productos eléctricos y/o electrónicos son:• Directiva <strong>de</strong> BAJA TENSIÓN (BT), 73/23/CEE, relativa a niveles <strong>de</strong> seguridad y almaterial eléctrico que se pretenda utilizar <strong>con</strong> <strong>de</strong>terminados niveles <strong>de</strong> tensión.• Directiva <strong>de</strong> COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNÉTI<strong>CA</strong> (CEM), 89/336/CEE, relativaa equipos que sean susceptibles <strong>de</strong> ser interferidos o <strong>de</strong> afectar <strong>de</strong> forma electromagnética aotros equipos <strong>de</strong> su entorno.10


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDSi el equipo es <strong>de</strong> telecomunicación habrá que tener en cuenta a<strong>de</strong>más otra Directiva Comunitaria, la<strong>de</strong> Equipos terminales <strong>de</strong> Comunicación (ETT) 91/263/CEE o equipos <strong>de</strong>stinados a ser utilizados ensistemas <strong>de</strong> re<strong>de</strong>s <strong>de</strong> Telecomunicación.A<strong>de</strong>más, todos los equipos eléctricos y/o electrónicos <strong>de</strong>berán cumplir adicionalmente la Directiva92/59/CEE <strong>de</strong> Seguridad general <strong>de</strong> los productos./DVIXHQWHVGHDOLPHQWDFLyQ, aunque no se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran producto final (ver apartado 1.5.1.4), VRQODVUHVSRQVDEOHVGHTXHHOHTXLSRILQDOFXPSODOD'LUHFWLYD&RPXQLWDULDVREUH&(0HQORUHIHUHQWHDORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWH. /D'LUHFWLYDVREUH&(0&((Des<strong>de</strong> el 1 <strong>de</strong> Enero <strong>de</strong> 1996 la Directiva Comunitaria 89/336/CEE sobre CEM, es <strong>de</strong> obligadocumplimiento en España, por el Real Decreto 444/1994 <strong>de</strong> 11 <strong>de</strong> marzo. Esta directiva tiene comoprincipal objetivo garantizar la libre circulación <strong>de</strong> aparatos y la creación <strong>de</strong> un entornoelectromagnético a<strong>de</strong>cuado en los países <strong>de</strong> la Unión Europea.Para garantizar el funcionamiento y compatibilidad <strong>de</strong> los equipos en su entorno electromagnético, sepreten<strong>de</strong> por una parte, limitar las perturbaciones electromagnéticas producidas por aparatos eléctricoso electrónicos, para que dichas perturbaciones no afecten el correcto funcionamiento <strong>de</strong> otros equiposo instalaciones. Por otra parte, asegurar que el aparato goza <strong>de</strong> un a<strong>de</strong>cuado grado <strong>de</strong> inmunidadintrínseca frente a perturbaciones electromagnéticas que le permita funcionar como estaba previsto.&DPSRGHDSOLFDFLyQGHOD'LUHFWLYDLa Directiva <strong>de</strong> CEM se aplica a todos aquellos aparatos capaces <strong>de</strong> causar perturbacioneselectromagnéticas o que puedan verse afectados por dichas perturbaciones. El término “Aparato” se<strong>de</strong>fine como “todo tipo <strong>de</strong> equipo o instalación eléctrica o electrónica”, es <strong>de</strong>cir, cualquier cosa quefunciona mediante electricidad está incluida, sin que importe que la fuente <strong>de</strong> alimentación proceda <strong>de</strong>la red pública, una batería o una alimentación específica.Todo aquel material o aparamenta que sea pasivo <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista electromagnético, es <strong>de</strong>cir,cables, <strong>con</strong>ectores o accesorios para cableado, etc., están excluidos <strong>de</strong> la Directiva [2]. A<strong>de</strong>más <strong>de</strong> loselementos pasivos <strong>de</strong>scritos, existen otros excluidos <strong>de</strong> la Directiva <strong>de</strong> CEM, bien porque se incluyenen otras directivas, como los productos sanitarios, bien porque no vayan a ser comercializados. Entodo caso siempre es recomendable <strong>con</strong>sultar a la autoridad competente en caso <strong>de</strong> duda.En cuanto a perturbación electromagnética, se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra como tal cualquier fenómenoelectromagnético que pueda <strong>de</strong>gradar el funcionamiento sin importar la frecuencia o método <strong>de</strong>acoplamiento. Es <strong>de</strong>cir, se incluyen las emisiones radiadas y <strong>con</strong>ducidas, la inmunidad a los camposelectromagnéticos, transitorios <strong>con</strong>ducidos, <strong>de</strong>scargas electrostáticas y rayos, etc. Ningún fenómenoespecífico está excluido <strong>de</strong>l alcance <strong>de</strong> la Directiva. (OPDUFDGR&($SOLFDFLyQGHOD'LUHFWLYDEl método establecido por la UE para comprobar si un equipo cumple, o no, los requisitos establecidosen las Directivas comunitarias que le son aplicables, es el marcado CE, cuyo logotipo se muestra en lafigura 1.5.Las Directivas comunitarias referentes a CEM presumen como válido un <strong>de</strong>terminado equipo, hasta11


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDque no se <strong>de</strong>muestre lo <strong>con</strong>trario, aunque lógicamente, existen mecanismos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol para verificar elcumplimiento <strong>de</strong> los requisitos que se establecen.)LJXUD/RJRWLSRGHOPDUFDGR&(El marcado CE lo fija el propio fabricante alfinal <strong>de</strong> la fase <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> producción yantes <strong>de</strong> la puesta en el mercado <strong>de</strong>l mismo.La Directiva sólo afecta a aquellos aparatosnuevos fabricados en el EEE (EspacioE<strong>con</strong>ómico Europeo) y a los aparatos nuevoso usados importados <strong>de</strong> terceros países<strong>de</strong>stinados a ser utilizados <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l EEE.Los aparatos <strong>de</strong> segunda mano vendidos<strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la UE están fuera <strong>de</strong> su alcance.El fabricante o su representante autorizado (importador si el fabricante es externo a la UE), es elresponsable <strong>de</strong> garantizar que se han alcanzado los requisitos <strong>de</strong> protección <strong>de</strong> la Directiva. Estorequiere dos <strong>con</strong>diciones:• Publicar una <strong>de</strong>claración <strong>de</strong> <strong>con</strong>formidad que <strong>de</strong>be estar a disposición <strong>de</strong> la autoridadcompetente durante 10 años <strong>de</strong>s<strong>de</strong> que se puso a la venta el aparato.• Colocar la marca CE en el aparato, o en su embalaje, en las instrucciones o en el certificado<strong>de</strong> garantía.La colocación <strong>de</strong> esta marca indica la <strong>con</strong>formidad <strong>con</strong> las Directivas relacionadas <strong>con</strong> el productosobre el que se estampa el marcado CE, por ejemplo un juguete eléctrico sigue tanto la Directiva <strong>de</strong>Seguridad <strong>de</strong> los juguetes, 88/378/ EEC, como la <strong>de</strong> CEM.La persona que ponga en el mercado el aparato, ya sea el fabricante, su representante legal en el EEE,un importador o cualquier otra persona responsable, <strong>de</strong>berá mantener a disposición <strong>de</strong> la AutoridadCompetente, en España será el Ministerio <strong>de</strong> Fomento para equipos <strong>de</strong> telecomunicación, o el <strong>de</strong>Industria y Energía para el resto <strong>de</strong> los equipos afectados por la Directiva, la Declaración <strong>de</strong>Conformidad CE y, cuando sea necesario, el Expediente Técnico <strong>de</strong> Construcción.$SOLFDFLyQGHOD'LUHFWLYDSe exponen tres procedimientos para obtener la presunción <strong>de</strong> <strong>con</strong>formidad <strong>con</strong> la Directiva para losaparatos <strong>de</strong>stinados a ser puestos en el mercado, que se <strong>de</strong>scriben a <strong>con</strong>tinuación y que quedanresumidos en la figura 1.6.• (OIDEULFDQWHDSOLFDWRGDVODVQRUPDVDUPRQL]DGDV que a tal efecto han sido incluidas enla lista <strong>de</strong>l DOCE (Diario Oficial <strong>de</strong> la Comunidad Europea), por lo que se le <strong>con</strong>ce<strong>de</strong> lapresunción <strong>de</strong> <strong>con</strong>formidad <strong>con</strong> los requisitos <strong>de</strong> protección <strong>de</strong> la Directiva <strong>de</strong> CEM, tanto<strong>de</strong> inmunidad como <strong>de</strong> emisión. Es necesario tener en cuenta, que para FXPSOLU XQDGHWHUPLQDGD QRUPD, el fabricante no sólo ha <strong>de</strong> FXPSOLU ORV OtPLWHV LPSXHVWRV SRU ODQRUPD, sino WDPELpQ po<strong>de</strong>r FXPSOLU ORV UHTXLVLWRV TXH LPSRQH GLFKD QRUPD DOSURFHGLPLHQWRGHPHGLGD.12


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDSi se cumplen ambos aspectos, no se requiere ningún tipo <strong>de</strong> documento técnico quemuestre los pasos dados para alcanzar la <strong>con</strong>formidad y se podrá fijar el marcado CE en elaparato. El fabricante o el responsable legal establecido en la UE, efectúa una Declaración<strong>de</strong> Conformidad <strong>con</strong> dichas normas. Este procedimiento se correspon<strong>de</strong> <strong>con</strong> laautocertificación.• (OIDEULFDQWHQRDSOLFDODVQRUPDVDUPRQL]DGDVRDSOLFDVyORDOJXQDVGHHOODV, o bienno existen normas relevantes para su producto. En este caso el propio fabricante, o surepresentante legal en la UE, asegura y <strong>de</strong>clara que el producto en cuestión satisface losrequisitos <strong>de</strong> protección <strong>de</strong> la Directiva que le son aplicables, fija el marcado CE alproducto y redacta una Declaración <strong>de</strong> Conformidad CE. A<strong>de</strong>más es necesario que existaun Expediente Técnico <strong>de</strong> Construcción, <strong>de</strong> forma que dicho expediente será evaluado yaprobado por un organismo competente mediante un informe técnico o un certificado. Elfabricante será el último responsable <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong> CEM.$SOLFDÃ72'$6ÃODVÃ1250$6Ã$5021,=$'$6Declaración <strong>de</strong> Conformidad0$5&$'2Ã&($SOLFDÃ3$5&,$/0(17(Ã ODV 1250$6Ã$5021,=$'$6)$%5,&$17(Necesario Expediente Técnico <strong>de</strong> Construccióny Declaración <strong>de</strong> Conformidad&HUWLILFDGRÃGHÃ25*$1,602Ã&203(7(17($FUHGLWDGR0$5&$'2Ã&($3$5$726ÃGHÃ5$',2&2081,&$&,21(6Necesario CERTIFI<strong>CA</strong>DO <strong>de</strong> ORGANISMONOTIFI<strong>CA</strong>DO0$5&$'2Ã&()LJXUD3URFHGLPLHQWRVSDUDHYDOXDUODFRQIRUPLGDGGHXQSURGXFWRFRQOD'LUHFWLYD&(0• 3URFHGLPLHQWRDSOLFDEOH~QLFDPHQWHDORVDSDUDWRVGLVHxDGRVSDUDODWUDQVPLVLyQGHUDGLRFRPXQLFDFLRQHV. Mediante este procedimiento un organismo acreditado verifica y<strong>de</strong>clara que un producto tipo, representativo <strong>de</strong> toda la producción, cumple lasdisposiciones aplicables <strong>de</strong> la Directiva. $OFDQFHGHOD'LUHFWLYD&RPSRQHQWH\$SDUDWRLa Directiva sobre CEM clasifica los distintos equipos por su función. De esta forma, el equipo pue<strong>de</strong>ser <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado como un componente, un producto final, o un sistema. En cada caso, la aplicación <strong>de</strong>la Directiva es distinta, tal y como se refleja en el esquema mostrado en la figura 1.7.• Para aquellos FRPSRQHQWHV que si cumplen una función directa, podrían distinguirse doscasos. Componentes <strong>de</strong>stinados a ser puestos en el mercado para su uso por el público engeneral, cuando puedan realizar su función directa sin más adaptaciones o <strong>con</strong>exiones quelas que una persona no experta en CEM pue<strong>de</strong> llevar a cabo. En tal caso el componente se<strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra equivalente a un aparato y <strong>de</strong>be cumplir todas las disposiciones aplicables asícomo llevar el marcado CE. En esta categoría podrían <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse, por ejemplo, las13


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDunida<strong>de</strong>s externas <strong>de</strong> disco <strong>de</strong> un or<strong>de</strong>nador, siempre que se distribuyan directamente en elmercado.Por otro lado se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran los componentes <strong>de</strong>stinados a ser incorporados a otros aparatospor fabricantes profesionales y que no se encuentran disponibles en el mercado para su usodirecto. En este caso, el fabricante <strong>de</strong> los mismos <strong>de</strong>berá proporcionar, junto <strong>con</strong> elcomponente, las instrucciones pertinentes para su buen funcionamiento <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l aparatoal que serán incorporados. A<strong>de</strong>más en dichas instrucciones <strong>de</strong>berán incluirse los aspectos<strong>de</strong> CEM a <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar por el fabricante <strong>de</strong>l aparato. /DV IXHQWHV GH DOLPHQWDFLyQ VHHQFXHQWUDQHQHVWHJUXSR'LUHFWDPHQWHpVWDVQRHVWiQVXMHWDVDOFXPSOLPLHQWRGHOD'& VREUH &(0 SHUR VLQ HPEDUJR VX FRQYHUWLGRU &$ && HV HO UHVSRQVDEOH GHOFXPSOLPLHQWRGHODGLUHFWLYDHQORUHIHUHQWHDDUPyQLFRVGHFRUULHQWH. Otros ejemplos<strong>de</strong> este tipo <strong>de</strong> componentes serían tarjetas <strong>de</strong> microprocesadores, reguladores lógicosprogramables, etc.SIN Función directaNO requiere MAR<strong>CA</strong>DO CEEjemplos&20321(17(69DÃDOÃ0HUFDGRÃSDUDÃXVRÃ\ÃGLVWULEXFLyQ0$5&$'2Ã&(Función directa <strong>de</strong>finida,QFRUSRUDFLyQÃDÃRWURÃSGWRSólo instrucciones paracorrecto CEMFuente <strong>de</strong>alimentaciónpara PCSIN Función directa(QVDPEODMHÃHQÃDSDUDWRSólo instrucciones para buenfuncionamiento CEM352'8&726),1$/(6Función directa <strong>de</strong>finida6Ï/2ÃVLÃYDÃDOÃPHUFDGRÃSDUDÃXVR\ÃGLVWULEXFLyQ0$5&$'2Ã&(Fuente <strong>de</strong>alimentación <strong>de</strong>laboratorio)LJXUD$SOLFDFLyQGHOD'LUHFWLYDDGLVWLQWRVHOHPHQWRV• Como SURGXFWR ILQDO se <strong>de</strong>fine cualquier dispositivo o parte <strong>de</strong> un equipo que tengasiempre una función directa, una envolvente propia, y si proce<strong>de</strong>, puertos y <strong>con</strong>exiones parael usuario final.También en el caso <strong>de</strong> los productos finales caben dos posibilida<strong>de</strong>s. Si el producto final vaa incorporarse mediante una operación <strong>de</strong> ensamblaje industrial a un aparato, el fabricante<strong>de</strong>berá proporcionar junto <strong>con</strong> su producto, las instrucciones que permitan su buenfuncionamiento <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l aparato al que será incorporado. A<strong>de</strong>más en dichas instruccionesse incluirán aquellos aspectos <strong>de</strong> CEM que puedan ayudar al fabricante <strong>de</strong>l producto final aresolver los problemas <strong>de</strong> compatibilidad que pudieran surgir en su producto.14


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDSi el producto final estuviera <strong>de</strong>stinado a ser puesto en el mercado para su uso directo por elpúblico en general, entonces será <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado como aparato y estará totalmente cubiertopor las disposiciones que establece la Directiva <strong>de</strong> CEM y <strong>de</strong>berá llevar el marcado CE. (QHVWH~OWLPRJUXSRSRGUtDQHQFXDGUDVHODVIXHQWHVGHDOLPHQWDFLyQGHODERUDWRULR\DTXHSUHVHQWDXQDFDUFDVDSURSLD\HVWiQGHVWLQDGDVDVHUSXHVWDVHQHOPHUFDGR.En <strong>con</strong>clusión, FXDOTXLHUSURGXFWRFRQXQDIXQFLyQSURSLDTXHYD\DDVHUFRPHUFLDOL]DGRGHEHOOHYDUHOPDUFDGR&(, y por tanto cumplir los requisitos que establece la Directiva. En el caso <strong>de</strong> loscomponentes que vayan a ser utilizados por otros fabricantes el marcado CE no es obligatorio. /DQRUPDDUPRQL]DGD,(&Como se ha <strong>de</strong>scrito en el apartado 1.5.1.3, la forma más efectiva <strong>de</strong> cumplir <strong>con</strong> los requisitosesenciales <strong>de</strong> las Directivas Comunitarias es el cumplimiento a su vez <strong>de</strong> las normas armonizadas <strong>con</strong>la Directiva, para posteriormente generar una <strong>de</strong>claración <strong>de</strong> <strong>con</strong>formidad y estampar en el productofinal el marcado CE.En lo referente a las corrientes armónicas <strong>de</strong> baja frecuencia, la Directiva sobre CEM se apoya en lanorma armonizada IEC / EN 61000-3-2, que se <strong>de</strong>scribirá a <strong>con</strong>tinuación y cuyos <strong>con</strong>tenidos yevolución tienen especial relevancia en este trabajo. 1RUPDVDUPRQL]DGDVSegún la propia <strong>de</strong>finición dada por AENOR (Asociación Española <strong>de</strong> Normalización yCertificación), una norma es una especificación técnica voluntaria elaborada mediante el <strong>con</strong>senso <strong>de</strong>las partes interesadas que participan en un organismo re<strong>con</strong>ocido <strong>de</strong> normalización [2].La estructura <strong>de</strong> los organismos que son responsables <strong>de</strong> <strong>de</strong>finir los estándares <strong>de</strong> CEM para elcumplimiento <strong>de</strong> los requisitos esenciales <strong>de</strong> la Directiva se resumen en la figura 1.8.,(&Comisión ElectrotécnicaInternacional,(&«&(1(/(&1,9(/,17(51$&,21$/Comité Europeo <strong>de</strong> NormalizaciónElectrotécnica1,9(/1$&,21$/1,9(/(8523(2(1 $(125Asociación Española <strong>de</strong> Normalizacióny Certificación81( «)LJXUD5HODFLyQHQWUH2UJDQLVPRVGH1RUPDOL]DFLyQ\VXVGRFXPHQWRV• La Comisión Electrotécnica Internacional (IEC /CEI) está formada por Comités Nacionalesque representan los intereses electrotécnicos <strong>de</strong> sus respectivos países.15


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD16Los estándares <strong>de</strong> la CEI en sí, no tienen valor legal en lo referido a la Directiva <strong>de</strong> CEM, ysi los Comités Nacionales no están <strong>de</strong> acuerdo <strong>con</strong> ellos, no los adoptan. La importancia <strong>de</strong>estos estándares es que pue<strong>de</strong>n intercambiarse directamente <strong>con</strong> los estándares armonizadosEN, en cuyo caso se <strong>con</strong>vierten en aplicables para la ruta <strong>de</strong> certificación, o se pue<strong>de</strong> hacerreferencia a ellos a través <strong>de</strong> la norma armonizada específica o genérica [13].• El CENELEC es el organismo que dicta los estándares europeos para usarlos <strong>con</strong> laDirectiva europea <strong>de</strong> CEM. Para los equipos <strong>de</strong> telecomunicaciones el organismoencargado <strong>de</strong> los estándares es el ETSI.Estos organismos utilizan como base <strong>de</strong> preparación <strong>de</strong> los borradores, los resultados <strong>de</strong> la IEC. Unavez que el CENELEC ha producido un estándar europeo sobre CEM, <strong>con</strong> el prefijo EN (NormaEuropea), todos los países tienen que instaurar estándares nacionales idénticos. Comparar, porejemplo, las referencias [8] y [9].El <strong>con</strong>tenido <strong>de</strong> la publicación EN se traducirá textualmente. En el caso <strong>de</strong> España, el organismoencargado <strong>de</strong> la traducción y publicación <strong>de</strong> la normas armonizadas es AENOR. El número <strong>de</strong>referencia <strong>de</strong>l texto EN y <strong>de</strong> los estándares nacionales se publican en el DOCE. Los estándaresnacionales divergentes <strong>de</strong>ben ser eliminados en un plazo <strong>de</strong> tiempo limitado.Como Norma europea armonizada se entien<strong>de</strong> la norma que cumple <strong>con</strong> los siguientes requisitos:• Ha sido elaborada por CEN, CENELEC o ETSI <strong>de</strong> forma <strong>con</strong>junta o separada, medianteuna invitación formal <strong>de</strong> la Comisión Europea llamada mandato.• Ha sido comunicada oficialmente a la Comisión Europea.• Su referencia ha sido publicada en el DOCE, como norma que <strong>con</strong>ce<strong>de</strong> presunción <strong>de</strong><strong>con</strong>formidad <strong>con</strong> la Directiva.• Ha sido traspuesta como norma nacional al menos por un Estado miembro.Puesto que la legalidad <strong>de</strong>l marcado CE se apoya en las normas armonizadas que <strong>de</strong>fine la directiva,es importante <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar a <strong>con</strong>tinuación la vali<strong>de</strong>z y vigencia <strong>de</strong> las normas aplicar.Para tener una información completa <strong>con</strong>viene <strong>con</strong>sultar la última edición <strong>de</strong> las normas publicadas enel DOCE. Periódicamente se publica un listado <strong>con</strong> todas las normas armonizadas en las que se apoyala Directiva <strong>de</strong> CEM, <strong>de</strong> forma que a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> la referencia y título <strong>de</strong> la norma se indica la fechalímite para obtener la presunción <strong>de</strong> <strong>con</strong>formidad teniendo en cuenta dicha norma. En el apartado“Antece<strong>de</strong>ntes” que aparece al comienzo <strong>de</strong> cada norma IEC /EN, se muestran dos fechas quepermiten <strong>con</strong>ocer su antigüedad y vigencia. Estas son:• '23 'DWH RI 3XEOLFDWLRQ, fecha <strong>de</strong> publicación <strong>de</strong> una norma nacional idéntica. Secorrespon<strong>de</strong> <strong>con</strong> el momento en que la norma o la modificación a la misma <strong>de</strong>be seradoptada a nivel nacional, ya sea por la publicación <strong>de</strong> una norma nacional idéntica o porratificación.• '2: 'DWH RI ZLWKGUDZQ, fecha límite en la que <strong>de</strong>ben retirarse todas las normasnacionales divergentes <strong>con</strong> la nueva revisión o edición.La <strong>con</strong>sulta <strong>de</strong> las bases <strong>de</strong> datos <strong>de</strong>l CENELEC [17] ha permitido establecer el <strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong> la normaEN 61000-3-2 <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su origen hasta la última propuesta <strong>de</strong> modificación. Los datos obtenidos se


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDrecogen en el apartado 1.5.2.2. ,(&YLJHQFLD\HYROXFLyQLos primeros antece<strong>de</strong>ntes a la vigente IEC 61000-3-2 aparecen <strong>con</strong> la norma IEC 555-2 cuya primeraedición se publica en 1982. Posteriormente esta norma es adoptada por el CENELEC el 27 <strong>de</strong> Febrero<strong>de</strong> 1986 pasando a <strong>de</strong>nominarse EN 60555-2. Posteriormente y ya <strong>con</strong> la <strong>de</strong>nominación IEC 1000-X-X común a todas las normas sobre compatibilidad electromagnética se publica, en Marzo <strong>de</strong> 1995, lanorma IEC 1000-3-2. La publicación <strong>de</strong> la enmienda A1 ($PHQGPHQW A1) a la norma IEC 1000-3-2correspondiente a septiembre <strong>de</strong> 1997 supone el cambio <strong>de</strong> <strong>de</strong>nominación pasando a llamarse IEC61000-3-2, <strong>de</strong>nominación que se ha mantenido hasta la actualidad.Las <strong>de</strong>nominaciones <strong>de</strong> las normas originales y sus enmiendas, se recogen en la tabla 1.1. En esta tablase muestra para cada una <strong>de</strong> las versiones y enmiendas los datos correspondientes al número <strong>de</strong>proyecto <strong>de</strong>l CENELEC que se <strong>de</strong>dica a dicha versión, a la <strong>de</strong>nominación <strong>de</strong> la norma y al documento<strong>de</strong> referencia <strong>de</strong>l que proce<strong>de</strong>, así como las fechas <strong>de</strong> publicación (DOP) y <strong>de</strong> retirada <strong>de</strong> las normasnacionales divergentes (DOW). Las fechas DOP que aparecen en la tabla 1.1 correspon<strong>de</strong>n a lapublicación <strong>de</strong> la norma EN, normalmente la fecha <strong>de</strong> publicación <strong>de</strong> la correspondiente norma IEC esanterior.Número <strong>de</strong>ProyectoCENELECDenominación <strong>de</strong> la norma Documento <strong>de</strong> referencia DOP DOW Clasificación<strong>de</strong> losEquipos---- EN 60555-2: 1986 IEC 555-2: 1982 27-02-1986 ---- Por 7LSRÃGHÃHTXLSR5336 EN 61000-3-2: 1995 IEC 1000-3-2: 1995 01-07-1995 01-01-20019695 EN 61000-3-2: 1995 / A1: 1998 IEC 61000-3-2: 1995 / A1: 1997 09-01-1998 01-01-200111783 EN 61000-3-2: 1995 / A2: 1998 IEC 61000-3-2: 1995 / A2: 1998 01-01-1999 01-01-2001Por la forma <strong>de</strong>onda <strong>de</strong> lacorriente0iVFDUDÃ&ODVHÃ'Ã13725 EN 61000-3-2: 1995 / A14: 2000 ------ 01-01-2001 01-01-200412436 EN 61000-3-2: 2000 IEC 61000-3-2: 2000 07-01-2001 01-01-200414481 EN 61000-3-2: 2000 / prA1: 2001 IEC 61000-3-2: 2000 / A1 2001 ----- 01-01-200415784 EN 61000-3-2: 2000 / prA2: 2003 IEC 61000-3-2: 2000 / A2 200x(77A / 411/ CDV)----- -----Por Tipo <strong>de</strong>equipo&ODVHÃ'ó3URGXFWRVÃGHÃDOWRÃLPSDFWR´7DEOD(YROXFLyQKDVWDODDFWXDOLGDGGHODVQRUPDV,(&(1UHIHUHQWHVDORVOtPLWHVSDUDODVHPLVLRQHVGHFRUULHQWHDUPyQLFDHTXLSRVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGD£ $SRUIDVHÃLa norma (1 clasificaba los equipos por tipo. Distinguía entre “equipos particulares”(categoría que <strong>con</strong>tenía a las herramientas portátiles y a los receptores <strong>de</strong> televisión) y “equiposdistintos a los particulares”, don<strong>de</strong> se incluían el resto <strong>de</strong> los aparatos. Los límites impuestos a lascorrientes armónicas producidas por los receptores <strong>de</strong> televisión eran límites absolutos y los impuestosa las herramientas portátiles se obtenían al multiplicar por 1,5 los límites correspondientes a los<strong>de</strong>nominados “equipos no particulares”. Estos últimos límites se han mantenido hasta la actualidadpasando a ser los límites <strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. Cabe <strong>de</strong>stacar, que ya en el año1982 (fecha <strong>de</strong> publicación <strong>de</strong> la IEC 555-2) se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raba como caso más perjudicial, y que <strong>de</strong>bíaser limitado <strong>de</strong> forma más restrictiva, la corriente <strong>de</strong>mandada por el rectificador mas filtro por<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, que aparecía en la fuente <strong>de</strong> alimentación <strong>de</strong> los receptores <strong>de</strong> televisión.La aparición <strong>de</strong> la norma ,(& supone el paso <strong>de</strong> dos clases <strong>de</strong> equipos a cuatro. Los17


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDequipos <strong>de</strong> iluminación pasan a ser <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rados como los más perjudiciales, posiblemente <strong>de</strong>bido asu elevada utilización, y por tanto se les aplican los límites más severos a partir <strong>de</strong> los 25 W, queda<strong>con</strong>stituida así la Clase C, que se mantiene vigente en la actualidad. La Clase D, se aplicaba a aquellosequipos cuya forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente estaba <strong>con</strong>tenida más <strong>de</strong> un 95% <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red<strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la “máscara <strong>de</strong> la Clase D”. A estos equipos se les imponían unos límites relativosexpresados en mA/W que también <strong>con</strong>tinúan vigentes. En el momento <strong>de</strong> aparición <strong>de</strong> la norma IEC1000-3-2, el número <strong>de</strong> cargas electrónicas <strong>con</strong> un <strong>con</strong>sumo semejante al <strong>de</strong> los televisores, que ya sepenalizaba en la IEC 555-2, se había incrementado fuertemente. Cualquier carga no lineal, <strong>con</strong>in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> su aplicación, pero <strong>con</strong> una forma <strong>de</strong> onda semejante, era <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rada altamentepolucionante y sometida a cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D. Los equipos no clasificados como clase Dpertenecían a la Clase A y se les aplicaban los límites absolutos que aparecen en la IEC 555-2 para los<strong>de</strong>nominados “equipos distintos a los particulares”. La Clase B agrupa a las herramientas portátiles, yal igual que en la IEC 555-2, impone los mismos límites que los <strong>de</strong> Clase A pero multiplicados por1,5. Esta norma se mantiene sin cambios sustanciales hasta la aparición en el año 2000 <strong>de</strong> la enmienda14 (Amendment 14) a la norma EN 61000-3-2: 1995./DHQPLHQGDDODQRUPD(1, es publicada por el CENELEC pero no así por laIEC, aunque en ese mismo año, este organismo publica su ,(&. El principal cambioasociado a estas normas se centra en la forma <strong>de</strong> clasificar los equipos <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> las categorías Clase Aa Clase D, cuyos límites sí se mantienen respecto <strong>de</strong> la norma anterior. <strong>Nueva</strong>mente se retoma laclasificación por tipo <strong>de</strong> equipo (<strong>de</strong> forma parecida a como se hacía en la IEC 555-2), restringiendo laClase D a los <strong>de</strong>nominados “productos <strong>de</strong> alto impacto”, receptores <strong>de</strong> televisión, or<strong>de</strong>nadorespersonales y su monitores. Los intereses e<strong>con</strong>ómicos <strong>de</strong> los fabricantes han tenido un peso importante,<strong>con</strong>siguiendo que la norma se <strong>de</strong>cante en esta ocasión <strong>de</strong> su lado y no <strong>de</strong>l lado <strong>de</strong> las compañíaseléctricas. En general esta nueva versión <strong>de</strong> la norma es menos restrictiva y sólo persigue a los equiposcuyo uso masivo y <strong>con</strong>centrado en <strong>de</strong>terminadas bandas horarias, pue<strong>de</strong> polucionar fuertemente la re<strong>de</strong>léctrica.Las dos últimas publicaciones <strong>de</strong> la IEC, ,(&$ (enmienda 1 <strong>de</strong> 2001 a lanorma IEC 61000-3-2: 2000) y la ,(&$[ que será publicada posiblementeen 2003, no han sido aprobadas todavía por el CENELEC. Sin embargo, la última versión <strong>de</strong> la normaque AENOR ha publicado en Noviembre <strong>de</strong> 2001, la UNE-EN 61000-3-2: 2000, prácticamentecoinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> la IEC 61000-3-2: 2000 + A1 y sólo difiere en el anexo C, don<strong>de</strong> se establece el método<strong>de</strong> medida asociado a los aparatos <strong>de</strong> televisión, que en la versión IEC hace referencia a la norma IEC60107-1.La versiones vigentes en la actualidad (Julio <strong>de</strong> 2003) <strong>de</strong> la norma 61000-3-2 que <strong>con</strong>templa AENORpara cumplir la Directiva 89/336/CEE sobre CEM se recogen en la tabla 1.2.De este apartado, se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>stacar, que la evolución <strong>de</strong> las normas referentes a los armónicos <strong>de</strong>corriente ha sido <strong>con</strong>tinua y que no está cerrada, sino que va adaptándose en función <strong>de</strong>l equilibrioentre los intereses e<strong>con</strong>ómicos <strong>de</strong> los fabricantes y la necesidad <strong>de</strong> mantener la red eléctrica <strong>con</strong> un<strong>con</strong>tenido <strong>de</strong> armónicos limitado. Como se tratará en los próximos apartados, la modificación <strong>de</strong> lanorma tiene una gran importancia a la hora <strong>de</strong> <strong>de</strong>terminar que alternativas resultan más interesantes ala hora <strong>de</strong> seleccionar una topología para implementar un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> /<strong>CC</strong>. Las soluciones queeran más atractivas <strong>con</strong> la IEC 61000-3-2: 1995 y su máscara para la Clase D, pue<strong>de</strong>n no serlo a partir18


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD<strong>de</strong> la enmienda 14 y posteriores. Sin embargo una futura modificación a la norma, podría volver acentrar el estado <strong>de</strong> la técnica en las soluciones <strong>de</strong> hace unos años, o impulsar el <strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong> nuevasestrategias para la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia.DOP Denominación <strong>de</strong> la norma Documento <strong>de</strong> referencia1997-04-15 UNE-EN 61000-3-2 / A12:1997 EN 61000-3-2:1995 / A12:19961997-04-15 UNE-EN 61000-3-2:1997 EN 61000-3-2:19951999-02-26 UNE-EN 61000-3-2 / A1:1999EN 61000-3-2/A1:1998IEC 61000-3-2:1995 / A1:19971999-04-26 UNE-EN 61000-3-2 CORR:1999 EN 61000-3-2:1995 CORR:19972001-03-15 UNE-EN 61000-3-2 / A14::2001 EN 61000-3-2:1995 / A14:20002001-11-23 UNE-EN 61000-3-2:2001EN 61000-3-2:2000IEC 61000-3-2:2000 MOD7DEOD9HUVLRQHVYLJHQWHVHQODDFWXDOLGDG-XOLRGHGHODQRUPDTXHFRQWHPSOD$(125SDUDFXPSOLUOD'LUHFWLYD&((VREUH&(0Ã &DUDFWHUtVWLFDV\DSOLFDFLyQGHODQRUPD,(&En la figura 1.9 se recogen las características más importantes <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 1995. Losaspectos más <strong>de</strong>stacados <strong>de</strong> esta norma son los siguientes:&ODVLILFDFLyQGHORVHTXLSRVLa norma propone una clasificación <strong>de</strong> los equipos bajo prueba en cuatro grupos. Cada uno <strong>de</strong> estosgrupos se <strong>de</strong>nomina Clase y se <strong>de</strong>finen como sigue:• Clase A:Equipos trifásicos equilibrados o cualquier otro equipo que no se incluya <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> las otrastres clases.• Clase B:Equipos portátiles, aquellas herramientas eléctricas utilizadas durante cortos intervalos <strong>de</strong>tiempo (solamente unos minutos); ejemplo: taladros, batidoras ...• Clase C:Equipos <strong>de</strong> iluminación: Lámparas y sus equipos auxiliares, y balastos.• Clase D:Equipos <strong>con</strong> una forma <strong>de</strong> onda especial <strong>de</strong>finida en la figura 1.9 y <strong>con</strong> P £ 600 W medidabajo las <strong>con</strong>diciones establecidas en el anexo C <strong>de</strong> dicha norma.El procedimiento a seguir para establecer a qué Clase pertenece un <strong>de</strong>terminado aparato se <strong>de</strong>scribe enla figura 1.9, en la que se incluye el diagrama <strong>de</strong> flujo correspondiente.&ODVLILFDFLyQGHXQHTXLSRFRPR&ODVH'Tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 1.9, para <strong>de</strong>terminar si un equipo pertenece a Clase D seemplea una máscara que se aplica sobre la corriente media <strong>de</strong> entrada, normalizada <strong>con</strong> su valor <strong>de</strong>pico, haciendo coincidir el punto medio <strong>de</strong> la máscara <strong>con</strong> el punto <strong>de</strong>l valor máximo <strong>de</strong> la corriente.19


20)LJXUD7DEODUHVXPHQGHORVDVSHFWRVPiVUHOHYDQWHVSDUDODDSOLFDFLyQGHODQRUPD,(&*XtDUiSLGDGHODQRUPD,(&Aplicable a equipos monofásicos y trifásicos <strong>con</strong>: I £ 16 A EF por fase, Tensiones ³ 220 V(fase-neutro)/(2Ã',&11( Ï 1'0552$Todos los límites expresados en YDORUHVHILFDFHV6HWHQGUiQHQFXHQWDDUPyQLFRV12 se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran aquellos valores <strong>de</strong> la corriente armónica:• P$HILFDFHVGHHQWUDGDLas medidas <strong>de</strong>ben realizarse DSOHQDFDUJD (para Clase D) o <strong>de</strong> forma que se obtengan lasPi[LPDVFRPSRQHQWHVDUPyQLFDV bajo <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> funcionamiento normal <strong>de</strong>l equipo.i/i pico p /3p /31Ã$(6$/&Corriente <strong>de</strong>entrada <strong>de</strong> unequipo clasificadocomoVHÃ'FODp /3Ã%(6$/&Herramientasportátiles- A eficaces A eficaces0iVFDUD&ODVH'1i/ipicop /3p /3p /3M1MM0,350,350, 35p/2pw tp/2pw tÈ!ÃÃ&(6$/&Equipos iluminaciónÃ'(6$/&% <strong>de</strong>l valor eficazmA / W<strong>de</strong>l armónicopotencia <strong>de</strong>fundamentalentrada(P > 25 W)(75 a 600 W)21.081.6202-32.303.45030 ´l3.440.430.645--51.141.710101.960.300.450--70.771.15571.090.400.60050.5110.330.49530.35130.210.31533.85/n15 £ n £ 398 £ n £ 400.15 ´ (15/n)0.23 ´ (8/n)0.225 ´ (15/n)0.345 ´ (8/n)3Solo armónicos impares3.85/nSolo armónicos imparesl es el <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> Potencia <strong>de</strong>l circuito“Solo armónicos impares”, implica que no se admitirán los armónicos pares.•,()i/i picop /6p /62p /3c 9HQWDQDVWHPSRUDOHVGHPHGLGD, " tipo <strong>de</strong> armónicos :• ventana rectangular - 16 ciclos• ventana Hanning - 20 a 25 ciclosd En algunos casos necesario ILOWURSDVREDMR <strong>de</strong> 1 eror<strong>de</strong>n <strong>con</strong> cte. <strong>de</strong> tiempo 1.5s ± 10%.e Ver UHTXLVLWRV <strong>de</strong> la WHQVLyQGHHQVD\R en la norma.Cálculo <strong>de</strong> la Potencia Activa y el <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> PotenciaFP17=P=Sò7Diagrama <strong>de</strong> clasificación <strong>de</strong> equiposSI¿Equipo trifásicoequilibrado?NOSI¿Herramientaportátil?NOSI¿Equipo <strong>de</strong>iluminación?NO¿Equipo <strong>con</strong>SIforma <strong>de</strong> ondaespecial y P£ 600W?NOp/2pw t0X(wW)×L(wW)×GwW= òT1P u( t ).i( t ).dt8×,7HIHI0CLASE BCLASE CNO¿Equipo aCLASE Dmotor? *SICLASE A* Controlado por ángulo <strong>de</strong> fase&DStWXOR ,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDEn <strong>con</strong>secuencia, y ya que la anchura <strong>de</strong> la máscara en la zona <strong>de</strong> valor unidad, es <strong>de</strong> p /3, sea cual seala forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente, su valor máximo <strong>de</strong>ja a un lado y a otro p /6 rad <strong>de</strong> la zona más alta<strong>de</strong> la máscara. Por tanto, tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 1.9, la citada máscara no siempreestá centrada en p /2. En la figura 1.9 se proponen tres ejemplos <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> la máscara para tresformas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente distintas.Si la duración correspondiente a las zonas en las cuales la corriente está fuera <strong>de</strong> la máscara (marcadasen gris en la figura 1.9) supera el 5% <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red, dicha corriente se clasifica como ClaseA. Si este porcentaje es inferior al 5%, la corriente quedará clasificada <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la Clase D./tPLWHVDSOLFDGRVGHQWURGHODVFODVHVLos valores numéricos <strong>de</strong> los límites impuestos por cada una <strong>de</strong> la cuatro clases se recogen en la figura1.9. Estos valores se <strong>con</strong>servan también en las versiones actuales <strong>de</strong> la norma, aunque la forma <strong>de</strong>clasificación <strong>de</strong> los equipos haya variado.&ODVH$. Los límites aplicables a la Clases A son absolutos, se <strong>de</strong>finen en mA eficaces y su valor esfijo e in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong>l equipo.En la figura 1.10 se han representado cuatro corrientes <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> unos armónicos <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong>or<strong>de</strong>n 3 al 15 iguales a los correspondientes límites <strong>de</strong> la Clase A pero se ha ido incrementando elvalor <strong>de</strong>l primer armónico. Todas las corrientes representadas en la figura 1.10 cumplirían la norma.1 er armónicoP E =460 W, I 1 =2 A, F P =0,578P E =1150 W, I 1 =5 A, F P =0,871P E =2300 W, I 1 =10 A, F P =0,962El hecho <strong>de</strong> que los armónicos impuestos porla Clase A sean absolutos permite una elevadadistorsión en la corriente <strong>de</strong> entrada para bajaspotencias, tal y como se pue<strong>de</strong> comprobar enla figura 1.10. Esta circunstancia ha sidoaprovechada por los diseñadores <strong>de</strong> manera,que diseñaban sus fuentes <strong>de</strong> alimentaciónsimplemente para escapar <strong>de</strong> la clasificacióncomo Clase D. En estas circunstancias y parabaja potencia, la norma se cumpleprácticamente siempre.P E =3450 W, I 1 =15 A, F P =0,983)LJXUD(YROXFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDDOYDULDUVXSULPHUDUPyQLFRPDQWHQLHQGRILMRVHOYDORUGHOUHVWRGHORVDUPyQLFRVLJXDODOGHORVOtPLWHVGHOD&ODVH$La Clase A resulta poco restrictiva, también<strong>de</strong>bido al hecho <strong>de</strong> que permite la presenciaen la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> unos armónicospares cuya magnitud es bastante apreciable(ver figura 1.11). Sin embargo no suele sercomún que los diseños <strong>de</strong> fuentes <strong>de</strong>alimentación (<strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada no)sinusoidal, <strong>con</strong>tengan armónicos pares.• &ODVH%. Los límites correspondientes a la Clase B se obtienen multiplicando por 1,5 los <strong>de</strong>la Clase A. Son por tanto los menos restrictivos, ya que están asociados a equipos portátilescuya operación se exten<strong>de</strong>rá durante un intervalo <strong>de</strong> tiempo reducido.21


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDa) Sólo armónicos impares b) Armónicos pares e imparesP E =3450 W, I 1 =15 A) 3 P E =3450 W, I 1 =15 A) 3 )LJXUD(YROXFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDFXDQGRpVWDSUHVHQWDXQRVDUPyQLFRVSDUHVLJXDOHVDORVTXHSHUPLWHQORVOtPLWHVGHOD&ODVH$• &ODVH&. Los límites <strong>de</strong> la Clase C son relativos y se expresan en tanto por ciento respecto<strong>de</strong>l armónico fundamental, utilizándose a<strong>de</strong>más el factor <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l equipo paraestablecer el límite al tercer armónico. Estos límites son los más restrictivos <strong>de</strong> todos,<strong>de</strong>bido a la gran cantidad <strong>de</strong> este tipo <strong>de</strong> equipos <strong>con</strong>ectados a la red y se aplican para unapotencia superior a 25 W.• &ODVH '. Los límites <strong>de</strong> la Clase D son proporcionales a la potencia <strong>de</strong> entrada y seexpresan en mA EF / W. Para cualquier potencia entre 75 W y 600 W (rango <strong>de</strong> potencia alque se le aplica la Clase D) los límites <strong>de</strong> la Clase D son siempre más restrictivos que loscorrespondientes a la Clase A, tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 1.12. Por otro lado,la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> un equipo que que<strong>de</strong> clasificado como Clase D, no pue<strong>de</strong>presentar armónicos pares.&ODVH$&ODVH'&RUULHQWHHILFD]$2.31.140.770.4n =3n =5n =7n =9/tPLWHVGH&ODVH$/tPLWHVGH&ODVH'Ã:50 W500 W 1 kWÃ:327(1&,$:)LJXUD(YROXFLyQGHORVOtPLWHVGHODV&ODVHV$\'GHODQRUPD(1FRQODSRWHQFLD &DUDFWHUtVWLFDV\DSOLFDFLyQGHODQRUPD,(&A partir <strong>de</strong> la aparición <strong>de</strong> la norma EN 61000-3-2: 1995 / A14 publicada por el CENELEC en Enero<strong>de</strong> 2001 se varían parcialmente algunos aspectos <strong>de</strong> esta norma. Tanto esta última enmienda a la22


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDversión <strong>de</strong> 1995 (Amendment 14) como las versiones IEC / EN 61000-3-2: 2000 y sus posterioresenmiendas, presentan variaciones en la clasificación <strong>de</strong> los equipos <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> las diferentes Clases ytambién en los requisitos <strong>de</strong>l equipo <strong>de</strong> medida, procedimiento <strong>de</strong> medida y aplicación <strong>de</strong> los límites.Sin embargo, aspectos fundamentales como los límites impuestos por cada Clase se mantienen. Eneste apartado, se <strong>de</strong>stacarán las diferencias más relevantes respecto a la versión anterior.El 1 <strong>de</strong> Enero <strong>de</strong> 2004 es la fecha en la que será obligatorio aplicar las nuevas normas, EN 61000-3-2 /A14 y sucesivas, ya que todas ellas presentan la misma fecha DOW.&ODVLILFDFLyQGHORVHTXLSRV• &ODVH$: En general todos los equipos que no puedan ser incluidos <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> las otras tresclases.• &ODVH%: Herramientas portátiles y equipos <strong>de</strong> soldadura por arco no profesionales.• &ODVH &: Equipos <strong>de</strong> iluminación: lámparas y luminarias para alumbrado, baslastosin<strong>de</strong>pendientes para lámparas <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, transformadores in<strong>de</strong>pendientes para lámparashalógenas, anuncios luminosos publicitarios, etc.• &ODVH': Equipos entre 75 W y 600 W <strong>de</strong> los tipos siguientes. 2UGHQDGRUHVSHUVRQDOHV\SDQWDOODV GH RUGHQDGRUHV SHUVRQDOHV UHFHSWRUHV GH WHOHYLVLyQ. Esta es quizás ladiferencia más significativa y que implica un mayor cambio a la hora <strong>de</strong> acometer el diseño<strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>./D PD\RU SDUWH GH ORV HTXLSRV VH FODVLILFDQ FRPR &ODVH $ SRU WDQWR SDUD EDMDSRWHQFLDVHDGPLWHXQHOHYDGRFRQWHQLGRDUPyQLFR6LQHPEDUJRSDUDORVRUGHQDGRUHV\VXVPRQLWRUHV\ORVWHOHYLVRUHVVHLPSRQHQORVOtPLWHVGHODFODVH'/DVIXHQWHVGHHVWRV HTXLSRV QR SXHGHQ SRU PiV WLHPSR VHJXLU VLHQGR GLVHxDGDV XWLOL]DQGR FRPRHVWUDWHJLDHOHVFDSDUGHOD&ODVH'SDUDSDVDUDOD&ODVH$\DTXHVHKDHOLPLQDGRODPiVFDUDGHODDQWLJXD&ODVH' &ODVLILFDFLyQ GH ORV PpWRGRV SDUD OD FRUUHFFLyQ GHO IDFWRU GHSRWHQFLDLas normas estudiadas en el apartado anterior no utilizan el factor <strong>de</strong> potencia para medir la calidad <strong>de</strong>la corriente <strong>de</strong> entrada a un equipo y tampoco lo usan, como medio directo, para <strong>de</strong>terminar si elequipo bajo prueba es o no <strong>con</strong>forme a la norma. Sin embargo, quizás <strong>de</strong>bido a la familiaridad <strong>de</strong> suuso, se ha impuesto la <strong>de</strong>nominación <strong>de</strong> “corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia” para <strong>de</strong>nominar a unaserie <strong>de</strong> técnicas que buscan realmente reducir el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> lasfuentes <strong>de</strong> alimentación. Sería, por tanto , más preciso hablar <strong>de</strong> reducción <strong>de</strong> armónicos que <strong>de</strong>corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia.Las técnicas <strong>de</strong> corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia (se empleará a partir <strong>de</strong> ahora esta <strong>de</strong>nominación porser <strong>de</strong> uso más extendido) se vienen empleando prácticamente <strong>de</strong>s<strong>de</strong> la aparición <strong>de</strong> la norma IEC555-2 en 1982, por lo que en la actualidad se cuenta <strong>con</strong> un elevado número <strong>de</strong> soluciones. Estassoluciones aparecen recogidas y clasificadas en una serie <strong>de</strong> publicaciones entre las que se pue<strong>de</strong>n<strong>de</strong>stacar las referencias [21] a [28].Es necesario realizar una clasificación general <strong>de</strong> las soluciones para la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong>23


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDpotencia (CFP) antes <strong>de</strong> acometer la <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores que sonobjeto <strong>de</strong> este trabajo <strong>de</strong> tesis. Entre otras referencias, en [24] se propone un tipo <strong>de</strong> clasificación, queen la actualidad es la más extendida. Según este trabajo, los dos criterios que <strong>con</strong>ducen a establecer lascategorías básicas <strong>de</strong> circuitos correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia son:• Tipo <strong>de</strong> forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> entrada que persiguen: sinusoidal o <strong>con</strong> <strong>con</strong>tenidoarmónico limitado para simplemente cumplir la norma.• Utilización <strong>de</strong> dispositivos electrónicos activos o <strong>de</strong> componentes pasivos.Combinando ambos criterios se obtienen la clasificación que se recoge en la tabla 1.3.CorrienteSinusoidalNosinusoidalTipo <strong>de</strong> soluciónPasivaActivaSoluciones pasivasSoluciones activas<strong>de</strong> corriente<strong>de</strong> corrientesinusoidalsinusoidalSoluciones pasivasSoluciones activas<strong>de</strong> <strong>con</strong>tenido<strong>de</strong> <strong>con</strong>tenidoarmónico limitadoarmónico limitado7DEOD&ODVLILFDFLyQEiVLFDGHORVWLSRVGHVROXFLRQHVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD• 6ROXFLRQHV SDVLYDV FRQ FRUULHQWH GH HQWUDGD VLQXVRLGDO. Las soluciones pasivas, engeneral, tienen como principales ventajas su reducido coste, su sencillez y robustez. Sinembargo sus in<strong>con</strong>venientes son el peso y el tamaño <strong>de</strong> sus componentes. Diseñar loselementos <strong>de</strong>l filtro pasivo para obtener corriente sinusoidal (ver figura 1.13) impone unosvalores <strong>de</strong>smesurados <strong>de</strong>l tamaño y el peso <strong>de</strong> estos componentes para frecuencia <strong>de</strong> red(50 Hz o 60 Hz). En <strong>con</strong>secuencia su aplicación está muy limitada y prácticamente serestringe a sistemas <strong>de</strong> corriente alterna <strong>de</strong> frecuencia elevada [31]. Por ejemplo, enaplicaciones espaciales se utilizan, en algunos casos, re<strong>de</strong>s <strong>de</strong> 20 kHz.• 6ROXFLRQHV SDVLYDV FRQ FRUULHQWH GH HQWUDGD QR VLQXVRLGDO. Para bajas potencias ycuando las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación no son muy variables, la solución pasiva es unaalternativa interesante, <strong>de</strong>bido a que las ventajas <strong>de</strong> las soluciones pasivas (coste yfiabilidad), se potencian en este caso. El tamaño y el peso <strong>de</strong> los componentes <strong>de</strong>l filtro LCnecesario para cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 resultanbastante reducidos si el rango <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada es estrecho. En [29] – [30] se muestracomo estas soluciones son realmente competitivas para unos 100 W y tensión <strong>de</strong>alimentación 230 V EF . No hay que olvidar, que en la actualidad, la mayoría <strong>de</strong> los equiposse clasifican como Clase A.Sin embargo, si el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>be funcionar <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada variable en rangouniversal (85 V EF a 265 V EF ), el tamaño y el peso <strong>de</strong> los componentes requeridos se hacenmuy elevados. En [32], [33] y [34] se realizan estudios <strong>de</strong>tallados acerca <strong>de</strong>l diseño <strong>de</strong> estoscomponentes y <strong>de</strong>l rango y <strong>con</strong>diciones en las que son aplicables estas soluciones.24


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD• 6ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDO. Las soluciones que proporcionancorriente sinusoidal, tienen como principal ventaja, que las potencias para las que se pue<strong>de</strong>naplicar dichas soluciones, abarcan todo el rango que compren<strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2,aproximadamente 3500W. A<strong>de</strong>más, siempre van a cumplir la norma limitadora <strong>de</strong>armónicos, sea cual sea la evolución <strong>de</strong> esta, ya que la corriente <strong>de</strong> entrada solo presenta elprimer armónico.Entre las soluciones activas <strong>con</strong> corriente sinusoidal <strong>de</strong>stacan las VROXFLRQHVHQGRVHWDSDV.Estas fueron las primeras en introducirse, y en la actualidad siguen en plena vigencia<strong>de</strong>bido a sus importantes ventajas, siendo las se han utilizado mayoritariamente en laindustria. Sin embargo, su coste resulta elevado, sobre todo para bajas potencias, <strong>de</strong>bido aque requieren el uso <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores completos. El segundo in<strong>con</strong>veniente <strong>de</strong> lasolución en dos etapas, es que la potencia es transferida íntegramente por los dos<strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>ectados en cascada, por tanto se limita el rendimiento global <strong>de</strong> la<strong>con</strong>versión.Con objeto <strong>de</strong> reducir el número <strong>de</strong> veces que se procesa la energía respecto <strong>de</strong> lassoluciones en dos etapas, aparecen una serie <strong>de</strong> alternativas que como grupo podrían<strong>de</strong>nominarse VROXFLRQHV FRQ XQ PHMRU SURFHVDGR HQHUJpWLFR (ver en las figuras 1.13 y1.14 los grupos: procesado paralelo, reubicación <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> potencia, uso <strong>de</strong> postreguladoresserie, uso <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores bi-direccionales, etc.). Todos ellos requierentambién el uso <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores completos, pero sin embargo su mejor procesadoenergético pue<strong>de</strong> significar que sean soluciones ventajosas, siempre y cuando puedanaplicarse a potencias por encima <strong>de</strong> los 600W. Por <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong> esta potencia, los límites <strong>de</strong> laClase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, provocan que el uso <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores no resultenefectivos <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista <strong>de</strong>l coste.• 6ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDQRVLQXVRLGDO. Aprovechando que la normaIEC 61000-3-2 permite un cierto <strong>con</strong>tenido armónico en la corriente <strong>de</strong> entrada, estassoluciones tienen como principal objetivo reducir el coste y el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Deesta forma se pue<strong>de</strong>n eliminar lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, combinar topologías o bien añadir unossimples elementos pasivos a un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>vencional, para simplemente pasarla norma. Se obtienen así unas soluciones cuyo rango <strong>de</strong> aplicación está más limitado peroque <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> éste son más efectivas e<strong>con</strong>ómicamente.Las referencias [21] a [28] presentan interesantes resúmenes <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> todas lassoluciones para la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia clasificando estas soluciones y presentando lasventajas e in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> ellas.En García, et al. [22] se presenta un resumen muy exhaustivo, que barre la mayoría <strong>de</strong> las solucionespublicadas (hasta Junio 2001) para reducir el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada en fuentes<strong>de</strong> alimentación monofásicas. En esta referencia se presenta, también una interesante clasificación <strong>de</strong>distintas soluciones y las características más relevantes <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> ellas. Tomando como punto <strong>de</strong>partida la referencia [22], en las figuras 1.13 y 1.14 se ha completado la tabla 1.3 para <strong>con</strong>feccionar un“mapa” lo más completo posible, <strong>de</strong> las soluciones a la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia. Se persiguepo<strong>de</strong>r mostrar don<strong>de</strong> se sitúa cada una <strong>de</strong> las soluciones y fundamentalmente, indicar sobre este “mapa”, la posición <strong>de</strong> aquellas soluciones que componen el estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores25


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDSII, que se proponen en este trabajo.En el apartado 1.6.1 se recogen las características más importantes <strong>de</strong> las soluciones activas <strong>con</strong>corriente sinusoidal, en dos etapas. Las limitaciones <strong>de</strong> estas soluciones <strong>con</strong>stituyen la motivaciónprincipal <strong>de</strong>l grupo <strong>de</strong> soluciones activas que presentan corriente <strong>de</strong> entrada no sinusoidal. Este grupocomparte estado <strong>de</strong> la técnica <strong>con</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos en este trabajo y han sido <strong>de</strong>stacadosen negro en la figura 1.14. Las distintas soluciones serán <strong>de</strong>scritas en el Capítulo 2. 6ROXFLRQHVDFWLYDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDOHQGRVHWDSDVLas referencias que <strong>con</strong>tienen resúmenes <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, [21] a [28], tratan <strong>con</strong> profundidadtodos los aspectos relacionados <strong>con</strong> las soluciones en dos etapas. El número <strong>de</strong> publicaciones acerca<strong>de</strong> éstas es muy numeroso, y se proponen las referencias [35] a [44] como una muestra, que preten<strong>de</strong>ser representativa <strong>de</strong> las diferentes implementaciones, tipos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, técnicas <strong>de</strong> reducción <strong>de</strong>pérdidas <strong>de</strong> potencia y otros aspectos que tienen relación <strong>con</strong> estos circuitos correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong>potencia.A pesar <strong>de</strong> que toda esta información se pue<strong>de</strong> en<strong>con</strong>trar en las referencias propuestas, en esteapartado, se recogerán <strong>de</strong> forma muy resumida las características más significativas <strong>de</strong> las solucionesen dos etapas, y se aprovecha su <strong>de</strong>scripción para introducir algunos aspectos que se utilizarán a lolargo <strong>de</strong>l presente trabajo.26


27)LJXUD&ODVLILFDFLyQ\FDUDFWHUtVWLFDVPiVUHOHYDQWHVGHODVVROXFLRQHVDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD3DUWH,Corriente <strong>de</strong> entradaSinusoidalNO SinusoidalSinusoidal6ROXFLRQHV3DVLYDVCL<strong>CC</strong>/<strong>CC</strong>L<strong>CC</strong>/<strong>CC</strong>C6ROXFLRQHV$FWLYDV'RV(WDSDV&&$&&&&ControlControlWRQLHQGLPÃUHOWRHÃDVÃGGRUHJXODUHVWÃR3RQ DO DV&V&$ FQOLG&ÃV&&$&&&&ControlControl&&&ControlControlOROHDUDÃSFHVDGRUR3Características más relevantes- Simplicidad, robustez, coste reducido.- Ayuda al filtrado <strong>de</strong> la EMI <strong>con</strong>ducida./ Tamaño y peso elevados./ Sólo aplicables a re<strong>de</strong>s <strong>de</strong> <strong>CA</strong> <strong>de</strong> alta frecuencia (20 kHz).- Simplicidad, robustez, coste reducido.- Ayuda al filtrado <strong>de</strong> la EMI <strong>con</strong>ducidas.- Tamaño y peso reducidos para cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase A, en aplicaciones<strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada fija ./ Tamaño y peso elevados para aplicaciones <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada variable en unrango. No aplicables a tensión universal.Características más relevantes- Corriente <strong>de</strong> entrada sinusoidal.- Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento regulada.- Flexibilidad <strong>de</strong> diseño. Muchas topologías aplicables. Existen técnicas paraminimizar pérdidas <strong>de</strong> potencia. Tecnología madura./ Dos <strong>con</strong>vertidores completos <strong>con</strong> dos lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol. Mayor complejidad ycoste, sobre todo para baja potencia./ La energía se procesa íntegramente en los dos <strong>con</strong>vertidores, (Procesadodoble). Peor rendimiento global.--Rendimiento global mejorado sobre la solución en 2 etapas, gracias aluso <strong>de</strong> un post – regulador muy optimizado.- Solución ventajosa para tensión <strong>de</strong> salida elevada./ Se impone el uso <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>de</strong> dos salidas.- La potencia se procesa 1,32 veces. Potencial mayor rendimiento que el<strong>con</strong>vertidor en dos etapas.- Etapa <strong>de</strong> potencia muy compleja. Mínimo tres interruptores./ Necesario un esquema <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol específico.Referencias[31][29], [30], [32]Referencias[35] – [44][45] - [46][47] - [48]&DStWXOR ,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD


OR QDO% L GL U HFFLO28)LJXUD&ODVLILFDFLyQ\FDUDFWHUtVWLFDVPiVUHOHYDQWHVGHODVVROXFLRQHVDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD3DUWH,,6HGHVWDFDHOJUXSRGHVROXFLRQHVTXHFRPSRQHQHOHVWDGRGHODWpFQLFDGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Corriente <strong>de</strong> entradaSinusoidalNo Sinusoidal6ROXFLRQHV$FWLYDVFLDQWHRHÃSHVÃGXTORHÃEÃGQDFLyLFEHX5&&$&ControlControlHULHUÃ6RGODXJUHVWÃR3&&$&DOQFLRLUHLGUÃERYHUWLGQR&VRFWLYVÃDILOWUR&&&ControlControl&&$&Control&&&DQFLRLUHLG%Control&&&ControlConvertidorControlbi-direccional&&&&$&&WURQR&&&&Características más relevantes--//-//-//--/La potencia <strong>de</strong> salida se procesa 1,5 veces. Potencial mayor rendimiento queel <strong>con</strong>vertidor en dos etapas.Las etapas <strong>de</strong> potencia y sus <strong>con</strong>troles no necesitan se modificados.Uso <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores completos, in<strong>con</strong>veniente para baja potencia.El campo <strong>de</strong> aplicación se reduce <strong>de</strong>bido a la <strong>con</strong>exión serie <strong>de</strong> las dosetapas.Solo se procesa dos veces el 15% <strong>de</strong> la potencia total. Potencial mayorrendimiento que el <strong>con</strong>vertidor en dos etapas.Uso <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores completos, in<strong>con</strong>veniente para baja potencia.Solicitaciones eléctricas elevadas en el post -regulador <strong>de</strong>bido a la diferenciaentre sus tensiones <strong>de</strong> entrada y salida. Debe estar diseñado para la corrientenominal.La potencia <strong>de</strong> salida se procesa 1,64 veces. Potencial mayor rendimiento queel <strong>con</strong>vertidor en dos etapas.Uso <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores completos, in<strong>con</strong>veniente para baja potencia.El <strong>con</strong>vertidor bi-direccional requiere el uso <strong>de</strong> MOSFET en lugar <strong>de</strong> diodos.Conectado en paralelo <strong>con</strong> un sistema ya existente, permite inyectar en la redcorriente sinusoidal sin necesidad <strong>de</strong> realizar ningún cambio en dicho sistema.Elevado rendimiento.El <strong>con</strong>vertidor bi-direccional ha <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducir elevados picos <strong>de</strong> corriente.VHÃ$ODÃ&G HÃ OD Ã ,( &Ã HÃODVÃGDWR GOX ODVR XJOtP L W HVÃ EVÃD ÃUHRLWH ÃQH QÃ OR VÃ WRQÃOtPLHWRQ DPLHWRQLH Ã6 yO R Ã V HÃ F XPSO OLPDFHQSP OPX HÃDÃFR UÃGG RLPG G DO LWDVDGQ ÃOLPHQUÃUHÃHMRVWHR OÃP Q RÃ V L Q XVRL FLD GQQ RWH OÃFR ÃHUÃFFLDR Q H QWHÃ HÃS QÃHÃG QRHQ WHR0 3 & RUL JDQVLyHQ57--///Referencias[49][50][51][52]@Ã>@Ã>&DStWXOR ,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD (OHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDEl primer <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> los que <strong>con</strong>sta una solución en dos etapas es el <strong>de</strong>nominado pre-regulador <strong>de</strong>lfactor <strong>de</strong> potencia (PFP) o <strong>con</strong>vertidor corrector <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia (CFP). Si este <strong>con</strong>vertidor se<strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra i<strong>de</strong>al, la red eléctrica ve a éste, comportarse como una resistencia; la corriente no presentarádistorsión alguna y el factor <strong>de</strong> potencia será la unidad. Por ello a esta solución se le <strong>de</strong>nominaemulador <strong>de</strong> resistencia. El caso monofásico se representa en la figura 1.15.L 5(&7L 2 , 2 L (L &9 5(&75& 9 2&DUJD(PXODGRUGHUHVLVWHQFLD)LJXUD(VTXHPDGHOHPXODGRUGHUHVLVWHQFLD&RQYHUWLGRUDOWHUQDFRQWLQXDLGHDOTXHGHPDQGDFRUULHQWHVLQXVRLGDOGHODUHGLas principales formas <strong>de</strong> onda correspondientes al emulador <strong>de</strong> resistencia se muestran en la figura1.16. En esta se pue<strong>de</strong> observar, como para un periodo <strong>de</strong> red tanto la tensión como la corriente <strong>de</strong>entrada rectificadas (Y RECT e L RECT en la figura 1.16) presentan su máximos y pasos por cero cadasemiperiodo <strong>de</strong> red.Y E , L Ea) Y E , L Eb)Y RECT , L RECT&ÃDOPDFHQDÃHQHUJtDS EL O&ÃFHGHÃHQHUJtDP OI OY OY OV OV O0p 2.pŠtp 2.pŠt)LJXUD)RUPDVGHRQGDSULQFLSDOHVFRUUHVSRQGLHQWHVDXQHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDLGHDOD&RUULHQWHV\WHQVLRQHVE3RWHQFLDVEn <strong>con</strong>secuencia, la corriente L O , que el <strong>con</strong>vertidor inyecta al <strong>con</strong>junto formado por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 129


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDy la carga, presentará también un máximo y un paso por cero cada semiperiodo <strong>de</strong> red. Teniendo encuenta que la componente alterna <strong>de</strong> la corriente L O circulará integra a través <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 latensión <strong>de</strong> salida, Y O , presentará un rizado <strong>de</strong>l doble <strong>de</strong> frecuencia que la frecuencia <strong>de</strong> red (100 Hz –120 Hz).Este rizado viene dado por la expresión (1.11)DY232=w × & × 912(1.11) (TXLOLEULRGHSRWHQFLDVHQHOHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDEn la figura 1.16.b, se pue<strong>de</strong> observar cómo la potencia <strong>de</strong> entrada, P E , respon<strong>de</strong> a la funciónmatemática seno elevado al cuadrado, por lo que en un ciclo <strong>de</strong> red pulsa dos veces y presenta unvalor medio distinto <strong>de</strong> cero. La potencia proporcionada a la carga es <strong>con</strong>stante y <strong>de</strong> valor P O , por loque realizando un equilibrio <strong>de</strong> potencias, el valor medio <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada resultará ser igual ala potencia <strong>de</strong> salida.Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 1.16.b, durante un cuarto <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> red el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1absorbe el exceso <strong>de</strong> potencia (respecto <strong>de</strong>l nivel P O ) que presenta la potencia <strong>de</strong> entrada. Durante elsiguiente cuarto <strong>de</strong> ciclo la energía almacenada en C 1 es cedida a la carga, <strong>de</strong> forma que ésta siempreestá alimentada <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante. Debido a que el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 cumple la función <strong>de</strong>almacenar – ce<strong>de</strong>r energía se le <strong>de</strong>nomina <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.7RGRV ORV FRQYHUWLGRUHV DOWHUQD ± FRQWLQXD UHTXLHUHQ OD SUHVHQFLD GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWR SDUDDGDSWDU ODVIRUPDV GH RQGD GH OD SRWHQFLD GH HQWUDGD \ GH VDOLGD 3RUWDQWRVLHPSUHSUHVHQWDUiHOUL]DGRGHEDMDIUHFXHQFLD+]±+] (OSUREOHPDGLQiPLFRGHOHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDEn un emulador <strong>de</strong> resistencia, el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se <strong>con</strong>ecta en paralelo <strong>con</strong> la carga(ver figura 1.17). Por tanto el ciclo <strong>de</strong> trabajo ve variar la tensión <strong>de</strong> salida <strong>con</strong> una frecuencia <strong>de</strong> 100Hz – 120 Hz. Si se permite que el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida se transmita a la tensión <strong>de</strong> error quese utiliza para generar el ciclo <strong>de</strong> trabajo, éste presentará también una oscilación <strong>de</strong> 100 Hz –120 Hz,L (L 5(&7(PXODGRUÃGHÃUHVLVWHQFLDL &L 2 , 2 E7HQVLyQÃGHÃVDOLGD&RUULHQWHÃGHÃVDOLGD9 5(&75& 9 2& DUJDF7HQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃUHFWLILFDGD&RUULHQWHÃGHÃHQWUDGDÃUHFWLILFDGDDCiclo <strong>de</strong> trabajoreferenciaG&LFORÃGHÃWUDEDMRTensión <strong>de</strong> error)LJXUDD(VTXHPDEiVLFRGHOHPXODGRUGHUHVLVWHQFLD\VXOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ)RUPDVGHRQGDFRUUHVSRQGLHQWHVDXQOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQTXHWUDQVPLWHODYDULDFLyQGH+]GHODWHQVLyQGHVDOLGDDOFLFORGHWUDEDMRE7HQVLyQ\FRUULHQWHGHVDOLGDF7HQVLyQ\FRUULHQWHGHHQWUDGDG&LFORGHWUDEDMR30


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDcuyo efecto se pue<strong>de</strong> apreciar en la figura 1.17.d.Por otro lado, en la figura 1.17.c se pue<strong>de</strong> observar la distorsión que aparece en la corriente <strong>de</strong> entrada<strong>de</strong>bido a que el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida ha provocado que el ciclo <strong>de</strong> trabajo varíe <strong>con</strong> el ángulo<strong>de</strong> red y a<strong>de</strong>más que se <strong>de</strong>sfase respecto a la tensión <strong>de</strong> entrada rectificada. Sin embargo, <strong>de</strong>bido a queel lazo <strong>de</strong> realimentación implementado tiene un ancho <strong>de</strong> banda superior a los 100 Hz – 120 Hz <strong>de</strong>lrizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, ante una variación brusca <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga, el ciclo <strong>de</strong> trabajoreacciona <strong>de</strong> forma instantánea manteniendo la tensión <strong>de</strong> salida estable.La elevada distorsión <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada impi<strong>de</strong> el cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la norma IEC61000-3-2, por lo que se hace necesario eliminar la influencia <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida sobreel ciclo <strong>de</strong> trabajo. Para ello, el propio regulador filtrará este rizado, <strong>de</strong> manera que la tensión <strong>de</strong> errorresponda exclusivamente a las variaciones <strong>de</strong>l valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida. Para ello, lafrecuencia <strong>de</strong> corte <strong>de</strong> dicho filtro paso - bajo ha <strong>de</strong> ser muy reducida, en la mayoría <strong>de</strong> los casosinferior a los 5 Hz.La inclusión <strong>de</strong>l filtro paso - bajo en el lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong>l pre-regulador <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia(PFP) implica que la respuesta ante variaciones bruscas <strong>de</strong> la carga sea muy lenta, <strong>de</strong> forma quetranscurren varios ciclos <strong>de</strong> red antes <strong>de</strong> que el valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida alcance <strong>de</strong> nuevo suvalor nominal. Esta pobre respuesta dinámica impone la necesidad <strong>de</strong> <strong>con</strong>ectar a la salida <strong>de</strong>l PFP unnuevo <strong>con</strong>vertidor, esta vez un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> /<strong>CC</strong>, que proporcione una tensión <strong>de</strong> salida bienregulada, <strong>con</strong> respuesta dinámica rápida. En la figura 1.18 se representa la <strong>con</strong>figuración final <strong>de</strong> lasolución en dos etapas.&$&&3)3&&&&Ciclo <strong>de</strong> trabajo)LOWURÃSDVREDMR-Control/D]RÃGHÃUHDOLPHQWDFLyQÃGHÃEDQGDÃDQFKDÃOD]RÃUiSLGR5 Hz+ Ref./D]RÃGHÃUHDOLPHQWDFLyQÃGHÃDQFKRÃGHÃEDQGDÃUHGXFLGRÃOD]RÃOHQWR)LJXUD&RQYHUWLGRUDOWHUQDFRQWLQXDHQGRVHWDSDV6HUHSUHVHQWDQORVDQFKRVGHEDQGDGHORVOD]RVGHUHDOLPHQWDFLyQGHORVGRVFRQYHUWLGRUHVPor tanto, cualquier <strong>con</strong>vertidor alterna – <strong>con</strong>tinua que <strong>de</strong>ba presentar respuesta dinámica rápida,<strong>de</strong>berá reubicar el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, <strong>de</strong>splazándolo <strong>de</strong> la salida para situarlo en otraposición, don<strong>de</strong> siga proporcionando el equilibrio entre las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> entrada ysalida, pero cuyo rizado <strong>de</strong> baja frecuencia no limite el ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor. Estas premisas las cumple el segundo <strong>con</strong>vertidor en la solución en dos etapas, aunque suinclusión encarece la solución completa.31


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD 7RSRORJtDVYiOLGDVSDUDLPSOHPHQWDUXQHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDPara implementar el emulador <strong>de</strong> resistencia o PFP, pue<strong>de</strong>n emplearse en principio bastantestopologías <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>tinua - <strong>con</strong>tinua <strong>con</strong>mutados. Sin embargo estos <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>bencumplir dos propieda<strong>de</strong>s para que puedan obtener una corriente <strong>de</strong> entrada sinusoidal. Estaspropieda<strong>de</strong>s están asociadas <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l PFP y <strong>con</strong> la resistencia <strong>de</strong>carga que ve este <strong>con</strong>vertidor. En la figura 1.19 se han representado estas magnitu<strong>de</strong>s para el emulador<strong>de</strong> resistencia i<strong>de</strong>al.a)Y RECT , V O.V G Sen(w t)b)L O (w t), V OV O MV GV O R O / 2m(w t)r O (w t))LJXUDD5HODFLyQGHFRQYHUVLyQGHWHQVLRQHVPw WE5HVLVWHQFLDYLVWDSRUHO3)3U 2 w W• 5HODFLyQ GH FRQYHUVLyQ GH WHQVLRQHV PZW. Relación entre la tensión <strong>de</strong> salida y latensión <strong>de</strong> entrada instantánea. Viene dada por la expresión (1.12).9 9P(w 22W)= =Y ( w W)9 × 6HQ(w W)=(*06HQ(w W)(1.12)Esta relación tomará valores muy altos en las proximida<strong>de</strong>s al paso por cero <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entrada, i<strong>de</strong>almente infinito. Por tanto, no serán válidas aquellas topologías en las cualesla relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones esté acotada, tal es el caso <strong>de</strong> todas las topologías<strong>de</strong>rivadas <strong>de</strong> la reductora ()RUZDUG, 3XVKSXOO, medio puente y puente completo).• 5HVLVWHQFLD GH FDUJD. Si se divi<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (que resulta prácticamente<strong>con</strong>stante) entre la corriente <strong>de</strong> salida que proporciona el <strong>con</strong>vertidor, L O (w t) (ver figura1.17.a), la resistencia <strong>de</strong> carga resulta ser variable y viene dada por (1.13).1 5( w W)= ×2 6HQ(w W)2U22(1.13)La resistencia vista por el pre-regulador pue<strong>de</strong> variar entre la mitad <strong>de</strong> la resistencia <strong>de</strong>carga e infinito. Por tanto, para que un <strong>con</strong>vertidor pueda utilizarse como emulador <strong>de</strong>resistencia i<strong>de</strong>al, ha <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r operar en vacío.A la vista <strong>de</strong> los dos requisitos exigidos por las dos propieda<strong>de</strong>s anteriores, las topologías válidas paraimplementar un emulador <strong>de</strong> resistencia i<strong>de</strong>al son las que se recogen en la tabla 1.4.A<strong>de</strong>más <strong>de</strong> las topologías básicas recogidas en la tabla 1.4, pue<strong>de</strong>n utilizarse variaciones <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores anteriores, tales como <strong>con</strong>vertidores cuasi-resonantes <strong>con</strong>mutados a corriente cero [43],así como otras topologías <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación suave, sobre todo aquellas que reducen las pérdidas en el32


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD<strong>con</strong>vertidor elevador, tales como las topologías <strong>con</strong> transición a tensión cero (ZVT) [41].Topologías sin aislamientoElevadorReductor-ElevadorSEPI<strong>CC</strong>ukTopologías <strong>con</strong> aislamiento)O\EDFNSEPI<strong>CC</strong>uk7DEOD7RSRORJtDVYiOLGDVSDUDLPSOHPHQWDUXQHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDLGHDO 0pWRGRVGHFRQWUROGHOHPXODGRUGHUHVLVWHQFLDDos son las estrategias básicas para implementar un emulador <strong>de</strong> resistencia, el <strong>con</strong>trol pormultiplicador y el <strong>con</strong>trol como seguidor <strong>de</strong> tensión. En los siguientes párrafos se <strong>de</strong>scribenbrevemente estos dos métodos aplicados sobre las topologías más usuales a las que éstas se asocian.La topología elevadora junto <strong>con</strong> el <strong>con</strong>trol por multiplicador y la topología )O\EDFN <strong>con</strong>trolada comoseguidor <strong>de</strong> tensión.1.6.1.5.1 CONTROL POR MULTIPLI<strong>CA</strong>DOR APLI<strong>CA</strong>DO AL CONVERTIDOR ELEVADOR.Aunque este tipo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol pue<strong>de</strong> aplicarse a numerosas topologías, su utilización junto <strong>con</strong> el<strong>con</strong>vertidor elevador está muy extendida. En la figura 1.20 se recoge el esquema básico <strong>de</strong> estaaplicación.L (/D]RÃGHÃFRUULHQWHÃSURPHGLDGDL 5(&7 L / /& 1/KinR.I-+L /Filtro altafrecuencia-+XZ=X.YYL 5(&7Multiplicador-+Vref/D]RÃGHÃWHQVLyQÃGHÃDQFKRÃGHÃEDQGDÃUHGXFLGR9 2)LJXUD(VTXHPDEiVLFRGHOFRQWUROSRUPXOWLSOLFDGRUDSOLFDGRDOFRQYHUWLGRUHOHYDGRU& DUJDEn ella, la inductancia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorelevador opera en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción<strong>con</strong>tinuo (M<strong>CC</strong>), por lo que su corriente no seanulará <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Ellazo interno <strong>de</strong> corriente obliga a que laFRUULHQWH PHGLD SRU OD LQGXFWDQFLD /VHQVDGD FRQ XQ EORTXH GH JDQDQFLD 5,GHVFULEDXQDVLQXVRLGH, ya que la referencia<strong>de</strong> este lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol viene impuesto por unaseñal proporcional a la tensión <strong>de</strong> entradarectificada, que fija la forma <strong>de</strong> la referencia,multiplicada por la señal <strong>de</strong> error <strong>de</strong>l lazoexterno <strong>de</strong> tensión. Esta última entrada almultiplicador proporciona la escala <strong>de</strong> lareferencia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> corriente. Toda lacircuitería necesaria está disponible, integradaen circuitos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol comerciales, aunque sucoste no es reducido.33


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD1.6.1.5.2 CONTROL COMO SEGUIDOR DE TENSIÓN APLI<strong>CA</strong>DO AL CONVERTIDOR )/


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD<strong>con</strong>vertidor en M<strong>CC</strong>. La operación en este modo presenta una pérdidas <strong>de</strong> potencia reducidas, lo quepermite exten<strong>de</strong>r la aplicación <strong>de</strong> esta solución hasta unos 1000W (por encima <strong>de</strong> estas potencias serequiere incluir alguna técnica <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación suave). Sin embargo, su implementación resultacompleja y bastante cara, siendo el coste <strong>de</strong>l circuito integrado <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol una parte importante, que nose justifica para pequeñas potencias.El <strong>con</strong>trol como seguidor <strong>de</strong> tensión aplicado sobre el <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN es una solución mucho mássencilla y barata, pero la operación en MCD supone unas corrientes eficaces más elevadas que en elcaso anterior. El menor rendimiento asociado al MCD imposibilita el uso <strong>de</strong> esta solución parapotencias superiores a los 300W.En <strong>de</strong>finitiva el <strong>con</strong>vertidor elevador <strong>con</strong> el <strong>con</strong>trol por multiplicador encuentra su campo <strong>de</strong>aplicación óptimo en potencias elevadas, mientras que la solución como seguidor <strong>de</strong> tensión serestringe a potencias pequeñas. (YROXFLyQGHODVVROXFLRQHVSDUDODFRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLDHabitualmente, la industria está alejada <strong>de</strong>l frente que las publicaciones van abriendo en cuanto anuevas i<strong>de</strong>as, finalmente pocas <strong>de</strong> éstas llegan a <strong>de</strong>sarrollarse industrialmente y a comercializarse. Sinembargo, sí es importante medir, al menos, a nivel <strong>de</strong> publicaciones, que temas están “calientes” ycuales pier<strong>de</strong>n interés. En el ámbito <strong>de</strong> la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia, en la figura 1.22 se hatratado <strong>de</strong> aportar información en este sentido. Dicha información ayudará a centrar don<strong>de</strong> se ubica elestado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos en este trabajo.En García [21] se introduce un interesante análisis acerca <strong>de</strong>l número <strong>de</strong> publicaciones sobrecorrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia en los dos <strong>con</strong>ferencias anuales más importante, <strong>de</strong> las que el IEEE<strong>de</strong>dica a la electrónica <strong>de</strong> potencia, PESC (3RZHU (OHFWURQLFV 6SHFLDOLVW &RQIHUHQFH) y APEC($SSOLHG3RZHU(OHFWURQLFV&RQIHUHQFHDQG([SRVLWLRQ).Este análisis pue<strong>de</strong> ser una medida cualitativa <strong>de</strong> cómo han ido evolucionando las técnicas <strong>de</strong> CFP ycomo el interés que cada una <strong>de</strong> ellas ha suscitado, ha ido variando. En la figura 1.22 se propone unacurva que mi<strong>de</strong> la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>l número <strong>de</strong> publicaciones <strong>de</strong>dicadas a esta temática, utilizando lamisma fuente que en [21] y completando esta información <strong>con</strong> las últimas <strong>con</strong>ferencias celebradas.Al igual que en otros ámbitos tecnológicos, la electrónica <strong>de</strong> potencia, ha sufrido <strong>de</strong> ciertas modas, encuanto a qué temas suscitan un mayor interés <strong>de</strong> unas <strong>con</strong>ferencias a otras. Las temáticas que acaparanel mayor número <strong>de</strong> publicaciones y <strong>de</strong> sesiones que se le <strong>de</strong>dican en cada <strong>con</strong>ferencia han idocambiando a lo largo <strong>de</strong> los años. Por ejemplo, en la evolución <strong>de</strong> las fuentes <strong>con</strong>mutadas la primeraépoca ha estado marcada por los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> modulación PWM <strong>con</strong> transiciones bruscas. En losprimeros años 90, el interés se centraba en los <strong>con</strong>vertidores resonantes y aproximadamente a partir <strong>de</strong>1996 se ha vuelto <strong>de</strong> nuevo las transiciones bruscas, quedando activas solo técnicas <strong>de</strong> transicionessuaves pero también <strong>con</strong> modulación PWM. Estas modas se producen por ejemplo a partir <strong>de</strong>l<strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong> mejores componentes (introducción <strong>de</strong>l IGBT), <strong>de</strong> necesida<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l mercado(alimentación <strong>de</strong> microprocesadores y DSP), etc. En el caso <strong>con</strong>creto <strong>de</strong> los CFP, la moda ha estadosiempre fuertemente relacionada <strong>con</strong> la evolución <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. Este aspecto pue<strong>de</strong>comprobarse en la figura 1.22.Des<strong>de</strong> que en 1982 se publicara la norma IEC 555-2, los CFP han ido suscitando un interés creciente.La primera etapa, hasta aproximadamente 1995, centraba su interés en los CFP en dos etapas y los35


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLDartículos que se presentaban recogían aspectos tales como las distintas topologías válidas paraimplementar los emuladores <strong>de</strong> resistencia, sus métodos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol y también las técnicas para reducirlas pérdidas <strong>de</strong> potencia, sobre todo <strong>con</strong>vertidores cuasi – resonantes y posteriormente técnicas <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación suave, como las ya comentadas ZVT.1žGHSXEOLFDFLRQHVHQ&)32 Etapas• Topologías• Métodos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol• Técnicas <strong>con</strong>mutación suave yresonantes, etc.Mejor procesadoenergético1 Etapa2 Etapas• CFP Elevador• Control digital <strong>de</strong> CFPFiltros pasivos1982,(&Ã1992 1993 19941996 1997 1998 19992001 2002,(&Ã(1ÃÃÃ$)LJXUD(YROXFLyQWHPSRUDOGHODVWpFQLFDVGH&)3A partir <strong>de</strong> 1995, <strong>con</strong> la publicación <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2: 1995, se incrementan los artículos <strong>de</strong>CFP y comienzan a aparecer las <strong>de</strong>nominadas soluciones <strong>de</strong> mejor procesado energético.Paulatinamente el interés se va <strong>de</strong>splazando hacia las soluciones <strong>con</strong> corriente no sinusoidalintentando reducir fundamentalmente el coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Dentro <strong>de</strong> esta ten<strong>de</strong>ncia, quefinalmente se ha venido a <strong>de</strong>nominar como CFP en una etapa, se han propuesto también múltiplesalternativas, fundamentalmente para aplicaciones <strong>de</strong> baja potencia. El ritmo <strong>de</strong> crecimiento <strong>de</strong> laspublicaciones, que en 1995 aumentaba <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rablemente, paulatinamente se ha ido frenando eincluso ha <strong>de</strong>scendiendo <strong>de</strong> forma notable a partir <strong>de</strong> 1999.En 2000, la publicación <strong>de</strong> la enmienda 14 a la norma EN 6100-3-2 (y su homóloga IEC 61000-3-2:2000) vuelve a variar el ámbito <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> los circuitos <strong>con</strong> CFP. Una técnica habitual que<strong>con</strong>sistía en escapar <strong>de</strong> la Clase D para pasar a cumplir los límites absolutos <strong>de</strong> la Clase A, ya no va apo<strong>de</strong>r ser aplicada para alimentar los or<strong>de</strong>nadores personales, sus monitores y los receptores <strong>de</strong>televisión. Sin embargo, muchos más equipos quedan clasificados directamente <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la Clase A,<strong>con</strong> lo que para bajas potencias, el cumplimiento <strong>de</strong> los límites se obtiene sin mucho esfuerzo. De estaforma, por ejemplo, <strong>de</strong> nuevo las soluciones pasivas suscitan interés. También se <strong>de</strong>spren<strong>de</strong> <strong>de</strong> estaevolución, el interés <strong>de</strong> <strong>con</strong>tar <strong>con</strong> soluciones que <strong>con</strong>servando las ventajas e<strong>con</strong>ómicas <strong>de</strong> lassoluciones <strong>de</strong> corriente no sinusoidal, sean capaces <strong>de</strong> cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D.Ante la perspectiva que establece la nueva IEC 61000-3-2: 2000, aunque siguen apareciendo algunaspublicaciones sobre CFP en una etapa, se ha producido una inversión <strong>de</strong>l número <strong>de</strong> publicaciones, <strong>de</strong>forma que las soluciones en dos etapas han vuelto a adquirir protagonismo, sobre todo basadas en latopología elevadora, a la que se ha añadido un <strong>con</strong>trol digital.36


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD %HQHILFLRV \ OLPLWDFLRQHV GH ODV VROXFLRQHV DFWLYDV SDUD OD FRUUHFFLyQ GHOIDFWRUGHSRWHQFLDA lo largo <strong>de</strong>l apartado 1.6 se ha <strong>de</strong>scrito brevemente el estado <strong>de</strong> la técnica general <strong>de</strong> las distintassoluciones para mejorar el factor <strong>de</strong> potencia. Las soluciones activas resultan las más interesantes portener un campo <strong>de</strong> aplicación más amplio.Dentro <strong>de</strong> las soluciones activas, tal y como se <strong>de</strong>spren<strong>de</strong> <strong>de</strong> la información recogida en las figuras1.13 y 1.14, tres son los gran<strong>de</strong>s grupos que <strong>de</strong>ben tenerse en cuenta.• 6ROXFLRQHVHQGRVHWDSDV. El primer gran grupo lo <strong>con</strong>stituyen las <strong>de</strong>nominados CFP endos etapas. Su corriente sinusoidal, tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento regulada,gran versatilidad en el diseño (numerosas topologías aplicables, distintos tipos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol,técnicas <strong>de</strong> reducción <strong>de</strong> pérdidas <strong>de</strong> potencia), junto <strong>con</strong> ser ya en la actualidad unatecnología madura y <strong>con</strong>trastada, hacen <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores la solución más extendida anivel industrial. Estas soluciones siguen plenamente vigentes en la actualidad, como lo<strong>de</strong>muestra también el hecho <strong>de</strong> que la comunidad científica vuelve a prestarles nuevamenteatención, dando lugar a publicaciones en las que se proponen estrategias <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol digitalaplicadas sobre estos <strong>con</strong>vertidores. Sin embargo, su elevado coste y su doble procesado <strong>de</strong>la energía ha originado la búsqueda <strong>de</strong> alternativas.• 6ROXFLRQHVFRQFRUULHQWHVLQXVRLGDO\XQPHMRUSURFHVDGRHQHUJpWLFR. Estas solucioneshan perseguido mejorar el rendimiento <strong>de</strong>l anterior grupo al no procesar íntegramente dosveces la potencia <strong>de</strong> carga. Sin embargo en la mayoría <strong>de</strong> los casos se siguen necesitandodos <strong>con</strong>vertidores completos <strong>con</strong> lo que no se ha mejorado el coste <strong>de</strong> la solución. Estaalternativa, <strong>de</strong>bido a que absorben corriente sinusoidal, pue<strong>de</strong> ser interesante para potenciasmedias (500 W en a<strong>de</strong>lante), si se produce una mejora real <strong>de</strong>l rendimiento respecto <strong>de</strong> lasdos etapas y siempre y cuando el circuito propuesto no resulte mucho más complejo o caroque la solución en dos etapas.• 6ROXFLRQHVFRQFRUULHQWHQRVLQXVRLGDO. El objetivo <strong>de</strong> estas es el ahorro <strong>de</strong>l coste graciasa la distorsión <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada que permite la norma. Su uso se ve restringido abajas potencias (inferior a 500 W) <strong>de</strong>bido precisamente al <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> lacorriente. Este grupo ha sido <strong>de</strong>nominado genéricamente como soluciones en una etapa,aunque en ocasiones se incluyen <strong>con</strong>vertidores que estrictamente presentan más <strong>de</strong> unaetapa.Los <strong>con</strong>vertidores SII, que se proponen en este trabajo <strong>de</strong> tesis, se encuadran <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> este últimogrupo <strong>de</strong> CFP. Por tanto, el Capítulo 2 <strong>de</strong> este trabajo recoge las soluciones más interesantes entre los<strong>con</strong>vertidores en una etapa (o si se persigue una mayor precisión, <strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada nosinusoidal) <strong>con</strong>stituyendo el estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.37


&DStWXOR,QWURGXFFLyQDOD&RUUHFFLyQGHO)DFWRUGH3RWHQFLD &RQFOXVLRQHVEn este capítulo se ha <strong>de</strong>scrito la problemática asociada a los armónicos <strong>de</strong> corriente y el marco legalal que estos están sujetos. /D8QLyQ(XURSHDLPSRQH a través <strong>de</strong> la 'LUHFWLYD sobre CompatibilidadElectromagnética, &((ODUHGXFFLyQGHORVDUPyQLFRVGHFRUULHQWH. El método más eficazpara cumplir los requisitos esenciales <strong>de</strong> esta Directiva Comunitaria, para <strong>de</strong>spués estampar elPDUFDGR&(\SRGHUFRPHUFLDOL]DUOLEUHPHQWHHOSURGXFWRHQOD8QLyQ(XURSHD es cumplir loslímites impuestos por la QRUPDDUPRQL]DGD,(&(181(.A<strong>de</strong>más se han analizado las distintas soluciones que se plantean <strong>de</strong> forma general al problema <strong>de</strong> losarmónicos <strong>de</strong> corriente, y que se encuadran bajo el nombre <strong>de</strong> circuitos FRUUHFWRUHV GHOIDFWRU GHSRWHQFLD. La solución mas extendida, los &)3 HQ GRV HWDSDV, a pesar <strong>de</strong> sus indudables ventajaspresentan un FRVWHHOHYDGR\XQGREOHSURFHVDGRGHODHQHUJtD lo que provoca que su aplicación nosiempre resulte óptima. En <strong>con</strong>secuencia han aparecido otras alternativas que se han <strong>de</strong>scrito y que seagrupan en dos categorías:• Aquellas, que para el mismo rango <strong>de</strong> potencia que los CFP en dos etapas y <strong>con</strong>sumiendotambién corriente sinusoidal, persiguen PHMRUDU HO SURFHVDGR HQHUJpWLFR y en<strong>con</strong>secuencia el rendimiento.• Aquellas que para EDMD SRWHQFLD persiguen DEDUDWDU HO FRVWH. Estas últimas <strong>de</strong>mandanFRUULHQWHQRVLQXVRLGDO y se han <strong>de</strong>nominado <strong>de</strong> forma genérica como VROXFLRQHVHQXQDHWDSD.La HYROXFLyQ GH OD QRUPD ,(& KD FRQGLFLRQDGR HO FDPSR GH DSOLFDFLyQ GH ORVFRQYHUWLGRUHV &$ && HQ XQD HWDSD. Aunque las soluciones que solo cumplen los límites <strong>de</strong> laClase A van a exten<strong>de</strong>r su campo <strong>de</strong> aplicación, HVLPSRUWDQWHWDPELpQHQFRQWUDUVROXFLRQHVTXHVLQUHQXQFLDUDODUHGXFFLyQGHFRVWHSXHGDQFXPSOLUORVOtPLWHVGHOD&ODVH'.Los FRQYHUWLGRUHV TXH VH SURSRQHQ HQ HVWH WUDEDMR se encuadran <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> las VROXFLRQHV FRQFRUULHQWHGHHQWUDGDQRVLQXVRLGDO, cuyo estado <strong>de</strong> la técnica se recoge en el Capítulo 2.38


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO ,QWURGXFFLyQ 41 3DUiPHWURVGHFRPSDUDFLyQHQWUHODVGLVWLQWDVVROXFLRQHV 41 5HSDVRGHODVVROXFLRQHVPiVLQWHUHVDQWHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFD 425HGXFFLyQGHOQ~PHURGHLQWHUUXSWRUHV 425HGXFFLyQGHOD]RVGHFRQWURO 44&RPELQDFLyQGHWRSRORJtDV 46&RQIRUPDGRUHVGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD 472.3.4.1 Transformador multi<strong>de</strong>vanado. 492.3.4.2 <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> <strong>con</strong>exión <strong>de</strong> una fuente <strong>de</strong> tensión y una resistencia sin 50pérdidas.6DOLGDForwardDGLFLRQDO 50&RQYHUWLGRUHVFRQGRVHQWUDGDV 52&RQYHUWLGRUHVFRQVHOHFWRUGHUDQJR 530pULWRV\OLPLWDFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFD 542.3.8.1 Estrategia seguida en este trabajo. 56 &RQFOXVLRQHV 5739


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO40


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO ,QWURGXFFLyQEn este capítulo se realizará un repaso <strong>de</strong> las soluciones más <strong>de</strong>stacadas que comparten objetivos <strong>con</strong>los <strong>con</strong>vertidores que se proponen en este trabajo <strong>de</strong> tesis. Se analizarán las soluciones <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia que <strong>de</strong>mandan <strong>de</strong> la red una corriente no sinusoidal.El principal objetivo <strong>de</strong> las soluciones <strong>con</strong> corriente no sinusoidal es la reducción <strong>de</strong>l coste respecto alas soluciones en dos etapas, para el rango <strong>de</strong> potencia al que son aplicables. Este rango quedarestringido a un máximo <strong>de</strong> unos 500W, <strong>de</strong>bido a que la distorsión <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada requerirálimitar la potencia para que sus armónicos resulten inferiores a los correspondientes límites.Dentro <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica que se va a <strong>de</strong>scribir, existen también numerosas estrategias para<strong>con</strong>seguir limitar el <strong>con</strong>tenido armónico intentando reducir el coste y el tamaño <strong>de</strong> la solución. Entodas ellas se persigue procesar la potencia el menor número <strong>de</strong> veces, aunque en la mayoría <strong>de</strong> lassoluciones, este procesado es mayor que la unidad, ya que o bien la potencia <strong>de</strong> entrada se divi<strong>de</strong> endos partes una <strong>de</strong> las cuales se procesa dos veces, o bien una cierta cantidad <strong>de</strong> la energía que procesael <strong>con</strong>vertidor se va a recircular hacia la entrada <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> <strong>con</strong>formar la corriente <strong>de</strong> red. De formagenérica se ha <strong>de</strong>nominado como FRUUHFWRUHV GHO IDFWRU GH SRWHQFLD HQ XQD HWDSD a todas lassoluciones que procesaban la potencia un número <strong>de</strong> veces inferior a dos. Sin embargo, estrictamenteel procesado único no se llega a dar en casi ninguna solución. Como rasgo común a todos ellos pue<strong>de</strong>en<strong>con</strong>trarse, que el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se <strong>de</strong>splaza <strong>de</strong> la salida <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor a otraposición don<strong>de</strong> su rizado <strong>de</strong> baja frecuencia no limite el ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación yen <strong>con</strong>secuencia la respuesta dinámica <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida.La revisión <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong>l arte comenzará repasando aquellos parámetros que pue<strong>de</strong>n servir paraestablecer las ventajas e in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> las soluciones que se va a <strong>de</strong>scribir. A<strong>con</strong>tinuación se presentarán las distintas soluciones <strong>de</strong>stacando la estrategia en la que se basan asícomo su ventajas e in<strong>con</strong>venientes. Finalmente se obtendrán unas <strong>con</strong>clusiones que preten<strong>de</strong>n <strong>de</strong>stacarlas ventajas y limitaciones <strong>de</strong> las soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica así como la estrategia seguida eneste trabajo <strong>de</strong> tesis y los objetivos que se persiguen. 3DUiPHWURVGHFRPSDUDFLyQHQWUHODVGLVWLQWDVVROXFLRQHVLos parámetros <strong>de</strong> comparación que se <strong>de</strong>scriben en este apartado, permitirán distinguir que solución<strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica resulta más a<strong>de</strong>cuada y qué ventajas e in<strong>con</strong>venientes presenta la familia <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores propuesta en este trabajo. Estos son:• &DOLGDGGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD. En general será <strong>de</strong>seable, que la corriente <strong>de</strong> entradasea lo más sinusoidal posible, ya que <strong>de</strong> esta forma se amplía el rango <strong>de</strong> potencia al que esaplicable el <strong>con</strong>vertidor. Sin embargo bastará cumplir los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, lo que en el caso <strong>de</strong> los equipos clasificados como Clase A, resultará sencillo, para bajapotencia. Sin embargo, cumplir a<strong>de</strong>más los límites <strong>de</strong> la Clase D proporcionará a lasolución una mayor versatilidad.• 5HQGLPLHQWR\SURFHVDPLHQWRGHHQHUJtD. La <strong>con</strong>versión en dos etapas procesa toda lapotencia <strong>de</strong> salida dos veces. Alguna <strong>de</strong> las soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica presentan unmejor procesado energético, sin embargo el parámetro real <strong>de</strong> comparación ha <strong>de</strong> ser el41


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOrendimiento, ya que un procesado menor que dos, no implica en todos los casos unrendimiento total más elevado.• &RQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR. En la <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento se utiliza para equilibrar las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> entrada.Cuanto mayor sea la variación <strong>de</strong> la tensión que alcanza este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, mayor serán sutamaño y su coste [78] – [80], por tanto un objetivo <strong>de</strong> todas las soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> latécnica será reducir dicha variación. El tiempo <strong>de</strong> mantenimiento que <strong>de</strong>ba proporcionar el<strong>con</strong>vertidor será otro <strong>de</strong> los factores clave que <strong>de</strong>terminarán el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento necesario.Por otro lado, si la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es muy elevada, aumentaránlos esfuerzos eléctricos y las pérdidas, no solo en el propio <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, sino también enlos semi<strong>con</strong>ductores.• &RVWH WDPDxR FRPSOHMLGDG \ ILDELOLGDG. El coste y el tamaño son los objetivosprincipales <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica que se está analizando. Sobre esteaspecto influyen <strong>de</strong> manera notable, el número <strong>de</strong> lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol que necesita el<strong>con</strong>vertidor, el número <strong>de</strong> interruptores <strong>con</strong>trolados que presenta, el tamaño, complejidad<strong>de</strong> diseño y <strong>con</strong>strucción <strong>de</strong> los componentes magnéticos, y <strong>de</strong> manera muy significativa eltamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.• 7HQVLyQGHHQWUDGDXQLYHUVDO. Comercialmente y también <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> reducir costes, es<strong>de</strong>seable que los <strong>con</strong>vertidores puedan aplicarse a todas las tensiones <strong>de</strong> red que se utilizanen los países en los que se pueda ven<strong>de</strong>r la fuente <strong>de</strong> alimentación. La tensión <strong>de</strong> red <strong>de</strong>rango universal o tensión universal varía entre 85 V EF a 265 V EF . Para los países <strong>de</strong> laUnión Europea el rango este rango abarca <strong>de</strong>s<strong>de</strong> 187 V EF a 265 V EF .La capacidad <strong>de</strong> funcionar <strong>con</strong> tensiones <strong>de</strong> entrada tan dispares penaliza parámetros comoel rendimiento, el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, etc. <strong>de</strong> manera que algunos<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica resultan inaplicables ven fuertementerestringido el nivel <strong>de</strong> potencia al que sen aplicables. 5HSDVR GH ODV VROXFLRQHV PiV LQWHUHVDQWHV GHO HVWDGR GH ODWpFQLFDEn esta apartado se recogen las soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica que se han <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado más<strong>de</strong>stacables. Algunas <strong>de</strong> ellas, aunque posiblemente no presenten las mejores características, se hanincluido en este resumen por que pue<strong>de</strong>n ayudar a aclarar <strong>con</strong>ceptos que luego se utilizarán en el resto<strong>de</strong> los capítulos. 5HGXFFLyQGHOQ~PHURGHLQWHUUXSWRUHVEn Redl et al. [53] y [54] se propone una familia <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores que utiliza dos <strong>con</strong>vertidores encascada, pero que comparten el lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol y el interruptor <strong>con</strong>trolado. El diagrama <strong>de</strong> bloques yuna posible implementación se recogen en la figura 2.1.Este interesante procedimiento y los <strong>con</strong>vertidores a los que da lugar han sido el punto <strong>de</strong> partida <strong>de</strong>muchas otras soluciones que han ido incorporándose al estado <strong>de</strong> la técnica en los últimos años.42


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO&$&&3)3a)&&&&b)Elevador)O\EDFNL ER OC 1Y E-C 1ControlControl)LJXUD7pFQLFDGHUHGXFFLyQGHOQ~PHURGHLQWHUUXSWRUHVD'LDJUDPDGHEORTXHVE,PSOHPHQWDFLyQFRQFRPELQDFLyQGHWRSRORJtDVHOHYDGRUD\)O\EDFNAunque comparten el interruptor, los <strong>con</strong>vertidores elevador y )O\EDFN que se han representado en lafigura 2.1.b procesan íntegra toda la potencia <strong>de</strong> carga, <strong>de</strong> forma idéntica a como ocurre en unasolución en dos etapas.Y EL E)LJXUD&RUULHQWHGHHQWUDGDWtSLFDGHORVFRQYHUWLGRUHV&)3FRQUHGXFFLyQGHOQ~PHURGHLQWHUUXSWRUHVA partir <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, el <strong>con</strong>vertidor )O\EDFNalimenta a la carga y funciona como un<strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>vencional, por lo quesi las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> carga y línea no varían ,el ciclo <strong>de</strong> trabajo permanecerá <strong>con</strong>stante.Debido a que el <strong>con</strong>vertidor elevador opera enmodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo, éste se<strong>con</strong>trola como seguidor <strong>de</strong> tensión no i<strong>de</strong>al,presentando una forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corrientecomo la que se recoge en la figura 2.2. En elapartado 1.6.1.5.2 se <strong>de</strong>scribe el método <strong>de</strong><strong>con</strong>trol como seguidor <strong>de</strong> tensión, este métodoaplicado sobre la topología )O\EDFN <strong>con</strong>viertea esta topología en un seguidor i<strong>de</strong>al <strong>de</strong>tensión, que <strong>de</strong>mandará una corriente sinusoidal. Sin embargo, el mismo método <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol aplicadosobre el <strong>con</strong>vertidor elevado operando en MCD no presenta una corriente <strong>de</strong> entrada sinusoidal, por loque se le <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra como seguidor <strong>de</strong> tensión no i<strong>de</strong>al.Las principales ventajas <strong>de</strong> este circuito son:• Reducción <strong>de</strong> coste, ya que se elimina un interruptor y un lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol.• Corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> elevada calidad, que cumplirá los límites <strong>de</strong> la Clase D sindificultad.Los in<strong>con</strong>venientes son:• La tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no está regulada, y varíasignificativamente <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. A<strong>de</strong>más, en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento aparecen valores <strong>de</strong> tensión muy elevados, que imponen el uso <strong>de</strong><strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> alta tensión (>450V), que resultan caros. Estas elevadas tensiones43


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOtambién requieren el uso <strong>de</strong> unos semi<strong>con</strong>ductores <strong>de</strong> alta tensión, también más caros y <strong>con</strong>peores características en <strong>con</strong>ducción.• La potencia <strong>de</strong> salida se procesa íntegra en los dos <strong>con</strong>vertidores internos por lo que no seproduce una mejora respecto a la solución en dos etapas. A<strong>de</strong>más el <strong>con</strong>vertidor elevadorha <strong>de</strong> operar en MCD, lo que reduce su rendimiento y limita la potencia para que esaplicable esta solución. 5HGXFFLyQGHOD]RVGHFRQWUROUna solución similar a la anterior, pero sin compartir los interruptores se propone en García et al. en[55] y [56]. Este grupo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores pue<strong>de</strong>n realizar una división serie <strong>de</strong> la energía (ver figura1.14, grupo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> reubicación <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> potencia) o bien una división paralelo <strong>de</strong>la energía (ver figura 2.3.a). Si los dos <strong>con</strong>vertidores internos se <strong>con</strong>trolan <strong>con</strong> dos lazos <strong>de</strong>realimentación in<strong>de</strong>pendientes, se obtiene una solución <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> entrada sinusoidal [49]. Ahorabien, sobre estos mismos <strong>con</strong>vertidores se pue<strong>de</strong> emplear la estrategia <strong>de</strong> eliminar el lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol<strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, pasando éste a <strong>con</strong>trolarse como seguidor <strong>de</strong> tensión. En la figura 2.3 sepresenta el diagrama <strong>de</strong> bloques y una posible implementación correspondientes a la técnica <strong>de</strong>división paralelo <strong>de</strong> energía.&$&&FRQÃVDOLGDVa)5 2& &&&&Control)O\EDFNT 2b)T T 11T 2R O C 1 ReductorControl)LJXUD7pFQLFDGHUHGXFFLyQGHOD]RVGHFRQWUROD'LDJUDPDGHEORTXHVE,PSOHPHQWDFLyQGHXQFRQYHUWLGRUFRQGLYLVLyQSDUDOHORGHHQHUJtDPHGLDQWHODFRPELQDFLyQGHODVWRSRORJtDV)O\EDFN\UHGXFWRUDLa técnica <strong>de</strong> división paralelo <strong>de</strong> la energía, se basa en que el <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> divi<strong>de</strong> la potenciatomada <strong>de</strong> la red en dos partes, una la ce<strong>de</strong> directamente a la carga y la otra la transfiere al<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. El <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> extrae la potencia <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador paraalimentar a la carga <strong>de</strong> manera complementaria a la potencia <strong>de</strong> simple procesado <strong>de</strong> forma que lapotencia que se la ce<strong>de</strong> a la carga resulta <strong>con</strong>stante. La implementación <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> divisiónparalelo <strong>de</strong> la energía requiere un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong> dos transformadores como se pue<strong>de</strong>observar en la figura 2.3.b.Para que el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada no requiera un lazo <strong>de</strong> regulación propio, éste <strong>de</strong>be operar en modo<strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo <strong>de</strong> forma que pueda ser <strong>con</strong>trolado como seguidor <strong>de</strong> tensión. Ahora bien,la técnica <strong>de</strong> división paralelo <strong>de</strong> energía que utiliza un único lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, no <strong>con</strong>sigue que el ciclo<strong>de</strong> trabajo se mantenga <strong>con</strong>stante <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, ya que la carga se alimenta por dos vías una <strong>de</strong>las cuales, la <strong>de</strong> simple procesado, toma la energía <strong>de</strong> la red y por tanto su potencia instantánea pulsa<strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.44


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOY EL E)LJXUD&RUULHQWHGHHQWUDGDWtSLFDGHORVFRQYHUWLGRUHV&)3FRQUHGXFFLyQGHOD]RVGHFRQWUROFXDQGRVXFRQYHUWLGRU&&&&LQWHUQRRSHUDHQ0&'muestra en la figura 2.4.Si el <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> opera en modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo, el ciclo <strong>de</strong> trabajoresulta <strong>con</strong>stante y el <strong>con</strong>vertidor Flyback se<strong>con</strong>trola como seguidor i<strong>de</strong>al <strong>de</strong> tensión<strong>de</strong>mandando una corriente <strong>de</strong> entradasinusoidal. En este caso sin embargo, latensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientovaría <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> la tensióneficaz <strong>de</strong> entrada.Si el <strong>con</strong>vertidor opera en MCD para eliminarla variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento <strong>con</strong> la carga, el ciclo <strong>de</strong>trabajo no es <strong>con</strong>stante y la corriente <strong>de</strong>entrada presenta la forma <strong>de</strong> onda que seLa forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada pue<strong>de</strong> modificarse diseñando a<strong>de</strong>cuadamente los<strong>con</strong>vertidores internos, existiendo un compromiso entre rendimiento y distorsión <strong>de</strong> esta corriente. Sise transfiere más potencia por la vía <strong>de</strong> simple procesado, el rendimiento mejorará, pero el ciclo <strong>de</strong>trabajo variará más y en <strong>con</strong>secuencia se distorsionará más la corriente. En caso <strong>con</strong>trario, si se diseña<strong>de</strong> forma que se transfiera menos potencia <strong>de</strong> forma directa, el ciclo <strong>de</strong> trabajo será más <strong>con</strong>stante y lacorriente presentará una forma <strong>de</strong> onda más sinusoidal.Como se <strong>de</strong>scribirá en los capítulos 3 y 4, los <strong>con</strong>vertidores propuestos en este trabajo <strong>de</strong> tesis utilizantambién una técnica <strong>de</strong> división paralelo <strong>de</strong> energía, aunque no se requiere el <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>dos salidas o doble transformador, sino que se <strong>con</strong>sigue la división <strong>de</strong> energías mediante un<strong>con</strong>mutador magnético.Las ventajas <strong>de</strong> la técnica propuesta en [55] y [56] son:• Ahorro <strong>de</strong> coste, <strong>de</strong>bido a la supresión <strong>de</strong> uno <strong>de</strong> los lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol.• Corriente <strong>de</strong> entrada sinusoidal si el <strong>con</strong>vertidor opera en M<strong>CC</strong>. Si opera en MCD pue<strong>de</strong>diseñarse para cumplir los limites <strong>de</strong> la calase D.• Respecto <strong>de</strong> la solución en dos etapas, realiza un mejor procesado energético.Los in<strong>con</strong>venientes son:• Variación muy acusada <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la tensión<strong>de</strong> red, cuando el <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> interno opera en MCD. Si opera en M<strong>CC</strong>, la tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la línea y <strong>de</strong> la carga, y se alcanzanvalores <strong>de</strong> tensión muy elevados para baja carga, superiores a los 600V. Esto provoca queel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento resulte caro y voluminoso, sobre todo cuando se <strong>de</strong>bacumplir un requisito <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong> mantenimiento.• La operación en MCD <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> limita la potencia a la que es aplicable estasolución <strong>de</strong>bido a que el rendimiento que se reduce al aumentar la potencia <strong>de</strong> carga.45


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO &RPELQDFLyQGHWRSRORJtDVEn Madigan et al. [57] se propone una familia <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores alterna – <strong>con</strong>tinua, que se originan alfusionar dos topologías <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>vencionales. Esta original solución ha sido una <strong>de</strong> lasprimeras propuestas para reducir el coste <strong>de</strong> las soluciones en dos etapas. Los dos <strong>con</strong>vertidores más<strong>con</strong>ocidos <strong>de</strong> esta familia son el BIBRED (acrónimo <strong>de</strong> Boot Integrated with Buck Rectifier / Energystorage / Dc- dc <strong>con</strong>verter) y el BIFRED (acrónimo <strong>de</strong> Boost Integrated with Flyback Rectifier /Energy storage / Dc- dc <strong>con</strong>verter ). Por tanto, fusionando un <strong>con</strong>vertidor elevador que opera en MCD<strong>con</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> Flyback funcionando en M<strong>CC</strong> y tras algunas transformaciones, seobtienen el <strong>con</strong>vertidor BIFRED, que se representa en la figura 2.5.b.a)b)Y E-L E L E C1 R O&$&&&&&&3)3Y E-L EControlControl)LJXUD7pFQLFDGHFRPELQDFLyQGHWRSRORJtDVD'LDJUDPDGHEORTXHVE&RQYHUWLGRU%,)5('FRPELQDFLyQGHWRSRORJtDHOHYDGRUD\FlybackEl <strong>con</strong>vertidor BIFRED se <strong>con</strong>trola <strong>con</strong> un único lazo <strong>de</strong> realimentación que proporciona respuestadinámica rápida a su tensión <strong>de</strong> salida, ahora bien, ya que parte (un porcentaje pequeño) <strong>de</strong> la potencia<strong>de</strong> carga se procesa una única vez, el ciclo <strong>de</strong> trabajo variará <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.Y EL E)LJXUD&RUULHQWHGHHQWUDGDWtSLFDGHOFRQYHUWLGRU%,)5('Por tanto, aunque el <strong>con</strong>vertidor elevador se<strong>con</strong>trola como seguidor <strong>de</strong> tensión, el ciclo <strong>de</strong>trabajo variable provoca una distorsiónadicional en la corriente <strong>de</strong> entrada, que nocoinci<strong>de</strong> exactamente <strong>con</strong> la que obtiene estemismo <strong>con</strong>vertidor cuando opera <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong>trabajo <strong>con</strong>stante, y que se mostraba en lafigura 2.2. Finalmente, la corriente <strong>de</strong> entradaal <strong>con</strong>vertidor BIFRED se representa en lafigura 2.6.Como en todas las <strong>de</strong>más soluciones queutilizan un único lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, la tensión enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no estáregulada y variará <strong>con</strong> las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> línea. A<strong>de</strong>más, ya que el <strong>con</strong>vertidor interno <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> operaen M<strong>CC</strong>, esta tensión variará también <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. Se alcanzan valores <strong>de</strong> tensión muyelevados sobre todo para baja carga, que hacen inviable esta solución. En [58] se propone una técnica<strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>con</strong> frecuencia variable, que logra reducir la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento avalores razonables.46


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOLa ventajas <strong>de</strong> esta solución son:• Reducción <strong>de</strong> coste. Se elimina un lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol y se comparte el interruptor, la soluciónobtenida resulta muy simple.• La corriente <strong>de</strong> entrada presenta una baja distorsión, que le permitirá cumplir sin esfuerzolos límites <strong>de</strong> la Clase D.Entre los in<strong>con</strong>venientes hay que <strong>de</strong>stacar:• La tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es muy elevada (>1000 V) y muy variabletanto <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada como <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. El tamaño<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se incrementa y se requiere el uso <strong>de</strong> semi<strong>con</strong>ductores<strong>de</strong> alta tensión, que presentan unas peores características en <strong>con</strong>ducción.• El rendimiento alcanzado resulta muy reducido, un 60%. Este aspecto se <strong>de</strong>be a que lascorrientes eficaces que circulan por el único interruptor son muy elevadas y que éstepresenta una resistencia en <strong>con</strong>ducción también elevada. Este bajo rendimiento limitamucho la potencia la que pue<strong>de</strong> ser aplicada esta solución. &RQIRUPDGRUHVGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDMuchas son las soluciones que se pue<strong>de</strong>n encuadrar <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> este grupo. En la figura 2.7 serepresenta un posible diagrama <strong>de</strong> bloques común a todas estas soluciones.&&&&L L 5 0E BY E-5 ' 9 C1-C 1Control)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVJHQHUDOGHORVFRQIRUPDGRUHVGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDLas características comunes son las siguientes.• Uso <strong>de</strong> un único <strong>con</strong>vertidor que se alimenta <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento yque por tanto funciona como un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong>.• En la entrada se sitúa una inductancia L B , que operará <strong>de</strong> forma semejante a la inductancia<strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor elevador.• Utilizando <strong>de</strong>vanados auxiliares <strong>de</strong>l transformador <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> se implementandos ramas, una <strong>de</strong> ellas se utilizará para magnetizar la inductancia L B (rama <strong>de</strong>47


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOmagnetización R M ) y la otra para <strong>de</strong>smagnetizar dicha inductancia (rama <strong>de</strong><strong>de</strong>smagnetización R D ). Estas ramas presentan muy diversas estructuras y junto <strong>con</strong> lasdistintas implementaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> (las topologías más usuales son)O\EDFN, )RUZDUG, medio puente, etc) se originan un gran número <strong>de</strong> soluciones.• Los <strong>de</strong>vanados auxiliares <strong>de</strong>l transformador principal se utilizan para sumar una tensión<strong>con</strong>tinua a la <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 , <strong>de</strong> forma que se pueda limitar <strong>de</strong>forma efectiva esta tensión <strong>con</strong>siguiendo, a<strong>de</strong>más, la magnetización y <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong>L B .Y EL E)LJXUD&RUULHQWHGHHQWUDGDWtSLFDGHORVFRQYHUWLGRUHVFRQ&)3FRQIRUPDGRUHVGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDLa suma <strong>de</strong> esta tensión <strong>con</strong>tinua que seopone a la tensión <strong>de</strong> entrada, supone quehasta que la tensión <strong>de</strong> red no supera un<strong>de</strong>terminado valor, la corriente por L B nocirculará, apareciendo una zona <strong>de</strong> corrientenula en las proximida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los pasos por cero<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, tal y como serepresenta en la figura 2.8. En esta figura semuestra la forma <strong>de</strong> onda típica <strong>de</strong> los<strong>con</strong>formadores <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.Un diseño a<strong>de</strong>cuado pue<strong>de</strong> exten<strong>de</strong>r el ángulo<strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los diodos <strong>de</strong>l puenterectificador, disminuyendo el <strong>con</strong>tenidoarmónico <strong>de</strong> la corriente.Aunque el diagrama <strong>de</strong> bloques es común y también muchas <strong>de</strong> sus características y objetivos, losdistintas soluciones ha sido presentadas por sus autores <strong>de</strong>nominando la técnica empleada <strong>de</strong> formadiferente. En las referencias [23] y [62] se recogen dos interesantes resúmenes <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica<strong>de</strong> este tipo <strong>de</strong> soluciones, mostrando <strong>de</strong> forma sencilla el principio <strong>de</strong> funcionamiento <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong>ellas. Dentro <strong>de</strong> las diferentes soluciones que aparecen, cabe <strong>de</strong>stacar:• Principio <strong>de</strong> realimentación magnética negativa. Este principio <strong>de</strong> funcionamiento espropuesto por Tsai et al. en [59] y se basa en utilizar el <strong>de</strong>vanado auxiliar <strong>de</strong>l transformadorpara sumar una tensión <strong>con</strong>tinua a la <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong> forma que sereduzca su tensión, <strong>con</strong>siguiendo también magnetizar y <strong>de</strong>smagnetizar la inductancia L B .En [61] se <strong>de</strong>scribe <strong>de</strong>talladamente este principio <strong>de</strong> funcionamiento.En Huber et al. [60] se utilizan dos <strong>de</strong>vanados auxiliares uno <strong>de</strong> ellos para cada rama R M yR D . Se reduce la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador pero el transformador <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong>resulta complejo <strong>de</strong> diseño y <strong>con</strong>strucción. A<strong>de</strong>más la inductancia L B <strong>de</strong>be operara enMCD, lo que limita el rendimiento aunque mejora ligeramente la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada.• Técnica <strong>de</strong> la Bomba <strong>de</strong> carga. En Qian et al. [63] se propone aplicar el método <strong>de</strong> labomba <strong>de</strong> carga a la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia. En esta solución, la tensión <strong>con</strong>tinuaque se suma a la <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en la rama <strong>de</strong> magnetización, se48


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOobtiene a partir <strong>de</strong> un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, que forma parte <strong>de</strong> un circuito resonante. Otrassoluciones similares se presentan en [64] y [65].• Técnica <strong>de</strong> <strong>con</strong>exión en serie <strong>de</strong> una fuente <strong>de</strong> tensión y <strong>de</strong> una resistencia sin pérdidas. EnSebastián et al. [66] se propone añadir una inductancia adicional en la rama <strong>de</strong>magnetización. Gracias a esta inductancia, el ciclo <strong>de</strong> trabajo que “ve” la bobina L B varía<strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, aunque el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>l interruptor sea <strong>con</strong>stante. De esta formase logra <strong>de</strong> manera efectiva que la inductancia L B pueda operar en M<strong>CC</strong> ya que su corrienteestá <strong>con</strong>trolada <strong>con</strong> el citado ciclo <strong>de</strong> trabajo variable. Posteriores implementaciones sepresentan en [67] y [68].• Técnica <strong>de</strong>l interruptor magnético. En Watanabe et al. [69] se propone una técnica quefuncionalmente es similar a la anterior, en la que también se logra que la inductancia L Bopere en M<strong>CC</strong>. En [70] se propone una solución semejante.A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>tallan las soluciones más interesantes. 7UDQVIRUPDGRUPXOWLGHYDQDGREn Huber et al. se propone un <strong>con</strong>vertidor que utiliza dos <strong>de</strong>vanados auxiliares <strong>de</strong>l transformadorprincipal, para implementar la técnica <strong>de</strong> realimentación magnética negativa (<strong>de</strong>scrita en [59]) tantopara la rama <strong>de</strong> magnetización como para la rama <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización, como se pue<strong>de</strong> observar en lafigura 2.9.L B5 '5 'C 1R OL E 5 0L E R OC 1Y E-C 1Control)LJXUD(VTXHPDGHOFRQYHUWLGRUFRQWUDQVIRUPDGRUPXOWLGHYDQDGRTXHVHSURSRQHHQ>@Las principales ventajas son:• Reducción <strong>de</strong> coste, ya que utiliza un único interruptor y un solo lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol.• La tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento varía <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> elvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, aunque menos que en otros <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>formadores<strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.Los in<strong>con</strong>venientes son:49


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO• El transformador requiere al menos cuatro <strong>de</strong>vanados (si el <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> presentatopología )O\EDFN). Este aspecto implica una mayor complejidad <strong>de</strong> diseño y fabricación yrepercute negativamente en el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. &RQYHUWLGRUHVFRQFRQH[LyQGHXQDIXHQWHGHWHQVLyQ\XQDUHVLVWHQFLDVLQSpUGLGDVEn Sebastián et al. [66] se propone una técnica que logra exten<strong>de</strong>r la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los diodos <strong>de</strong>lpuente rectificador, para reducir así el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente. Existe un compromiso entreel ángulo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción y la energía que se <strong>de</strong>be recircular <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> hacia lasalida auxiliar que <strong>con</strong>forma la fuente <strong>de</strong> tensión y la resistencia sin pérdidas (ver figura 2.10.a).L Ea)9 6 5 63L B5 ' b)L E 5 05 'C 1R OY E-C 19 6 5 63Control&&&&Y E-C 1R OControlControl)LJXUD&RQYHUWLGRUHVFRQFRQH[LyQGHXQDIXHQWHGHWHQVLyQ\XQDUHVLVWHQFLDVLQSpUGLGDVD'LDJUDPDGHEORTXHVE,PSOHPHQWDFLyQFRQFRQYHUWLGRU&&&&)O\EDFNLas principales ventajas son:• Reducción <strong>de</strong>l coste. Es una solución muy ventajosa en este aspecto, ya que se aña<strong>de</strong>n solounos pocos componentes adicionales a un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>vencional. Tal y comose representa en la figura 2.10.b. se han añadido un <strong>de</strong>vanado auxiliar, una inductancia y unpar <strong>de</strong> diodos.Como in<strong>con</strong>venientes se <strong>de</strong>be <strong>de</strong>stacar:• La tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es siempre mayor que la tensión <strong>de</strong> pico<strong>de</strong> red (al igual que en el resto <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>formadores <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entradaque presentan la inductancia L B ). Esta tensión varía <strong>con</strong> la línea y <strong>con</strong> la carga, aunque paraoperación <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada universal, el valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento pue<strong>de</strong> limitarse por <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong> los 450 V. 6DOLGD)RUZDUGDGLFLRQDOEn Spangler [71] se propone una solución muy interesante cuyo diagrama <strong>de</strong> bloques eimplementación se representan en la figura 2.11. Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 2.11.b, el<strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> posee una salida auxiliar tipo Forward, que alimenta al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador se <strong>con</strong>ecta a la entrada a través <strong>de</strong> un diodo, <strong>de</strong> manera que <strong>de</strong>forma automática se toma la potencia bien <strong>de</strong> red o bien <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento cuandola tensión <strong>de</strong> entrada es reducida.50


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOa)b)L E D 1L ED 1&&&&FRQÃVDOLGDVY E-C 1R OControlControl)LJXUD&RQYHUWLGRUFRQVDOLGD)RUZDUGDGLFLRQDOD'LDJUDPDGHEORTXHV\E,PSOHPHQWDFLyQFRQFRQYHUWLGRU&&&&)O\EDFNCuando la tensión <strong>de</strong> entrada es mayor que la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, el diodoD 1 está inversamente polarizado y se extrae potencia <strong>de</strong> la red. En este modo <strong>de</strong> operación, la corriente<strong>de</strong> entrada presenta una curva que evoluciona inversamente a como lo hace la tensión <strong>de</strong> entrada, yaque la potencia que se ce<strong>de</strong> a la salida <strong>de</strong>be ser <strong>con</strong>stante.Y EL E)LJXUD&RUULHQWHGHHQWUDGDWtSLFDGHORVFRQYHUWLGRUHVFRQ&)3FRQXQDVDOLGD)RUZDUGDGLFLRQDOCuando la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento es mayor que la <strong>de</strong> entrada,los diodos que se polarizan inversamente sonlos <strong>de</strong>l puente rectificador, <strong>de</strong> manera que lacorriente <strong>de</strong> entrada se hace nula. Finalmente,esta corriente presenta la forma <strong>de</strong> onda quese muestra en la figura 2.12.Mediante un diseño a<strong>de</strong>cuado, se pue<strong>de</strong> variarel ángulo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l los diodos <strong>de</strong>lpuente rectificador, <strong>de</strong> manera que se puedareducir el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente<strong>de</strong> entrada.Aunque la salida que alimenta al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 ha <strong>de</strong> ser siempre tipo )RUZDUG, el <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> /<strong>CC</strong> pue<strong>de</strong> presentar cualquiera <strong>de</strong> las dos topologías, )O\EDFN o )RUZDUG.Las ventajas <strong>de</strong> esta solución son:• Reducción <strong>de</strong>l coste, ya que se utiliza un único interruptor y un único circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol,a<strong>de</strong>más la solución resulta bastante sencilla.• La tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es inferior a la tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> pico.El autor indica que se obtienen 100 V para una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> 120 V EF . Sin embargoel autor no aporta datos acerca <strong>de</strong> la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento <strong>con</strong> la carga o <strong>con</strong> la línea, aunque presumiblemente variará menos que enotras soluciones, ya que está acotada.Los in<strong>con</strong>venientes son:• Se produce una importante recirculación <strong>de</strong> energía, ya que parte <strong>de</strong> la potencia que procesael <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> se envía <strong>de</strong> nuevo a la entrada. Este modo <strong>de</strong> funcionamientoreducirá el rendimiento <strong>de</strong> la solución.51


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO &RQYHUWLGRUHVFRQGRVHQWUDGDVEn García et al. [72] – [73] se proponen unos <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>nominados %L)O\EDFN y %L)RUZDUGque utilizan <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> que presenta dos entradas. En la figura 2.13.a se ha representado eldiagrama <strong>de</strong> bloques y en la figura 2.13.b el <strong>con</strong>vertidor %L)RUZDUG.a)&&&&FRQÃHQWUDGDVY E-D 2 b)L ED 1D 3L ED 1D 2D 3C 1RCDR OControlControl)LJXUD&RQYHUWLGRUHVFRQGRVHQWUDGDVD'LDJUDPDGHEORTXHVE,PSOHPHQWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU%L)RUZDUGMientras la tensión <strong>de</strong> entrada no se aproxima a su valor <strong>de</strong> pico, la corriente <strong>de</strong> entrada circula através <strong>de</strong>l diodo D 2 y la corriente <strong>de</strong> entrada tomará una forma <strong>de</strong> onda inversa a la tensión <strong>de</strong> entrada,para mantener la potencia <strong>de</strong> salida <strong>con</strong>stante.Y EL E)LJXUD&RUULHQWHGHHQWUDGDWtSLFDGHORVFRQYHUWLGRUHVFRQ&)3TXHSUHVHQWDQGRVHQWUDGDVLas ventajas <strong>de</strong> esta solución son:Cuando la tensión en la entrada supera la <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, se produceun pico <strong>de</strong> corriente a través <strong>de</strong>l diodo D 1 <strong>de</strong>forma semejante a como ocurre en unrectificador <strong>con</strong> filtro por <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>con</strong>vencional. En el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor %L)RUZDUG, por se la topología )RUZDUG<strong>de</strong>rivada <strong>de</strong> la reductora, la corriente <strong>de</strong>entrada será nula mientras la tensión <strong>de</strong> red noalcance un cierto nivel. Finalmente lacorriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor %L)RUZDUG presenta una forma <strong>de</strong> onda como laque se recoge en la figura 2.14. En el<strong>con</strong>vertidor %L)O\EDFN, la corriente <strong>de</strong>entrada no presenta distorsión <strong>de</strong> cruce.• Reducción <strong>de</strong> coste. La solución es muy sencilla añadiendo a un <strong>con</strong>vertidor Forward<strong>con</strong>vencional, un <strong>de</strong>vanado auxiliar y tres diodos.• La tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento está enclavada al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red. Por lo tanto es in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la carga, aunque si varía <strong>con</strong> la línea. Losvalores <strong>de</strong> tensión que se alcanzan no <strong>con</strong>tribuyen a provocar unas solicitaciones eléctricas<strong>de</strong> tensión adicionales en ninguno <strong>de</strong> los componentes.Sin embargo, los principales in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> esta solución son:52


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO• La corriente <strong>de</strong> entrada presenta una elevada distorsión, lo que impi<strong>de</strong> la utilización <strong>de</strong> estasolución para equipos clasificados como Clase D.• Si se <strong>de</strong>be cumplir un tiempo <strong>de</strong> mantenimiento elevado, se requiere la inclusión <strong>de</strong> unainductancia en serie <strong>con</strong> el diodo D 1 , <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> limitar el pico <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> carga <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. &RQYHUWLGRUHVFRQVHOHFWRUGHUDQJREn Zhang et al. [74] se propone una solución cuyo objetivo principal es disminuir la variación <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, <strong>de</strong> forma que se pueda utilizar la solución <strong>de</strong>scrita en[66] en aplicaciones <strong>de</strong> tensión universal. Como se pue<strong>de</strong> comprobar en la figura 2.15.b, loscomponentes que se utilizan para <strong>con</strong>formar la corriente <strong>de</strong> entrada se disponen <strong>de</strong> forma idéntica queen la figura 2.10, don<strong>de</strong> se muestra el <strong>con</strong>vertidor propuesto en [66]. El <strong>con</strong>formador <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong>entrada basado en la <strong>con</strong>exión <strong>de</strong> la fuente <strong>de</strong> tensión y resistencia sin pérdidas, posee como ventajas,el reducido coste y el buen rendimiento <strong>de</strong>bido a la operación <strong>de</strong> su <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> en modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo. Sin embargo su uso se limitaba para aplicaciones <strong>de</strong> tensión universal, <strong>de</strong>bido ala elevada variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Para reducir la variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, se propone utilizar unaestructura <strong>de</strong> doblador <strong>de</strong> tensión, cuyo diagrama <strong>de</strong> bloques se muestra en la figura 2.15.a.Y E-a)L E& BL ES&&&&FRQÃHQWUDGDVY EL ES& Bb)R O& BControl-& BControl)LJXUD&RQYHUWLGRUHVFRQVHOHFWRUGHUDQJRD'LDJUDPDGHEORTXHVE,PSOHPHQWDFLyQFRQFRQYHUWLGRU&&&&)RUZDUGFRQGRVLQWHUUXSWRUHVMediante el uso <strong>de</strong>l interruptor S, se <strong>con</strong>sigue que la tensión en cada uno <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores que<strong>con</strong>stituyen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento total (C 1_1 y C 1_2 ) presenten siempre la misma tensión.Cuando el equipo vaya a funcionar <strong>con</strong> una tensión <strong>de</strong> red <strong>con</strong> valores <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango americano yjaponés (85 V EF a 130 V EF ) el interruptor S se cerrará, y la circulación <strong>de</strong> corriente se establecerá <strong>de</strong>forma que en cada uno <strong>de</strong> estos <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores la tensión será algo superior a la tensión <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> lared. Cuando el equipo vaya a operar <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada en rango europeo (187 V EF a 265 V EF ), elinterruptor S permanecerá abierto, soportando cada <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador individual la mitad <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> pico<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. Este aspecto se pone <strong>de</strong> manifiesto en la figura 2.16.a, en ella se observa como sinutilizar el selector <strong>de</strong> rango, la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se extien<strong>de</strong><strong>de</strong>s<strong>de</strong> los 120 V hasta los 375 V para operación <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> red universal, pero al utilizar el selector<strong>de</strong> rango, junto <strong>con</strong> la técnica <strong>de</strong>l doblador <strong>de</strong> tensión esta variación se reduce a la mitad para el rangoeuropeo.Por otro lado, ya que <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada este <strong>con</strong>vertidor se comporta53


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOcomo el propuesto en [66], obtendrá una corriente <strong>de</strong> entrada similar, que se recoge en la figura 2.16.b.DEV C1 , Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (V)400350300250200184150120100506LQVHOHFWRUGHUDQJR5DQJRÃDPHULFDQRÃ6Ã5DQJRÃFHUUDGRHXURSHRÃ6ÃDELHUWR&RQVHOHFWRUGHUDQJR050 100 150 200 250 30085 130 187 265Tensión <strong>de</strong> red (V EFI<strong>CA</strong>CES )Y EL E)LJXUDD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFXDQGRVHXWLOL]DHOVHOHFWRUGHUDQJRE&RUULHQWHGHHQWUDGDGHOFRQYHUWLGRUAparte <strong>de</strong> las características comunes a los <strong>con</strong>vertidores propuestos en [66], esta solución presentaventajas e in<strong>con</strong>venientes propios.Las ventajas son:• Reducción <strong>de</strong> la variación en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Este aspecto permiteexten<strong>de</strong>r la aplicación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor hasta los 450 W tal y como se especifica en [74].Mientras que los in<strong>con</strong>venientes.• La inclusión <strong>de</strong>l doblador <strong>de</strong> tensión duplica los componentes que requiere el <strong>con</strong>formador<strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada y a<strong>de</strong>más se necesita el selector <strong>de</strong> rango que normalmente seráautomático. 0pULWRV\OLPLWDFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFDEl objetivo <strong>de</strong> los CFP <strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada no sinusoidal, es reducir el coste respecto a lassoluciones en dos etapas para un rango <strong>de</strong> potencia hasta los 500 W aproximadamente. Analizado elestado <strong>de</strong> la técnica, se pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>cluir que para este rango <strong>de</strong> potencia, las soluciones propuestas sípresentan ventajas sobre la solución en dos etapas.Ahora bien, también se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>spren<strong>de</strong>r <strong>de</strong> este estudio, que no existe una solución que seaclaramente superior a las <strong>de</strong>más, en cuanto que ninguna <strong>de</strong> ellas presenta buenas características en loscuatro parámetros <strong>de</strong> comparación que se establecían en el apartado 2.2. Sin embargo, el autor <strong>de</strong> estetrabajo <strong>de</strong>stacaría algunas <strong>de</strong> estas soluciones, aunque sea <strong>de</strong> forma subjetiva.• <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> <strong>con</strong>exión <strong>de</strong> una fuente <strong>de</strong> tensión y una resistencia sin pérdidas<strong>de</strong>scritos en el apartado 2.3.4.2.• <strong>Convertidores</strong> <strong>con</strong> dos entradas <strong>de</strong>scritos en el apartado 2.3.6.Aunque <strong>con</strong> peores prestaciones que los anteriores, algunas <strong>de</strong> las soluciones mostradas, presentan un54


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOinterés académico, que ha resultado muy valioso para el autor <strong>de</strong>l trabajo. La soluciones <strong>con</strong> reducción<strong>de</strong> lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol introduce el <strong>con</strong>cepto <strong>de</strong> división paralelo <strong>de</strong> energía y los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> unasalida Forward adicional resultan interesantes ya que proponen bajar la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento por <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong> la <strong>de</strong>l pico <strong>de</strong> red.Tras el estudio <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, se <strong>de</strong>duce, que dos son los aspectos susceptibles <strong>de</strong> mejora enlas soluciones propuestas:• 5HGXFFLyQGHOD YDULDFLyQGHODWHQVLyQGHO FRQGHQVDGRUGH DOPDFHQDPLHQWR. En lassoluciones estudiadas <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, la tensión <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador no estáregulada, ya que el único lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol existente en estas soluciones se <strong>de</strong>dica a regular latensión <strong>de</strong> salida. En <strong>con</strong>secuencia en todas ellas la tensión varía. Como se justificará en elCapítulo 5 y se <strong>de</strong>scribe en las referencias [78] – [80], cuanto mayor sea la variación <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, mayor será su tamaño y su coste. Entre lassoluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica se pue<strong>de</strong>n en<strong>con</strong>trar dos gran<strong>de</strong>s grupos respecto <strong>de</strong> lavariación que sufre la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Estos grupos serepresentan en la figura 2.17.V C1 , Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (V)500450400350300250200150100503 2 ÃÈ3 2 ÃÈ&)36,,&)3ÃHQÃÃHWDSDV9 & UHJXODGD&)3ÃHQÃÃHWDSDÃ*UXSRÃ$9 & <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la carga y<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red&)3ÃHQÃÃÃHWDSDÃ*UXSRÃ%9 & HQFODYDGDÃal valor <strong>de</strong>pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red7HQVLyQÃGHÃVDOLGDEj. 56 V050 75 100 125 150 175 200 225 250 275 300Tensión <strong>de</strong> red (V EFI<strong>CA</strong>CES ))LJXUDTensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento frente al valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> redSDUDGLVWLQWDVVROXFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFD- CFP en 1 etapa, Grupo A. En éstos la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientovaría <strong>con</strong> la línea y <strong>con</strong> la carga y siempre es mayor que el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> red.- CFP en 1 etapa, Grupo B. En los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> este grupo la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento está enclavada al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red(tal y como ocurre en los <strong>de</strong>scritos en el apartado 2.3.6) o bien por diseño se logra queesta tensión sea muy próxima, aunque ligeramente superior, a este valor <strong>de</strong> pico.55


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDOAún en el caso más favorable, cuando el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red impone latensión <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, ésta varía en una proporción <strong>de</strong> 1 a 3 al igual quelo hace el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada en rango universal. Esta variación resultaelevada y en <strong>con</strong>secuencia el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador resultará bastante mayor que elcorrespondiente a la solución en dos etapas, cuya tensión también se representa en la figura2.17, para un PFP <strong>con</strong> topología elevadora.• &XPSOLPLHQWR GH ORV OtPLWHV GH OD &ODVH ' GH OD QRUPD ,(& . Aunque hay<strong>con</strong>vertidores, entre los <strong>de</strong>scritos en el estado <strong>de</strong> la técnica, que sí cumplen estos límites,esta situación normalmente no va acompañada <strong>de</strong> unas prestaciones a<strong>de</strong>cuadas en otrosaspectos, tales como el rendimiento o el coste. (VWUDWHJLDVHJXLGDHQHVWHWUDEDMRA la vista <strong>de</strong> estos aspectos, se propone en este trabajo una familia <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores, que mediante un<strong>con</strong>mutador <strong>con</strong>trolado magnéticamente <strong>con</strong>sigue realizar una división paralelo <strong>de</strong> la potencia tomada<strong>de</strong> la entrada, al mismo tiempo que limita <strong>de</strong> forma efectiva, tanto los valores <strong>de</strong> tensión que sealcanzan en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, como la variación <strong>de</strong> esta tensión. En la figura 2.17 serepresenta mediante una zona rallada la situación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII propuestos en este trabajo.Por otro lado, al mismo tiempo que se persigue limitar el tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, se preten<strong>de</strong> obtener una corriente <strong>de</strong> entrada que cumpla los límites <strong>de</strong> la Clase D.Para cumplir este doble objetivo, los <strong>con</strong>vertidores propuestos operan en MCD. Esta estrategiafavorece la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, auque reducirá el rendimiento <strong>de</strong>l los <strong>con</strong>vertidorespropuestos, limitando el rango <strong>de</strong> potencia al que se pue<strong>de</strong>n aplicar. Se preten<strong>de</strong> que la aplicación <strong>de</strong>los <strong>con</strong>vertidores propuestos se extienda a las zonas marcadas como c y d en la figura 2.18. En estafigura se recoge a<strong>de</strong>más una posible distribución <strong>de</strong> la aplicación <strong>de</strong> otras soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> latécnica según la potencia <strong>de</strong> carga y el rango <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.&)3ÃSDVLYRVRangoEuropeocCumplimientoClase ACumplimientoClase DRangoUniversald100 200 300 400 500 600 700&)3ÃXQDÃHWDSDÃ&RQÃVHOHFWRUÃGHÃUDQJR&)3ÃFRQÃFRUULHQWHÃHQWUDGDÃQRÃVLQXVRLGDO&)3ÃHQÃGRVÃHWDSDVCumplimientoClase ACumplimientoClase DPotencia <strong>de</strong> carga(W))LJXUD3RVLEOHGLVWULEXFLyQGHODVVROXFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFDVHJ~QODSRWHQFLDGHFDUJD\HOUDQJRGHODWHQVLyQGHHQWUDGD6HGHVWDFDQODV]RQDVHQODVTXHVHSUHWHQGHDSOLFDUODVVROXFLRQHV56


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO &RQFOXVLRQHVEn el Capítulo 2 se ha <strong>de</strong>scrito el estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores, que al igual que lospropuestos en este trabajo <strong>de</strong> tesis, presentan una corriente <strong>de</strong> entrada no sinusoidal. A<strong>de</strong>más, se hanrecogido los parámetros más importantes que permiten establecer la comparación entre las diferentessoluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica.Los parámetros <strong>de</strong> comparación que son particulares a este grupo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores alterna – <strong>con</strong>tinuason :• Calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. La solución será tanto más versátil si se cumplen loslímites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.• Coste <strong>de</strong> la solución. El principal objetivo <strong>de</strong> este tipo <strong>de</strong> soluciones es abaratar el coste <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor. Por tanto, aquellas soluciones que requiera un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento<strong>de</strong> elevado tamaño y precio resultarán menos atractivas. Otros aspectos a tener en cuentason el uso <strong>de</strong> transformadores complicados, mayor número <strong>de</strong> componentes o <strong>de</strong>l uso <strong>de</strong>estrategias <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol complejas.• Operación <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada universal. Esta <strong>de</strong>be po<strong>de</strong>r implementarse sin que eltamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se incremente mucho o que el rendimiento sevea muy perjudicado.La revisión <strong>de</strong> las soluciones más <strong>de</strong>stacadas <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, ha permitido <strong>de</strong>stacar, a<strong>de</strong>más<strong>de</strong> los méritos particulares a cada solución, algunas limitaciones comunes a estas soluciones.Fundamentalmente se resumen en la necesidad cumplir ORV OtPLWHV GH &ODVH ' manteniendo unWDPDxRUHGXFLGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR.Estas limitaciones se toman como punto <strong>de</strong> partida y <strong>con</strong>stituyen el objetivo a intentar cubrir <strong>con</strong> lafamilia <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores propuesta. En los Capítulo 5, 7 y 8 se <strong>de</strong>stacarán las ventajas ein<strong>con</strong>venientes que presenta los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>sarrollados.57


&DStWXOR(VWDGRGHOD7pFQLFDGHORV&)3FRQ&RUULHQWHGH(QWUDGDQR6LQXVRLGDO58


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHOD)DPLOLDGH&)3FRQ,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQ6HULH6,, ,QWURGXFFLyQ 61 $FHUFDPLHQWRDOSULQFLSLRGHIXQFLRQDPLHQWR 61'LDJUDPDGHEORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLD 613DUWLFXODUL]DFLyQ GHO GLDJUDPD GH EORTXHV \ IOXMR GH SRWHQFLD SDUD HO 62FRQYHUWLGRU6,,%3ULQFLSDOHVFDUDFWHUtVWLFDVIXQFLRQDOHV 64 )DPLOLDGHFRQYHUWLGRUHV6,, 651RPEUHGHOD)DPLOLD6,, 653UHVHQWDFLyQGHODVGLVWLQWDVWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,, 663.3.2.1 Convertidor SII-B2. 663.3.2.2 Convertidor SII-B1. 663.3.2.3 Convertidor SII-B-2D. 673.3.2.4 Convertidor SII-F2. 683.3.2.5 Convertidor SII-F1. 693.3.2.6 Convertidor SII-F1-SS. 70&ODVLILFDFLyQGHORVGLVWLQWDVWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,, 70 &RQFOXVLRQHV 7159


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,60


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,, ,QWURGXFFLyQEn el presente trabajo <strong>de</strong> investigación se proponen <strong>de</strong> forma original, varias topologías que seencuadran <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> una misma familia. Ésta se ha <strong>de</strong>nominado <strong>con</strong> el acrónimo SII correspondientesa las iniciales <strong>de</strong> las palabras inglesas 6HULHV,QGXFWDQFHV,QWHUYDO, Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie.Los <strong>con</strong>vertidores propuestos, pertenecen al grupo <strong>de</strong> CFP <strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada no sinusoidal cuyopropósito es abaratar el coste <strong>de</strong> la solución en dos etapas, para un rango <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> hasta 500Waproximadamente. Una vez realizado el estudio <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores, se haen<strong>con</strong>trado que las principales limitaciones <strong>de</strong> las soluciones actuales se centran en el comportamiento<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. En <strong>con</strong>secuencia, en el<strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII se ha puesto un énfasis especial en mejorar estos aspectos.En este capítulo se realiza un acercamiento al principio <strong>de</strong> funcionamiento y se presentan los distintos<strong>con</strong>vertidores, que se proponen como realizaciones <strong>de</strong> la familia SII. Finalmente se establece unaclasificación para estos <strong>con</strong>vertidores. $FHUFDPLHQWRDOSULQFLSLRGHIXQFLRQDPLHQWREn cualquier <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, la baja frecuencia o frecuencia <strong>de</strong> red adquiere un papelprepon<strong>de</strong>rante, ya que es la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada quien <strong>con</strong>forma el comportamiento <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor. Por lo tanto para realizar un acercamiento al principio <strong>de</strong> funcionamiento <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia propuesta en este trabajo, se estudiará su comportamiento a frecuencia <strong>de</strong>red 1 . 'LDJUDPDGHEORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLDLa forma en que se transfiere la energía <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII, es idéntica entodos ellos. Esta transferencia energética interna, se pue<strong>de</strong> encuadrar <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> una técnica <strong>de</strong> GLYLVLyQSDUDOHORGHHQHUJtD, <strong>de</strong> forma semejante en cuanto a diagrama <strong>de</strong> bloques a la que se lleva a cabo enotros <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica como los propuestos en [55] y [56].C 1C 1df1gdfg1c2ec2e)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVFRP~QSDUDODIDPLOLD6,,)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,)66Una manera eficaz <strong>de</strong> explicar el flujo energético que tiene lugar en el interior <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidoreses seguir el procedimiento <strong>de</strong>scrito por 7VH HW DO en [25]. Según dicho procedimiento, todos los1 Por comodidad, las referencias que se hacen en este trabajo a “baja frecuencia” o “frecuencia <strong>de</strong> red” correspon<strong>de</strong>n a100 Hz, (frecuencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red rectificada), aunque la verda<strong>de</strong>ra frecuencia <strong>de</strong> red sea <strong>de</strong> 50 Hz.61


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII pue<strong>de</strong>n ser <strong>de</strong>scritos mediante un mismo diagrama <strong>de</strong> bloques, que serepresenta en la figura 3.1.El diagrama <strong>de</strong> bloques representado en la figura 3.2 modifica ligeramente la estructura general paraadaptarse a una <strong>de</strong> las topologías SII en la que los dos <strong>con</strong>vertidores internos comparten el interruptor.En los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII, el <strong>con</strong>vertidor interno número 2 toma toda la potencia <strong>de</strong> laentrada (camino c) y la divi<strong>de</strong> en dos partes, la primera la entrega directamente a la carga, por lo queserá procesada una única vez (traza e), y el resto <strong>de</strong> la energía la almacena en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento C 1 (camino d). Un segundo <strong>con</strong>vertidor interno, el número 1, extrae energía <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (camino f) y <strong>con</strong> ella (camino g) alimenta a la salida <strong>de</strong> formacomplementaria a la potencia <strong>de</strong> procesado simple, <strong>de</strong> esta manera la potencia que se ce<strong>de</strong> a la cargaes <strong>con</strong>stante durante todo el semiperiodo <strong>de</strong> red. El diagrama <strong>de</strong> bloques se ha particularizado en lafigura 3.3 para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, en la figura 3.4 se <strong>de</strong>scribe la evolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong>las potencias correspondientes a cada uno <strong>de</strong> los caminos energéticos que se han <strong>de</strong>scrito, (c a g). 3DUWLFXODUL]DFLyQ GHO GLDJUDPD GH EORTXHV \ IOXMR GH SRWHQFLD SDUD HOFRQYHUWLGRU6,,%Para particularizar el diagrama <strong>de</strong> bloques y el flujo energético interno sobre un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>creto,en la figura 3.3 se representa como ejemplo el esquema eléctrico <strong>de</strong> la topología SII-B2.En todas las topologías <strong>de</strong> la familia SII, el <strong>con</strong>vertidor 2 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques, es un <strong>con</strong>vertidor)O\EDFN <strong>con</strong> dos diodos <strong>de</strong> salida. Este <strong>con</strong>vertidor 2 toma toda la potencia <strong>de</strong> la entrada que serepresenta mediante el camino c tanto en el diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> la figura 3.1 como en suparticularización en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 en la figura 3.3.7 & 2 5 2& '6 '6 eg9 5(&7c/ ' $8;/ d/ f6 6 )LJXUD3DUWLFXODUL]DFLyQGHOGLDJUDPDGHEORTXHVHQHOFRQYHUWLGRU6,,%(O GHYDQDGR SULPDULR GH 7 / \ ORV GLRGRV ' $8; \ '6 FRQVWLWX\HQ XQ ³FRQPXWDGRUPDJQpWLFR´ que divi<strong>de</strong> la potencia tomada <strong>de</strong> la red en dos partes. La primera <strong>de</strong> ellas se transfieredirectamente a la carga, por lo que resulta ser una potencia procesada un única vez. Esta potencia setransfiere a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 y está representada mediante el camino e en las figuras 3.1 y 3.3, yla traza e en la figura 3.4.d. El resto <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada se transfiere a través <strong>de</strong>l diodo D AUX ,(camino d), y se almacena en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, C 1 . La combinación <strong>de</strong> estoselementos (L 21 , DS 1 y D AUX ), para formar el <strong>de</strong>nominado <strong>con</strong>mutador magnético, posibilita la divisiónparalelo <strong>de</strong> energía <strong>de</strong> una forma completamente diferente a como se realiza en los <strong>con</strong>vertidores62


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,propuestos en [55]. En éstos se utiliza un <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada que posee un doble transformadorpara realizar la división <strong>de</strong> energía.Los componentes L 22 , S 2 y DS 2 , pue<strong>de</strong>n ser vistos como un <strong>con</strong>vertidor elevador, esta es la razón <strong>de</strong>lnombre SII-B2, que proce<strong>de</strong> <strong>de</strong> la sigla <strong>de</strong>l término inglés %RRVW. El mencionado <strong>con</strong>vertidor elevadores la particularización <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques en la topología SII-B2. A partir <strong>de</strong> laenergía almacenada en C 1 , y complementando a la potencia <strong>de</strong> procesado único, este <strong>con</strong>vertidorelevador alimenta la salida a través <strong>de</strong> DS 2 , (camino g <strong>de</strong> las figuras 3.1 y 3.3 y traza g en la figura3.4.d). La potencia que se ce<strong>de</strong> vía DS 2 se ha procesado dos veces, la primera en el <strong>con</strong>vertidor 2 <strong>de</strong>ldiagrama <strong>de</strong> bloques y la segunda en el <strong>con</strong>vertidor 1. En los instantes en los que la potencia que lared proporciona, resulta inferior a la potencia <strong>de</strong>mandada por la carga, la potencia <strong>de</strong> procesado doblees capaz <strong>de</strong> suplir este déficit, ver figura 3.4.d.En la figura 3.4.c pue<strong>de</strong> observarsecomo en cada semiperiodo <strong>de</strong> red, laenergía que almacena C 1 iguala a la queposteriormente ce<strong>de</strong>. Por lo tanto, el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento seencuentra en régimen permanente afrecuencia <strong>de</strong> red.En la figura 3.4.a se representa latensión <strong>de</strong> entrada rectificada y adiferente escala el ciclo <strong>de</strong> trabajo (estaseñal sería la salida <strong>de</strong>l comparador <strong>de</strong>error <strong>de</strong>l circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol quegobernase el <strong>con</strong>vertidor); paramantener <strong>con</strong>stante la tensión <strong>de</strong> salida,el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>be variar tal ycomo se observa en la figura 3.4.a. Esimportante tener en cuenta que los dos<strong>con</strong>vertidores internos están <strong>con</strong>trolados<strong>con</strong> un único lazo <strong>de</strong> realimentación enmodo tensión y que sus interruptoresestán gobernados <strong>con</strong> la misma señalpuerta – fuente, ver figura 3.5.Finalmente, pue<strong>de</strong> observarse en lafigura 3.4.b, cómo la corriente <strong>de</strong>entrada queda modulada por el ciclo <strong>de</strong>trabajo y por la tensión <strong>de</strong> redrectificada.En los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, latensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>be estar bienregulada, y no <strong>de</strong>be presentar rizado <strong>de</strong>baja frecuencia. En la <strong>con</strong>versión en dosetapas, la inclusión <strong>de</strong> la segunda <strong>de</strong>1a)b)c)d)&LFORGH7UDEDMRd(Št)v RECT (Št)&RUULHQWHGHHQWUDGDge‡ 2‡‡&RUULHQWHPHGLDHQ& &DOPDFHQDHQHUJtD&RUULHQWHGHVDOLGD&FHGHHQHUJtD‡ 2‡2‡2‡Vi o (Št)=(Št)+ (Št)=RŠtŠt2OO(Št)(Št)ŠtŠt)LJXUD)OXMRGHHQHUJtDHQORVFRQYHUWLGRUHVGHODIDPLOLD6,,63


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,ellas, viene impuesta precisamente porque el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada presenta una tensión <strong>de</strong> salida <strong>con</strong>rizado <strong>de</strong> baja frecuencia y <strong>con</strong> una pobre respuesta dinámica.El <strong>con</strong>ocido rizado <strong>de</strong> 100 Hz no aparecerá en la salida <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia propuesta, yaque el almacenamiento <strong>de</strong> energía se realiza en un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador que no está <strong>con</strong>ectado en paralelo <strong>con</strong>la salida. En estos <strong>con</strong>vertidores, la tensión <strong>de</strong> salida está bien regulada, ya que la suma <strong>de</strong> lascorrientes medias por los diodos DS 1 y DS 2 permanece <strong>con</strong>stante durante todo el ciclo <strong>de</strong> red. Esteaspecto se resume en la expresión (3.1), y también se recoge en la figura 3.4.d.L'61 W)L'62( W)= L2( W)229( w + w w =52En a<strong>de</strong>lante, al igual que en (3.1), añadir unas llaves al símbolo <strong>con</strong> el que se i<strong>de</strong>ntifica a una tensión ocorriente, por ejemplo L '6 , indica que esta magnitud ha sido promediada en un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación. Por otro lado, la inclusión <strong>de</strong>l símbolo (w t), hace referencia a que la magnitud a la queafecta varía <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, w t.En todos los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII, al igual que se ha particularizado para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, la potencia tomada <strong>de</strong> la red (camino c) circula a través <strong>de</strong>l MOSFET S 1 . La potencia <strong>de</strong>procesado simple (camino e) circula a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 y la potencia cedida al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (camino d) lo hace a través <strong>de</strong>l diodo D AUX . La potencia que se extrae <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (camino f) circula a través <strong>de</strong>l MOSFET S 2 y es cedida a la carga(camino g) circulando a través <strong>de</strong> DS 2 . 3ULQFLSDOHVFDUDFWHUtVWLFDVIXQFLRQDOHVEn la figura 3.5 se representa el esquema eléctrico <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 y sus principalescaracterísticas funcionales.Las características enumeradas en la figura 3.5 son comunes a todas las topologías <strong>de</strong> la familia SII.Entre éstas cabe <strong>de</strong>stacar:(3.1)• Las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> los dos transformadores que aparecen en todos los<strong>con</strong>vertidores SII operan en PRGRGHFRQGXFFLyQGLVFRQWLQXR (MCD). En el periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación <strong>de</strong> todo ellos se produce un intervalo en el cual, las citadas inductanciasquedan <strong>con</strong>ectadas en serie cuando van a completar su <strong>de</strong>smagnetización. Esta <strong>con</strong>exiónserie se realiza a través <strong>de</strong>l <strong>con</strong>mutador magnético. El intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serieproporciona el nombre a la familia propuesta.• Los <strong>con</strong>vertidores SII están <strong>con</strong>trolados mediante XQ~QLFROD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ, quegenera una única tensión <strong>de</strong> gobierno que se aplica sobre los dos MOSFET. Este lazo <strong>de</strong>realimentación se basa en un sencillo <strong>con</strong>trol en modo tensión. Y <strong>con</strong>sigue proporcionaruna WHQVLyQGHVDOLGDELHQUHJXODGD\FRQUHVSXHVWDGLQiPLFDUiSLGD. Sin embargo, eluso <strong>de</strong> un único lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol impone que la WHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWRQRHVWiUHJXODGD, pudiendo variar <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.• Los componentes L 21 , D AUX y DS 1 <strong>con</strong>stituyen un “FRQPXWDGRUPDJQpWLFR”, que divi<strong>de</strong> lapotencia tomada <strong>de</strong> la entrada en dos partes, implementándose una técnica <strong>de</strong> GLYLVLyQSDUDOHORGHHQHUJtD.64


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,5 )LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,%\VXVSULQFLSDOHVFDUDFWHUtVWLFDV5 D S1T 1 T 2D S2D AUXL 11 L 12 L 21 L 22S 2C OR OS 1C 1• 2SHUDFLyQHQ0RGRGH&RQGXFFLyQ'LVFRQWLQXR0&'HQDPEDVLQGXFWDQFLDVPDJQHWL]DQWHV• 5HVSXHVWDGLQiPLFDUiSLGDHQODWHQVLyQGHVDOLGD• 8Q~QLFROD]RGHUHDOLPHQWDFLyQHQPRGRWHQVLyQ• 'LYLVLyQSDUDOHORGHHQHUJtDPHGLDQWHHOXVRGHXQFRQPXWDGRUPDJQpWLFR• ,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQ6HULHGHVPDJQHWL]DFLyQFRQMXQWDGH/ \/ V REFIXQFLRQDOHV )DPLOLDGHFRQYHUWLGRUHV6,,En este apartado se van a presentar las posibles realizaciones <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> la figura 3.1,cada una <strong>de</strong> ellas será uno <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores pertenecientes a la familia SII. Después se clasificarácada <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> cada uno <strong>de</strong> los grupos <strong>de</strong> que <strong>con</strong>sta la familia propuesta. 1RPEUHGHOD)DPLOLD6,,A parte <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques común a todos los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia, éstos presentan unaetapa, <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, que es también común a todos ellos. Como pue<strong>de</strong>observarse en la figura 3.3 para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 y como se podrá comprobar en los próximosapartados para el resto <strong>de</strong> topologías, estos <strong>con</strong>vertidores presentan dos transformadores (o al menosun transformador y una bobina). En la etapa que da nombre a la familia SII, se produce la<strong>de</strong>smagnetización <strong>con</strong>junta <strong>de</strong> las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> los dos transformadores ya que éstasquedan <strong>con</strong>ectadas en serie. El nombre SII proce<strong>de</strong> por tanto, <strong>de</strong> las siglas <strong>de</strong> las palabras inglesas6HULHV,QGXFWDQFH,QWHUYDO, Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie.Cada <strong>con</strong>vertidor tomará nombre propio a partir <strong>de</strong>l nombre común a toda la familia, y se particularizamediante el nombre <strong>de</strong> la topología <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor que ocupa la posición 1 en el diagrama <strong>de</strong> bloques.De esta forma, el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 correspon<strong>de</strong> a un <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> la familia SII que presentatopología elevadora (ERRVW en inglés) en el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> salida indicado <strong>con</strong> el número 1 en la figura3.1.65


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,, 3UHVHQWDFLyQGHODVGLVWLQWDVWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,,A <strong>con</strong>tinuación se presentan varios <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII. Aunque muchos aspectos soncomunes, cada uno <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores presenta ventajas e in<strong>con</strong>venientes que se irán analizando alo largo <strong>de</strong> todo el trabajo. En este apartado se preten<strong>de</strong> exclusivamente presentar los esquemaseléctricos <strong>de</strong> cada uno <strong>de</strong> ellos y unos breves aspectos distintivos <strong>de</strong> cada <strong>con</strong>vertidor. &RQYHUWLGRU6,,%Esta topología que ya se ha presentado en la figura 3.3 a modo <strong>de</strong> ejemplo, se compone <strong>de</strong> un<strong>con</strong>vertidor interno <strong>con</strong> estructura )O\EDFN en la posición 2 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques (formado por T 1 ,S 1 , DS 1 ) y <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor elevador en la posición 1. Éste último formado por la inductanciamagnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 , L 22 , el interruptor S 2 y el diodo <strong>de</strong> salida DS 2 .El funcionamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor 1 es semejante al <strong>de</strong> una topología elevadora: la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>ltransistor S 2 <strong>con</strong>sigue que la inductancia L 22 se magnetice <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, que en este caso representa la fuente <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada. Cuando S 2 se abre L 22 se<strong>de</strong>smagnetizará a través <strong>de</strong>l diodo DS 2 cediendo una corriente cuya pendiente viene impuesta por ladiferencia <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong> salida y <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, tal y como ocurre en un<strong>con</strong>vertidor elevador.El diodo D AUX y el <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 2 <strong>con</strong>forman un interruptor <strong>con</strong>trolado, que permite el flujo<strong>de</strong> potencia hacia el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento C 1 . A<strong>de</strong>más, como se explicará <strong>con</strong> <strong>de</strong>talle en elCapítulo 4, la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 también interviene en adaptar la corriente que se ce<strong>de</strong> aC 1 . Si no se incluyese esta inductancia entre D AUX y C 1 , se habría <strong>con</strong>stituido una segunda “salida)O\EDFN” que <strong>con</strong> seguridad <strong>de</strong>sviaría hacia C 1 toda la corriente <strong>de</strong> L 12 impidiendo la circulación <strong>de</strong>corriente o potencia <strong>de</strong> procesado simple a través <strong>de</strong> DS 1 .'6 7 '6 ' $8;5 7 / /6 6 & & 2 5 2/ / )LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,%Debido a que en esta topología el <strong>con</strong>vertidor elevador correspondiente a la posición 1 <strong>de</strong>l diagrama<strong>de</strong> bloques se encuentra <strong>con</strong>ectado en el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong>l transformador T 2 , la segunda parte<strong>de</strong>l nombre <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor se ha <strong>de</strong>nominado como B2, <strong>de</strong> la sigla <strong>de</strong> la palabra inglesa ERRVW(elevador) y el número 2 <strong>de</strong> la posición <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en el secundario <strong>de</strong> T 2 . &RQYHUWLGRU6,,%En la figura 3.7, se pue<strong>de</strong> observar que en esta topología se traslada el interruptor S 2 al primario <strong>de</strong>ltransformador T 2 . Ahora, el <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques está compuesto por eltransformador T 2 , el MOSFET S 2 , el diodo <strong>de</strong> salida DS 2 y el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento C 1 , que66


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,toma el papel <strong>de</strong> la fuente <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada. El funcionamiento <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor interno es, sinembargo, también semejante al <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor elevador.'6 5 7 ' 7 $8;'6 / / / / & 2 5 26 6 & )LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,%%La <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l MOSFET S 2 permite que la inductancia L 21 se magnetice <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Cuando abre S 2 , la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 <strong>de</strong>smagnetiza através <strong>de</strong> DS 2 , cediendo una corriente cuya pendiente viene impuesta por la tensión <strong>de</strong> salida menos latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. De esta manera pue<strong>de</strong> justificarse la operación comoelevador. El nombre <strong>de</strong> esta topología es SII-B1, ya que ahora el <strong>con</strong>vertidor elevador pue<strong>de</strong><strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse <strong>con</strong>ectado al primario <strong>de</strong> T 2 .De manera idéntica a lo que ocurre en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, el diodo D AUX y el <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong>T 2 <strong>con</strong>forman un interruptor <strong>con</strong>trolado, que permite el flujo <strong>de</strong> potencia hacia el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento C 1 . Al igual que en el resto <strong>de</strong> las topologías SII, el valor <strong>de</strong> la inductanciamagnetizante <strong>de</strong> T 2 <strong>con</strong>trola la corriente que se ce<strong>de</strong> a C 1 y por tanto la potencia <strong>de</strong> doble procesado.En esta topología, la potencia tomada <strong>de</strong> la red es procesada por el <strong>con</strong>vertidor 2, que entrega unaparte directamente a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 , siendo ésta por tanto procesada una única vez, yla otra parte se ce<strong>de</strong> al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento a través <strong>de</strong>l diodo D AUX . Conmutación a<strong>con</strong>mutación, la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 2 extraerá energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 y tras almacenarla en el flujomagnético <strong>de</strong> T 2 será cedida a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 2 . En todo instante, el valor <strong>de</strong> la corrienteque ce<strong>de</strong> DS 2 complementa a la corriente <strong>de</strong> procesado único que circula a través <strong>de</strong> DS 1 <strong>de</strong> forma quela carga será alimentada <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante durante todo el semiciclo <strong>de</strong> red. &RQYHUWLGRU6,,%'En la figura 3.8 se representa el esquema eléctrico <strong>de</strong> la topología SII-B-2D. Este <strong>con</strong>vertidor es uncaso particular <strong>de</strong> los dos anteriores, que <strong>con</strong>ceptualmente se obtiene a partir <strong>de</strong> fijar en 1:1 la relación<strong>de</strong> transformación <strong>de</strong> T 2 . En estas <strong>con</strong>diciones, se pue<strong>de</strong> sustituir el transformador T 2 por una únicainductancia y agrupar los diodos DS 1 y D AUX <strong>de</strong> manera que sea D 1-AUX el encargado <strong>de</strong> transferir lapotencia <strong>de</strong> procesado único y <strong>de</strong> recargar el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 .En esta topología, la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 2 extraerá energía <strong>de</strong> C 1 que será almacenada en el flujomagnético <strong>de</strong> la inductancia L 2 y posteriormente será cedida a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 1-2 cuandose corte S 2 . Al igual que en las topologías SII-B2 y SII-B1, L 2 se <strong>de</strong>smagnetiza cediendo una corrientecuya pendiente es proporcional a la diferencia entre la tensión <strong>de</strong> salida y la <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Por ello, el <strong>con</strong>vertidor interno formado por C 1 , L 2 , S 2 y DS 1-2 , presenta tambiénestructura elevadora.67


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,La potencia <strong>de</strong> procesado único fluye a través <strong>de</strong> los diodos DS 1-AUX y DS 1-2 <strong>con</strong>ectados en serie, <strong>de</strong>ahí que ambos lleven el subíndice 1. A través <strong>de</strong> DS 1-2 circulará también la corriente o potenciaproce<strong>de</strong>nte <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, por tanto, el nombre <strong>de</strong> este diodo incluye también elsubíndice 2.'6 $8;5 7 / '6 / / 6 6 & & 2 5 2)LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,%'Este caso particular <strong>de</strong> topología SII elevadora, aunque pier<strong>de</strong> un grado <strong>de</strong> libertad en el diseño, (larelación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong> T 2 ), resulta interesante ya que presenta un menor número <strong>de</strong>componentes y utiliza una bobina en vez <strong>de</strong> un transformador, <strong>de</strong> forma que se eliminan los problemasasociados al flujo <strong>de</strong> dispersión <strong>de</strong> éste. En la figura 3.8 se pue<strong>de</strong> observar como esta topologíapresenta el idéntico número <strong>de</strong> componentes que un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> en dos etapas típico formadopor la <strong>con</strong>exión en cascada <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor elevador y <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN. Sin embargo latopología SII-B-2D requiere un único lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol y los componentes que <strong>con</strong>forman su<strong>con</strong>vertidor interno 1, presentan un menor tamaño y menores valores máximos <strong>de</strong> tensión y corriente,que los correspondientes al <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>de</strong> la solución en dos etapas anteriormente citada.Finalmente, la última parte <strong>de</strong>l nombre SII-B-2D hace referencia a que esta topología utilizaúnicamente dos diodos (DS 1-AUX y DS 1-2 ) en el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 1 . &RQYHUWLGRU6,,)Cómo se pue<strong>de</strong> observar en la figura 3.9, en esta topología, el <strong>con</strong>vertidor interno 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong>bloques, que está formado por el MOSFET S 2 , el transformador T 2 , y el diodo <strong>de</strong> salida DS 2 , presentaun funcionamiento semejante al <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN.5 / / '6 7 7 ' $8;/ / 6 6 & '6 & 2 5 2)LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,)68


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,La <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 2 magnetizará la inductancia L 21 y cuando corte este transistor, la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>DS 2 aplicará la tensión <strong>de</strong> salida sobre el transformador T 2 , tal y como ocurre en una estructura)O\EDFN.La topología SII-F2 está <strong>con</strong>stituida por tanto por dos <strong>con</strong>vertidores internos )O\EDFN. El que ocupa laposición 2 en el diagrama <strong>de</strong> bloques, toma toda la potencia <strong>de</strong> la entrada y ce<strong>de</strong> una primera partedirectamente a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 , esta potencia será procesada un única vez. El resto <strong>de</strong>la potencia <strong>de</strong> la entrada, se transferirá a través <strong>de</strong>l interruptor <strong>con</strong>trolado formado por el diodo D AUX yel primario <strong>de</strong> T 2 , cediéndose <strong>de</strong> forma <strong>con</strong>trolada al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento C 1 .Los dos <strong>de</strong>vanados <strong>de</strong>l transformador T 2 no están <strong>con</strong>ectados, por lo que la energía tomada <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es transferida íntegramente a través <strong>de</strong>l flujo magnético <strong>de</strong> T 2 . Éstaenergía será cedida a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 2 <strong>de</strong> manera complementaria a la potencia <strong>de</strong>procesado simple, <strong>de</strong> esta forma la carga se alimenta <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante durante todo elsemiperiodo <strong>de</strong> red.El funcionamiento como )O\EDFN <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno número 1 impone la letra F en el nombre <strong>de</strong>esta topología SII. El número 2 sirve para indicar que este <strong>con</strong>vertidor interno está situado en elsecundario <strong>de</strong>l transformador T 1 . &RQYHUWLGRU6,,)De manera semejante al <strong>con</strong>vertidor SII-F2, el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 , el transformador T 2 , el MOSFET S 2 yel diodo DS 2 forman un <strong>con</strong>vertidor interno <strong>con</strong> estructura y funcionamiento )O\EDFN, que ahora se<strong>con</strong>ecta en el primario <strong>de</strong> T 1 . Esta es la razón <strong>de</strong>l nombre <strong>de</strong> esta topología.5 & 2 5 2' $8;7'6 / / '6 / 7 /7 6 7 / 6 & )LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,)D AUX forma junto <strong>con</strong> el <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 2 un interruptor <strong>con</strong>trolado que <strong>con</strong>forma la potenciaque se ce<strong>de</strong> al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 . La tensión en el primario <strong>de</strong> T 2 impone el instante en que D AUX pue<strong>de</strong><strong>con</strong>ducir y el valor <strong>de</strong> la bobina L 21 (inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> su <strong>de</strong>vanadoprimario) fija la potencia que se ce<strong>de</strong> a C 1 .La inclusión <strong>de</strong> un tercer <strong>de</strong>vanado en T 1 aña<strong>de</strong> un grado <strong>de</strong> libertad adicional en el diseño y permitetrasladar el <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques al primario <strong>de</strong> T 1 , <strong>con</strong> lo que ambos MOSFET estánreferidos a una masa común.La topología SII-F1 está <strong>con</strong>stituida por tanto por dos <strong>con</strong>vertidores internos )O\EDFN. El que ocupa laposición 2 en el diagrama <strong>de</strong> bloques, toma toda la potencia <strong>de</strong> la entrada y ce<strong>de</strong> una primera partedirectamente a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 , esta potencia será procesada un única vez. El resto <strong>de</strong>la potencia <strong>de</strong> la entrada, circulará a través <strong>de</strong>l <strong>de</strong>vanado terciario <strong>de</strong> T 1 y <strong>de</strong>l interruptor <strong>con</strong>trolado69


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,formado por el diodo D AUX y el primario <strong>de</strong> T 2 , cediéndose <strong>de</strong> forma <strong>con</strong>trolada al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento C 1 .Debido al que el <strong>con</strong>vertidor interno 1 presenta estructura )O\EDFN, la energía tomada <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento es transferida íntegramente a través <strong>de</strong>l flujo magnético <strong>de</strong> T 2 . Ésta energía serácedida a la carga vía DS 2 , <strong>de</strong> manera complementaria a la potencia <strong>de</strong> procesado simple, <strong>de</strong> forma quela salida estará alimentada <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante durante todo el semiperiodo <strong>de</strong> red. &RQYHUWLGRU6,,)66En el <strong>con</strong>vertidor SII-F1, se pue<strong>de</strong> eliminar el MOSFET S 2 y <strong>con</strong>seguir que su función la realice eltransistor S 1 . Este hecho es posible gracias a que en todos los <strong>con</strong>vertidores SII ambos MOSFET estángobernados por una misma señal <strong>de</strong> disparo y a la inclusión <strong>de</strong>l diodo D SS . Por tanto los <strong>con</strong>vertidoresSII-F1 y SII-F1-SS operan <strong>de</strong> manera semejante, aunque la última topología utiliza un transistormenos, figura 3.11.Esta topología respon<strong>de</strong> al diagrama <strong>de</strong> bloques presentado en la figura 3.2, que funcionalmenteresulta idéntico al diagrama <strong>de</strong> bloques común, sobre el se ha añadido como rasgo distintivo larepresentación <strong>de</strong> un MOSFET como intersección <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos 1 y 2 <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong>remarcar que esta topología presenta un único interruptor <strong>con</strong>trolado.5 / / '6 '6 ' $8;' 667 / / 7 / 7 7 6 & & 25 2)LJXUD(VTXHPDHOpFWULFRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66Las letras SS que aparecen en el nombre SII-F1-SS hacen referencia a un único interruptor ycorrespon<strong>de</strong>n a las siglas <strong>de</strong> las palabras inglesas VLQJOHVZLWFK. &ODVLILFDFLyQGHODVGLVWLQWDVWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,,La tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento C 1 , a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> ser uno <strong>de</strong> los objetivos <strong>de</strong>l presentetrabajo, sirve también para establecer una clasificación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. La clasificación quepresenta la familia SII se refleja en la figura 3.12.En esta se pue<strong>de</strong> observar cómo la familia SII se divi<strong>de</strong> en dos grupos en función <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. De esta forma se obtiene:• Grupo V C1 -L: Aquellos que presentan una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,más baja que su tensión <strong>de</strong> salida. El símbolo V C1 representa la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, la letra L que acompaña a este símbolo es la sigla <strong>de</strong> la palabra inglesaORZHU y preten<strong>de</strong> indicar que la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es inferior ala tensión <strong>de</strong> salida.70


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,• Grupo V C1 -HL: Aquellos que presentan una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoque pue<strong>de</strong> resultar, por diseño, mayor o menor que la tensión <strong>de</strong> salida. Esta característicase <strong>de</strong>be a la inclusión <strong>de</strong> un tercer <strong>de</strong>vanado en T 1 .Las letras HL que acompañan al símbolo V C1 son las siglas <strong>de</strong> las palabras inglesas KLJKHUy ORZHU y que sirven para indicar que la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento pue<strong>de</strong>ser superior o inferior a la tensión <strong>de</strong> salida.• Grupo SII-B: Aquellos <strong>con</strong>vertidores que presentan topología elevadora en el <strong>con</strong>vertidorque ocupa la posición 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques.• Grupo SII-F: Aquellos <strong>con</strong>vertidores que presentan topología )O\EDFN en el <strong>con</strong>vertidor queocupa la posición 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques<strong>Familia</strong> -SIIGrupo V C1 -L9 & Ã9 2Grupo V C1 -HL9 & Ã9 2O9 & !9 26,,%6,,% 6,,) 6,,) 6,,)666,,%'&RQYHUWLGRUÃLQWHUQRÃ(OHYDGRU (OHYDGRU(OHYDGRU)O\EDFN )O\EDFN )O\EDFN1āÃGHYDQDGRVÃ7 6LWXDFLyQ&RQYHUWLGRUÃLQWHUQRÃVHFXQGDULR7 VHFXQGDULR7 VHFXQGDULR7 VHFXQGDULR7 SULPDULR7 SULPDULR7 &RPSRQHQWHÃPDJQpWLFRGHOÃFRQYHUWLGRUÃLQWHUQRÃ1āÃ026)(77UDIR 7UDIRÃ LQGXFWDQFLDÃ 7UDIRÃ 7UDIRÃ 7UDIRÃ 1āÃGLRGRV 7UDIR ÃDEUHYLDWXUDÃGHÃWUDQVIRUPDGRUÃGrupo SII-B(Convertidor Interno 1, Elevador)Grupo SII-F(Convertidor Interno 1, )O\EDFN) &RQFOXVLRQHV)LJXUD&ODVLILFDFLyQGHWRSRORJtDVGHODIDPLOLD6,,En este capítulo se ha presentado <strong>de</strong> forma original una QXHYDIDPLOLDGHFRQYHUWLGRUHVDOWHUQDFRQWLQXD <strong>con</strong> FRUUHFFLyQGHOIDFWRUGHSRWHQFLD. Los <strong>con</strong>vertidores propuestos pertenecen al grupo<strong>de</strong> soluciones que <strong>de</strong>mandan <strong>de</strong> la red una FRUULHQWH QR VLQXVRLGDO, cuyo estado <strong>de</strong> la técnica fueanalizado en el Capítulo 2.Con este capítulo se ha buscado aproximar al lector al principio <strong>de</strong> funcionamiento <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores propuestos así como presentar las VHLVWRSRORJtDV que se incluyen en la familia SII.71


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,La <strong>de</strong>nominación <strong>de</strong> esta familia se ha elegido en relación a una etapa <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación,que se produce en los seis <strong>con</strong>vertidores. Esta etapa es el ,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQ6HULH, que enlengua inglesa se pue<strong>de</strong> traducir como 6HULHV ,QGXFWDQFHV ,QWHUYDO y cuyas siglas se recogen en elacrónimo SII. En el intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie los dos componentes magnéticos que aparecenen cada uno <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos, y que operan siempre en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>duccióndis<strong>con</strong>tinuo, quedan <strong>con</strong>ectados en serie para completar su <strong>de</strong>smagnetización.Para realizar un acercamiento al principio <strong>de</strong> funcionamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII seha utilizado la evolución <strong>de</strong>l flujo energético interno a frecuencia <strong>de</strong> red. El funcionamiento afrecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación se va a <strong>de</strong>scribir <strong>con</strong> <strong>de</strong>talle en el Capítulo 4, don<strong>de</strong> utilizando a<strong>de</strong>más elbalance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red podrán <strong>de</strong>ducirse las expresiones <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo y <strong>de</strong> latensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. A partir <strong>de</strong> estos valores, en el Capítulo 5, se realizaráel análisis estático <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores y se establecerán los criterios <strong>de</strong> diseño.Tomando como punto <strong>de</strong> partida las limitaciones más comunes <strong>de</strong> los CFP <strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada nosinusoidal que se han <strong>de</strong>tectado tras el estudio <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, la familia propuesta se haorientado a reducir el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento al mismo tiempo que obtener unacorriente <strong>de</strong>mandada <strong>de</strong> la red que pueda cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D, sin que ninguno <strong>de</strong> estosrequisitos suponga una pérdida <strong>de</strong> la simplicidad <strong>de</strong> la solución.Varias son las características funcionales <strong>con</strong> las que se ha intentado <strong>con</strong>seguir estos objetivos:• 'LYLVLyQ SDUDOHOR GH HQHUJtD. Se preten<strong>de</strong> realizar una <strong>con</strong>versión energética que norequiera procesar dos veces la potencia antes <strong>de</strong> ce<strong>de</strong>rla a la carga. Se ha optado por utilizaruna técnica <strong>de</strong> división paralelo <strong>de</strong> la energía <strong>de</strong> forma que parte <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entradase ce<strong>de</strong> directamente a la carga y parte se transfiere al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.El diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> esta familia <strong>con</strong>sta <strong>de</strong> dos bloque <strong>de</strong> potencia, pero que no se<strong>con</strong>ectan en cascada. El <strong>con</strong>vertidor, <strong>con</strong>ectado a la entrada no utiliza dos salidas paradividir la energía, sino que presenta una única salida. La energía se divi<strong>de</strong> en dos partesmediante el uso <strong>de</strong> un FRQPXWDGRUPDJQpWLFR, que ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación transfierepotencia directamente hacia la carga (potencia <strong>de</strong> simple procesado) y hacia el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento. Un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>tinua - <strong>con</strong>tinua <strong>con</strong>vencional <strong>con</strong>trolado poridéntico ciclo <strong>de</strong> trabajo que el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada, alimenta a la carga a partir <strong>de</strong> laenergía disponible en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Para cualquier instante <strong>de</strong>lsemiperiodo <strong>de</strong> red, la potencia <strong>de</strong> carga es <strong>con</strong>stante, ya que se obtiene como suma <strong>de</strong> laspotencias <strong>de</strong> simple y doble procesado, <strong>de</strong> ahí que estos <strong>con</strong>vertidores presentan unatensión <strong>de</strong> salida bien regulada, <strong>con</strong> respuesta dinámica rápida.• 2SHUDFLyQHQPRGRGHFRQGXFFLyQGLVFRQWLQXR. A pesar <strong>de</strong> su peor rendimiento, se habuscado <strong>con</strong> este modo <strong>de</strong> operación reducir la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>con</strong>la potencia <strong>de</strong> carga así como una corriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> menor <strong>con</strong>tenido armónico.Estos aspectos se justificarán en el Capítulo 5.• 8Q~QLFROD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ. Persiguiendo reducir el coste, se ha eliminado uno <strong>de</strong>los dos lazo <strong>de</strong> realimentación, <strong>de</strong> manera que la misma señal <strong>de</strong> disparo se aplica a los dosMOSFET que aparecen en los <strong>con</strong>vertidores SII, excepto en el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, quepresenta un solo interruptor <strong>con</strong>trolado.72


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,También, en este capítulo, se han <strong>de</strong>scrito brevemente cada uno <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, comoposibles realizaciones <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques común a todos ellos. Así mismo, se han establecidodos posibles FODVLILFDFLRQHVGHQWURGHODIDPLOLD6,,. La primera agrupa los distintos <strong>con</strong>vertidoressegún presenten un valor <strong>de</strong> tensión en su <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento que resulte siempre menorque la tensión <strong>de</strong> salida, Grupo V C1 -L, (<strong>de</strong> ORZHU en inglés) o que pueda ajustarse, por diseño, para sermayor o menor que la tensión <strong>de</strong> salida, Grupo V C1 -HL (<strong>de</strong> +LJKHU y /RZHU en inglés). La segundaposibilidad para clasificar los <strong>con</strong>vertidores SII, agrupa los distintos <strong>con</strong>vertidores según la topologíaque presenta su <strong>con</strong>vertidor interno 1. El grupo SII-B presenta topología elevadora (B <strong>de</strong> %RRVW eninglés) y el grupo SII-F que presenta topología )O\EDFN.73


&DStWXOR3UHVHQWDFLyQGHODIDPLOLDGH&)36,,74


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, ,QWURGXFFLyQ 77 5HVXPHQGHORVHVWXGLRVUHDOL]DGRVVREUHOD)DPLOLD6,, 78)XQFLRQDPLHQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 78(VWXGLR(VWiWLFR 790RGHODGRGLQiPLFR 80 &RQYHQLRV\QRWDFLyQ 817UDQVIRUPDGRUHV 817HQVLRQHVFRUULHQWHV\WLHPSRV 82 &RPSRUWDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 83$SUR[LPDFLRQHV\FRQGLFLRQHVGHUpJLPHQSHUPDQHQWH 830RGRVGHIXQFLRQDPLHQWR 844.4.2.1 Causas <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> funcionamiento. 844.4.2.2 Fronteras entre los modos <strong>de</strong> funcionamiento en la familia SII. 864.4.2.3 Implicaciones <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> funcionamiento. 88'HVFULSFLyQGHOSHULRGRGHFRQPXWDFLyQ 904.4.3.1 Estudio <strong>de</strong>tallado para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2. 914.4.3.2 Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 en Zona 2. 1004.4.3.3 Descripción resumida <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el resto <strong>de</strong> los 105<strong>con</strong>vertidores SII.2SHUDFLyQGHOFRQPXWDGRUPDJQpWLFR&RQVLGHUDFLRQHVIXQFLRQDOHVGHGLVHxR 112%DODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 1144.4.5.1 Ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo. 1144.4.5.2 Estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el 118<strong>con</strong>vertidor SII-B2.4.4.5.3 Resumen <strong>de</strong> las expresiones <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para los distintos <strong>con</strong>vertidores 120SII. &RPSRUWDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG 123(TXLOLEULRGHSRWHQFLDVDIUHFXHQFLDGHUHG 1239DORUPHGLRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 12475


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,4.5.2.1 Obtención <strong>de</strong> V C1 a partir <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia entrada – salida. 1254.5.2.2 Obtención <strong>de</strong> V C1 a partir <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia P DAUX , P DS2 . 1254.5.2.3 Obtención <strong>de</strong> V C1 a partir <strong>de</strong> la corriente media en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 126almacenamiento. &RQFOXVLRQHV 12976


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, ,QWURGXFFLyQEn este trabajo se preten<strong>de</strong> aportar una nueva solución al problema <strong>de</strong> la corrección <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong>potencia en fuentes <strong>de</strong> alimentación monofásicas <strong>de</strong> baja potencia. Para ello se utilizará un <strong>con</strong>vertidor<strong>con</strong>mutado capaz <strong>de</strong> proporcionar una tensión <strong>de</strong> salida bien regulada, <strong>con</strong> respuesta dinámica rápida,<strong>con</strong>cebido y diseñado para que realice un procesamiento energético lo más eficiente posible y para quepresente un número <strong>de</strong> componentes reducido.En el Capítulo 3 se ha presentado la familia <strong>de</strong> CFP SII junto <strong>con</strong> sus principales característicasfuncionales y se ha realizado un acercamiento al principio <strong>de</strong> funcionamiento; también se hanpresentado las principales topologías que pertenecen a la familia propuesta.Tomando como punto <strong>de</strong> partida el Capítulo 3, se van a realizar varios estudios para po<strong>de</strong>r diseñara<strong>de</strong>cuadamente estos <strong>con</strong>vertidores y para po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>terminar las ventajas y limitaciones <strong>de</strong> la familiapropuesta. Estos estudios comienzan a <strong>de</strong>sarrollarse en el presente capítulo en el cual se va a <strong>de</strong>scribir<strong>de</strong> forma exhaustiva el funcionamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación y afrecuencia <strong>de</strong> red.Al término <strong>de</strong>l estudio <strong>de</strong>l funcionamiento a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación y <strong>de</strong> red, se habrá obtenido laexpresión <strong>de</strong> la ley <strong>de</strong> variación que <strong>de</strong>be presentar el ciclo <strong>de</strong> trabajo necesaria para mantener establela tensión <strong>de</strong> salida, y el valor <strong>de</strong> la tensión media en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. A partir <strong>de</strong>ellos, <strong>de</strong>l análisis estático y <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lado dinámico, que se <strong>de</strong>scribirán en los siguientes capítulos, sepodrán realizar los diseños más a<strong>de</strong>cuados, seleccionar la topología SII más eficaz para cadaaplicación y comparar las ventajas e in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores frente a los que forman elestado <strong>de</strong> la técnica.A lo largo <strong>de</strong> todo el trabajo se va a seguir una misma metodología para <strong>de</strong>scribir los estudiosmencionados. Siguiendo esta metodología, se utilizará un <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> la familia para <strong>de</strong>tallar elestudio que se esté realizando y posteriormente se completarán los resultados finales para cadatopología. De esta forma, las principales expresiones, formas <strong>de</strong> onda etc. se recogerán para cada<strong>con</strong>vertidor en cuadros resúmenes, aunque su <strong>con</strong>secución se habrá <strong>de</strong>tallado solo para uno <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> limitar la extensión <strong>de</strong>l trabajo.El <strong>con</strong>tenido <strong>de</strong>l Capítulo 4 que está centrado en el funcionamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII afrecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación y a frecuencia <strong>de</strong> red comienza <strong>con</strong> una <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong> los tipos <strong>de</strong>estudios que se van a <strong>de</strong>sarrollar a lo largo <strong>de</strong>l trabajo, posteriormente se fijará un <strong>con</strong>venio sobre lanotación utilizada para nombrar los diferentes componentes y las tensiones y corrientes que aparecenen los circuitos propuestos.77


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 5HVXPHQGHORVHVWXGLRVUHDOL]DGRVVREUHOD)DPLOLD6,,La familia SII se ha <strong>de</strong>sarrollado <strong>con</strong> el objetivo <strong>de</strong> aportar una alternativa a las soluciones <strong>de</strong>scritasen el estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> la CFP en fuentes <strong>de</strong> alimentación monofásicas <strong>de</strong> baja potencia,intentando mejorar alguno <strong>de</strong> las principales limitaciones en<strong>con</strong>tradas. Para po<strong>de</strong>r en<strong>con</strong>trar un diseñoóptimo <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, y establecer una comparación <strong>con</strong> el resto <strong>de</strong> soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong>la técnica, es necesario realizar un estudio exhaustivo <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos.Estos estudios se han divido en tres bloques principales: Funcionamiento a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutacióny a frecuencia <strong>de</strong> red, estudio estático y mo<strong>de</strong>lado dinámico (ver figura 4.1). El primer bloque se<strong>de</strong>sarrolla íntegro en el presente capítulo. El Capítulo 5 estará <strong>de</strong>dicado al estudio estático (diseño yanálisis <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos) y en el Capítulo 6 se <strong>de</strong>scribirá el mo<strong>de</strong>lado dinámico que seha realizado para los <strong>con</strong>vertidores SII.A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scriben brevemente cada uno <strong>de</strong> los tres bloques <strong>de</strong> estudios.Funcionamiento<strong>Convertidores</strong> SII&DStWXORFuncionamiento afrecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutaciónFuncionamiento afrecuencia <strong>de</strong> red• Modos <strong>de</strong> funcionamiento.• Descripción periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.• Balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Obtención<strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo.• Balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red. Obtención <strong>de</strong> latensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Estudio Estático&DStWXORAnálisisDiseño• Tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P .• Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 .• Forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, I E . CumplimientoEN61000-3-2.• Definición <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño.• Evolución <strong>de</strong> los valores característicos (K P , V C1 , I E ) <strong>con</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño.• Diseño óptimo.• Comparación entre los distintos <strong>con</strong>vertidores.Prestaciones y campo <strong>de</strong> aplicaciónMo<strong>de</strong>lado Dinámico&DStWXOR• Regulación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida.• Selección <strong>de</strong>l método <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado.• Mo<strong>de</strong>lo promediado en gran señal orientado a simulación.• Mo<strong>de</strong>lo en pequeña señal.)LJXUD5HVXPHQGHORVHVWXGLRVUHDOL]DGRVVREUHODIDPLOLD6,, )XQFLRQDPLHQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,En el presente capítulo se <strong>de</strong>talla el funcionamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII en los dos rangos <strong>de</strong>frecuencia que resultan significativos en un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong>-<strong>CC</strong> <strong>con</strong>mutado, la frecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación y la frecuencia <strong>de</strong> red.)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQEn primer lugar se van a estudiar las diferentes formas en las que a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación pue<strong>de</strong>noperar los <strong>con</strong>vertidores SII, <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor instantáneo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada y que se han<strong>de</strong>nominado Modos <strong>de</strong> Funcionamiento. A <strong>con</strong>tinuación se realizará un estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong>l periodo<strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, <strong>de</strong>finiendo las principales formas <strong>de</strong> onda que aparecen en cada uno <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong>funcionamiento y las ecuaciones correspondientes. A partir <strong>de</strong> éstas se establecerá, finalmente, unbalance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, que servirá para <strong>de</strong>terminar cuantitativamente la78


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,evolución <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> al ángulo <strong>de</strong> red.)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHGUna vez establecida la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, podrán <strong>de</strong>terminarse las expresiones <strong>de</strong> losvalores medios <strong>de</strong> algunas <strong>de</strong> las corrientes más relevantes <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores: corriente <strong>de</strong> entrada,corriente cedida y extraída <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, corriente a través <strong>de</strong> los diodos D AUXy DS 2 , etc. A partir <strong>de</strong> ellas es posible realizar un balance <strong>de</strong> potencia, en este caso a frecuencia <strong>de</strong> red,que permitirá <strong>de</strong>ducir el valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Una vez resuelto el balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red, necesariamente mediante métodositerativos, se obtiene como resultado el valor medio <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento; a partir <strong>de</strong> este valor se pue<strong>de</strong> particularizar la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo,que hasta este momento se expresaba como función <strong>de</strong> la citada tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.Conocidos el ciclo <strong>de</strong> trabajo y el valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, sepue<strong>de</strong>n calcular algunos valores que permitirán medir las prestaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y <strong>con</strong> elloselegir el diseño y el campo <strong>de</strong> aplicación más a<strong>de</strong>cuados.Estos valores se han <strong>de</strong>nominado como “valores característicos 1 ” <strong>de</strong> los diferentes <strong>con</strong>vertidores yentre otros po<strong>de</strong>mos en<strong>con</strong>trar, como más significativos, los siguientes:• Corriente media <strong>de</strong> entrada, factor <strong>de</strong> potencia y cumplimiento <strong>de</strong> la norma EN 61000-3-2.• Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 . Estudio <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimientoo “KROGXS WLPH´.• Tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> procesado simple, K P .• Rendimiento.• Valores eficaces y medios <strong>de</strong> las corrientes en los diferentes componentes y solicitacioneseléctricas en general.• Operación ante entrada universal. (VWXGLR(VWiWLFRLa evolución <strong>de</strong> los valores característicos, <strong>con</strong> los diferentes diseños y ante variaciones <strong>de</strong> la carga, y<strong>de</strong> la tensión eficaz <strong>de</strong> la red se obtiene a partir <strong>de</strong>l funcionamiento anteriormente <strong>de</strong>scrito, y se recogeen un procedimiento <strong>de</strong> cálculo iterativo a partir <strong>de</strong>l cual se obtendrán todas las <strong>con</strong>clusiones <strong>de</strong>lestudio estático. Dentro <strong>de</strong> este estudio, al que se <strong>de</strong>dicará el Capítulo 5, varios son los aspectos que sevan a tratar.$QiOLVLVEn el apartado <strong>de</strong>dicado al análisis <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, se estudiarán aspectos importantesrelacionados <strong>con</strong> cada uno <strong>de</strong> los valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. De esta manera, por1 Bajo el título <strong>de</strong> “valores característicos” <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor, se preten<strong>de</strong> agrupar aquellas características que mi<strong>de</strong>nlas prestaciones <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor, como por ejemplo el rendimiento. El objetivo es po<strong>de</strong>r nombrar <strong>de</strong> maneracompacta este <strong>con</strong>junto <strong>de</strong> características, <strong>de</strong>jando el término “parámetros” para hacer referencia a los parámetros <strong>de</strong>diseño.79


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,ejemplo se <strong>de</strong>terminará la relación entre la corriente <strong>de</strong> entrada y el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>simple procesado, la relación <strong>de</strong> este último valor <strong>con</strong> el rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, la variación <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada, etc.En general se preten<strong>de</strong>n <strong>con</strong>trastar <strong>de</strong> forma teórica las ten<strong>de</strong>ncias que experimentalmente secomprobarán para los valores característicos ante variaciones <strong>de</strong> la carga y <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada.'LVHxRMediante este término se ha <strong>de</strong>finido el estudio <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong> los valores característicos <strong>de</strong> losdiferentes <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. Los grados <strong>de</strong> libertad o parámetros <strong>de</strong> diseñodisponibles en los <strong>con</strong>vertidores SII son las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> los transformadores y susrelaciones <strong>de</strong> transformación.Este estudio se empieza <strong>de</strong>scribiendo la metodología que siguen los programas <strong>de</strong> cálculo utilizadospara obtener la información correspondiente a un punto <strong>de</strong> operación <strong>de</strong> un <strong>de</strong>terminado <strong>con</strong>vertidor,que vendrá <strong>de</strong>finido por un <strong>con</strong>junto <strong>de</strong> parámetros <strong>de</strong> diseño y unos valores <strong>de</strong>terminados para lastensiones <strong>de</strong> entrada y salida, potencia <strong>de</strong> carga, etc.Una vez <strong>de</strong>scrita la metodología <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo (se ha <strong>de</strong>sarrollado uno diferente paracada topología), se <strong>de</strong>finirán los parámetros <strong>de</strong> diseño y a partir <strong>de</strong> estos se estudiará la evolución <strong>de</strong>los valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores al variar el diseño. También se estudiará cómo estosparámetros <strong>con</strong>forman las prestaciones <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> las topologías.&RPSDUDFLyQGHWRSRORJtDVFinalmente, antes <strong>de</strong> establecer las <strong>con</strong>clusiones <strong>de</strong>l estudio estático, se compararán las prestaciones ypuntos <strong>de</strong> diseño óptimos para cada topología 0RGHODGRGLQiPLFRFinalizado el estudio estático, se muestra como se obtiene en los <strong>con</strong>vertidores SII una tensión <strong>de</strong>salida bien regulada <strong>con</strong> respuesta dinámica rápida. Posteriormente se <strong>de</strong>scribirá el mo<strong>de</strong>ladodinámico que se ha realizado para estos <strong>con</strong>vertidores, partiendo <strong>de</strong> una breve comparación <strong>de</strong> losmétodos <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado existentes y justificación <strong>de</strong> la selección <strong>de</strong>l método elegido para la familia SII.En este tipo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores, como se analizará al comienzo <strong>de</strong>l Capítulo 6, es necesario nosolamente asegurar la estabilidad <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, sino también que éste posea una serie <strong>de</strong>prestaciones, que influirán entre otros aspectos sobre la forma <strong>de</strong> onda la corriente <strong>de</strong> entrada. Se hacenecesario, por tanto, ajustar <strong>de</strong> manera precisa el regulador y para ello obtener un <strong>con</strong>ocimientoa<strong>de</strong>cuado <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia. A tal efecto se han <strong>de</strong>sarrollado dostipos <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los diferentes <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII:• Mo<strong>de</strong>los en gran señal orientados a simulación eléctrica.• Mo<strong>de</strong>los en pequeña señal.En el Capítulo 6 se <strong>de</strong>scriben los dos tipos <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los <strong>de</strong>sarrollados y se compararán entre ellos y <strong>con</strong>medidas experimentales.80


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RQYHQLRV\QRWDFLyQA lo largo <strong>de</strong>l presente trabajo se emplearán numerosas expresiones en las que aparecen referencias alos transformadores, sus inductancias magnetizantes y relaciones <strong>de</strong> transformación, así como a lascorrientes que circulan por sus <strong>de</strong>vanados. Para lograr un notación uniforme y que tenga relación <strong>con</strong>el elemento o la magnitud al que dan nombre, se ha adoptado un <strong>con</strong>venio que se expone a<strong>con</strong>tinuación. 7UDQVIRUPDGRUHVEl <strong>con</strong>venio adoptado sobre la <strong>de</strong>nominación <strong>de</strong> las relaciones <strong>de</strong> transformación y las inductanciasmagnetizantes <strong>de</strong> los transformadores T 1 y T 2 se recoge <strong>de</strong> forma gráfica en las figuras 4.2. a 4.4.Transformador T11:n 1 L 111:n 1L 12Transformador T21:n 2 L 211:n 2L 22Q =1//1211Q =2//2221)LJXUD&RQYHQLRSDUDODVLQGXFWDQFLDVPDJQHWL]DQWHVLas inductancias L 1, L 12 y L 13 representan una misma realidad física, la creación <strong>de</strong>l flujo en eltransformador T 1 . Por tanto, el símbolo L 11 se refiere a la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 1 cuando se larepresenta en su <strong>de</strong>vanado primario, L 12 cuando se la representa en el secundario y L 13 cuando se larepresenta en su <strong>de</strong>vanado terciario, si T 1 tiene tres <strong>de</strong>vanados. Para L 21 y L 22 rige un criterio idénticoy ambos se resumen en la figura 4.2.L 1:nX L 11L 1:nL L X X ×1 L 2=×LQ2 =QX1X X 1X L L X1123L 11N 1 N 2X L 1 ×11=L2×12+L3×1312L X2= × X1= Q1×X1111N 33X 3 =×X2=Q23×X2X 1213Q 23==12//13121X=12X=13)LJXUD&RQYHQLRSDUDORVWUDQVIRUPDGRUHVGHGRVGHYDQDGRV)LJXUD&RQYHQLRSDUDORVWUDQVIRUPDGRUHVGHWUHVGHYDQDGRVA la hora <strong>de</strong> establecer las relaciones entre las tensiones y corrientes <strong>de</strong> primario y secundario, se hapreferido utilizar la relación <strong>de</strong> transformación tal y como se expresa en la figura 4.3 para lostransformadores <strong>de</strong> dos <strong>de</strong>vanados. Para los transformadores <strong>de</strong> tres <strong>de</strong>vanados, ya que nunca circula81


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,corriente por los tres arrollamientos a la vez, a la hora <strong>de</strong> establecer las relaciones entre las tensiones ycorrientes <strong>de</strong> primario, secundario y terciario, pue<strong>de</strong> utilizarse el número <strong>de</strong> espiras <strong>de</strong> cadaarrollamiento, pero también dos relaciones <strong>de</strong> transformación tal y como se resume en la figura 4.4.También <strong>con</strong>viene <strong>de</strong>stacar, que aunque la representación <strong>de</strong>l transformador como una inductanciamagnetizante en paralelo <strong>con</strong> un transformador i<strong>de</strong>al, resulta cómoda para realizar algunos análisis, nosiempre se recurrirá a ésta, utilizándose en ocasiones una representación más simple <strong>con</strong> dosarrollamientos. 7HQVLRQHVFRUULHQWHV\WLHPSRVA lo largo <strong>de</strong> este trabajo, se van a utilizar una serie <strong>de</strong> símbolos para nombrar las corrientes ytensiones que aparecen en los distintos <strong>con</strong>vertidores. Es necesario adoptar un <strong>con</strong>venio en cuanto acomo <strong>con</strong>formar los símbolos mencionados. En la tabla 4.1 se recoge el tipo <strong>de</strong> magnitud y la sintaxisque utiliza su correspondiente símbolo, L / .Los criterios <strong>de</strong>scritos para nombrar las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> los transformadores seaplicarán también a corrientes y tensiones. De esta forma, si al estudiar las formas <strong>de</strong> onda afrecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación aparece el símbolo ,S / , éste se refiere a la corriente <strong>de</strong> pico que circulapor la inductancia L 12 . Por tanto la corriente ,S / es la misma corriente <strong>de</strong> pico anterior, perocirculando por el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 2 .Símbolo Formato DescripciónL / Y 6 Minúsculas Valor instantáneo <strong>de</strong> tensión o corriente.L '6 !Y '$8; ! Minúsculas,S / 9 & MayúsculasValores <strong>de</strong> tensión y corriente promediados en un periodo<strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Valor <strong>de</strong> pico o <strong>de</strong> corriente <strong>con</strong>tinua para una tensión ocorriente.7DEODConvenio para los símbolos que nombran las tensiones y corrientes en unperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Las duraciones <strong>de</strong> las etapas <strong>de</strong> un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación se utilizarán, a lo largo <strong>de</strong> todo eldocumento, en formato <strong>de</strong> tiempos normalizados respecto al periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Por comodidad,cuando se utilice una expresión similar a “G $ , tiempo <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 ...”, el término“tiempo” hará referencia al valor normalizado.82


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RPSRUWDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQEste apartado va a presentar el funcionamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Se <strong>de</strong>scribirán las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> todas las topologías, particularizando el estudio para el<strong>con</strong>vertidor SII-B2, para el cual se <strong>de</strong>scribirá este proceso <strong>con</strong> un mayor grado <strong>de</strong> <strong>de</strong>talle.Se tratarán los modos <strong>de</strong> funcionamiento que presentan estos <strong>con</strong>vertidores en función <strong>de</strong>l valor quetoma la tensión <strong>de</strong> entrada.Por último se establecerá el balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, lo que permitiráestablecer la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo todavía <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> dos incógnitas, el ángulo <strong>de</strong>red y la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (ver figura 4.14). $SUR[LPDFLRQHV\FRQGLFLRQHVGHUpJLPHQSHUPDQHQWHAntes <strong>de</strong> comenzar <strong>con</strong> la <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong>l comportamiento a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, es necesarioestablecer una serie <strong>de</strong> <strong>con</strong>diciones al análisis.&XDVLHVWDWLFLGDGLa tensión <strong>de</strong> red rectificada, tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores que se están estudiando, varía<strong>con</strong> un periodo <strong>de</strong> 10 ms. Un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación típico es unos tres ór<strong>de</strong>nes <strong>de</strong> magnitud máspequeño, por lo tanto se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra que la tensión <strong>de</strong> entrada no varía en un ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.$SUR[LPDFLyQGHEDMRUL]DGRSe <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rará que el tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores C 1 (<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento) y C O(<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida) es lo suficientemente gran<strong>de</strong> como para po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>spreciar el rizado frente alvalor medio <strong>de</strong> su tensión. En el caso <strong>de</strong> C 1 se está <strong>de</strong>spreciando el rizado <strong>de</strong> 100 Hz, mientras que enel caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida se está <strong>de</strong>spreciando el rizado <strong>de</strong> frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.&LFORGHWUDEDMRFRQVWDQWHLas variaciones <strong>de</strong> carga que se prevén son bastantes más lentas que la frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Por tanto en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, la carga pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse <strong>con</strong>stante. Esta aproximaciónjunto <strong>con</strong> la <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ración <strong>de</strong> cuasiestaticidad, permite <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar <strong>con</strong>stante el ciclo <strong>de</strong> trabajo en unperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.&RQGLFLRQHVGHUpJLPHQSHUPDQHQWHSe admite para el análisis que el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida, C O , y los componentes magnéticos seencuentran en régimen permanente.A frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida se encuentra en régimen permanente, por tantosu corriente media a esta frecuencia será nula.Por otro lado, el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, no está en régimen permanente a la frecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación, sino que la energía que tiene almacenada permite que, a esta frecuencia, se comportecomo una fuente <strong>de</strong> tensión i<strong>de</strong>al, ya que a<strong>de</strong>más se ha admitido la aproximación <strong>de</strong> bajo rizado.Como se establecerá en posteriores apartados este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador alcanza su régimen permanente aldoble <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> red.En los siguientes análisis a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, se admitirá la igualdad voltios por segundopara <strong>de</strong>ducir las duraciones <strong>de</strong> los distintos intervalos <strong>de</strong> que <strong>con</strong>sta el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Estaigualdad es coherente <strong>con</strong> el hecho <strong>de</strong> que en MCD, la corriente en una inductancia parte <strong>de</strong> cero y83


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,acaba en cero en cada ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Resumiendo, las <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones que se establecen para un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación:• Tensión <strong>de</strong> entrada, salida y en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong>stantes.• El ciclo <strong>de</strong> trabajo es <strong>con</strong>stante.• El <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se comporta como una fuente <strong>de</strong> tensión i<strong>de</strong>al.• La corriente media por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida es nula.• Se cumple la igualdad voltios por segundo para las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> T 1 y T 2 . 0RGRVGHIXQFLRQDPLHQWRLa tensión <strong>de</strong> entrada en la familia SII es variable, este hecho <strong>con</strong>diciona la operación <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores. Para todo el rango <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, la manera en la cual <strong>con</strong>mutan los distintos<strong>con</strong>vertidores no es igual, y no todos los componentes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor llegan a utilizarse. Se ha<strong>de</strong>nominado modo <strong>de</strong> funcionamiento a cada una <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación que se vansucediendo, según la tensión <strong>de</strong> entrada va <strong>de</strong>scribiendo la correspondiente sinusoi<strong>de</strong>. &DXVDVGHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWREn general para todos los <strong>con</strong>vertidores SII, <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor instantáneo que toma la tensión <strong>de</strong>red rectificada, el diodo D AUX (DS 1-AUX para el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D) podrá o no polarizarsedirectamente, dando lugar a dos modos <strong>de</strong> funcionamiento diferentes.Para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor instantáneo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, la polarizacióndirecta <strong>de</strong> los diodos <strong>de</strong>l puente rectificador y <strong>de</strong>l diodo D AUX , discrimina entre 3 circuitos diferentes ypor tanto entre 3 modos <strong>de</strong> funcionamiento distintos.A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scribe el por qué <strong>de</strong> la polarización directa <strong>de</strong> estos diodos y, por tanto, la causa<strong>de</strong> la aparición <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> funcionamiento.¢3RUTXpQRVHSRODUL]DQGLUHFWDPHQWHORVGLRGRVGHOSXHQWHUHFWLILFDGRUGHOFRQYHUWLGRU6,,%"En el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 (y solamente en este <strong>con</strong>vertidor), para valores muy reducidos <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entrada, los diodos <strong>de</strong>l puente rectificador no se polarizan directamente.Durante el encendido <strong>de</strong> S 1 y S 2 , se produce una situación en la que la tensión en el cátodo <strong>de</strong> losdiodos <strong>de</strong>l puente rectificador, no la impone la tensión <strong>de</strong> entrada si no la fracción <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 que por efecto <strong>de</strong> la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> D AUX se refleja en el primario <strong>de</strong> T 1 . En la Figura4.5 se representa esta situación.La tensión que se refleja en el primario <strong>de</strong> T 1 , Y 35, viene dada por la expresión (4.1). Cuando la tensiónes mayor que la tensión <strong>de</strong> entrada los diodos <strong>de</strong>l puente rectificador están inversamente polarizados.1 æ 1 öY 35, = 9&× ×ç - 1÷1(4.1)Q1è Q2ø84


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,1:n 1 1:n 29 * Â_VHQw W_R 1 2AK9 &1QD AUX C 1 9 &L 22Y /Y /Y 35, L 12S 2S 1L ( )LJXUD3DUDHOFRQYHUWLGRU6,,%HQ=RQDORVGLRGRVGHOSXHQWHUHFWLILFDGRUQRVHSRODUL]DQLa tensión Y 35, tiene la misma polaridad que la tensión <strong>de</strong> entrada rectificada, ya que como se<strong>de</strong>scribirá en el apartado 4.4.4, para que en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 pueda existir una cierta cantidad <strong>de</strong>energía que se procese una única vez, es necesario que, durante la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l diodo DS 2 , el diodoD AUX esté inversamente polarizado. Por tanto es un requisito funcional que n 2 sea menor que 1.1 æ 1 ö( ( w W)< 9 × ×ç - 1÷1(4.2)Q1è Q2ø9 &Los valores <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red para los que se verifica la expresión (4.2) pertenecen al modo <strong>de</strong>funcionamiento que se ha <strong>de</strong>nominado Zona 0.Durante toda la Zona 0, la corriente <strong>de</strong> entrada será nula, ya que o bien no <strong>con</strong>ducen los diodos <strong>de</strong>lpuente rectificador o bien no <strong>con</strong>duce el propio transistor S 1 . En el resto <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores SII, noaparece el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción Zona 0, ya que la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 2 provoca que se aplique tensióninversa a D AUX , impidiendo a<strong>de</strong>más que la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento puedareflejarse en el primario <strong>de</strong> T 1 .¢3RUTXpQRVHSRODUL]DGLUHFWDPHQWHHOGLRGR' $8; "Como se pue<strong>de</strong> observar en la Figura 4.7, hasta que L 22 no ha <strong>de</strong>smagnetizado completamente, T 2sigue imponiendo la tensión en el cátodo <strong>de</strong> D AUX . Esta tensión respon<strong>de</strong> a la expresión (4.3):9FiWRGR _ 'DX[92- 9&1= 9&1+(4.3)Q2Si a<strong>de</strong>más L 12 todavía no ha <strong>de</strong>smagnetizado, la tensión en el ánodo <strong>de</strong> D AUX es la tensión <strong>de</strong> salida,V O . Por tanto la tensión cátodo-ánodo <strong>de</strong> D AUX viene dada por (4.4).=9 $. _ ' $8;&( 92- 9 ) ×ç - ÷ 11è Q2 øæ1ö(4.4)Esta tensión resulta ser negativa y por tanto, el diodo estará inversamente polarizado ya que así loimponen las dos <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones funcionales <strong>de</strong> diseño que se tratarán en el apartado 4.4.4 pero queaquí se a<strong>de</strong>lantan:• n 2 < 1: Para que D AUX no se polarice durante la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> DS 2 y pueda aparecer, portanto, potencia <strong>de</strong> procesado simple.85


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• V C1 < V O : La tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento siempre <strong>de</strong>be ser menor que latensión <strong>de</strong> salida. Como se tratará en el apartado 4.4.4, para que durante el tercer intervalo<strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación (cuando el <strong>con</strong>vertidor opera en el modo <strong>de</strong> funcionamientoZona 2), D AUX se polarice directamente y, por tanto, pueda aportarse potencia al<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, es necesario que se cumpla esta <strong>con</strong>dición.Después que L 22 ha <strong>de</strong>smagnetizado, T 2 ya no impone la tensión y por tanto D AUX podría empezar a<strong>con</strong>ducir. Sin embargo en este instante L 12 ya ha <strong>de</strong>smagnetizado y por tanto nunca llega a circularcorriente por D AUX . En las Figuras 4.6 y 4.7 se representa este proceso. Este modo <strong>de</strong> funcionamientose ha <strong>de</strong>nominado Zona 1 y se va a producir en todos los <strong>con</strong>vertidores SII.L /G,S /G L $ /,S /G WÃÃ79 2 DS 1 9 2DS 2L AK12Y $. ÃL 22L / C OR OD AUX 2WÃÃ79 2 -9&1QL /9 &)LJXUD(Q=RQDGHVPDJQHWL]DDQWHV/ TXH/ )LJXUD(Q=RQDQRVHSRODUL]DHOGLRGR' $8; )URQWHUDVHQWUHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWRHQODIDPLOLD6,,Como se ha <strong>de</strong>scrito en el apartado anterior, el cambio <strong>de</strong> un modo <strong>de</strong> funcionamiento a otro se <strong>de</strong>beprincipalmente al valor instantáneo que toma la tensión <strong>de</strong> entrada. Como se pue<strong>de</strong> observar en lafigura 4.8, el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 presenta a lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo <strong>de</strong> red los 2 modos <strong>de</strong>funcionamiento ya <strong>de</strong>scritos y el <strong>de</strong>nominado como Zona 2, que se <strong>de</strong>scribirá en 4.4.2.3.a 12Tensión <strong>de</strong> entrada rectificada9 *·|sen(w t)|a 12a 010Zona 0Zona 1‡ 2‡0a 12Zona 2Zona 1Tensión <strong>de</strong>entradarectificada‡ 2‡Zona 2Corriente <strong>de</strong>entradaZona 2Corriente <strong>de</strong>entrada0‡ 2‡0‡ 2‡)LJXUD0RGRVGHIXQFLRQDPLHQWRSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,%)LJXUD0RGRVGHIXQFLRQDPLHQWRHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,%6,,%'6,,)6,,)\6,,)66Estos modos <strong>de</strong> funcionamiento se suce<strong>de</strong>n <strong>de</strong> forma simétrica respecto <strong>de</strong>l ángulo p /2, ya que latensión <strong>de</strong> entrada también es simétrica y se ha <strong>de</strong>spreciado el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, V C1 . En la figura 4.9 se han representado los modos <strong>de</strong> funcionamiento para el resto86


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII; pue<strong>de</strong> observarse como solamente aparecen dos únicos modos. Es importante<strong>de</strong>stacar que el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 pue<strong>de</strong> diseñarse <strong>de</strong> forma que su Zona 0 sea prácticamenteinexistente y por tanto presente unos modos <strong>de</strong> funcionamiento similares a los <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong> topologíasSII.Como se <strong>de</strong>tallará en el apartado 4.5, para establecer el balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red, esnecesario <strong>con</strong>ocer para que ángulo <strong>de</strong> red se pasa <strong>de</strong> Zona 0 a Zona 1 y <strong>de</strong> esta a Zona 2; estos ángulose ha <strong>de</strong>nominado “fronteras” entre los modos <strong>de</strong> funcionamiento.)URQWHUDGHHQWUHODV=RQDV\HQHOFRQYHUWLGRU6,,%A partir <strong>de</strong> la expresión (4.2) se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir el ángulo <strong>de</strong> red a 01 , que <strong>de</strong>limita las Zonas 0 y 1 en el<strong>con</strong>vertidor SII-B. Este valor se recoge en (4.5).éù- 1 9&æ ö11 1a01= 6HQ ê × ×ç - 1÷ ú(4.5)ë 9*Q1è Q2ø ûdon<strong>de</strong> 9 * es el valor <strong>de</strong> la amplitud <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red (ver figura 4.8).)URQWHUDHQWUHODV=RQDV\Al <strong>con</strong>trario <strong>de</strong> lo que ocurre <strong>con</strong> la Zona 0, el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1 aparece en todas lastopologías SII. Por tanto se va a realizar un estudio <strong>con</strong>junto para todas ellas.L /L /9 ( ×Q/9×Q19 2(1G $=G×12/ 12929 0 9 ' / 21/2190G 1=G×9'GW7G $ G W7)LJXUD&RUULHQWHVSRUODVLQGXFWDQFLDV/ \/ HQ=RQDSDUDORVFRQYHUWLGRUHV6,,El modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1, aparece porque G $ , tiempo <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 es menorque G tiempo <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 21 .G $ < G 1(4.6)Por tanto para aplicar la <strong>con</strong>dición (4.6), hay que <strong>de</strong>terminar estos tiempos. En la figura 4.10 se recogela forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> las corrientes por las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> T 1 y T 2 , también se hanrepresentado las tensiones <strong>de</strong> magnetización y <strong>de</strong>smagnetización que se aplican a estas inductancias.En el caso <strong>de</strong> L 12 , estas tensiones siempre tienen la misma expresión, pero para L 21 , van tomandovalores diferentes, y se engloban en los símbolos 9 0 para la tensión <strong>de</strong> magnetización y 9 ' para la <strong>de</strong><strong>de</strong>smagnetización.87


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,A partir <strong>de</strong> la <strong>con</strong>dición (4.6), la expresión <strong>de</strong> la “frontera” entre los modos Zona 1 y Zona 2 respon<strong>de</strong>a la expresión (4.7) y es válida para todas las topologías.- 1æ9 öç2 90a =×÷126HQ(4.7)è 9*× Q19'øEn la tabla 4.2 se recogen las expresiones <strong>de</strong> 9 0 , 9 ' y la frontera a 12 para cada <strong>con</strong>vertidor SII.Convertidor V M V D a 12SII-B2SII-B1SII-B-2D9 & 19 9&1Q2Q29 &19&12 9 & 12 - - 1æ9÷ öç2 1 9&16HQ × ×è 9*Q192- 9&1 ø92 - 9&1- 1æ9Q÷ öç2 Q29&16HQ × ×29*Q192- 9&1 ø9 - - 1æ9÷ öç2 1 9&16HQ × ×è 9*Q192- 9&1 øèSII-F2SII-F1SII-F1-SS9 &19 &19 &19 2 - 1æ9Q ÷ öç& 1Q26HQ ×2è 9*Q1ø9 2 - 1æ9Q ÷ öç& 1Q26HQ ×2è 9*1211ø9 2 - 1æ9Q ÷ öç& 1Q26HQ ×2è 9*1211ø7DEOD([SUHVLyQSDUDODVWHQVLRQHVGHPDJQHWL]DFLyQ9 0 \GHVPDJQHWL]DFLyQ9 ' DSOLFDGDVD/ HQ=RQD([SUHVLyQGHODIURQWHUDHQWUHORVPRGRV=RQDV\a ,PSOLFDFLRQHVGHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWR=RQDEn el modo Zona 0, los diodos <strong>de</strong>l puente rectificador no <strong>con</strong>ducen y la corriente <strong>de</strong> entrada es nula,apareciendo un efecto <strong>de</strong> distorsión <strong>de</strong> cruce en la corriente media <strong>de</strong> entrada. Sin embargo, esimportante <strong>de</strong>stacar, que en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 no siempre aparece la distorsión <strong>de</strong> crucerepresentada en la figura 4.8. Variando el valor <strong>de</strong> n 2 , tal como indica la expresión (4.5), el valor <strong>de</strong>a 01 pue<strong>de</strong> reducirse sustancialmente, haciendo <strong>de</strong>saparecer casi por completo la Zona 0. Por tanto undiseño a<strong>de</strong>cuado proporciona, también para el <strong>con</strong>vertidor para SII-B2, una forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corrientecomo la representada en la figura 4.9 y que correspon<strong>de</strong> al resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.Ahora bien, si por diseño se permite la Zona 0, para este modo <strong>de</strong> funcionamiento, el flujo <strong>de</strong> potenciainterno es distinto al que se ha <strong>de</strong>scrito en el apartado 3.2.2, que correspon<strong>de</strong> al modo Zona 2.En este modo <strong>de</strong> funcionamiento, tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la Figura 4.11, no hay aporte <strong>de</strong>potencia <strong>de</strong>s<strong>de</strong> la entrada88


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,C 1 f1ge'6 e'6 g/ ' $8;f/ & 2 5 26 & )LJXUD'LDJUDPDGH%ORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLDHQHOFRQYHUWLGRU6,,%HQ=RQD. Por tanto, se alimenta a la carga exclusivamente <strong>de</strong>s<strong>de</strong> C 1 , mediante el <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong>bloques, que en este caso estará funcionando como un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> que opera <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong>trabajo casi <strong>con</strong>stante, ya que en el tiempo que dura la Zona 0, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, prácticamente no se modifica. Dos son los caminos para transferir la energía:• A través <strong>de</strong> DS 1 , mediante la magnetización y <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 . Camino e.• A través <strong>de</strong> DS 2 , mediante la magnetización y <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 22 . Camino g.=RQDCuando los <strong>con</strong>vertidores SII operan en Zona 1, la tensión <strong>de</strong> entrada es suficientemente alta comopara polarizar los diodos <strong>de</strong>l puente rectificador, sin embargo su valor no es capaz <strong>de</strong> <strong>con</strong>seguir lapolarización <strong>de</strong> D AUX .Ya que D AUX siempre está inversamente polarizado, no existe transferencia <strong>de</strong> energía <strong>de</strong> la entrada al<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, como pue<strong>de</strong> apreciarse en la Figura 4.12, para un <strong>con</strong>vertidor que nopresenta Zona 0. Por tanto en Zona 1, C 1 no se recarga.9030p DAUX (w t)Zona 10 p 2p)LJXUD(YROXFLyQGHODFRUULHQWHPHGLDSRUHOGLRGR' $8; FRQHOiQJXORGHUHG'LVWULEXFLyQGHOD=RQDEn este modo <strong>de</strong> funcionamiento, la carga se alimenta por dos vías:• Des<strong>de</strong> la red, mediante el <strong>con</strong>vertidor Flyback <strong>de</strong> entrada, <strong>con</strong>vertidor 2 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong>bloques.• Des<strong>de</strong> el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, mediante <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidor 1.La topología resultante y el flujo interno <strong>de</strong> potencia, se representan en la figura 4.13.89


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,c2C 1f1eg9 5(&7c'6 e'6 7 & 2 5 2& / / f6 6 g)LJXUD'LDJUDPDGH%ORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLDHQHOFRQYHUWLGRU6,,%HQ=RQD=RQDCuando el <strong>con</strong>vertidor opera en la Zona 2, la tensión <strong>de</strong> entrada alcanza un valor suficiente parapolarizar los diodos <strong>de</strong>l puente rectificador y para que la inductancia L 12 <strong>de</strong>smagnetice <strong>de</strong>spués <strong>de</strong> quelo haya hecho L 21 , permitiendo también la operación <strong>de</strong> D AUX .A lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo <strong>de</strong> red esta es la zona <strong>de</strong> operación <strong>de</strong> mayor duración como se apreciaen las Figuras 4.8 y 4.9. Es en este modo <strong>de</strong> funcionamiento don<strong>de</strong> a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> aportar potencia a lasalida, se recarga la energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Todo el proceso <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>scrito en el apartado 3.3, correspon<strong>de</strong> a operación enZona 2.7 & 2 5 2& cd2C 1f1eg9 5(&7c/ '6 e'6 ' $8;d/ f6 6 g)LJXUD'LDJUDPDGH%ORTXHV\IOXMRGHSRWHQFLDHQHOFRQYHUWLGRU6,,%HQ=RQD)XQFLRQHVGHWUDQVIHUHQFLDGLIHUHQWHVA lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo <strong>de</strong> red el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 opera en tres modos <strong>de</strong> funcionamientodiferentes, y en dos el resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Esto significa que las ecuaciones que <strong>de</strong>scriben elfuncionamiento <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores pue<strong>de</strong>n llegar a tener que cambiarse hasta cinco veces a lolargo <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red. Este hecho como se verá en el apartado 4.2.7.1 aña<strong>de</strong> una dificultadadicional a la hora <strong>de</strong>l cálculo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.En el Capítulo 6, mo<strong>de</strong>lado dinámico <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, <strong>de</strong>berán <strong>de</strong>sarrollarse tres o al menosdos mo<strong>de</strong>los promediados diferentes, para po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>scribir el comportamiento promediado <strong>de</strong> un solo<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> la familia SII. 'HVFULSFLyQGHOSHULRGRGHFRQPXWDFLyQA <strong>con</strong>tinuación, se <strong>de</strong>scribirán en <strong>de</strong>talle las formas <strong>de</strong> onda para los tres modos <strong>de</strong> funcionamiento,cuantificando a<strong>de</strong>más, los valores <strong>de</strong> tensiones y corrientes. En el apartado 4.4.3.3 se resumirán lasformas <strong>de</strong> onda más significativas para la Zona 2 <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.90


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, (VWXGLRGHWDOODGRSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,%ZONA 0(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 Durante el tiempo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 1 y S 2 se aplica tensión <strong>con</strong>stante a las inductancias L 12 y L 22 ensentido positivo, por tanto sus corrientes crecerán hasta los valores <strong>de</strong> pico ,S / e ,S /respectivamente. Las tensiones que soportanlas inductancias son:æ 1 öY / = ×ç - 1÷129&1(4.8)è Q2øY / 22= 9&1(4.9)Las corrientes <strong>de</strong> pico resultantes son:9&,S,S× G × 71/ 22= (4.10)/229æ 1 ö×ç - 1÷ × G × 7& 1Q2/ 12=è ø(4.11)/12L /L 'DX[ L / L /S 2Y 6 =0L &C 11:n 2 L 22D AUX L L 129 &)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%El sentido <strong>de</strong> circulación <strong>de</strong> corriente que impone la tensión aplicada a L 12 provoca la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>D AUX .La corriente que circula por C 1 respon<strong>de</strong> a la expresión (4.12) y sustituyendo en ésta el valor <strong>de</strong> lacorriente L , (4.13), se llega a la expresión (4.14) que proporciona el valor <strong>de</strong> la corriente por C 1 comofunción <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> las inductancia L 12 y L 22 .L = L - L - L(4.12)& 1 / 12 2 / 221L2= L/ 12×Q2(4.13)1L = L - -L(4.14)& 1/ 121 / 22Q2De esta forma, y teniendo en cuenta la <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ración funcional <strong>de</strong> diseño n 2 < 1 (ver apartado 4.4.1),la corriente i C1 resulta ser negativa en toda la Zona 0, por lo tanto C 1 solamente ce<strong>de</strong> energía en estemodo <strong>de</strong> funcionamiento.(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ Cuando abren S 1 y S 2 , las inductancias L 12 y L 22 <strong>de</strong>smagnetizan hacia la salida. L 12 lo hace a través <strong>de</strong>DS 1 y L 22 a través <strong>de</strong> DS 2 .El tiempo que tarda en <strong>de</strong>smagnetizar L 12 se <strong>de</strong>nomina G $ .91


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,La tensión que bloquea el interruptor S 2 , Y 6 ,viene dada por:Y 6 2= 9 2(4.15)La que bloquea el diodo D AUX , Y '$8; , vienedada por:æ 1 ö= ( 92 - 9 ) ×ç - 1÷1(4.16)è Q2ø91&DS 1DS 2L 12Y 'DX[ 9 L 22C ORO9 2L / L /Y 6 9 2L &9 &Los valores 9 , 9 y 9 son los valores <strong>de</strong> latensión Y '$8; para cada una <strong>de</strong> las etapas <strong>de</strong>l)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%Ãperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Ver la trazacorrespondiente a Y '$8; en las formas <strong>de</strong> onda recogidas en la tabla 4.3.Se están proporcionando las expresiones <strong>de</strong> las tensiones que bloquean los diodos y transistores en suestado <strong>de</strong> no <strong>con</strong>ducción, ya que estos valores se utilizarán en el Capítulo 6 para obtener el mo<strong>de</strong>lopromediado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2.(WDSD(WDSDILQDOGHODGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ El tiempo que tarda en <strong>de</strong>smagnetizar L 22recibe en las tres zonas <strong>de</strong> funcionamiento la<strong>de</strong>nominación G . La duración <strong>de</strong> la etapa 3 essin embargo en Zona 0: G G $ (ver formas <strong>de</strong>onda <strong>de</strong> la tabla 4.3).La tensión Y 6 viene dada por:Y 6 2= 9 2(4.17)La tensión Y '$8; viene dada por:9 - 9= (4.18)2 & 1929&1+Q2DS 2Y 'DX[ 9 L &9 &L 22C OR O9 2Y 6 9 2L /)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%Ã(WDSD7LHPSR0XHUWREsta etapa se extien<strong>de</strong> <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el instante en que han <strong>de</strong>smagnetizado los dos transformadores, hasta quecomienza un nuevo ciclo.La duración <strong>de</strong>l intervalo 4 es: GG .Las tensiones que bloquean Y 6 y Y '$8; sonidénticas y <strong>de</strong> valor 9 & . Las formas <strong>de</strong> ondamás significativas y los circuitosequivalentes correspondientes a cada uno <strong>de</strong>los intervalos en los que se divi<strong>de</strong> un ciclo<strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, se resumen en la tabla 4.3.Y 'DX[ 9 L &9 &Y 6 9 &)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%92


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,S 1Zona 0T L1DS 1 ( 1:n L '6 L 2 1 D AUXT 2 1:n L L2'DX[ 12 9 (R OL 22C O9 2L /S 2L /Y 6L '6L & L 6 Y 69 & C 1Etapa 1: Conducción <strong>de</strong> S 1 y S 2 .(WDSDÃ(WDSDÃY *6(WDSDÃ(WDSDÃGt/TG $G 1-G-G G -G $ L /Y 6 ,S /L /L & ,S /,S ,S /9 2 9 &D AUX 1:n 2 L L 22L 12 L 'DX[ L / L Y6 /S 2=0L &L / C 19 &Etapa 2: Desmagnetización <strong>de</strong> L 12 .DS 1DS 2L 12Y 'DX[ 9 L 22C ORO9 2L / L /Y 6 9 2L &9 &Etapa 3: Final Desmagnetización <strong>de</strong> L 22 .Y 'DX[9 9 9 DS 2Y 'DX[ 9 L &L 22C OR O9 2Y 6 9 2L /9 &,S9æ 1 ö×ç - 1÷ × G × 7& 1è Q2ø 9/ 12= ç÷ 1= ( 92- 9&1)× - 1è Q2ø/129&1× G × 7,S/22=/22=9+æ1- 92 & 1929&1Q2æ 1 ö,S = ×ç - 1÷2,S/ 1293 = 9&1è Q2øöEtapa 4: Tiempo Muerto.Y 'DX[ 9 L &9 &Y 6 9 &7DEOD=RQDUHVXPHQGHIRUPDVGHRQGD\FLUFXLWRVHTXLYDOHQWHVGHOFRQYHUWLGRU6,,%93


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,ZONA 1(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 En esta Zona aparecen las formas <strong>de</strong> ondatípicas <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor Flyback (S 1 – T 1 –DS 1 ) y <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor Elevador (L 22 – S 2 –DS 2 ) operando en MCD. Por tanto, durante elperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 1 y S 2 las bobinasL 12 y L 22 se magnetizan hasta alcanzar unascorrientes <strong>de</strong> pico cuyo valor se recoge en lasexpresiones (4.19) y (4.20):T 1L ( 1:n 1 L 12 9 L ( 22C OR 9 O 2L /S 2L S /1L &L 69 & )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%Q × 9 × G × 7= (4.19)1 (,S/12/129&,S× G × 71/ 22= (4.20)/22(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ Dado que la tensión <strong>de</strong> entrada es pequeña, L 12 <strong>de</strong>smagnetiza antes que L 22 . Lo hace en un tiemponormalizado G $ .La tensión que bloquea el interruptor S 2 vienedada por la expresión (4.21):Y 6 2= 9 2(4.21)la que bloquea S 1 := 9(4.22)2959( + Q1Los valores 9 y 9 son los valores <strong>de</strong> latensión Y 6 para cada una <strong>de</strong> las etapas <strong>de</strong>lperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Ver la traza correspondiente a Y 6 en las formas <strong>de</strong> onda recogidas en la tabla4.4.(WDSD(WDSDILQDOGHODGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ La inductancia L 22 <strong>de</strong>smagnetiza en untiempo G sin embargo la duración <strong>de</strong> estaetapa es: G G $ (ver formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> latabla 4.4).La tensión que bloquea S 2 resulta idéntica ala etapa anterior (4.21). La tensión quebloquea S 1 resulta:T 1DS 1 L 1:n '6 L 2 1 DS 2L L '6129 (R OL 22C O9 2S 1L /S 2L 9 /6 9 L &2L & 9 6 9 29 &)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%DS 2L '6L 22C O9 2S 1S L 29 /6 9 L &9 ( R O9 6 9 29 &96 = 9 ((4.23))LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%94


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,(WDSD7LHPSR0XHUWRLa duración <strong>de</strong> esta etapa es: GG .La tensión Y 6 viene dada por:96 2= 9&1(4.24)La tensión Y 6 coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> la <strong>de</strong> la etapaanterior, expresión (4.23).9 ( C OR 9 O 2S 29 6 9 6 9 S 19 &)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%Las formas <strong>de</strong> onda más significativas y los circuitos equivalentes correspondientes a cada intervalo,se resumen en la Tabla 4.4.95


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,S 1Zona 1T L1DS 1 ( 1:n L '6 L 2 1 D AUXT 2 1:n L L2'DX[ 129 ( R OL 22C O9 2L /S 2L /Y 6L '6L & L 6 Y 69 & C 1Etapa 1: Conducción <strong>de</strong> S 1 y S 2 .(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃY *6L Gt/T/,S /G $ L /,S /G Y9 2 69 &GG G G $ T L 1( 1:n 1 L 129 L ( 22C OR 9 O 2L /S 2LS /1L &L 69 &Etapa 2: Desmagnetización <strong>de</strong> L 12 .T 1DS 1 L 1:n '6 L 2 1 DS 2L L '612 9 (R OL 22C O9 2S 1L /S 2L 9 /6 9 L &2L & 9 6 9 29 &Etapa 3: Final Desmagnetización <strong>de</strong> L 22 .Y 6DS 29 9 L '6L 22C O9 2S 1S L 29 /6 9 L &9 ( R O9 6 9 29 & Q × 9=1 (,S/12/12× G × 799 = 259( + Q1Etapa 4: Tiempo Muerto.R 9 O 291× G × 79 6 / 22= 996 = 96 9 S 1(/229 &,S&9 ( S 2C O7DEOD=RQDUHVXPHQGHIRUPDVGHRQGD\FLUFXLWRVHTXLYDOHQWHVGHOFRQYHUWLGRU6,,%96


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,ZONA 2(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 Durante el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 1 y S 2las bobinas L 12 y L 22 se magnetizan hastaalcanzar unas corrientes <strong>de</strong> pico dadas por lasexpresiones (4.25) y (4.26).Q × 9 × G × 7= (4.25)1 (,S/12/129&,S× G × 71/ 22= (4.26)/22(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ Cuando cortan S 1 y S 2 , las inductancias L 12 yL 22 comienzan a <strong>de</strong>smagnetizarse hacia lacarga. La bobina L 12 se <strong>de</strong>smagnetiza a través<strong>de</strong> DS 1, L 22 lo hace a través <strong>de</strong> DS 2 . En esteintervalo D AUX está inversamente polarizado.La duración <strong>de</strong> esta etapa es G .El valor <strong>de</strong> la corriente por L 12 , cuando ha<strong>de</strong>smagnetizado por completo L 22 , respon<strong>de</strong> ala expresión (4.27):92× G × 7,S1' = ,S/12-(4.27)/12(WDSD' $8; \'6 FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ Una vez que L 22 ha <strong>de</strong>smagnetizado, T 2 ya noDS 1impone la tensión en el cátodo <strong>de</strong> D AUX , y ésteD AUXpue<strong>de</strong> comenzar a <strong>con</strong>ducir. La <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>1:n 2L L 'DX[ 12D AUX provoca que L 22 se magnetice en sentidoL 22<strong>con</strong>trario a como lo había hecho a través <strong>de</strong>L /L S 2 ./La corriente <strong>de</strong> L 12 se reparte entre D AUX yDS 1 :L = +(4.28)/ 12L'DX[L'61i Daux crece linealmente según la expresión (4.29):T L 1( 1:n 1 L 129 ( L 22S 2S 1L /L &C OR O 9 2L /L69 &)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%DS 1 L '6 L 2L 12 L 22C OR OL /DS 2L &2L '6L /L &L &L &29 29 & )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%L '6 L 2 T 2 L &2C OR O9 2L & 9 &)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%L'DX[2222( 92- 9&) × Q × W= (4.29)/1Por tanto, la corriente por DS 1 irá <strong>de</strong>creciendo también linealmente hasta anularse. En ese instantefinaliza esta etapa, cuya duración es G .97


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,,S & es el valor <strong>de</strong> la corriente por D AUX al <strong>con</strong>cluir esta etapa:,S&292- 9&) 1× Q2× G2× 7= (4.30)( /22(WDSD,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQVHULHCuando DS 1 corta, las inductancias L 12 y L 21quedan dispuestas en serie <strong>con</strong> el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadorC 1 . Por tanto, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador sereparte entre las dos bobinas formando undivisor inductivo (ver Figura 4.26).Consi<strong>de</strong>rando la inductancia magnetizante <strong>de</strong>T 2 vista <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el primario, el reparto <strong>de</strong>tensiones resulta:Y/12/ 12= - 9&1×(4.31)/12+ /21D AUX 1:n 2L 12 Y / Y L /21L /L /T 29 &)LJXUD'HVPDJQHWL]DFLyQFRQMXQWDGH/ \/ HQ=RQD0RGHORFRQERELQDVDFRSODGDVÃY/21/ 21= - 9&1×(4.32)/12+ /21Con estas tensiones <strong>de</strong>smagnetizan las dosinductancias, ya que están atravesadas por lamisma corriente. La duración <strong>de</strong> esta etapa esG .Se pue<strong>de</strong> llegar a la misma <strong>con</strong>clusión sinreferir L 22 al primario <strong>de</strong> T 2 (Figura 4.27). Seobtiene idéntico valor para Y / , y un valorpara la tensión Y / dado por la expresión(4.33).Y/ 22/= Q2× 9&1×(4.33)/ × Q + /12222222Y /L 12L /L 2 T 21:n L &22L 'DX[L 22Y /C OR O9 2L /L & 9 & D AUX)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%,QWHUYDOR7LHPSRPXHUWRLa duración <strong>de</strong>l intervalo 5 es G .Lógicamente, se verifica:G = - - - - (4.34)41 G G1G2G3Las formas <strong>de</strong> onda más significativas y loscircuitos equivalentes correspondientes a cadaintervalo, se resumen en la tabla 4.5.L 12D AUXL 'DX[L 2R OL 2L &2L 22C O R O9 2L &9 & )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%98


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Zona 2Etapa 1: Conducción <strong>de</strong> S 1 y S 2 .T L1DS 1 ( 1:n L '6 L 2 1 D AUX T 2 1:n L L2'DX[ L '612 9 ( L 22C OR O9 2L /S 2L /Y 6S 1Y 6 L & L 6 C 9 & 1T L 1( 1:n 1 L 12 9 ( L 22S 2L /S 1L &C OR O 9 2L /L69 & Etapa 2: Desmagnetización <strong>de</strong> L 22 .Y *6L /L /L '6(WDSDÃ(WDSDÃG(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃ,S &,S &,S /,S /,S /t/TDS 1 L '6 L 2 L 12 L 22C OR OL /DS 2L &2L '6L /L &9 29 &Etapa 3: D AUX y DS 1 comparten la corriente<strong>de</strong> L 12 .L 12L /DS 19 2L 'DX[ L '6 T 2 1:n 2L 22C OL 2 L &2R OL & 9 & L /D AUX,S ' ,S &Etapa 4: Intervalo Inductancias en Serie.L 'DX[ G G G G ,S /,S ',S&Y /L 12L /D AUXT 2,S /,S ',S&Etapa 5: Tiempo Muerto.1:n 2L 'DX[L &2L 22Y /C OL /L &L &L &2L 2R O9 29 & Q × 91 (,S/12=/12× G × 79&1× G × 7,S/22=/2292× G,S'= ,S/12-/- &,S =&× Q( 929 ) 1/2222112× 7× G2× 7L 12D AUXL 'DX[L 2L &2L 22C OR O9 2L & 9 &7DEOD=RQDUHVXPHQGHIRUPDVGHRQGD\FLUFXLWRVHTXLYDOHQWHVGHOFRQYHUWLGRU6,,%99


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 0RGHORFRQWUHVLQGXFWDQFLDVSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,%HQ=RQDEl funcionamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en Zona 2, pue<strong>de</strong> ser <strong>de</strong>scrito mediante dos mo<strong>de</strong>los en<strong>con</strong>mutación distintos:• Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> acoplamiento magnético en T 2 .Este circuito es el más próximo a la realidad. Sin embargo tal y como se trata en el Capítulo6, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar este acoplamiento aña<strong>de</strong> mucha complejidad al proceso <strong>de</strong> obtención <strong>de</strong> unmo<strong>de</strong>lo promediado orientado a simulación. La forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> L / se representa, paraeste mo<strong>de</strong>lo, en la Figura 4.29.a.• Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres bobinas e interruptor <strong>de</strong>sfasado, S A .Con objeto <strong>de</strong> facilitar el proceso <strong>de</strong> promediado, se ha utilizado un circuito equivalente alanterior, que logra <strong>de</strong>sacoplar las bobinas <strong>de</strong> T 2 y que se representa en la Figura 4.29.b.L /L 'DX[,S &,S &,S /DS 1 T 2 R OY *6a)t/TT 1 DS 29 ( L 22L 12 D AUXL 'DX[1:n 2C 1 S 2S 1L /C Ob)• Acoplamiento en elL 22 sufre dos procesos <strong>de</strong> magnetización y<strong>de</strong>smagnetización sin “memoria”.transformador T 2Y *6L /S Y t/TA *6DL 22L /L ,S /t/T/C 1S 2S 1L / ,S &L 21 DS 2T DS 1 1 L 12 9 ( C OR O• 3 bobinas sin acoplamiento• Interruptor <strong>de</strong>sfasado S AS A inicia su <strong>con</strong>ducción cuando ha <strong>de</strong>smagnetizado L 22 ycorta cuando ha <strong>de</strong>smagnetizado L 21 .)LJXUD'HVFULSFLRQHVHTXLYDOHQWHVGHOIXQFLRQDPLHQWRHQFRQPXWDFLyQGHFRQYHUWLGRU6,,%D0RGHORFRQWUDQVIRUPDGRU7E0RGHORFRQERELQDVHLQWHUUXSWRUGHVIDVDGRLa inductancia L 22 sufre dos procesos magnetización – <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> signo <strong>con</strong>trario, figura4.29.a. Entre ellos no existe “PHPRULD” ya que el flujo ha llegado a cero antes <strong>de</strong> que comience lamagnetización en sentido negativo, ahora a través <strong>de</strong> D AUX .Por tanto es posible <strong>de</strong>sacoplar T 2 en dos bobinas L 21 y L 22 que tomen el valor <strong>de</strong> la representación <strong>de</strong>la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 en el <strong>de</strong>vanado primario (L 21 ) y en el secundario (L 22 ). Por tanto susvalores estarán <strong>con</strong>ectados mediante relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong> T 2 , n 2 , expresión 4.35.100


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,//21= (4.35)Q2222La sustitución <strong>de</strong> T 2 por dos bobinas es posible si se impone que L 21 no comience a magnetizar hastaque se haya agotado el flujo por L 22 . Este hecho se <strong>con</strong>sigue mediante la utilización <strong>de</strong>l interruptor S A ,cuyo encendido se retrasa hasta la <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 22 .Este artificio logra proporcionar un nuevo mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2, que no posee un sentidofísico pero que como se verá en el Capítulo 6 se hace imprescindible a la hora <strong>de</strong> obtener un mo<strong>de</strong>lopromediado orientado a simulación. Esta técnica es aplicable a cualquiera <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, yaque la corriente por L 22 presenta idénticas características en todos ellos.En el apartado anterior, se ha <strong>de</strong>scrito el proceso <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> T 2 . A<strong>con</strong>tinuación se obtendrán las formas <strong>de</strong> onda y los circuitos equivalentes para cada etapa <strong>de</strong>l periodo<strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, para el mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres bobinas e interruptor <strong>de</strong>sfasado, operando en Zona 2. En estecaso, a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> las corrientes más significativas, se han incluido también las tensiones en aquellosinterruptores y diodos que requiera el posterior proceso <strong>de</strong> promediado.ZONA 2, MODELO CON TRES INDUCTANCIAS E INTERRUPTOR DESFASADO.(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 Durante el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S 1 y S 2las bobinas L 12 y L 22 se magnetizan hastaalcanzar unas corrientes <strong>de</strong> pico dadas por lasexpresiones (4.36) y (4.37):T L 1( L 1:n 2 1 S A9 6$ 9 L &2L 22L L /12 9 ( LL 6 & C OR O9 2Q × 9 × G × 7= (4.36)1 (,S/12/12S 1L /9 &S 29&,S× G × 71/ 22= (4.37)/22El interruptor S A no <strong>con</strong>duce y la tensión quebloquea resulta:)LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%0RGHORGHWUHVLQGXFWDQFLDV9 = Q × 9 ( + 9(4.38)12 1 & 1Los valores 9 a 9 proporcionan la magnitud <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> tensión que se recogen en latabla 4.6.(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ Cuando cortan S 1 y S 2 , las inductancias L 12 yL 22 comienzan a <strong>de</strong>smagnetizarse hacia lacarga.L 12 se <strong>de</strong>smagnetiza a través <strong>de</strong> DS 1 y L 22 lohace a través <strong>de</strong> DS 2 . En este intervalo S Atodavía está cortado.La duración <strong>de</strong> esta etapa es G .T L 1( DS 1:n 1L '6 L 2 1L 9 '6L6$ 9 S &2AL 22L /DS 2L 12 9 (L & R OS 1C O9 2L /C 1 9 & S 29 6 9 9 6 9 )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%0RGHORGHWUHVLQGXFWDQFLDV101


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Las tensiones que bloquean los interruptores que no <strong>con</strong>ducen, S 1 , S 2 y S A son respectivamente:= 9(4.39)2999( + Q197 = 9 2(4.40)9 = - ( 9 ) 2 - 91(4.41)13 &(WDSD' $8; \'6 FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ Una vez que L 22 ha <strong>de</strong>smagnetizado, comienza la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l interruptor <strong>de</strong>sfasado, S A . Su<strong>con</strong>ducción provoca que L 21 comience a magnetizarse <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> tensión que proporciona laexpresión (4.42).Y = -(4.42)/ 21929&1L 6D crece linealmente según la expresión(4.43).L6D( 92- 9&) 1× W= (4.43)/21Por otro lado, la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> S A “roba”corriente a DS 1 , <strong>de</strong> manera que la corriente <strong>de</strong><strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 se reparte entre S A yDS 1 ; expresión (4.44).L = +(4.44)/ 12L6DL'61T L 1( DS 1:n 1 L '6 L 2 1 L /L &2S A L 21L 129 L & ( S 2R OC 1S 1Y /C O9 L 6 9 92/9 & 9 6 9 )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%0RGHORGHWUHVLQGXFWDQFLDVCuando la corriente por S A y la corriente <strong>de</strong> L 12 se igualan, corta DS 1 y finaliza esta etapa, cuyaduración es G .,S & es el valor <strong>de</strong> la corriente por S A en el instante en que <strong>con</strong>cluye la etapa 2. Su valor se recoge en(4.45)( 9 - 9&) × G,S/1× 7& =22(4.45)21Las tensiones que bloquean S 1 y S 2 , son respectivamente:= 9(4.46)2999( + Q1Este valor coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> el correspondiente al intervalo anterior.98 = 9&1(4.47)Éste es el valor <strong>de</strong> la tensión en bornes <strong>de</strong> S 2 hasta el comienzo <strong>de</strong> un nuevo periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación, ya que S 2 y DS 2 no <strong>con</strong>ducirán en los restantes intervalos.(WDSD6 $ \'6 FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ Cuando DS 1 corta, las inductancias L 12 y L 21 quedan dispuestas en serie <strong>con</strong> el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 . Por102


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,tanto, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador se reparte entre las dos bobinas formando divisor inductivo (Figura4.33). El reparto <strong>de</strong> tensiones resulta:Y/ 12/12= - 9&1×(4.48)/12+ /21Y/21/ 21= - 9&1×(4.49)/12+ /21Con estas tensiones <strong>de</strong>smagnetizan las dos inductancias, ya que están atravesadas por la mismacorriente. La duración <strong>de</strong> esta etapa es G .La tensión que bloquea S 1 resulta:9& 1 12910= 9(+ ×(4.50)Q1/12+ /21Cuando han <strong>de</strong>smagnetizado L 12 y L 21 , seapaga S A . Es necesario asumir que esteinterruptor es unidireccional, para que la<strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> L 21 se anulecuando ha <strong>de</strong>smagnetizado, y no puedamagnetizarse en sentido inverso./T L 1( L 1:n 2 1 L /L &2L 12 L 9 &( R OS 1S A L 21Y /Y /C OS 29 L /6 9 92C 1 9 & 9 6 9 )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%0RGHORGHWUHVLQGXFWDQFLDV(WDSD7LHPSRPXHUWRLa duración <strong>de</strong>l intervalo 5 es d 4 . Se verifica:G = - - - - (4.51)41 G G1G2G3Las tensiones que bloquean S 1 y S A vienendadas respectivamente por (4.52) y (4.53):911 = 9 ((4.52)914 = 9&1(4.53)Las formas <strong>de</strong> onda más significativas y loscircuitos equivalentes correspondientes a cadaintervalo, se resumen en la Tabla 4.6.T L 1( L 1:n 2 1 S LA9 6$ 9 &29 ( L & C OS R 9 6 9 O922C 1 9 & S 19 6 9 )LJXUD=RQD(WDSD(VTXHPDHTXLYDOHQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,%0RGHORGHWUHVLQGXFWDQFLDV103


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Zona 2, Mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> tres inductanciasEtapa 1: Conducción <strong>de</strong> S 1 y S 2 .1:n 1L /T DS 1 1 AL 12 1:n 1 -LY /6S L 21 L 22L /DS 2++9 (-C OR O++L /C 19 &-S 2Y 6-+ S 1Y 6-+9 2 -T L 1( L 1:n 2 1 S A9 6$ 9 L &2L 22L L /12 9 ( LL 6 & C OR O9 2L /9 &S 2S 1Y *6Y *6DL /L /L /Etapa 2: Desmagnetización <strong>de</strong> L 22 .(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃT L 1( DS 1:n 1L '6 L 2 1 L 9 '6L6$ 9 S &2AL 22L /DS 2L 12 9 (L & C OR O9 2Gt/TL /C 1 9 & S 29 6 9 S 19 6 9 ,S /t/TEtapa 3: D AUX y DS 1 comparten la corriente,S &<strong>de</strong> L 12 .T L 1( DS 1:n 1 L '6 L ,S 2 /1 L /L &2S A L 21L 12 9 Y L & ,S/( C & OS 29 R OL /9 6 9 9 2C 1 & S 19 6 9 Etapa 4: Intervalo Inductancias en Serie.T L 1( L 1:n 2 1 L /L &2S A L 21L 12 Y /9 Y /L & ( C OR S O2 9 L /9 6 9C 1 & G G G G Y 6 99 9 Y 9 69 9 Y 6D 9 9 S 19 29 6 9 Q × 91 (,S/12=/1222× G × 79&1× G × 7,S/22=/( 92- 9&) × G,S =/1&212× 79 = 9 29 = 97 8 & 19 = 9 (9 = 911 14 & 199 = 299( + Q19&1/12910= 9(+ ×Q1/12+ /219 = Q × 9 ( + 912 1 & 19 = - ( 9 ) 2 - 9113 &Etapa 5: Tiempo Muerto.T L 1( L 1:n 2 1 S LA9 6$ 9 &29 (L & C OS R 29 6 9 O9 2C 1 9 & S 19 6 9 7DEOD=RQDUHVXPHQGHIRUPDVGHRQGD\FLUFXLWRVHTXLYDOHQWHVGHOFRQYHUWLGRU6,,%0RGHORGHWUHVERELQDV104


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 'HVFULSFLyQ UHVXPLGD GHO SHULRGR GH FRQPXWDFLyQ SDUD HO UHVWR GH ORVFRQYHUWLGRUHV6,,A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scribe brevemente el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores<strong>de</strong> la familia SII operando en el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 2. Los dos restantes modos <strong>de</strong>funcionamiento no se van a tratar <strong>de</strong> nuevo, ya que el modo Zona 0 sólo aparece en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 y el modo Zona 1 ya se ha <strong>de</strong>scrito <strong>de</strong> forma generalizada para todos los <strong>con</strong>vertidores SII en elapartado 4.4.2.2.CONVERTIDOR SII-B1(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 'XUDFLyQGLos dos interruptores <strong>con</strong>ducen a la vez. Lainductancia L 21 se magnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y lainductancia L 11 lo hace <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada.(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG Cuando los interruptores se abren, L 12<strong>de</strong>smagnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, V O , através <strong>de</strong>l diodo DS 1 y la inductancia L 22<strong>de</strong>smagnetiza <strong>con</strong> la diferencia entre la tensión<strong>de</strong> salida y la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, V C1 , a través <strong>de</strong>l diodo DS 2 .En esta etapa el flujo magnético <strong>de</strong> lainductancia L 22 llega a anularse pero no ocurrelo mismo para la inductancia L 12 .En la corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento aparece un salto <strong>de</strong>bido a quela magnetización <strong>de</strong>l transformador T 2 se harealizado en su <strong>de</strong>vanado primario y la corriente<strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización circula por el <strong>de</strong>vanadosecundario. Ambas corrientes sin embargohabrán atravesado C 1 y por tanto en la transición<strong>de</strong> la etapa 1 a la 2 aparece un salto <strong>de</strong>bida a larelación <strong>de</strong> transformación n 2 .5 '6 7 ' 7 $8;'6 / / / / & 2 5 26 6 & (WDSD' $8; \'6 FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG En el momento en que se ha completado la <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 22 , DS 2 se corta y ya no se imponela tensión, ni en el transformador T 2 , ni tampoco en el cátodo <strong>de</strong> D AUX . Por lo tanto, una vez que elflujo magnético <strong>de</strong> T 2 llega a cero, comienza a magnetizarse en sentido <strong>con</strong>trario a como lo habíahecho en las dos primeras etapas. El ritmo al que crece la corriente por D AUX , lo marca L 21 , quecomienza a magnetizarse <strong>con</strong> la diferencia <strong>de</strong> tensiones V O - V C1 .Y *6,S /,S & ,S / L /Gt/TL & ,S /L '6,S /,S & ,S 'L 'DX[ ,S &L 6GG G G G ,S /7DEOD3HULRGRGHFRQPXWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,%105


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Esta segunda magnetización <strong>de</strong> L 21 <strong>de</strong>riva hacia C 1 parte <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> L 12 que antes circulabaíntegra a través <strong>de</strong> DS 1 . En el instante en que la corriente por D AUX y L 12 se igualan, DS 1 se corta,terminando así esta etapa.(WDSD,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQVHULH'XUDFLyQG Cuando DS 1 <strong>de</strong>ja <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducir, las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> los dos transformadores, L 12 y L 21quedan <strong>con</strong>ectadas en serie, y a través <strong>de</strong> D AUX , <strong>de</strong>smagnetizan juntas <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> C 1 formandoun divisor inductivo. Tras el intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie aparece el tiempo muertocorrespondiente a cualquier <strong>con</strong>vertidor que trabaje en MCD.CONVERTIDOR SII-B-2D.(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 'XUDFLyQGLos dos interruptores <strong>con</strong>ducen a la vez. Lainductancia L 2 se magnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y lainductancia L 11 lo hace <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada.(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG Cuando los interruptores se abren, L 12<strong>de</strong>smagnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, V O , através <strong>de</strong> los dos diodos DS 1-AUX y DS 1-2<strong>con</strong>ectados en serie y la inductancia L 2<strong>de</strong>smagnetiza <strong>con</strong> la diferencia entre la tensión<strong>de</strong> salida y la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, V C1 , a través <strong>de</strong>l diodo DS 1-2 .Por esta razón, a través <strong>de</strong> DS 1-2 circula potencia<strong>de</strong> simple y doble procesado, <strong>de</strong> forma diferentea como ocurre en el resto <strong>de</strong> topologías SII,don<strong>de</strong> siempre DS 1 es el camino por el que lacarga recibe la potencia <strong>de</strong> procesado simple yDS 2 aporta la potencia <strong>de</strong> doble procesado.Al igual que ocurre en el resto <strong>de</strong> las topologíasSII, en el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, en esta etapa,todavía no se ha agotado la corriente <strong>de</strong> L 12cuando llega a cero el flujo en la inductancia L 2 .(WDSD' \& FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG En este <strong>con</strong>vertidor no es necesario que5 7 / / / & 2 5 26 '6 6 comience la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> un nuevo semi<strong>con</strong>ductor para recargar la energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento; por el <strong>con</strong>trario, cuando la corriente que hasta ahora circulaba por L 2 y C 1 llega acero, pue<strong>de</strong> seguir circulando ahora en sentido negativo, <strong>de</strong>rivando parte <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong><strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 , que circula íntegra a través <strong>de</strong> DS 1-AUX , hacia C 1 para recargarlo <strong>de</strong> energía.Y *6L /L '6$8;G'6 $8;& ,S /,S &L ,S && ,S / ,S /,S &L ' ,S / ,S /,S /L 6GG G G G ,S /7DEOD3HULRGRGHFRQPXWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,%'t/T106


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,En la Tabla 4.8 pue<strong>de</strong> observarse como en el paso <strong>de</strong> la etapa 2 a la 3, la corriente por C 1 no varía supendiente, ya que esta sigue impuesta por la tensión 9 2 9 & . Este hecho se <strong>de</strong>be a que en el cambio <strong>de</strong>etapa no se produce ningún cambio en el estado <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los interruptores <strong>de</strong>l circuito. Eneste sentido, estrictamente, no se produciría un cambio <strong>de</strong> etapa, sin embargo a nivel energético si seha producido un cambio sustancial. Durante la etapa 2 el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento todavía haestado cediendo energía a la carga y por el <strong>con</strong>trario, durante la etapa 3 y la etapa 4 recibirá energía.Por esta razón y ya que los cálculos <strong>de</strong> corrientes medias, eficaces y balance <strong>de</strong> potencia sesimplifican, se ha mantenido como cambio <strong>de</strong> etapa el instante en que la corriente por C 1 pasa a serpositiva.La etapa 3 finaliza cuando la corriente que se <strong>de</strong>riva hacia C 1 iguala a la corriente <strong>de</strong><strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 que para ese instante toma el valor ,S & ; en ese mismo momento, la corrientepor DS 1-2 se anula.(WDSD,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQVHULH'XUDFLyQG Cuando DS 1-2 <strong>de</strong>ja <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducir, las inductancias L 12 y L 2 quedan <strong>con</strong>ectadas en serie y a través <strong>de</strong>ldiodo DS 1-AUX . Ambas <strong>de</strong>smagnetizan juntas <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> C 1 , formando un divisor inductivo. Trasel intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie aparece el tiempo muerto correspondiente a cualquier <strong>con</strong>vertidorque trabaje en MCD.CONVERTIDOR SII-F2.(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 'XUDFLyQGLos dos interruptores <strong>con</strong>ducen a la vez, lainductancia L 21 se magnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y la inductanciaL 11 lo hace <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Lasprincipales formas <strong>de</strong> onda se muestran en latabla 4.9.(WDSD 'HVPDJQHWL]DFLyQ GH / 'XUDFLyQG Cuando los interruptores se abren, L 12 y L 22comienzan a <strong>de</strong>smagnetizar <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>salida; L 12 lo hace a través <strong>de</strong> DS 1 y L 22 a través<strong>de</strong> DS 2 . Al <strong>con</strong>trario que los <strong>con</strong>vertidores SIIque incluyen la letra B en su nombre indicandoque el <strong>con</strong>vertidor interno 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong>bloques presenta topología elevadora, el<strong>con</strong>vertidor SII-F2 presenta una estructura)O\EDFN en la posición 1. Esto es así, ya que todala energía que se extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento en la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l interruptorS 2 se almacena en el flujo magnético <strong>de</strong> T 2 yposteriormente se ce<strong>de</strong> a través <strong>de</strong> DS 2 .'6 ' $8;6 / / 6 & 2 5 2La estructura )O\EDFN <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1 también queda patente en la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Esta corriente es nula durante la etapa 2 ya que laY *6& ,S /,S / L /Gt/TL & ,S & L '6,S /,S & ,S 'L 'DX[ ,S &L 6GG G G G ,S /7DEOD3HULRGRGHFRQPXWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)107


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,energía que C 1 ce<strong>de</strong> a la carga se transfiere íntegra a través <strong>de</strong>l flujo magnético <strong>de</strong> T 2 , no como en los<strong>con</strong>vertidores SII-B, en los que C 1 aparece <strong>con</strong>ectado en serie <strong>con</strong> la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2en el intervalo <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación en el que se ce<strong>de</strong> potencia a la carga, tal y como suce<strong>de</strong> enun <strong>con</strong>vertidor elevador.En la etapa 2, cuando se agota el flujo en la inductancia L 22 , todavía hay corriente en la inductanciaL 12 al igual que en el resto <strong>de</strong> las topologías SII. El valor <strong>de</strong> esta corriente se indica <strong>con</strong> el símbolo,S ' .(WDSD' $8; \'6 FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG Una vez que se ha completado la <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 22 , DS 2 se corta y ya no se impone la tensión,ni en el transformador T 2 , ni tampoco en el cátodo <strong>de</strong> D AUX . Por lo tanto, a partir <strong>de</strong> este instante, T 2comienza a magnetizarse en sentido <strong>con</strong>trario a como lo había hecho en las dos primeras etapas, yaque D AUX pue<strong>de</strong> empezar a <strong>con</strong>ducir. La pendiente <strong>con</strong> la que crece la corriente por D AUX la imponenL 21 y la diferencia <strong>de</strong> tensiones V O - V C1 que se aplica sobre esta inductancia.La magnetización <strong>de</strong> L 21 <strong>de</strong>riva hacia C 1 parte <strong>de</strong>la corriente <strong>de</strong> L 12 , que antes circulaba íntegra através <strong>de</strong> DS 1 , cediendo energía al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento. En el instante en que lacorriente por D AUX y L 12 se igualan, DS 1 se corta,terminando así esta etapa.5 7 '6 ' $8;/ / '6 / 7 & 2 5 27 / 76 / 6 & (WDSD ,QWHUYDOR GH ,QGXFWDQFLDV HQ VHULH'XUDFLyQG Cuando DS 1 <strong>de</strong>ja <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducir, las inductanciasmagnetizantes <strong>de</strong> los dos transformadores, L 12 yL 21 quedan <strong>con</strong>ectadas en serie y a través <strong>de</strong>D AUX , <strong>de</strong>smagnetizan juntas <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> C 1 ,formando un divisor inductivo. Tras el intervalo<strong>de</strong> inductancias en serie aparece el tiempo muertocorrespondiente a cualquier <strong>con</strong>vertidor quetrabaje en MCD.CONVERTIDOR SII-F1.En las topologías SII-F1 y SII-F1-SS, la inclusión<strong>de</strong> un tercer <strong>de</strong>vanado en T 1 va a permitirtrasladar el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento alprimario <strong>de</strong> este transformador, a<strong>de</strong>másproporcionará al diseño un grado <strong>de</strong> libertadadicional. El esquema y las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-F1 se representan en la Tabla4.10.(WDSD&RQGXFFLyQGH6 \6 'XUDFLyQGLos dos interruptores <strong>con</strong>ducen a la vez, la inductancia L 21 se magnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y la inductancia L 11 lo hace <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.Y *6L /G,S /13,S & ×12L ,S & & ,S / ,S /L '6L 'DX[ L 6GG G G G ,S ',S &,S /t/T7DEOD3HULRGRGHFRQPXWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)108


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,(WDSD'HVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG Cuando los interruptores se abren, L 12 y L 22 comienzan a <strong>de</strong>smagnetizar <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, L 12 lohace a través <strong>de</strong> DS 1 y L 22 a través <strong>de</strong> DS 2 . También en los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS toda laenergía que se extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, en la <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l interruptor S 2 , sealmacena en el flujo magnético <strong>de</strong> T 2 y posteriormente se ce<strong>de</strong> a través <strong>de</strong> DS 2 . Por tanto tambiénpresentan estructura Flyback en el <strong>con</strong>vertidor interno 1, hecho que <strong>de</strong> nuevo se refleja en la forma <strong>de</strong>onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Esta corriente es nula durante la etapa 2 yaque la energía que C 1 ce<strong>de</strong> a la carga se transfiere íntegra a través <strong>de</strong>l flujo magnético <strong>de</strong> T 2 .En la etapa 2, cuando se agota el flujo en la inductancia L 22 , todavía resta corriente en la inductanciaL 12 al igual que en las <strong>de</strong>más topologías SII. El valor <strong>de</strong> esta corriente se indica <strong>con</strong> el símbolo ,S ' .(WDSD' $8; \'6 FRPSDUWHQODFRUULHQWHGHGHVPDJQHWL]DFLyQGH/ 'XUDFLyQG En el momento en que se ha completado la <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 22 , DS 2 se corta y ya no se imponela tensión, ni en el transformador T 2 , ni tampoco en el cátodo <strong>de</strong> D AUX . Por lo tanto, a partir <strong>de</strong> esteinstante T 2 comienza a magnetizarse en sentido <strong>con</strong>trario a como lo había hecho en las dos primerasetapas, ya que D AUX pue<strong>de</strong> empezar a <strong>con</strong>ducir. La pendiente <strong>con</strong> la que crece la corriente por D AUX laimponen L 21 , junto <strong>con</strong> la diferencia entre la tensión <strong>de</strong> salida referida al terciario <strong>de</strong> T 1 y la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, que se aplica sobre esta inductancia, y que viene dada por laexpresión (4.54).1Y = - (4.54)3/ 2192× 9&112La magnetización <strong>de</strong> L 21 <strong>de</strong>riva hacia C 1 parte <strong>de</strong>la corriente <strong>de</strong> L 12 que antes circulaba íntegra através <strong>de</strong> DS 1 , cediendo energía al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento. DS 1 se corta, terminando asíesta etapa, en el instante en que la corriente porD AUX y L 13 se igualan al valor ,S & .(WDSD ,QWHUYDOR GH ,QGXFWDQFLDV HQ VHULH'XUDFLyQG Cuando DS 1 <strong>de</strong>ja <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducir, las inductanciasmagnetizantes <strong>de</strong> los dos transformadores, L 13 yL 21 , quedan <strong>con</strong>ectadas en serie y, a través <strong>de</strong>D AUX , <strong>de</strong>smagnetizan juntas <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> C 1 ,formando un divisor inductivo. Tras el intervalo<strong>de</strong> inductancias en serie aparece el tiempo muertocorrespondiente a cualquier <strong>con</strong>vertidor quetrabaje en MCD.CONVERTIDOR SII-F1-SS.En la topología SII-F1-SS, la inclusión <strong>de</strong>l diodoD SS permite eliminar el MOSFET S 2 pasando aser S 1 quien realice su función. El esquema y lasformas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> esta topología se presentan en/ / 5 '6 '6 ' 66& 25 2& Y *6L /G,S /13,S & ×12L ,S & & ,S / ,S /L '6L 'DX[ L 6GG G G G ,S ',S &t/T,S/ ,S /,S /7DEOD3HULRGRGHFRQPXWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)66109


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,la Tabla 4.11.(WDSD&RQGXFFLyQGH6 'XUDFLyQGAl <strong>con</strong>ducir el interruptor S 1 , la inductancia L 21 se magnetiza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y la inductancia L 11 lo hace <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.Ambas corrientes <strong>de</strong> magnetización pue<strong>de</strong>n observarse en la corriente <strong>de</strong> S 1 que se representa en laTabla 4.11.El resto <strong>de</strong> las etapas <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>scribirse <strong>de</strong>forma idéntica a las correspondientes <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1.CUADRO RESUMEN FORMAS DE ONDA DE LAS TOPOLOGÍAS SII.En la tabla 4.12 se resumen las principales formas <strong>de</strong> onda a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong> todos los<strong>con</strong>vertidores SII.110


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,SII-BSII-B2 SII-B1 SII-B-2D5'6 '6 5 7 7 7 / / / / 6 6 6 '6 $8;'6 7 ' $8;'6 ' $8;'6 5 7 / / / / / / / & 2 5 2& 2 5 2& 2 5 26 6 6 & & & Y *6Y *6Y *6L /G,S & ,S ',S & ,S /,S /L & ,S /t/T,S /,S /,S /,S / ,S / L '6$8;,S /GL /Gt/TL /L & ,S &L & ,S &,S & ,S ',S & ,S /t/TL '6L '6,S &L ' G G G G ,S / ,S /L 'DX[ G G G G ,S &,S &,S /L 6,S /L 'DX[ G G G G L 6,S /L 6,S /GGGSII-FSII-F2 SII-F1 SII-F1-SS5 / / 5 5 & 2 5 2/ / '6 '6 '67 7 '6 7 7 '6' $8; / / / 7 7 7 / 6 7 6 ' $8;6 ' $8;6'6 / ' 66& 25 2& 2 5 2/ / / 7 6 7 / / & & & Y *6Y *6Y *6L /G,S & ,S ',S & ,S /,S /L & ,S /t/TL /G,S /13,S & ×12L & ,S / ,S & ,S /t/TL /G,S /13,S & ×12L & ,S / ,S & ,S /t/TL '6L '6L '6L 'DX[ G G G G ,S &,S ',S &,S ',S &L 6,S /L 'DX[ G G G G L 6,S /L 'DX[ G G G G L 6,S/ ,S /,S /GGG7DEOD)RUPDVGHRQGDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQHQHOPRGRGHIXQFLRQDPLHQWR=RQDSDUDORVFRQYHUWLGRUHVGHODIDPLOLD6,,111


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 2SHUDFLyQ GHO FRQPXWDGRU PDJQpWLFR &RQVLGHUDFLRQHV IXQFLRQDOHV GHGLVHxREn el Capítulo 3 se a<strong>de</strong>lantaba que los <strong>con</strong>vertidores SII realizan la división paralelo <strong>de</strong> energía pormedio <strong>de</strong> un <strong>con</strong>mutador magnético. Esta división energética se produce en el modo <strong>de</strong> operación=RQD.Como se pue<strong>de</strong> comprobar en la tabla 4.12, en cinco <strong>de</strong> las seis topologías propuestas, el <strong>de</strong>vanadoprimario <strong>de</strong> T 2 (L 21 ) y los diodos D AUX y DS 1 forman una estructura que pue<strong>de</strong> ser <strong>de</strong>scrita como un<strong>con</strong>mutador <strong>con</strong>trolado magnéticamente o FRQPXWDGRUPDJQpWLFR. La excepción a esta estructura la<strong>con</strong>stituye el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, en la que el <strong>con</strong>mutador está formado por la inductancia L 2 y eldiodo DS 1-AUX , aunque el funcionamiento es el mismo que en el resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos.En la figura 4.35 se representa el diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII incluyendo el<strong>con</strong>mutador magnético que divi<strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada tomada <strong>de</strong> la red por el <strong>con</strong>vertidor interno 2.Mientras se impone la tensión en el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 2 , el diodo D AUX permaneceinversamente polarizado, <strong>de</strong> forma que el <strong>con</strong>mutador se sitúa en la posición superior y da paso a lapotencia <strong>de</strong> simple procesado.Cuando la tensión ya no se impone en el secundario <strong>de</strong> T 2 , D AUX pue<strong>de</strong> comenzar a <strong>con</strong>ducir, dandocomienzo a la transición entre las dos posiciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>mutador (etapa <strong>de</strong> duración d 2 <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación). Durante esta etapa existe una <strong>con</strong>vivencia <strong>de</strong> las dos potencias, <strong>de</strong> simple y dobleprocesado, sin embargo este hecho no resta vali<strong>de</strong>z al <strong>con</strong>cepto <strong>de</strong>l <strong>con</strong>mutador magnético, para<strong>de</strong>scribir en estos <strong>con</strong>vertidores la forma en la que se realiza la división paralelo <strong>de</strong> energía.Finalmente el diodo DS 1 se polariza inversamente <strong>de</strong> forma que el <strong>con</strong>mutador ha cambiado a suposición inferior, transfiriendo al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento el resto <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada.3RWHQFLDÃGHÃHQWUDGD3RWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGR3 223RWHQFLDÃGHÃGREOHÃSURFHVDGR1D S1 T 2C 1T 2D AUX L 21&RQPXWDGRUPDJQpWLFR)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,\GLVSRVLFLyQGHO³FRQPXWDGRUPDJQpWLFR´112


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&RQVLGHUDFLRQHVIXQFLRQDOHVGHGLVHxRUna vez presentadas las diferentes topologías, y <strong>de</strong>scrito el proceso <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, se pue<strong>de</strong>n<strong>de</strong>ducir unos requisitos funcionales o <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones funcionales <strong>de</strong> diseño que <strong>de</strong>ben cumplirse paraasegurar que la correcta operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>mutador magnético.• 5HTXLVLWR 1RSRODUL]DFLyQGLUHFWDGH' $8; GXUDQWHODHWDSD.Durante la etapa dos, D AUX no <strong>de</strong>be polarizarse directamente, ya que <strong>de</strong> esta forma, DS 1 no<strong>con</strong>duciría y por tanto no se aportaría a la carga potencia <strong>de</strong> un solo procesado. Paracumplir este requisito, la tensión ánodo cátodo <strong>de</strong> D AUX durante la etapa 2 <strong>de</strong>be sernegativa.• 5HTXLVLWR3RODUL]DFLyQGLUHFWDGH' $8; GXUDQWHODHWDSDPara que parte <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 12 pueda circular a través <strong>de</strong> D AUXen la etapa 3, y <strong>de</strong> esta manera recargar el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, la tensión en elánodo <strong>de</strong> D AUX <strong>de</strong>be ser menor que V C1 .La particularización <strong>de</strong> estos requisitos proporciona, para cada topología, el rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y algunas <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones <strong>de</strong> diseño. Todo ello se resumeen la tabla 4.13.&RQYHUWLGRU 3RODUL]DFLyQ' $8; (WDSD 1RSRODUL]DFLyQ' $8; (WDSDSII-B2 9 & < 92SII-B1 9 & < 921Q2< 11Q2< 1SII-B-2D 9 & < 9---------1 2SII-F2 9 & 1< 92SII-F1SII-F1-SS9& 1< 92×9& 1< 92×11113232> 99&1 2æ 19&1> 92×çè 1æ 19&1> 92×çè 1æ 1 ö×ç 1-÷è Q2 ø3232--1 ö÷Q2ø1 ö÷Q2ø7DEOD&RQVLGHUDFLRQHVIXQFLRQDOHVGHGLVHxR\UDQJRGHYDORUHVSDUDODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUWLFXODUL]DGDVSDUDFDGDWRSRORJtDGHODIDPLOLD6,,Como se ha tratado en el apartado anterior, el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D no necesita para su correctofuncionamiento que se cumpla un requisito equivalente a la no polarización <strong>de</strong> D AUX durante la etapa2. En este <strong>con</strong>vertidor, la potencia o corriente <strong>de</strong> procesado simple va a fluir <strong>de</strong> forma natural, a través<strong>de</strong> los diodos DS 1-AUX y DS 1-2 <strong>con</strong>ectados en serie.Al observar la tabla 4.13 se pue<strong>de</strong>n extraer algunas <strong>con</strong>clusiones importantes.• En las topologías en las que los ánodos <strong>de</strong> DS 1 Y D AUX están unidos y <strong>con</strong>ectados al<strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong> T 1 (SII-B2, SII-B1, SII-B-2D y SII-F2), la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador113


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>de</strong> almacenamiento va a resultar inferior que la tensión <strong>de</strong> salida; por tanto, estos cuatro<strong>con</strong>vertidores forman el grupo V C1-L . Ver apartado 3.3.3.• En las topologías que aña<strong>de</strong>n un tercer arrollamiento a T 1 , SII-F1 y SII-F1-SS, la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no está acotada superiormente <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> salida,sino que se cuenta <strong>con</strong> un grado <strong>de</strong> libertad adicional para fijar este valor. Este hechoresulta muy interesante, ya que posibilita elegir la tensión a la que se almacena la energía<strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> optimizar el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento cuando se requiereun tiempo <strong>de</strong> mantenimiento o KROGXSWLPH. %DODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQUna vez <strong>con</strong>ocidas las formas <strong>de</strong> onda a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, se va a <strong>de</strong>sarrollar un estudiocuyo resultado es la expresión que rige la evolución <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. El punto<strong>de</strong> partida, para la obtención <strong>de</strong> la expresión <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, es el balance <strong>de</strong> potencia para unperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.En este apartado se va a exponer el método general para la <strong>con</strong>secución <strong>de</strong> este balance <strong>de</strong> potencia, y<strong>de</strong>spués se particularizará en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, finalmente se recogerán las expresiones <strong>de</strong> laevolución <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para cada topología SII. /H\GHYDULDFLyQGHOFLFORGHWUDEDMRLa tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII posee respuesta dinámica rápida, ya que la carga estáalimentada <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante durante todo el ciclo <strong>de</strong> red. Por tanto, para cualquier instante <strong>de</strong>lsemiperiodo <strong>de</strong> red, la suma <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> simple y doble procesado se mantendrá <strong>con</strong>stante eigual a la potencia que <strong>de</strong>manda la carga.1&LFORÃGHÃ7UDEDMRGŠWY 5(&7 ŠWáL '6 ñ‡ 2‡Št+áL '6 ñ=, 2&RUULHQWHÃGHÃVDOLGDL R w W L '6 !w WL '6 !w W FWH , 2L '6 !ŠWL '6 !ŠW‡ 2‡Št)LJXUD%DODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHUHG\OH\GHYDULDFLyQGHOFLFORGHWUDEDMREsta <strong>con</strong>dición pue<strong>de</strong> expresarse también en términos <strong>de</strong> corriente, tal y como se hacía en (3.1), aquí,se recoge <strong>de</strong> nuevo en (4.55) y su representación gráfica se muestra en la Figura 4.36.114


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,92L '61 ( w W)+ L'62( w W)= L2( w W)= = <strong>con</strong>stante(4.55)52El ciclo <strong>de</strong> trabajo se irá adaptando a las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong> las que extrae la energía paramantener la potencia <strong>de</strong> salida <strong>con</strong>stante. De forma cualitativa, la ley <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>berá sermáxima en las proximida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los pasos por cero y mínima en las zonas próximas al valor máximo<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. Cerca <strong>de</strong> los pasos por cero, a partir <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (que presenta un valor reducido en comparación <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>red) el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>berá ser tal que entregue, vía DS 2 , prácticamente toda la potencia que<strong>de</strong>manda la carga, ya que, para estos ángulos <strong>de</strong> red, la potencia que fluye por la rama <strong>de</strong> procesadosimple es muy pequeña. Sin embargo, cerca <strong>de</strong>l máximo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, su valor es muy elevadoy como en esta zona el mayor aporte <strong>de</strong> energía es <strong>de</strong> procesado único, el ciclo <strong>de</strong> trabajo será menor.El primer paso para obtener el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>siste, tal y como se apunta en la figura 4.35, enpromediar en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación las corrientes por los diodos DS 1 y DS 2 . Para ello seránecesario <strong>con</strong>ocer los valores que <strong>de</strong>finen la geometría <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> las corrientes porambos diodos.Estos valores se <strong>de</strong>nominarán en lo sucesivo como magnitu<strong>de</strong>s geométricas, y son:• Las corrientes <strong>de</strong> pico.• Pendientes <strong>de</strong> los distintos tramos <strong>de</strong> las corrientes.• Las duraciones <strong>de</strong> las etapas.Es importante tener en cuenta, que las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>n <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> funcionamiento y portanto, serán diferentes para Zona 0, Zona 1 o Zona 2. Las magnitu<strong>de</strong>s geométricas <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rán a<strong>de</strong>más<strong>de</strong> la topología, por ejemplo, la tensión <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 22 , 9 ' , (ver expresión (4.7)) tomaráel valor:• 9 2 9 & , para los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l grupo SII-B (topología elevadora en el <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>ldiagrama <strong>de</strong> bloques).• 9 2 , para los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l grupo SII-F (topología )O\EDFN en el <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>ldiagrama <strong>de</strong> bloques).En la figura 4.37 se representan las formas <strong>de</strong> onda para los modos Zonas 0, Zona 1 y Zona 2. Estasformas <strong>de</strong> onda son válidas para cualquiera <strong>de</strong> las topologías SII, cambiando los valores <strong>de</strong> lasmagnitu<strong>de</strong>s geométricas. Sin embargo, es necesario hacer alguna puntualización:• En el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, caso <strong>de</strong> aparecer la Zona 0, ésta respon<strong>de</strong> a las mismas formas <strong>de</strong>onda que la Zona 1 aunque las magnitu<strong>de</strong>s geométricas si diferirán. En el apartado 4.4.3.1se <strong>de</strong>sarrolla en <strong>de</strong>talle este aspecto.• En el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, las corrientes representadas en la Figura 4.37 se suman ya queambas circulan a través <strong>de</strong>l diodo DS 1-2 . Sin embargo las formas <strong>de</strong> onda representadas enla figura 4.37 pue<strong>de</strong>n ser admitidas como <strong>de</strong>scomposición <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda reales talcomo propone la Figura 4.38 y por tanto podrán ser utilizadas para realizar el cálculo <strong>de</strong>lbalance <strong>de</strong> potencia.115


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Zona 1 Zona 2L '6,S / ,S '9 2 / 12L / 12-L'$8;L '6L '6,S /9 2 / 1222/22áL '6 ñG $,S /W79 'HVáL '6 ñáL '6 ñG G W7L '6 ,S / 9 'HV/2222áL '6 ñG W7W7)LJXUD&RUULHQWHVLQVWDQWiQHDV\VXVPDJQLWXGHVJHRPpWULFDVSRUORVGLRGRVGHVDOLGDHQORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWR=RQDV\=RQDObservando la Figura 4.37, se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>ducir la expresiones (4.56) a (4.59) que recogen los valores<strong>de</strong> las corrientes promediadas por los diodos DS 1 y DS 2 para cada Zona.Zona 11L ×2'6 1= × ,S/12G $(4.56)1= G1(4.57)2L '6 2× ,S/22×Zona 1Zona 2L '6,S /L '6,S / Ã,S /áL '6 ñáL '6 ñ,S / áL '6 ñWÃÃ7ÃL '6 G $L '6,S / WÃÃ7Ã,S / WÃÃ7ÃL '6 ,S / G G ,S / ,S / WÃÃ7ÃáL '6 ñG L '6 ,S / áL '6 ñG WÃÃ7ÃG $áL '6 ñG G G WÃÃ7ÃPotencia procesado simple)LJXUD'HVFRPSRVLFLyQGHODFRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 GHOFRQYHUWLGRU6,,%'HQORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWR=RQD\=RQD116


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Zona 2L,S+ ,S212/ 12 ''6 1= × G $ + × ,S'×G2(4.58)1= G1(4.59)2L '6 2× ,S/22×A partir <strong>de</strong> estas se <strong>de</strong>duce la expresión <strong>de</strong> las corrientes que se inyectan en la celda R O -C O <strong>de</strong> salida ypor tanto el balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Zona 11219,S = , 2 =25× / 12× G $ + × ,S/22× G122(4.60)Zona 2,S/ 12+ ,S2'× G +112× ,S'× G2+12× ,S/ 22× G1= ,29=522(4.61)Las igualda<strong>de</strong>s (4.60) y (4.61) pue<strong>de</strong>n expresarse <strong>de</strong> una manera más compacta, teniendo en cuenta lasvariables <strong>de</strong> las que <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> cada uno <strong>de</strong> los términos que las componen.Todas las magnitu<strong>de</strong>s geométricas, tanto corrientes <strong>de</strong> pico como duraciones <strong>de</strong> las etapas, <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>nexclusivamente <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong>l circuito: entrada, <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y tensión <strong>de</strong>salida, y a<strong>de</strong>más, también <strong>de</strong> los valores que <strong>de</strong>finen un <strong>de</strong>terminado diseño, L 12 , L 21 , n 1 y n 2 2 . Portanto, (4.60) y (4.61) se pue<strong>de</strong>n reescribir en (4.62) y (4.63) respectivamente.( w W,91)= 3 × Y1(W,91,9 , 9 ;/12,/21,Q1,2)(4.62)G= 1 & 2 w & * 2 Q( w W,91)= 3 × Y2( W,91,9 , 9 ;/12,/21,Q1,2)(4.63)G= 2 & 2 w & * 2 QDon<strong>de</strong> 9 * es la amplitud <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> la red.En las funciones y 1 y y 2 , las variables in<strong>de</strong>pendientes son el ángulo <strong>de</strong> red w t, y la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 , el resto <strong>de</strong> los parámetros, son <strong>con</strong>stantes que separticularizarán para cada nuevo cálculo.La función que recoge la variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo ha <strong>de</strong> ser una función <strong>de</strong>finida por tramos, yaque <strong>de</strong>be tomar el valor <strong>de</strong> las funciones G = w W9 & o G = w W9 & según corresponda. En la igualdad(4.64) se recoge una función para el ciclo <strong>de</strong> trabajo, válida para cualquier valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red.G ( wW,1)=9 &GG( w W9


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Hay que hacer notar que en este caso no se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado que el <strong>con</strong>vertidor pudiera presentar elmodo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 0. En caso <strong>con</strong>trario, la función <strong>de</strong> la expresión (4.64), estaría <strong>de</strong>finidaen cinco tramos. (VWXGLRGHWDOODGRGHOEDODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,%En este apartado se presentan, como ejemplo <strong>de</strong> lo expuesto en el apartado anterior, los pasos seguidospara obtener la función G = w W9 & (ciclo <strong>de</strong> trabajo para Zona 2) correspondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-B2.2EWHQFLyQGHODVGXUDFLRQHVGHODVGLIHUHQWHVHWDSDVPara obtener las duraciones <strong>de</strong> las distintas etapas que se suce<strong>de</strong>n en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación seaplicará la igualdad voltios por segundo a las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> los dos transformadores.En la figura 4.39, se representan las tensiones que se aplican a estas inductancias y suscorrespondientes corrientes. Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 4.39.b, L 22 , sufre dos procesos <strong>de</strong>magnetización y <strong>de</strong>smagnetización sin “memoria” entre ellos, por lo tanto sobre esta inductancia seaplicará dos veces el balance voltios por segundo pudiendo obtenerse así las tres relaciones quepermiten <strong>de</strong>ducir las duraciones d 1 , d 2 y d 3 en función <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo.a)L / ,S / t/TGL 12G G G G Y /9 ( ×Q 1b)L 22L / & Q ,S /9 &GG G G G ,S ,S /t/T9 2,S & ,S //9 &+129 & 1×/12+/21Y / 19 -2 9 &/9 & ×211 ×Q2/12+/21( -91 ) Q29 2 &×)LJXUD7HQVLRQHVDSOLFDGDVVREUHODVLQGXFWDQFLDVPDJQHWL]DQWHVGHORVWUDQVIRUPDGRUHV7 \7 GHOFRQYHUWLGRU6,,%HQHOPRGRGHIXQFLRQDPLHQWR=RQD\VXVFRUUHVSRQGLHQWHVFRUULHQWHVA partir <strong>de</strong> la Figura 4.39, se obtiene un sistema <strong>de</strong> tres ecuaciones <strong>con</strong> tres incógnitas, cuya soluciónproporciona las expresiones (4.65), (4.66) y (4.67) que recogen respectivamente las duraciones d 1 , d 2 yd 3 .GG9& 11= G ×(4.65)92- 9&123/21× [ Q1× 9(× ( 92- 9&1)- 9&1× 92]( 9 - 9 ) × [ 9 × (/+ / )-9 × / ]= G ×(4.66)2& 122112& 1(/21+ /12) × [ Q1× 9(× ( 92- 9&1)- 9&1× 92]9 × [ 9 × (/+ / )-9 × / ]& 12112& 11212G = G ×(4.67)2118


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,2EWHQFLyQGHORVYDORUHVGHSLFRGHODVFRUULHQWHVPara obtener las valores <strong>de</strong>sarrollados <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> pico se sustituirán las duraciones <strong>de</strong> losintervalos, expresiones (4.65), (4.66) y (4.67), en las expresiones ya presentadas para las corrientes <strong>de</strong>pico, (4.25), (4.26), (4.27) y (4.30). Tras realizar esta sustitución, las corrientes <strong>de</strong> pico quedanexpresadas como función <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, habiendo sido eliminadas las duraciones <strong>de</strong> lasdiferentes etapas. Las expresiones <strong>de</strong> estas corrientes resultan:Q1× 9(× 7,S/ 12= × G(4.68)/129&1× 7,S/ 22= × G(4.69)/,S,S22éê Q1× 9 -=ë9× 9ùú × 7û& 1 2(( 92- 9&1)' ×/12[ Q × 9(× ( 92- 9&1)- 9&1× 92][ 9 × (/+ / )-9 × / ]G(4.70)1× 7G(4.71)& =×2 21 12 & 1 12%DODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQSustituyendo los valores <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> pico y duraciones <strong>de</strong> las etapas en (4.61), que recoge laexpresión general <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia en Zona 2, se obtiene (4.72) que recoge la ley <strong>de</strong> variación<strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 2 para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2.G= 221( w W,9&1)= 32× ×(4.72)72'(9 ) × 9 ( w W)+ ((9 ) × 9 ( w W)+ )(9 )& 1(don<strong>de</strong> las funciones '9 & , (9 & \)9 & , vienen dadas por las siguientes igualda<strong>de</strong>s.'(9((9)(9& 1& 1&))1)23×/21× Q1= (4.73)/12× [ 92× (/21+ /12)-9&1× /12]Q& 19&1× [ 2 × /21× ( 92- 9&1)- 3×/21× 92]( 9 - 9 ) × [ 9 × (/+ / )-9 × / ]×1= (4.74)/12× 2 & 1 2 21 12 & 1 12æ 9ç-92 × [/12× ( 92- 9&1)- /21× 92]12× [ 92× (/21+ /12)-9&1× /12]( 9 - 9 ) 292 2 & 19&1× ç -/22/÷=èø(4.75)2& 1Pue<strong>de</strong> comprobarse, finalmente, comparando las relaciones 4.63 y 4.72, que una vez fijado un valorpara V C1 , el cuadrado <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo varía proporcionalmente <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> salida, tal ycomo apuntaba (4.63).(ö÷& 1119


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 5HVXPHQGHODVH[SUHVLRQHVGHOFLFORGHWUDEDMRSDUDORVGLVWLQWRVFRQYHUWLGRUHV6,,Utilizando un método similar al <strong>de</strong>scrito en el apartado anterior, se han obtenido las expresiones <strong>de</strong>lciclo <strong>de</strong> trabajo para todas las topologías SII. En este caso se van a presentar no en función <strong>de</strong> lasinductancias magnetizantes <strong>de</strong> los transformadores, sino en función <strong>de</strong> los que en a<strong>de</strong>lante<strong>de</strong>nominaremos como parámetros <strong>de</strong> diseño. El motivo es que en el capítulo 5 se utilizarán estasexpresiones, recogidas en este formato, para ayudar a evaluar la influencia <strong>de</strong> estos parámetros <strong>de</strong>diseño sobre la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo.En este apartado, se a<strong>de</strong>lantan las <strong>de</strong>finiciones <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño, aunque en el apartado5.1.1 se realizará una <strong>de</strong>scripción más <strong>de</strong>tallada. Estos parámetros son:• Parámetro <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción:.=2 × /125 72 ×(4.76)don<strong>de</strong> R O es la resistencia <strong>de</strong> carga y T es el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.• Relación <strong>de</strong> inductancias <strong>de</strong> los transformadores:/=/12a (4.77)21• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 2 :/22Q2= (4.78)/21• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 1 :Si T 1 presenta dos <strong>de</strong>vanados./12Q1= (4.79)/11Si T 1 presenta tres <strong>de</strong>vanados, se aña<strong>de</strong> n 23 .1Q =/3 1323= (4.80)12/12A <strong>con</strong>tinuación se muestran las funciones <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, para cada modo <strong>de</strong> funcionamiento ytopología SII.120


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,CONVERTIDORES SII-B2 Y SII-B1.Es importante resaltar que, aunque el <strong>con</strong>vertidor SII-B1 no presenta Zona 0, las funciones <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong>trabajo, para los modos <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1 y Zona 2, resultan idénticas a las <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorSII-B2.=RQD=RQDGG==01( w W,9( w W,9& 1& 1) =) =æ 9çè 9& 122ö æ 1 ö a÷ ×ç - 1 +Q÷ø è 2 ø Q22..æ Q ö12 aç × 9(( W)+9÷ wè 2 øQ2222×9×9229×9×2& 1( 9 - 9 )22& 1& 1( 9 - 9 )2& 1(4.81)(4.82)=RQDG=2( w W,9 ) =& 1æ Q1çè 922ö 1÷ ×ø æ 91+a ×ç 1-è 9& 12× 9(( w W)ö÷ø22 × Q1× a+292× 9& 1.1×æ 91+a ×ç 1-è 9& 12× 9(( w W)+ö 9÷ø229&1( 9 - 9 )×2& 1a×Q22æç2ç Q2× ç 1-çæ 91+a ×ç 1-è è 9(4.83)La expresión (4.83) resulta idéntica a la (4.72) aunque la notación es más compacta y proporciona unai<strong>de</strong>a <strong>de</strong> la influencia que sobre el ciclo tienen los parámetros <strong>de</strong> diseño.En la Figura 4.40 se representa la distribución <strong>de</strong> las funciones G = w W9 & , G = w W9 & y G = w W9 & que <strong>con</strong>forman el ciclo <strong>de</strong> trabajo para cada modo <strong>de</strong> funcionamiento. Para el caso representado en lafigura 4.40, el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 presenta un modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 0 apreciable. Para estemodo, la función G = w W9 & resulta <strong>con</strong>stante e in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.& 12ö÷÷÷ö÷÷ø øG ( wW,1)=( 9 &1GGGG( w W9


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,122CONVERTIDOR SII-B-2D.=RQD( )1212211)(),(1&22&(2&=9999W99Q.9WG-××+×÷÷øöççèæ=aww(4.84)=RQD÷÷øöççèæ-×+××+×÷÷øöççèæ-×+××××+×÷÷øöççèæ-×+×÷÷øöççèæ=2&2&(2&2&(2&2&=9999W99999QW9999Q.9WG12212121121211111)(1112)(111),(2aawaawaw(4.85)Pue<strong>de</strong> comprobarse como las funciones que <strong>con</strong>forman el ciclo <strong>de</strong> trabajo para el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D son un caso particular <strong>de</strong> las correspondientes al <strong>con</strong>vertidor SII-B2 y pue<strong>de</strong>n obtenerse a partir <strong>de</strong>estas últimas haciendo n 2 =1.CONVERTIDOR SII-F2.=RQD212211)(),(1÷÷øöççèæ×+×÷÷øöççèæ=2&(2&=99W99Q.9WGaww(4.86)=RQD÷÷÷÷÷øöçççççèæ÷÷øöççèæ-×+÷ ×÷øöççèæ--××÷÷øöççèæ+×÷÷øöççèæ-×+÷÷øöççèæ-×××××+×÷÷øöççèæ-×+×÷÷øöççèæ=2&2&2&(2&2&2&(2&2&=99Q9999W9999999QQW9999Q.9WG122121112121212111111)(1112)(111),(2aawaawaw(4.87)CONVERTIDORES SII-F1 Y SII-F1-SS.=RQD212211)(),(1÷÷øöççèæ×+×÷÷øöççèæ=2&(2&=99W99Q.9WGaww(4.88)


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,=RQDG ( w W,9 ) ==2& 12æ Q ö1ç÷ ×è 92ø1+Q22312 2×Q1× Q2× Q23× 9(( w W)+2æ 1 9 ö× ×ç& 19- ×÷2a 1è Q2392ø2× a × 9& 1.æ 1 9 öæ æ ö öç÷ç& 11 9÷çç& 1 2 21-×2 1-×÷ × Q23× Q2è Q2392øæ 9 ö è ø ÷× +ç&Q 9123 2×9(( w W)÷ × a × ç 1-÷2 æ 1 9 ö è 2 ø çæ ö+ × ×÷ç&912 1 9- ×÷+ × ×ç& 11 QQ - ×÷23a 1123a 1è Q2392øèè Q2392ø ø(4.89)Pue<strong>de</strong> comprobarse como las funciones que <strong>con</strong>forman el ciclo <strong>de</strong> trabajo para el <strong>con</strong>vertidor SII-F2son un caso particular <strong>de</strong> las correspondientes al <strong>con</strong>vertidor SII-F1 y pue<strong>de</strong>n obtenerse a partir <strong>de</strong>estas últimas haciendo n 23 =1. &RPSRUWDPLHQWRIUHFXHQFLDGHUHGEl estudio <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor a frecuencia <strong>de</strong> red, permitirá <strong>de</strong>ducir el valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Por tanto, la ley <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo que hasta este momento <strong>de</strong>pen<strong>de</strong><strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red y <strong>de</strong> V C1 , pasará a ser una función <strong>de</strong> una única variable.A partir <strong>de</strong> V C1 y <strong>de</strong> d(w t) ya podrá extraerse el resto <strong>de</strong> parámetros que <strong>de</strong>finen el comportamiento <strong>de</strong>un <strong>con</strong>vertidor SII para unas <strong>de</strong>terminadas <strong>con</strong>diciones.El cálculo <strong>de</strong> V C1 , como se verá, solo pue<strong>de</strong> resolverse mediante cálculo numérico, <strong>de</strong>bido a que laexpresión <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red no pue<strong>de</strong> resolverse analíticamente. (TXLOLEULRGHSRWHQFLDVDIUHFXHQFLDGHUHGComo se apunta en el Capítulo 3, en régimen estacionario se llega a un equilibrio <strong>de</strong> potencias quevarían <strong>con</strong> el ciclo <strong>de</strong> red y que se repiten cada 10 ms (semiperiodo <strong>de</strong> red). Varias son las formas enque se pue<strong>de</strong> representar el balance <strong>de</strong> potencia en baja frecuencia, a <strong>con</strong>tinuación se proponenalgunas <strong>de</strong> estas alternativas equivalentes, que pue<strong>de</strong>n apoyar a las i<strong>de</strong>as ya <strong>de</strong>scritas en el Capítulo 3acerca <strong>de</strong>l flujo energético en los <strong>con</strong>vertidores SII.En la figura 4.41.b se representa el balance <strong>de</strong> potencia entrada – salida. La potencia que ce<strong>de</strong> la red al<strong>con</strong>sumir corriente <strong>con</strong> la forma típica <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, posee la forma <strong>de</strong> onda achatada quese reproduce en esta figura.Esta es la razón <strong>de</strong> que la potencia <strong>de</strong> salida no corte a la potencia <strong>de</strong> entrada justo en su valor mitad.Sin embargo, como es obvio, hay idéntica área por encima y por <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> P O . Las áreas A yB resultan iguales, y el balancee <strong>de</strong> potencia pue<strong>de</strong> expresarse <strong>con</strong> la igualdad (4.90).p1×p0ò S ( ( w W)× GwW = 3 2(4.90)En la figura 4.41.c se pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>statar como el valor medio <strong>de</strong> la potencia S '$8; (w t) que entrega el<strong>con</strong>vertidor 2 al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y el valor medio <strong>de</strong> la potencia S '6 (w t), que el<strong>con</strong>vertidor 1 entrega a la carga, resultan idénticos. Por tanto el balance <strong>de</strong> potencia pue<strong>de</strong> tambiénexpresarse según (4.91).123


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,pò S w W)× GwW = ò S'62(w W)×0p'$8; ( GwW(4.91)0Por último, como ya se ha <strong>de</strong>scrito en el Capítulo 3, el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se encuentraen régimen permanente al doble <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> red. Lógicamente las áreas A y B son idénticas yla expresión 4.92 <strong>de</strong>scribirá también el equilibrio <strong>de</strong> potencia.pò S & 1(w W)× GwW = 0(4.92)0L ( (w t)1.05Y 5(&7 (w t)C 1a)0.840.630.420.21S ( (w t)0p2pw tS '$8; (w t)S ( (w t)cd2f11eS '6 (w t)g3 2160b)$1203 23 2$80%p1×ò S(wW)×GwW=p 0( 3 240c)S & (w t)9030pS '$8; (w t) S '6 (w t)$p%2p2pw tw tpò S '$8;wW)×GwW=òS'62(wW)×0p( GwW0d)5050$p%2pw tpò S &1(wW)×GwW=00100)LJXUD([SUHVLRQHVHTXLYDOHQWHVSDUDHOEDODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHUHG 9DORUPHGLRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRPara <strong>de</strong>terminar el valor medio <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento pue<strong>de</strong> utilizarsecualquiera <strong>de</strong> las igualda<strong>de</strong>s (4.90) a (4.92), ya que un único valor <strong>de</strong> V C1 verificará cualquiera <strong>de</strong>estas expresiones. A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>tallará la aplicación <strong>de</strong> las expresiones anteriores.124


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 2EWHQFLyQGH9 & DSDUWLUGHOEDODQFHGHSRWHQFLDHQWUDGD±VDOLGDPosiblemente este sea el método que presenta un expresión más general, ya que todos los<strong>con</strong>vertidores SII, utilizan un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN en MCD como etapa <strong>de</strong> entrada. Por esta razón, laexpresión <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada promediada a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, resulta idéntica paratodas las topologías SII. La expresión (3.4), ya se presentó en el Capítulo 3, sin embargo ahora esnecesario reescribirla, ya que hay que tener en cuenta los distintos modos <strong>de</strong> funcionamiento.De esta forma para Zona 2, la igualdad (3.4) se particulariza en (4.93)L= 9 ( w W)(4.93)(2( ( w W,92 & 1)× G = 2( w W,9&1)=2 × /11× IFdon<strong>de</strong> d Z2 (w t,V C1 ) recoge el valor <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para la Zona 2, manteniendo comoparámetro la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento; I & es la frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Una vez <strong>con</strong>seguida una expresión similar para la Zona 1, pue<strong>de</strong> ya representarse la expresión <strong>de</strong> laque se <strong>de</strong>spejará el valor <strong>de</strong> V C1 . Para un <strong>con</strong>vertidor que presente únicamente dos modos <strong>de</strong>funcionamiento, se llega a (4.94).32a 12é9&1 p - a 129&1 p= 1× ê w × w × w + w × w × w +pò L W9 9 W G W ò L W9 9 W G W ò((& (L= 1 & 1 (= 2 1ëê0a 129&1 p - a 129&( = 11 wW9& 1×9( wW × Gw(4.94)ùWúúûEn la tabla 4.2 se recoge, para todos los <strong>con</strong>vertidores SII, el valor <strong>de</strong> a 12 (V C1 ), frontera entre losmodos Zona 1 y Zona 2. En (4.95) se presenta, como ejemplo, el valor <strong>de</strong> a 12 (V C1 ) para el <strong>con</strong>vertidorSII-F2. Se pue<strong>de</strong> comprobar como esta frontera <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> sólo <strong>de</strong> V C1 , si se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra que la tensión <strong>de</strong>entrada <strong>de</strong> pico, V G , es fija al igual que los parámetros <strong>de</strong> diseño, n 1 y n 2 .- 1æ9&1Q ö2a =ç ×÷12( 9&1)6HQ(4.95)è 9*Q1øComo se pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>statar fácilmente, (4.94) es una expresión que no se pue<strong>de</strong> resolver <strong>de</strong> maneraanalítica. No hay que olvidar la compleja expresión <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo y que la incógnita aparecetambién en los límites <strong>de</strong> integración. Por tanto se <strong>de</strong>be recurrir a una solución numérica. 2EWHQFLyQGH9 & DSDUWLUGHOEDODQFHGHSRWHQFLD3 '$8; 3 '6 Una vez <strong>con</strong>ocidas las expresiones <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> pico y <strong>de</strong> las duraciones <strong>de</strong> las distintas etapas,pue<strong>de</strong>n obtenerse <strong>con</strong> facilidad las expresiones <strong>de</strong> los valores medios <strong>de</strong> las corrientes que serequieran para establecer el equilibrio <strong>de</strong> potencias.En la figura 4.42 se representan las corrientes por los diodos D AUX y DS 2 para un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación perteneciente al modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 2. A partir <strong>de</strong> ella se <strong>de</strong>ducen <strong>con</strong>facilidad sus valores medios que respon<strong>de</strong>n a (4.96) y (4.97) respectivamente.L1w W,9&1)= × ,S/22( w W,9&1)× G1(w W,)(4.96)2'6 2( 9= 2& 11L'$8; ( w W,91)( ,1)(2( ,1)3(,1))= 2 & = × ,S&w W 9&× G w W 9&+ G w W 9&(4.97)2125


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Y *6L '6 ,S / ,S &,S /t/TáL '6 ñL 'DX[áL 'DX[ ñG G G )LJXUD&RUULHQWHVLQVWDQWiQHDV\PHGLDVSRUORVGLRGRV' $8; \'6 HQ=RQDTeniendo en cuenta que en el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1, la corriente por el diodo D AUX es nula,el balance <strong>de</strong> potencias para un <strong>con</strong>vertidor SII que no presente Zona 0 pue<strong>de</strong> también expresarsesegún (4.98).p - aa12ò12ò( w W,9) × 9) × 9× GwW =a 12 ( 9&1)p - a 12 ( 9&1)0( 9&1)L'$8;( 9&1)L= 2'6 2 = 1( w W,9& 1& 1& 12× GwW +a12òL'$8;( 9&1)= 2( w W,9& 1) × 9& 1× GwW +p - apò12L'$8;( 9&1)= 1( w W,9& 1) × 9& 1× GwW(4.98) 2EWHQFLyQ GH 9 & D SDUWLU GH OD FRUULHQWH PHGLD HQ HO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWRHay que tener en cuenta, que la expresión <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia en términos <strong>de</strong> la corriente media<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento hay que particularizarla para cada <strong>con</strong>vertidor SII y <strong>de</strong>sglosarlasegún los distintos modos <strong>de</strong> funcionamiento.3DUWLFXODUL]DFLyQ(VWXGLRSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,)66Para particularizar este balance <strong>de</strong> potencia, se ha elegido en esta ocasión el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. Enun primer paso se <strong>de</strong>ducirán las duraciones <strong>de</strong> las distintas etapas así como los valores <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> lascorrientes que son necesarias para obtener los valores medios.En la figura 4.43 se reproducen las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente por las inductancias L 12 y L 21 , asícomo las pendientes <strong>de</strong> cada uno <strong>de</strong> sus tramos y las duraciones <strong>de</strong> estos, todo ello para los dos modos<strong>de</strong> funcionamiento <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor.A partir <strong>de</strong> las igualda<strong>de</strong>s voltios por segundo, tal como se <strong>de</strong>scribe en el apartado 4.4.5.2, se obtienenlas duraciones <strong>de</strong> los distintos intervalos. Su valor se recoge en (4.99) a (4.102).Para la Zona 1.Q × 9w (4.99)2 & 1G1 , = 1(W,9 & 1)= G=1(w W,9&1)×92126


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,a)b)L /,S /Zona 19 2/,S /9 & 1/2121G G W7Zona 2L /9 ( ×Q19 2/12/ 1213,S & ×12G G G G W7/13129 & 1× ×/ + / 113213c)G G ,SL / æ 13öç 92 × - 9&1 ÷ / è 11ø/219 W7& 19 2/21/21 ,S & 9 /211× & / + /G G 1321)LJXUD&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ HQORVPRGRV=RQD\SDUDHOFRQYHUWLGRU6,,)66Para la Zona 2.Q × 9w (4.100)2 & 1G1 , = 2(W,9 & 1)= G=2(w W,9&1)×92G/[ Q × 9 ( w W)- Q × 9 ]21 1 (2 & 12( w W,9 & 1)= G = 2( w W,9&1)×(4.101)92×2(/+ / )-× 91×2113æ 13ö(/) [ ]ç÷21+ /13× Q1× 9(( w W)- Q2× 9&1× × 92- 9&1=×è 12Gø3(w W,9 & 1)G=2( w W,9&1)(4.102)é1 ù29&1× ê92× (/21+ /13) - × 9&1ú ë13 ûLas corrientes <strong>de</strong> pico viene dadas por (4.103) a (4.105)113&127


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,9&1× 7,S/ 21 , = 1( w W,9&1)= × G = 1(w W,9&1)(4.103)/219&1× 7,S/ 21 , = 2( w W,9&1)= × G = 2( w W,9&1)(4.104)/211 éù292× 7,S& ( w W,9&1) = × ê ,S/12- × ( G1,= 1(w W,9&1)+ G2(w W,9&1)) úû (4.105)13ë /12Finalmente, en la figura 4.44 se representan las corrientes instantánea y media <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C1para los dos modos <strong>de</strong> funcionamiento que presenta este <strong>con</strong>vertidor. Zona 1, figura 4.44.a y Zona 2,figura 4.44.b.Zona 1a)L & C1 ce<strong>de</strong>,S /energíaáL & ñ Z1G G W7GZona 2G G G W7b)L & ,S &,S /C1 ce<strong>de</strong>energíaC1 absorbeenergíaáL & ñ Z2)LJXUD&RUULHQWHVLQVWDQWiQHD\PHGLDSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQORVPRGRV=RQD\SDUDHOFRQYHUWLGRU6,,)66Las expresiones <strong>de</strong>l valor medio <strong>de</strong> la corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se recogen en(4.106) y (4.107).Zona 1.Zona 2.L1w W,9&1)= - × ,S/21, = 1(w W,9&1)× G=1(w W,)(4.106)2& 1( 9= 1& 1L11( w W,9&1)= - × ,S/21, = 1(w W,9&1)× G=1(w W,9&1)+ × ,S&( w W,9&1)×2 & 1+3 122(4.107)( G ( w W,9 ) G ( w W,))& 19= 2&A partir <strong>de</strong> estos resultados parciales, el balance <strong>de</strong> potencia se recoge en (4.108)a 12 ( 9&1)p - a 12 ( 9&1)ò0L& 1 = 1( w W,9& 1) × GwW +òL( w W,9) × GwW +& 1 = 2 & 1& 1a 12 ( 9& 1)p - a 12 ( 9&1)pòL= 1( w W,9& 1) × GwW = 0(4.108)128


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RQFOXVLRQHVEste capítulo ha tenido como objetivo realizar un estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong>l funcionamiento <strong>de</strong> la familia <strong>de</strong>Correctores <strong>de</strong>l <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> Potencia SII que servirá como punto <strong>de</strong> partida para el posterior análisis,diseño y mo<strong>de</strong>lado dinámico <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores.En primer lugar se resumieron los HVWXGLRV <strong>de</strong>sarrollados sobre los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII asícomo el FRQYHQLR\QRWDFLyQ que se empleará en dichos estudios. La metodología que se ha seguidoen la <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong>l funcionamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores se basa en una explicación en <strong>de</strong>talle para el<strong>con</strong>vertidor que pueda resultar más claro, a la hora <strong>de</strong> realizar tal <strong>de</strong>scripción, y luego recoger losresultados para el resto <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores en tablas o cuadros resumen. Esta PHWRGRORJtD se seguirátambién en el resto <strong>de</strong> los estudios. A <strong>con</strong>tinuación se ha realizado el estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación y se ha establecido el equilibrio <strong>de</strong> potencias a frecuencia <strong>de</strong> red.Las <strong>con</strong>clusiones que se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>stacar <strong>de</strong>l estudio <strong>de</strong>l SHULRGRGHFRQPXWDFLyQ son las siguientes:• En todos los <strong>con</strong>vertidores propuestos y estudiados se produce el intervalo <strong>de</strong> inductanciasen serie, lo cual corrobora el carácter <strong>de</strong> familia que esta etapa <strong>con</strong>fiere a los <strong>con</strong>vertidorespropuestos.• Se ha justificado la aparición <strong>de</strong> los dos PRGRVGHRSHUDFLyQ(tres para la topología SII-B2), en función <strong>de</strong>l valor instantáneo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. También se ha establecido laexpresión <strong>de</strong> la frontera entre estos modos <strong>de</strong> operación.• Se han obtenido unas FRQVLGHUDFLRQHV IXQFLRQDOHV GH GLVHxR. Cumplir estas<strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones asegura la transferencia energética por los dos caminos que abre el<strong>con</strong>mutador magnético: transferencia <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado y transferencia <strong>de</strong>potencia al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. La implicaciones <strong>de</strong> estas <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones,son <strong>de</strong> especial importancia, ya que justifican que HQORVFRQYHUWLGRUHV6,,ODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHVWpDFRWDGDVXSHULRUPHQWH <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> salida o<strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> salida multiplicada por la relación <strong>de</strong> transformación (secundario –terciario) <strong>de</strong>l transformador T 1 en los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS. El diferente valor<strong>de</strong> este límite superior para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, SHUPLWHFODVLILFDUORVFRQYHUWLGRUHV6,, en los grupos V C1 -L y V C1 -HL tal y como se proponía enel Capítulo 3.• El EDODQFH GH SRWHQFLD HVWDEOHFLGR HQ XQ SHULRGR GH FRQPXWDFLyQ ha permitido<strong>de</strong>terminar la H[SUHVLyQDQDOtWLFDGHOFLFORGHWUDEDMRcomo función <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red.De forma semejante, el establecimiento <strong>de</strong>l equilibrio <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red, ha permitidoobtener también algunas <strong>con</strong>clusiones:• Una vez obtenido la expresión <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, se ha podido establecer el EDODQFHGHSRWHQFLDDIUHFXHQFLDGHUHG. La solución <strong>de</strong> la igualdad que establece este equilibrio <strong>de</strong>potencias <strong>de</strong>be ser resuelta necesariamente por FiOFXORQXPpULFR. La solución obtenida esHOYDORUPHGLRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR.• Este resolución numérica se lleva a cabo mediante un programa <strong>de</strong> cálculo particular paracada <strong>con</strong>vertidor SII. Estos programas incluirán a<strong>de</strong>más el cálculo <strong>de</strong> corrientes medias,129


&DStWXOR)XQFLRQDPLHQWRGHOD)DPLOLDGH&)36,,corrientes eficaces, pérdidas, rendimiento, <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entradaetc. y son la base para realizar, en el Capítulo 5, el estudio estático <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.• Conocido el valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se pue<strong>de</strong> obtenerfinalmente la expresión analítica <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo en función <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red.130


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)3FRQ,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQ6HULH6,, ,QWURGXFFLyQ 135 0HWRGRORJtDXWLOL]DGDHQHODQiOLVLVHVWiWLFR 1369DORUHVFDUDFWHUtVWLFRV\3DUiPHWURVGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 1365.2.1.1 Especificaciones. 1365.2.1.2 Valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 1375.2.1.3 Parámetros <strong>de</strong> diseño. 1383URJUDPDVGH&iOFXOR 1395.2.2.1 Estructura <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo. 1395.2.2.2 Determinación <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. 1415.2.2.3 Corriente <strong>de</strong> entrada. 1425.2.2.4 Corrientes <strong>de</strong> pico, medias y eficaces. 1445.2.2.5 Mo<strong>de</strong>los <strong>de</strong> pérdidas. 145 $QiOLVLVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 149&LFORGHWUDEDMR 1495.3.1.1 Variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. 1505.3.1.2 Variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. 1515.3.1.3 Conclusiones <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo en los <strong>con</strong>vertidores SII. 1527DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 1535.3.2.1 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. 1535.3.2.1.1 Rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> K P . 1535.3.2.1.2 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada en los <strong>con</strong>vertidores SII. 1555.3.2.2 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el rendimiento. 1585.3.2.3 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 1635.3.2.3.1 Relación energía almacenada y tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong> un componente 165magnético.5.3.2.3.2 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l 166<strong>con</strong>vertidor interno 2.5.3.2.3.3 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l 169<strong>con</strong>vertidor interno 1 si éste presenta topología )O\EDFN.131


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,5.3.2.3.4 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l 170<strong>con</strong>vertidor interno 1 si éste presenta topología elevadora.5.3.2.3.5 Conclusiones. 1725.3.2.4 Variación <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , <strong>con</strong> la 173potencia <strong>de</strong> carga.5.3.2.5 Variación <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , <strong>con</strong> el valor 175eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.5.3.2.6 Conclusiones <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, 176K P , en los <strong>con</strong>vertidores SII.7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 1775.3.3.1 <strong>Factor</strong>es que influyen sobre el tamaño y el coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 178almacenamiento.5.3.3.1.1 Aspectos <strong>con</strong>structivos <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos. 1785.3.3.1.1.1 Ten<strong>de</strong>ncias <strong>con</strong>trapuestas <strong>de</strong> la capacidad y el tamaño <strong>con</strong> la tensión. 1785.3.3.1.1.2 Valores comerciales <strong>de</strong> capacidad y tensión <strong>de</strong> ruptura. 1795.3.3.1.1.3 Influencia <strong>de</strong>l encapsulado <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. 1805.3.3.1.1.4 Relación coste – tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos. 1815.3.3.1.2 Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento y capacidad mínima. 1825.3.3.1.3 Tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y su rango <strong>de</strong> 183variación.5.3.3.1.3.1 Selección <strong>de</strong> la tensión nominal <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 1865.3.3.1.4 Tensión final en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 1875.3.3.1.4.1 Proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. 1875.3.3.1.4.2 Capacidad <strong>de</strong> regulación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. 1885.3.3.1.5 Gráficos volumen – tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 1935.3.3.1.6 Conclusiones. 1955.3.3.2 Variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> 196carga en los <strong>con</strong>vertidores SII.5.3.3.2.1 Justificación cualitativa a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 198almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.5.3.3.2.2 Justificación matemática a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 199almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.5.3.3.2.3 Justificación equivalente en otros <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica. 2005.3.3.3 Variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> el valor eficaz 202<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red en los <strong>con</strong>vertidores SII.5.3.3.3.1 Justificación <strong>de</strong> la variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 205almacenamiento <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.5.3.3.4 Conclusiones <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en 207los <strong>con</strong>vertidores SII.)RUPDGHRQGDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD 208 'LVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 210,QIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxR 2105.4.1.1 Influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 211almacenamiento.5.4.1.1.1 Influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 212almacenamiento.5.4.1.1.2 Tabla <strong>de</strong> volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 2155.4.1.2 Tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado. 2175.4.1.3 Rendimiento, corrientes <strong>de</strong> pico y eficaces. 219132


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,5.4.1.4 Forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. 2235.4.1.5 Parámetro adimensional <strong>de</strong> carga y modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores 226SII.5.4.1.6 Cuadro resumen <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño 227sobre los valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.3URFHVRGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 2285.4.2.1 Ejemplo <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 2295.4.2.1.1 Selección <strong>de</strong> V C1@265 o <strong>de</strong>l rango en el cual se almacena la energía en el 230<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.5.4.2.1.2 Selección <strong>de</strong> V C1@85 . 2335.4.2.1.3 Selección <strong>de</strong> K P . 2335.4.2.2 Diseños más favorables para cada topología SII. 234 &RPSDUDFLyQGHWRSRORJtDV 2367DPDxRGHORVFRPSRQHQWHVPDJQpWLFRV 2367DPDxR GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR \ FRUULHQWHV FLUFXODQWHV SRU ORV 239FRQYHUWLGRUHVLQWHUQRV/LVWDGHFRPSRQHQWHV 242&RQFOXVLRQHVGHODFRPSDUDFLyQHQWUHWRSRORJtDV6,, 244 &RQFOXVLRQHV 245133


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,134


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, ,QWURGXFFLyQTomando como punto <strong>de</strong> partida el estudio <strong>de</strong>l funcionamiento <strong>de</strong> la familia <strong>de</strong> CFP SII que se harealizado en el Capítulo 4, se va a <strong>de</strong>sarrollar en este capítulo el estudio estático <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidorespropuestos.La naturaleza <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII impone que la expresión <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong>red no sea resoluble analíticamente. Por tanto, para po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>terminar el valor medio <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se ha tenido que recurrir a un procedimiento <strong>de</strong> cálculo numérico,materializado en unos programas <strong>de</strong> cálculo realizados <strong>con</strong> la aplicación Mathcad Ò . Para cadatopología SII se ha obtenido un programa <strong>de</strong> cálculo específico que recoge, a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> la obtención <strong>de</strong>la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, el cálculo <strong>de</strong> corrientes medias, eficaces, pérdidas,rendimiento, <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, etc. La evaluación repetida <strong>de</strong> estosprogramas <strong>de</strong> cálculo va a permitir obtener resultados teóricos sobre el análisis, diseño y comparación<strong>de</strong> las prestaciones <strong>de</strong> las distintas topologías.Por tanto, este capítulo comienza <strong>de</strong>scribiendo la estructura y <strong>con</strong>tenidos <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo,así como <strong>con</strong> la <strong>de</strong>finición <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño y <strong>de</strong> otros parámetros o magnitu<strong>de</strong>s que se han<strong>de</strong>nominado como “valores característicos”. Estos últimos servirán para cuantificar las prestaciones <strong>de</strong>cada <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> la familia ante un diseño <strong>de</strong>terminado y unas especificaciones <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>entrada y salida, potencia <strong>de</strong> carga, etc.Una vez <strong>de</strong>scrita la metodología para realizar el estudio estático, se pasará a <strong>de</strong>scribir los resultadosque se han obtenido en cuanto al análisis y diseño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores.$QiOLVLVBajo el epígrafe análisis se va a <strong>de</strong>scribir el comportamiento <strong>de</strong> algunos <strong>de</strong> los valores característicos<strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores cuando varía su punto <strong>de</strong> operación. De esta forma, se <strong>de</strong>scribirá, por ejemplo,como varía la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valoreficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. Se aportarán las <strong>con</strong>clusiones extraídas <strong>de</strong> la evaluación <strong>de</strong> los programas<strong>de</strong> cálculo y se justificará también <strong>de</strong> manera teórica dicho comportamiento.También, en los apartados <strong>de</strong>dicados al análisis, se realizarán algunas discusiones teóricas, <strong>de</strong> caráctergeneral, que serán aplicables a otro tipo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> que tengan un procesamiento <strong>de</strong>energía similar. Así, por ejemplo, se relacionará el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> procesado simple <strong>con</strong>el rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, y se realizará un estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong> la relación existente entre eltamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y la tensión a la que almacena la energía dicho<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.'LVHxRVarios son los aspectos que se tratarán bajo este epígrafe. En primer lugar, se <strong>de</strong>scribirán lasten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong> los valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII cuando varían los parámetros <strong>de</strong>diseño. Después se <strong>de</strong>scribirá un procedimiento <strong>de</strong> diseño general para todas las topologías SII, que separticularizará en aquellos aspectos que no resulten comunes a todas las topologías <strong>de</strong> esta familia.Finalmente, se establecerán cuales son las ventajas e in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> cada topología SII.135


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 0HWRGRORJtDXWLOL]DGDHQHODQiOLVLVHVWiWLFRNinguna <strong>de</strong> las posibles representaciones <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red permite hallaruna expresión analítica para el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Sólo se podráen<strong>con</strong>trar, por iteración, un valor numérico para V C1 . Por tanto, para obtener el comportamientoestático <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, es necesario evaluar repetidamente un programa <strong>de</strong> cálculo.Para cada una <strong>de</strong> las seis topologías que se han obtenido <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la familia SII, se ha <strong>de</strong>sarrollado unprograma <strong>de</strong> cálculo específico ya que las ecuaciones que rigen el comportamiento <strong>de</strong> cada<strong>con</strong>vertidor son diferentes. Sin embargo, todos estos programas han sido generados <strong>con</strong> la mismaaplicación, el VRIWZDUH matemático Mathcad Ò y presentan una estructura común.En este apartado se <strong>de</strong>scribe la estructura <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo, el modo en el que se van ai<strong>de</strong>ntificar los distintos diseños y las funciones utilizadas para calcular el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada, el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> procesado simple, y <strong>con</strong> especial atención a las<strong>de</strong>stinadas al cálculo <strong>de</strong> pérdidas. Por ultimo se <strong>de</strong>scribirán también los distintos <strong>con</strong>tenidos <strong>de</strong> lainformación <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>l programa <strong>de</strong> cálculo. 9DORUHVFDUDFWHUtVWLFRV\3DUiPHWURVGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Para po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>finir el campo <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor y cuál es su mejor diseño, tres son losgrupos <strong>de</strong> parámetros o valores que se <strong>de</strong>ben tener en cuenta:• Especificaciones. Estos valores representan las ligaduras externas <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> operación<strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. La influencia que sobre las prestaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor impongan lastensiones <strong>de</strong> entrada y salida, la potencia <strong>de</strong> carga, el valor <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimiento(KROGXS WLPH) requerido, etc. <strong>de</strong>terminarán el diseño necesario y fijarán su campo <strong>de</strong>aplicación.• Valores Característicos. Con este nombre se preten<strong>de</strong> englobar aquellos parámetros quemi<strong>de</strong>n las prestaciones <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor. Se hace referencia al rendimiento y alcumplimiento <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 por parte <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, y en el casoparticular <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores, también a la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,y al tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado.• Parámetros <strong>de</strong> diseño. El tercer grupo <strong>de</strong> valores que <strong>de</strong>finen la operación <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidorson los que <strong>de</strong>terminan su diseño. Para los <strong>con</strong>vertidores SII, el punto <strong>de</strong> diseño vendrá<strong>de</strong>finido por los valores que tomen las relaciones <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong> los transformadoresy sus inductancias magnetizantes. (VSHFLILFDFLRQHVLa especificación más <strong>de</strong>stacada a la que van a estar sujetas los <strong>con</strong>vertidores SII, es el rango <strong>de</strong>tensión <strong>de</strong> entrada. Las dos posibilida<strong>de</strong>s son:• Rango <strong>de</strong> tensión Universal: 85 V EF. a 265 V EF. .• Rango <strong>de</strong> tensión Europeo: 187 V EF. a 265 V EF. .La tensión <strong>de</strong> salida que van a ser capaces <strong>de</strong> proporcionar estos <strong>con</strong>vertidores, variará en un rangomás estrecho que el <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, por lo que su influencia sobre el comportamiento <strong>de</strong> estos136


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>vertidores, es mucho menor. 9DORUHVFDUDFWHUtVWLFRVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Po<strong>de</strong>r medir <strong>de</strong> forma cuantitativa las prestaciones <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor es esencial cuando se preten<strong>de</strong><strong>de</strong>terminar su diseño más a<strong>de</strong>cuado o su campo <strong>de</strong> aplicación. Varias son las magnitu<strong>de</strong>s que seemplearán a tal efecto:• Corriente <strong>de</strong> entrada y cumplimiento <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. El primero <strong>de</strong> los valorescaracterísticos <strong>con</strong>tiene información acerca <strong>de</strong> si la corriente <strong>de</strong> entrada cumple los límites<strong>de</strong> la Clase A o D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. En el apartado 5.3.3 se tratará el efecto quesobre este valor característico tienen las variaciones <strong>de</strong> carga y <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> red y en elapartado 5.4.1.4 el efecto <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño.• Tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P . Tal y como se <strong>de</strong>scribe en el apartado3.2.2, la potencia que se ce<strong>de</strong> a la carga a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 , se procesa una única vez.Sin embargo, la que se ce<strong>de</strong> a través <strong>de</strong>l diodo DS 2 se procesa dos veces ya que un<strong>con</strong>vertidor extrae parte <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> la entrada y la almacena en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y un segundo <strong>con</strong>vertidor la extrae <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador para ce<strong>de</strong>rla a lacarga. En la figura 5.1 se representa el diagrama <strong>de</strong> bloques común a todos los<strong>con</strong>vertidores SII y sobre él se han marcado los caminos que siguen <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong>simple procesado y <strong>de</strong> doble procesado, a<strong>de</strong>más se representa la evolución <strong>de</strong> estascorrientes <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.La expresión <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> simple o único procesado, respecto <strong>de</strong> lapotencia total entregada a la carga se recoge en (5.1)..3=3RWHQFLDGHSURFHVDGR~QLFR32=1× 9p×ò2p0L'6321( w W)GwW(5.1)C 1&RUULHQWHVÃGHÃVDOLGD, 212'REOHÃ3URFHVDGR3URFHVDGRÃVLPSOH‡ 2‡L '6 !ŠWL '6 !ŠWŠt)LJXUD&DPLQRGHODVSRWHQFLDVGHVLPSOH\GREOHSURFHVDGRDWUDYpVGHOGLDJUDPDGHEORTXHVGHODIDPLOLD6,,\VXHYROXFLyQDORODUJRGHXQVHPLSHULRGRGHUHGEste valor característico tiene una especial relevancia en estos <strong>con</strong>vertidores, <strong>de</strong>bido a suestrecha relación <strong>con</strong> el rendimiento y <strong>con</strong> la calidad <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada.137


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 . La tensión a la que se almacenada laenergía en los <strong>con</strong>vertidores SII tiene también especial importancia, ya que su valor<strong>de</strong>terminará el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento ante un requisito <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong>mantenimiento. 3DUiPHWURVGHGLVHxRUno <strong>de</strong> los principales objetivos <strong>de</strong>l análisis estático es averiguar como afecta el diseño alcomportamiento <strong>de</strong> las topologías SII. En estos <strong>con</strong>vertidores, los grados <strong>de</strong> libertad <strong>con</strong> los que secuenta, para realizar diferentes diseños, están centrados en los transformadores T 1 y T 2 . Por lo tantofijar el valor <strong>de</strong> sus inductancias magnetizantes y relaciones <strong>de</strong> transformación, propicia diferentescaracterísticas <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, el rendimiento, la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, etc.Sin embargo i<strong>de</strong>ntificar los diferentes diseños mediante los valores <strong>de</strong> las inductancias expresados enµH resulta menos informativo que utilizar parámetros normalizados. En este sentido se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>radomás <strong>con</strong>veniente hablar <strong>de</strong> la relación entre las inductancias magnetizantes y <strong>de</strong> un parámetroadimensional que relacione una <strong>de</strong> estas inductancias <strong>con</strong> la resistencia <strong>de</strong> carga y la frecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación.Por lo tanto el punto <strong>de</strong> diseño quedará i<strong>de</strong>ntificado, a partir <strong>de</strong> ahora, mediante una combinación <strong>de</strong>los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño, que se <strong>de</strong>finen a <strong>con</strong>tinuación.• Parámetro <strong>de</strong> carga adimensional:.2×/5 ×=122 7 &(5.2)don<strong>de</strong> R O es la resistencia <strong>de</strong> carga y T C es el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación• Relación <strong>de</strong> inductancias <strong>de</strong> los transformadores:a=//1221(5.3)• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 2 :Q =2//2221(5.4)• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 1 :Si T 1 presenta dos <strong>de</strong>vanados.Q =1//1211(5.5)Si T 1 presenta tres <strong>de</strong>vanados, se aña<strong>de</strong> n 23 .13Q23= =12//1312(5.6)138


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,La obtención <strong>de</strong> <strong>con</strong>clusiones sobre el diseño in<strong>de</strong>pendientemente <strong>de</strong> cual sea la escala <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidora diseñar, es una ventaja inherente a cualquier diseño adimensional. En el caso <strong>de</strong> la familia SII, losparámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño resultan interesantes ya que poseen un cierto “sentido físico”.• La forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada y el valor <strong>de</strong> K P <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>n, como se justificarámás a<strong>de</strong>lante, <strong>de</strong> la relación entre las inductancias <strong>de</strong> los transformadores y no tanto <strong>de</strong> losvalores absolutos <strong>de</strong> las inductancias magnetizantes. (Ver los apartados 5.4.1.2 y 5.4.1.4).• Los dos transformadores operan siempre en MCD. En todas las topologías SII, lasinductancias <strong>de</strong> ambos <strong>con</strong>vertidores internos completan su <strong>de</strong>smagnetización, <strong>con</strong>ectadasen serie. Sin embargo, también en todas las topologías SII, es el <strong>con</strong>vertidor interno 2 el quetoma toda la potencia <strong>de</strong> la entrada y por tanto es la inductancia L 12 la que posee un mayorpeso a la hora <strong>de</strong> <strong>de</strong>finir el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor (MCD o M<strong>CC</strong>).Por otro lado, se comprueba que la <strong>de</strong>finición <strong>de</strong>l parámetro K en referida a L 11 o a L 12 nomodifica los resultados, obteniéndose puntos <strong>de</strong> diseño totalmente equivalentes, ya que esla combinación <strong>de</strong> los cuatro parámetros <strong>de</strong> diseño quien rige el comportamiento <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII.Resulta por tanto muy útil <strong>de</strong>finir un parámetro adimensional <strong>de</strong> carga al igual que encualquier <strong>con</strong>vertidor que presente una única inductancia. 3URJUDPDVGH&iOFXORLos programas <strong>de</strong> cálculo, <strong>de</strong>sarrollados para cada topología, han sido una herramienta fundamental,ya que los resultados que <strong>con</strong> ellos se han obtenido, han permitido, tanto analizar los <strong>con</strong>vertidorespropuestos, como su diseño. En este apartado se <strong>de</strong>scribirá la estructura <strong>de</strong> estos programas y lasprincipales funciones <strong>de</strong> cálculo. (VWUXFWXUDGHORVSURJUDPDVGHFiOFXOREn la figura 5.2, se representa el diagrama <strong>de</strong> flujo <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo que sirven paraanalizar el comportamiento estático <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Se ha <strong>de</strong>sarrollado una hoja <strong>de</strong> cálculoespecífica para cada topología pero todas presentan una estructura semejante.A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scribirán cada una <strong>de</strong> las partes que componen estos programas <strong>de</strong> cálculo.• Datos <strong>de</strong> entrada.Por un lado, se <strong>de</strong>ben establecer las especificaciones exigidas al <strong>con</strong>vertidor, para ello se<strong>de</strong>finirán: la amplitud <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, la tensión <strong>de</strong> salida, la potencia <strong>de</strong> carga y lafrecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Por otro, hay que seleccionar los valores <strong>de</strong> los parámetrosadimensionales <strong>de</strong> diseño. En primer lugar es <strong>con</strong>veniente fijar los valores <strong>de</strong> a , n 1 y n 2 (yaque son los que tienen mayor influencia sobre los diseños), para posteriormente, tras unnúmero reducido <strong>de</strong> iteraciones, en<strong>con</strong>trar el valor <strong>de</strong> K que asegure el MCD.• Balances <strong>de</strong> potencia.Tal y como se ha <strong>de</strong>scrito en los apartados anteriores, a partir <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia afrecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, se establece la expresión matemática que <strong>con</strong>forma la ley <strong>de</strong>variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, permaneciendo V C1 como parámetro.139


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Utilizando el balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red, se obtiene el valor medio <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, para los datos <strong>de</strong> entrada aportados.Si no se verifica la <strong>con</strong>dición <strong>de</strong> MCD, es necesario proporcionar un valor menor <strong>de</strong> K yrepetir el cálculo. Cuando se asegure el MCD para las especificaciones y el diseñoestablecido, se obtendrán como primeros resultados el valor <strong>de</strong> V C1 y el valor <strong>de</strong> K, quepara estas <strong>con</strong>diciones toma un sentido equivalente al <strong>de</strong> la <strong>con</strong>ocida K CRÍTI<strong>CA</strong> <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> una sola inductancia.(VSHFLILFDFLRQHV. ,1,&,$/9 * 9 2 5 2 a Q Q .3XQWRGHGLVHxR%DODQFHÃGHÃÃSRWHQFLDÃDÃI &21087$&,Ï1Gw W9 & %DODQFHÃ GHÃSRWHQFLDÃ DÃI 5('9 &¢0&'"1R6L9 &. &5,7,&$Gw W)XQFLRQHVÃGHÃ&iOFXORL ( (w t)K. 3)LJXUD'LDJUDPDGHIOXMRGHORVSURJUDPDVGHFiOFXORGHVDUUROODGRVSDUDDQDOL]DU\GLVHxDUORVFRQYHUWLGRUHV6,,• Funciones <strong>de</strong> cálculo.Una vez <strong>con</strong>ocido el valor <strong>de</strong> V C1 , se pue<strong>de</strong> particularizar la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong>trabajo, <strong>de</strong> manera que d(w t, V C1 ) pasa a ser d(w t) y a partir <strong>de</strong> ella calcular informaciónacerca <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, el rendimiento, etc. Por tanto, la primera función <strong>de</strong>140


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,cálculo se encarga <strong>de</strong> <strong>de</strong>terminar si el <strong>con</strong>vertidor opera, para las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong>scritas, enMCD o en M<strong>CC</strong>.El resto <strong>de</strong> las funciones <strong>de</strong> cálculo, permiten <strong>de</strong>terminar la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente<strong>de</strong> entrada y su <strong>con</strong>tenido armónico, la proporción <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> procesado simple, laevolución <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> pico, medias y eficaces, así como otras solicitacioneseléctricas en los distintos componentes, y por último las pérdidas y el rendimiento.• Resultados <strong>de</strong> salida.Intentarán bien <strong>de</strong> forma gráfica o mediante valores numéricos extraer la máximainformación <strong>de</strong> la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y al mismo tiempo proporcionarla <strong>de</strong> la maneramás compacta posible, para reducir el tiempo <strong>de</strong> obtención <strong>de</strong> ten<strong>de</strong>ncias y <strong>con</strong>clusionesque la evaluación iterativa <strong>de</strong> la hoja <strong>de</strong> cálculo permite. 'HWHUPLQDFLyQGHOPRGRGHFRQGXFFLyQGHOFRQYHUWLGRUPara cualquier <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> una sola inductancia, el parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, K, relacionael valor <strong>de</strong> la inductancia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, <strong>con</strong> la resistencia <strong>de</strong> carga y la frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Este parámetro sirve para <strong>de</strong>terminar la frontera entre los modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo ydis<strong>con</strong>tinuo.Los <strong>con</strong>vertidores SII no presentan una única inductancia magnetizante sino dos, que <strong>de</strong>smagnetizan<strong>con</strong>ectadas en serie y que por tanto rigen <strong>con</strong>juntamente el comportamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y lafrontera entre los modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción. No es posible tampoco, obtener un valor <strong>de</strong> inductanciaequivalente (semejante a como ocurre el los <strong>con</strong>vertidores SEPIC y Cûk, [37]) que <strong>de</strong>termine dichafrontera. Sin embargo <strong>de</strong>finido K como se ha hecho en (5.2), este parámetro adquiere un significadobastante similar al <strong>con</strong>cepto tradicional para una única inductancia, ya que es L 12 quien tiene un mayorpeso a la hora <strong>de</strong> <strong>de</strong>finir el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción. Es importante hacer notar, que <strong>de</strong>bido a que las dosinductancias magnetizantes completan su <strong>de</strong>smagnetización <strong>con</strong>ectadas en serie (<strong>de</strong> ahí el nombre <strong>de</strong>Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie), no es posible que se produzcan combinaciones cruzadas en cuantoal modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción. L 12 y L 21 operarán ambas en MCD o en M<strong>CC</strong> pero no pue<strong>de</strong> darse el caso enel que L 12 opere en MCD y L 21 en M<strong>CC</strong> o viceversa. En el presente trabajo, sólo se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado elcaso en el que las dos inductancias operan en modo <strong>de</strong> corriente dis<strong>con</strong>tinua.Para unos valores <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada, tensión <strong>de</strong> salida, potencia entregada a la carga y diseñando<strong>con</strong> unos valores <strong>de</strong> n 1 , n 2 , y a , existe un valor <strong>de</strong> K por encima <strong>de</strong>l cual se entra en modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo. Este valor es el que se más se aproxima al <strong>con</strong>cepto <strong>de</strong> K CRÍTI<strong>CA</strong> .¿Cómo se <strong>de</strong>termina si el <strong>con</strong>vertidor está operando en MCD o en M<strong>CC</strong>?Al igual que suce<strong>de</strong> <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> V C1 , no es posible <strong>de</strong>spejar un valor <strong>de</strong> K CRÍTI<strong>CA</strong>; sin embargo, sí sepue<strong>de</strong> calcular para unas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong>terminadas la duración <strong>de</strong> las diferentes etapas que seproducen en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Calculando la suma <strong>de</strong> la duración <strong>de</strong> estas etapas(normalizadas <strong>con</strong> el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación), ésta <strong>de</strong>be resultar menor que 1 para estar en MCD.Se ha comprobado que el ángulo <strong>de</strong> red más <strong>de</strong>sfavorable es siempre p /2 (ver figura 5.3) por ello lafrontera MCD - M<strong>CC</strong> se establece según (5.7).0&' Û . < . Ûpå GL2 = 1&5Ë7,&$(5.7)141


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Don<strong>de</strong> S d i es la suma <strong>de</strong> las duraciones normalizadas <strong>de</strong> las distintas etapas que se suce<strong>de</strong>n enun periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación (Ver en el Capítulo 4 la tabla 4.5.). La expresión (5.8) <strong>de</strong>sarrolla elvalor <strong>de</strong> S d i .G G p G p G pL 2 = 2 2 1=2 2 2 2 G3på p = + + + 2 (5.8)1.20.90.60.300S d i (w t)p /2w t)LJXUD(YROXFLyQGHODVXPDGHODGXUDFLyQQRUPDOL]DGDGHODVGLIHUHQWHVHWDSDVTXHDSDUHFHQHQXQFLFORGHFRQPXWDFLyQDORODUJRGHXQVHPLSHULRGRGHUHGpEsta expresión se ha particularizado para laZona 2, ya que es en este modo <strong>de</strong>funcionamiento don<strong>de</strong> encuentra siempre sumáximo.A partir <strong>de</strong> los datos <strong>de</strong> entrada, el programa<strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong>terminará el valor <strong>de</strong> V C1 queverifica los balances <strong>de</strong> potencia ycomprobará si para esos valores, la suma <strong>de</strong>duraciones <strong>de</strong> las etapas, normalizadas <strong>con</strong> elperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, es menor que launidad. Caso <strong>con</strong>trario es necesario reducir elvalor <strong>de</strong> K y repetir <strong>de</strong> nuevo el cálculo hastacumplir la igualdad (5.9). &RUULHQWHGHHQWUDGDPara cada caso que se analice, se <strong>de</strong>terminará el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, alaplicar un algoritmo <strong>de</strong> Transformada Rápida <strong>de</strong> Fourier o FFT (<strong>de</strong>l inglés )DVW)RXULHU7UDQVIRUP).Posteriormente, se compararán los valores eficaces <strong>de</strong> los armónicos calculados <strong>con</strong> los límites queimpone la norma IEC 61000-3-2.La forma <strong>de</strong>finitiva <strong>de</strong> medir la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada es la comparación <strong>de</strong> sus armónicos<strong>con</strong> los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. Sin embargo, es necesario complementar esta informacióno también compactarla <strong>de</strong>bido a que para cada caso analizado, se involucran hasta 40 datos distintos,correspondientes a los 40 armónicos que <strong>con</strong>templa la norma.• Para complementar la información <strong>de</strong>l cumplimiento <strong>de</strong> los límites, en el caso que seaaplicable la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, se obtendrá el número <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidoresque podrían <strong>con</strong>ectarse en paralelo <strong>con</strong>sumiendo individualmente una corriente idéntica a laque se está estudiando. Esta es una manera <strong>de</strong> relacionar la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente<strong>con</strong> la potencia <strong>con</strong>sumida próxima a como se establecen los límites correspondientes a laClase D, que se expresan en mA / W.En cierto sentido, el número <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores, respon<strong>de</strong> a un <strong>con</strong>cepto similar al tradicionalmargen <strong>de</strong> ganancia en el estudio <strong>de</strong> la estabilidad. “¿Por cuanto se pue<strong>de</strong> aumentar lapotencia <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor para que el armónico Q alcance el valor <strong>de</strong> su correspondientelímite?”. Si la corriente ha pasado la norma, este último parámetro pue<strong>de</strong> proporcionar unai<strong>de</strong>a <strong>de</strong> la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. En la figura 5.4 se ponen ejemplos <strong>de</strong> los142


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,resultados que proporcionan los programas <strong>de</strong> cálculo para medir la calidad <strong>de</strong> la corriente<strong>de</strong> entrada.Corriente Entrada (A)10.500.5a) b) c)Corriente Eficaz (A)0.4Clase-D, 100W0.30.20.1Número <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores60402010 pw t5 mA2p 1 3 5 7 9 11 13Or<strong>de</strong>n <strong>de</strong>l armónico01 3 5 7 9 11 13Or<strong>de</strong>n <strong>de</strong>l armónico)LJXUD5HVXOWDGRVJUiILFRVGHORVSURJUDPDVGHFiOFXORSDUDODPHGLGDGHODFDOLGDGGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHORVFRQYHUWLGRUHVD)RUPDGHRQGDWtSLFDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHXQFRQYHUWLGRU6,,E&RPSDUDFLyQGHOFRQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHFRQORVOtPLWHVGHOD&ODVH'SDUDXQDSRWHQFLDGHHQWUDGDGH:F1~PHURGHFRQYHUWLGRUHVHQSDUDOHORSDUDFDGDDUPyQLFRVLVHDSOLFDQORVOtPLWHVGHOD&ODVH$• Si se preten<strong>de</strong> extraer información <strong>de</strong> la ten<strong>de</strong>ncia que presenta la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada <strong>con</strong> el punto <strong>de</strong> diseño o en el análisis <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores, el valor eficaz <strong>de</strong> los 40armónicos <strong>con</strong>templados por la norma resulta poco operativo. Por ello, <strong>de</strong>be compactarse lainformación en algún parámetro que cuantifique <strong>con</strong> un solo valor dicha calidad <strong>de</strong> lacorriente.El primer parámetro válido para lograr compactar la información es el tradicional <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> Potencia(F P ) cuya <strong>de</strong>finición general, relación entre la potencia activa y aparente, se recoge en (5.9).)3S(W)= =8H × ,H717 ò071×7X(W)2ò0X(W).L(W).GW× GW ×717 ò0L(W)2× GW(5.9)Consi<strong>de</strong>rando que la tensión que alimenta al <strong>con</strong>vertidor es sinusoidal pura y que la corriente aunquedistorsionada está en fase <strong>con</strong> ella, el F P pue<strong>de</strong> calcularse mediante (5.10), a partir <strong>de</strong>l <strong>con</strong>tenidoarmónico <strong>de</strong> la corriente.)3=36=81×81× ,1,1=, + + , , + + ,(5.10)212Q212QEl factor <strong>de</strong> potencia, aunque está relacionado <strong>con</strong> la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, noproporciona, sin embargo, información alguna sobre el cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la norma.En el apartado 5.4.1.4, se <strong>de</strong>termina que, para cumplir los límites <strong>de</strong> la clase D, todos los<strong>con</strong>vertidores SII han <strong>de</strong> presentar, para una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> 230 V EF , un valor <strong>de</strong> K P inferior a0,78. Por <strong>con</strong>siguiente, el valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> simple procesado <strong>con</strong>centra en un solo parámetroel cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, <strong>de</strong> ahí su importancia.143


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RUULHQWHVGHSLFRPHGLDV\HILFDFHVUna vez <strong>con</strong>ocida la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo y <strong>de</strong> las duraciones <strong>de</strong> las distintas etapaspara cada una <strong>de</strong> modos <strong>de</strong> operación, se calcularán las corrientes <strong>de</strong> pico más significativas. A partir<strong>de</strong> todos los datos anteriores, pue<strong>de</strong>n obtenerse los valores medios y eficaces <strong>de</strong> las distintas formas <strong>de</strong>onda para un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Para este propósito, en el Apéndice 1 <strong>de</strong> [81], se <strong>de</strong>scribe unmétodo muy eficaz, basado en <strong>de</strong>scomponer una forma <strong>de</strong> onda arbitraria en tramos cuyo valor eficazsea <strong>con</strong>ocido. En la figura 5.5 se representa un ejemplo <strong>de</strong>l citado método.Q(),&$= 'N×+N=1å,=' ' N, Tramo trapezoidal122+ N =×( ,1+,1×,2+,23), Tramo triangular, , , , , 21 ,3+N =×2)LJXUD0pWRGRGHFiOFXORGHOYDORUHILFD]GHXQDIRUPDGHRQGDDUELWUDULDAplicando el método anterior, se <strong>de</strong>finirán las expresiones <strong>de</strong> los valores <strong>de</strong> las corrientes eficacespara los distintos modos <strong>de</strong> funcionamiento, obteniendo como resultado, al igual que en el caso <strong>de</strong> laley <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo, funciones <strong>de</strong>finidas por tramos. En (5.11) se presenta como ejemplo la<strong>de</strong>finición <strong>de</strong> la corriente eficaz por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2.IC1_rms w t( ) := IC1_rms_0( w t) if w t < a 01IC1_rms_1( w t) if ( w t > a 01) ×( w t < a 12)IC1_rms_2( w t) if éë w t > ( a 12)ùû ×éë w t < ( p - a 12)ùûIC1_rms_1( w t) if éë w t > ( p - a 12)ùû ×éë w t < ( p - a 01)ùûIC1_rms_0( w t) if éë w t > ( p - a 01)ùû ×( w t £ p )El uso <strong>de</strong> expresiones <strong>con</strong> el formato <strong>de</strong> (5.11) posibilita varios aspectos:(5.11)• Representación gráfica.En primer lugar, permite representar gráficamente la evolución <strong>de</strong> corrientes <strong>de</strong> pico,medias, y eficaces <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. En la figura 5.6 se representan las corrientes <strong>de</strong>pico más significativas <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. En la figura 5.7 se representan lascorrientes eficaces por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y por el <strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong>T 2 .A partir <strong>de</strong> la información que proporcionan las trazas <strong>de</strong> figuras semejantes a las figuras5.6 y 5.7, se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>terminar para que ángulo <strong>de</strong> red se produce el máximo <strong>de</strong> una<strong>de</strong>terminada magnitud. La evolución <strong>de</strong> estos valores singulares, <strong>con</strong> el diseño, pue<strong>de</strong>resultar muy significativa, a la hora <strong>de</strong> evaluar la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> ciertas pérdidas o <strong>de</strong> lassolicitaciones eléctricas en <strong>de</strong>terminados componentes. De esta manera, cabe <strong>de</strong>stacar porejemplo:144


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,- Ip L11 (p /2), <strong>de</strong>finirá entre otras, las pérdidas <strong>de</strong> apagado <strong>de</strong>l MOSFET S 1 y lacorriente máxima que <strong>de</strong>be po<strong>de</strong>r soportar el propio MOSFET S 1 y el diodo DS 1 .- Ip L22 (0), <strong>de</strong>finirá las pérdidas <strong>de</strong> apagado <strong>de</strong> S2 y la corriente máxima que <strong>de</strong>bensoportar S 2 y DS 2 .- Ip C (p /2), <strong>de</strong>finirá la corriente máxima que <strong>de</strong>be soportar el diodo D AUX .20Corrientes <strong>de</strong> pico (A),S / w W6Corrientes eficaces (A), &BHILFD] w W,S / w W4102, 7BHILFD] w W,S & w W0w tp0w tp)LJXUD(YROXFLyQFRQHOiQJXORGHUHGGHODVFRUULHQWHVGHSLFRPiVVLJQLILFDWLYDV)LJXUD(YROXFLyQFRQHOiQJXORGHUHGGHODVFRUULHQWHVHILFDFHVSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\SRUHOGHYDQDGRVHFXQGDULRGH7 • Facilidad en el cálculo <strong>de</strong> pérdidas.La segunda gran ventaja que proporciona una expresión como la (5.11) es el hecho <strong>de</strong>po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>scribir las pérdidas, en los distintos componentes, <strong>de</strong> manera compacta y sencilla.En cualquier <strong>con</strong>vertidor alimentado <strong>con</strong> <strong>CA</strong>, es necesario promediar en un semiperiodo <strong>de</strong>red la evolución <strong>de</strong> las pérdidas que se producen en un ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Por tantoaparecerán integrales similares a las que <strong>de</strong>finían el equilibrio <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong>red. Para po<strong>de</strong>r manejar <strong>de</strong> forma sencilla estas integrales, es necesario <strong>con</strong>tar <strong>con</strong> unafunción que presente una <strong>de</strong>finición única a lo largo <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red, para evitar <strong>de</strong>esta manera, tener que partir las integrales en tramos. 0RGHORVGHSpUGLGDVVarios son los aspectos que se <strong>de</strong>ben <strong>de</strong>stacar <strong>de</strong>l cálculo <strong>de</strong> pérdidas que realizan los programas <strong>de</strong>cálculo.• Cálculo <strong>de</strong> pérdidas a posteriori.El equilibrio <strong>de</strong> potencias y el valor <strong>de</strong> tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento que seobtiene, se ha realizado <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando todos los elementos i<strong>de</strong>ales. Las expresiones queaparecen ya poseen un elevada complejidad, que se multiplicaría caso <strong>de</strong> incluir laspérdidas <strong>de</strong> potencia.Por tanto se ha llegado a calcular un equilibrio, (V C1 y d(w t)) en <strong>con</strong>diciones i<strong>de</strong>ales yposteriormente, a partir <strong>de</strong> las corrientes y duraciones <strong>de</strong> la etapas, se han calculado laspérdidas.• Objetivo: ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> las pérdidas, no su valor exacto.145


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,El error cometido <strong>con</strong> la <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong> las pérdidas a posteriori, y el uso <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los <strong>de</strong>pérdidas sencillos pero fácilmente <strong>con</strong>trastables, se asume en el sentido que el análisis <strong>de</strong>pérdidas no persigue proporcionar unos valores exactos <strong>de</strong> éstas, sino <strong>de</strong>scribir comoevoluciona cada componente <strong>de</strong> la pérdidas <strong>de</strong> potencia <strong>con</strong> los diferentes diseños.A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scribirán los mo<strong>de</strong>los <strong>de</strong> pérdidas utilizados.• Pérdidas en <strong>con</strong>ducción en componentes resistivos.p13 = × ò 5 × L(),&$=p025 w W × GwW(5.12)• Pérdidas en <strong>con</strong>ducción en diodosp13 = ×pò9'0' × L w W ×GwW(5.13)En los diodos sólo se han <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado las pérdidas en <strong>con</strong>ducción. En MCD las pérdidas <strong>de</strong>recuperación inversa son muy pequeñas, <strong>de</strong>bido a la reducida pendiente <strong>de</strong> <strong>de</strong>crecimiento<strong>de</strong> la corriente que circula por éstos.• Pérdidas <strong>de</strong> encendido en los MOSFET.p1 13 = × ò × IF × &RVV(),&$=× 921p 2020 ( w W × GwW(5.14)La capacidad parásita <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>l MOSFET, & 266 , varía <strong>con</strong> la tensión drenador - fuenteque bloquea el transistor en el instante anterior a la transición corte a <strong>con</strong>ducción (ver figura5.8). Esta tensión se ha <strong>de</strong>nominado V ON y toma distintas expresiones para los transistoresS 1 y S 2 <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong> la topología.Tomando como ejemplo el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, se tiene:Para S 1 ,921 ( w( w W)= 9 ( W)(5.15)C OSS (pF)20001600120080040001 10 100 1000Tensión Drenador – Fuente, V DS (V))LJXUD9DULDFLyQGHODFDSDFLGDGSDUiVLWDGUHQDGRU±IXHQWHGHO026)(7& 266 HQIXQFLyQGHODWHQVLyQGHEORTXHRGUHQDGRU±IXHQWH9 ( )1Para S 2 ,:21 w W = 9&(5.16)Como se <strong>de</strong>duce <strong>de</strong> (5.16), la capacidad &RVVpara S 2 , apenas variará, y solamente el rizado<strong>de</strong> 100 Hz que presenta la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, C 1 ,provocará algunas ligeras diferencias. Paraeste caso &RVV (),&$= tomará el valor que elfabricante proporcione para la tensión V C1 .Sin embargo como indica (5.15), la variación<strong>de</strong>l valor instantáneo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entradava a provocar que para cada <strong>con</strong>mutación,&RVV tome un valor distinto. En este caso,146


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,asumiendo un cierto error, se ha tomado para &RVV (),&$= el valor que propone el fabricanteen [131]. Este es el valor <strong>con</strong>stante que produce un tiempo <strong>de</strong> carga idéntico al que producela capacidad & 266 real, cuando la tensión drenador – fuente varía <strong>de</strong>s<strong>de</strong> 0 hasta el 80% <strong>de</strong> suvalor máximo.• Pérdidas <strong>de</strong> apagado en los MOSFET.p13 = × ò × IF × W)× ,S w W ×92))10 $w × wp 2 W G W(5.17)0Se ha elegido un sencillo mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> pérdidas <strong>de</strong> apagado, que recoge el caso más<strong>de</strong>sfavorable, <strong>de</strong> entre los posibles mo<strong>de</strong>los que <strong>de</strong>scriben el apagado <strong>de</strong>l MOSFET, queutiliza dos rectas para representar la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente y <strong>de</strong> la tensión, durantela transición <strong>de</strong> apagado <strong>de</strong>l transistor (ver figura 5.9). A<strong>de</strong>más, el mo<strong>de</strong>lo utilizado, asumeque la tensión drenador-fuente se mantiene en su valor <strong>de</strong> bloqueo, durante todo el tiempo<strong>de</strong> bajada <strong>de</strong> la corriente. Este tiempo <strong>de</strong> bajada, T F , es un dato que proporciona elfabricante.V OFF , representa la tensión drenador – fuente <strong>de</strong>l MOSFET que se alcanza al final <strong>de</strong> latransición <strong>con</strong>ducción a corte. Esta tensión es diferente para cada uno <strong>de</strong> los dostransistores, S 1 y S 2 y <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> la topología SII:t F , tiempo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vivencia tensión - corriente. El valor V OFF representado correspon<strong>de</strong> a latensión drenador – fuente máxima que aparece en el transistor S 1 , semejante a la que seproduce en un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFNPara S 1 ,92)) ( w W)= 9(( w W)+ × mQ(5.18)921igual en todos los <strong>con</strong>vertidores SII. En (5.18) µ representa el factor por el que se multiplicala tensión <strong>de</strong> salida reflejada en el primario <strong>de</strong> T 1 y representa el incremento <strong>de</strong> tensión<strong>de</strong>bido a la sobreoscilación, producida por la inductancia <strong>de</strong> dispersión <strong>de</strong> dichotransformador, y que resulta enclavada al actuar una red <strong>de</strong> protección o VQXEEHU.Para S 2 :9 (w W)=2)) 9 2(5.19)en los <strong>con</strong>vertidores SII B1, SII-B2 ySII-F2.92)) 2 ×( w W)= 9 Q23en el <strong>con</strong>vertidor SII-F1.(5.20))LJXUD0RGHORGHDSDJDGRGHO026)(7XWLOL]DGRHQORVSURJUDPDVGHFiOFXOR147


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Pérdidas en el núcleo <strong>de</strong> los componentes magnéticos.Las pérdidas totales en el núcleo <strong>de</strong> los componentes magnéticos, van a <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>r <strong>de</strong> la<strong>de</strong>nsidad <strong>de</strong> flujo magnético máxima que se alcance en el núcleo y <strong>de</strong> la frecuencia. Parauna frecuencia fija, los fabricantes <strong>de</strong> ferritas proporcionan unas curvas experimentales <strong>de</strong><strong>de</strong>nsidad <strong>de</strong> pérdidas <strong>de</strong> potencia en el núcleo, semejantes a la representada en la figura5.10.Representadas estas curvas en escala doblemente logarítmica, aparecen como una rectas,que podrán ser ajustadas mediante regresión lineal. A partir <strong>de</strong> este ajuste, se pue<strong>de</strong><strong>de</strong>shacer el cambio, <strong>de</strong>terminando el valor <strong>de</strong> las <strong>con</strong>stantes K F y K B , obteniéndosefinalmente las pérdidas totales a lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo <strong>de</strong> red mediante la expresión(5.22).p.%1 æ D % w W ö37= × ò . ) × ç ÷ × 9RO(p0 è 2 ø× GwW(5.21)Densidad pérdidas en el núcleo (kW/m 3 )1000100Dato Fabricante100Curva ajustada1010 100 1000D B/2 (mT))LJXUD&XUYDGHGHQVLGDGGHSpUGLGDVGHSRWHQFLDSDUDHOPDWHULDOPDJQpWLFR)SURSRUFLRQDGDHQ>@En la igualdad (5.21), loscoeficientes K F y K B se hanobtenido mediante el ajusterealizado sobre las curvas <strong>de</strong>lfabricante, así mismo, el volumen<strong>de</strong>l núcleo magnético Vol E y suárea efectiva, A E , son tambiéndatos obtenidos en el catálogo <strong>de</strong>lfabricante.El valor <strong>de</strong> la <strong>de</strong>nsidad <strong>de</strong> flujomagnético, D B, que se alcanza encada <strong>con</strong>mutación, <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> pico que circule por lainductancia magnetizante y por tanto <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red. Su valor se recoge en(5.22).D%( w W),S(w W)× $=2 2 × $(/× /(5.22)Don<strong>de</strong> la <strong>con</strong>stante A L , es el factor <strong>de</strong> inductancia <strong>de</strong>l componente magnético y <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá<strong>de</strong> su diseño.148


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, $QiOLVLVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Antes <strong>de</strong> pasar a <strong>de</strong>scribir el diseño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, es necesario abordar un estudio teóricoque permitirá establecer como se relacionan entre sí algunos <strong>de</strong> los <strong>de</strong>nominados valorescaracterísticos <strong>de</strong>l los <strong>con</strong>vertidores SII, por ejemplo la potencia <strong>de</strong> simple procesado <strong>con</strong> la forma <strong>de</strong>onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada o <strong>con</strong> el rendimiento. De esta manera se simplificará el proceso <strong>de</strong>búsqueda <strong>de</strong> ten<strong>de</strong>ncias en la variación <strong>de</strong> las prestaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> el punto <strong>de</strong> diseño.Otro objetivo <strong>de</strong>l análisis <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII es justificar teóricamente el porqué <strong>de</strong> la variación<strong>de</strong> los valores característicos <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, <strong>de</strong>forma que se tenga una mayor capacidad <strong>de</strong> crítica a la hora <strong>de</strong> analizar las ten<strong>de</strong>ncias en el diseño yen los resultados experimentales. &LFORGHWUDEDMRLa variación que sufre el ciclo <strong>de</strong> trabajo frente a diversos factores <strong>con</strong>formará las prestaciones <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII, por tanto, éste será el primer aspecto a tratar en el análisis <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores.Como ya se <strong>de</strong>scribió en el apartado 4.4.5.1, en los <strong>con</strong>vertidores SII, el ciclo <strong>de</strong> trabajo se genera pormedio <strong>de</strong> un lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> banda ancha, que <strong>con</strong>seguirá proporcionar la respuestadinámica a<strong>de</strong>cuada a la tensión <strong>de</strong> salida. Este lazo <strong>de</strong> realimentación impondrá, para mantener lapotencia <strong>de</strong> salida <strong>con</strong>stante, que el ciclo <strong>de</strong> trabajo se vaya adaptando a las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> las fuentes<strong>de</strong> las que el <strong>con</strong>vertidor extrae la energía. Por tanto, <strong>de</strong> forma cualitativa, el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>beráser máximo en las proximida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los pasos por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada y mínima en las zonaspróximas al valor máximo <strong>de</strong> esta tensión.La forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, w t, se pue<strong>de</strong><strong>de</strong>scribir teniendo en cuenta que cerca <strong>de</strong> los pasos por cero, a partir <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (que presenta un valor reducido en comparación <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>red) el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>berá adaptarse para po<strong>de</strong>r entregar, vía DS 2 , la totalidad <strong>de</strong> la potencia que<strong>de</strong>manda la carga, ya que, para estos ángulos <strong>de</strong> red, la potencia que fluye por la rama <strong>de</strong> procesadosimple llega a ser nula. Sin embargo, cerca <strong>de</strong> su máximo, el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada es elevadoy ya que para estos valores <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, el mayor aporte <strong>de</strong> potencia a la carga es <strong>de</strong> procesadoúnico, el ciclo <strong>de</strong> trabajo será más reducido que en los pasos por cero.En el párrafo anterior se ha hecho una <strong>de</strong>scripción cualitativa <strong>de</strong> cómo varía el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> elángulo <strong>de</strong> red, que se cumplirá para todas las posibilida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> operación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.Ahora bien, la función matemática, que <strong>de</strong>scribe <strong>de</strong> manera precisa la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong>trabajo, posee una gran importancia a la hora <strong>de</strong> establecer el régimen permanente y las prestaciones<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII y <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> varios factores tales como:• Potencia <strong>de</strong> carga.• Valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.• Parámetros <strong>de</strong> diseño.En los dos siguientes apartados se estudiará la variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> la carga y la tensión<strong>de</strong> entrada.149


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 9DULDFLyQGHOFLFORGHWUDEDMRFRQODSRWHQFLDGHFDUJDEn el apartado 4.4.5.1 se <strong>de</strong>scribió la obtención <strong>de</strong> la expresión matemática que rige la evolución <strong>de</strong>lciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. Esta expresión se obtuvo a partir <strong>de</strong> la realización <strong>de</strong> un balance<strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong> forma que, para cualquier valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, la suma<strong>de</strong> las corrientes medias que circulan por los diodos <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos 2 y 1 (D S1y D S2 respectivamente) resultaba igual a la corriente <strong>de</strong> carga, I O . La expresión general que se obtienepara el ciclo <strong>de</strong> trabajo se recoge en (5.23):( w W,91)= 3 × Y ( w W,91,9 , 9 , /12,/21,Q1, Q2)G & 2& * 2(5.23)La expresión (5.23) es una función <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, ya que hastaque no se realice el balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red, no pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>terminarse tal valor. En los<strong>con</strong>vertidores SII, el equilibrio energético o régimen permanente se produce a frecuencia <strong>de</strong> red y<strong>de</strong>terminará un valor para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y un ciclo <strong>de</strong> trabajo variable<strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red y <strong>con</strong> una <strong>de</strong>terminada forma <strong>de</strong> onda. La expresión (5.23) rige cómo serelacionan estas magnitu<strong>de</strong>s, tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo<strong>de</strong> trabajo.Observando la expresión (5.23), la función Y sólo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong>entrada y en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. Sin embargo toda la<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo respecto <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, pue<strong>de</strong> extraerse como factor comúnen el términoPO. Por tanto la potencia <strong>de</strong> carga no modifica la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la ley <strong>de</strong> variación<strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, sino que modifica su escala ya que la multiplica por el factorPO. Ahora bien el factor <strong>de</strong> escala por el que se multiplica la función y , que recoge la forma <strong>de</strong> onda<strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, no varía linealmente <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.En la figura 5.11 se ha representado el ciclo <strong>de</strong> trabajo correspondiente a un <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SSdiseñado para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72V, para potencias <strong>de</strong> carga <strong>de</strong> 20 W a 100 W (plena carga).En esta figura se pue<strong>de</strong> observar como el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>serva aproximadamente su forma <strong>de</strong>onda al variar la potencia <strong>de</strong> carga aunque sí varía la escala, ya que queda multiplicado por elcorrespondiente valor <strong>de</strong> . Con objeto <strong>de</strong>0.350.30.250.20.150.10.050d(w t)ZW0 p100 W80 W60 W40 W20 W)LJXUD&LFORGHWUDEDMRFRUUHVSRQGLHQWHDXQFRQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUDXQDWHQVLyQGHVDOLGDGH9RSHUDQGRFRQSRWHQFLDVGHFDUJDGH:D:SOHQDFDUJD<strong>con</strong>trastar si la expresión (5.23) representaa<strong>de</strong>cuadamente al ciclo <strong>de</strong> trabajo, se hautilizado el programa <strong>de</strong> cálculocorrespondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS paraun valor <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> 230 Veficaces, una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72 V y <strong>con</strong>él, se han obtenido los valores máximo (d(0))y mínimo (d(p /2)) <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, paradiferentes potencias <strong>de</strong> carga. Estos valores sehan representado en la figura 5.12.a. y en ellase pue<strong>de</strong> comprobar como el crecimiento <strong>de</strong>ambos valores no resulta <strong>de</strong>l todo lineal.PO150


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Complementando el análisis, en la figura 5.12.b se han representado los valores máximos y mínimoque toma el ciclo <strong>de</strong> trabajo para cada valor <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga pero, esta vez, divididos por elcorrespondiente valor <strong>de</strong> . En esta figura pue<strong>de</strong> observarse como ambas trazas permanecenPO<strong>con</strong>stantes e in<strong>de</strong>pendientes al valor <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. Por todo ello pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>cluirse que laexpresión (5.23) representa a<strong>de</strong>cuadamente la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong>red.0.40.050.360.320.0450.04G0.280.24G0.0350.033 20.20.0250.160.120.08GS0.020.0150.013 2 3 2GS3 20.040.00500 20 40 60 80 1003RWHQFLDÃGHÃFDUJDÃ3 2 :a)00 20 40 60 80 1003RWHQFLDÃGHÃFDUJDÃ3 2 :b))LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUD9GHVDOLGD\RSHUDQGRD9 () GHWHQVLyQGHHQWUDGDFRQGLIHUHQWHVSRWHQFLDVGHFDUJDD9DORUHVPi[LPRG\PtQLPRGHOFLFORGHWUDEDMRGp E(YROXFLyQGHORVYDORUHVPi[LPR\PtQLPRGHOFLFORGHWUDEDMRFXDQGRVHGLYLGHFDGDYDORUSRUHOFRUUHVSRQGLHQWHYDORUGHÖ 3 2 Las implicaciones <strong>de</strong> este resultado son muy importantes. Por un lado, se <strong>con</strong>firma que, efectivamente,HO FLFOR GH WUDEDMR SRVHH XQD IXQFLyQ LQGHSHQGLHQWH GHOD SRWHQFLD GHFDUJD, y por otro que elvalor <strong>de</strong> OD WHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR, correspondiente a ese nuevo régimenpermanente o nuevo equilibrio <strong>de</strong> potencias, UHVXOWDLQGHSHQGLHQWHGHODSRWHQFLDGHFDUJD, ya quesu valor ha <strong>de</strong> ser el mismo para que y no se modifique <strong>con</strong> P O . En el apartado 5.3.3.2 se justificaráeste aspecto utilizando una metodología diferente. 9DULDFLyQGHOFLFORGHWUDEDMRFRQHOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDLa variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada influirá <strong>de</strong> formasignificativa sobre la variación que <strong>con</strong> esta tensión experimenten otras magnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII, tales como el tanto por uno <strong>de</strong> simple procesado, tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, etc.Para <strong>de</strong>terminar si la tensión <strong>de</strong> entrada afecta a la forma <strong>de</strong> onda que toma el ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> elángulo <strong>de</strong> red resulta útil la igualdad (4.87), expresión <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para el modo <strong>de</strong> operaciónZona 2 correspondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-F2. Esta expresión pue<strong>de</strong> ser reescrita como (5.24).G=2( w W,9 ) =& 12 1Q1×æ1+a ×ç 1-è2× 9(( w W)9&ö1÷92ø+ 2 × Q × Q × a × 912& 132æ 9 öç& 11-÷è 92×ø× 9(( w W)+ 9&æ 9 ö+ ×ç& 11 a 1-÷è 92ø21æ æöç9 ö÷çç& 1 21-÷ × Q2è 92÷× a ×øç 1-÷çæ 9 ö÷+ ×ç& 11 a 1-÷è è 92ø ø(5.24)151


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,siendo (5.25) la expresión <strong>de</strong> la función y .Y=Q211×æ1 + a ×ç 1 -è99& 12× 9ö÷ø(( w W)2+ 2 × Q1× Q2× a × 9& 11æ 9ç 1 -è 9×æ1 + a ×ç 1 -è& 12ö÷ø9&921× 9ö÷ø(( w W)+ 92& 1æçç× a × ç 1 -ççèæ 9 ö& 1ö 2÷ç 1 -÷ × Q2è 92ø ÷÷æ 9&1ö1 + a × ÷ç 1 -÷÷è 92ø ø(5.25)don<strong>de</strong>:0.350.30.250.20.150.10.050( w W)= 9 . 6HQ(W)9 ( * wd(w t)ZW0 p85 V EF175 V EF265 V EF)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)GLVHxDGRSDUD9GHWHQVLyQGHVDOLGD9DULDFLyQGHOFLFORGHWUDEDMRFRQHOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGD(5.26)Teniendo en cuenta las expresiones (5.25) y(5.26) se pue<strong>de</strong> comprobar como la función yvariará <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada. Por tanto esta tensión modifica laforma <strong>de</strong> onda que toma el ciclo <strong>de</strong> trabajo enun semiperiodo <strong>de</strong> red tal y como se refleja enla figura 5.13 en la que se recoge el ciclo <strong>de</strong>trabajo <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII-F2 diseñadopara una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72 V.En la figura 5.13 pue<strong>de</strong> comprobarse comopara 85 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada, el ciclo <strong>de</strong>trabajo presenta una forma <strong>de</strong> onda bastantecóncava mientras que para 265 V EF. estaforma <strong>de</strong> onda resulta más plana. &RQFOXVLRQHVGHODQiOLVLVGHOFLFORGHWUDEDMRHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,El ciclo <strong>de</strong> trabajo pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>scomponerse como producto <strong>de</strong> dos funciones, una <strong>de</strong> ellas es la raízcuadrada <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> salida y la otra, que se ha <strong>de</strong>signado por la letra y , <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada, y <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. La función y <strong>de</strong>fine la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l ciclo<strong>de</strong> trabajo en un semiperiodo <strong>de</strong> red y la potencia <strong>de</strong> salida ajusta la escala <strong>de</strong> dicha ley <strong>de</strong> variación<strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo.152


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 7DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 Uno <strong>de</strong> los in<strong>con</strong>venientes que presentan los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> en dos etapas es que la potencia<strong>de</strong> salida se procesa íntegramente dos veces, una vez en cada una <strong>de</strong> las dos etapas <strong>con</strong>ectadas encascada. Para mejorar este aspecto, se han buscado alternativas que realicen un mejor procesamientoenergético. En este intento, muchas <strong>de</strong> las soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, incluida la familia SII,alimentan a la carga <strong>con</strong> una potencia que ha sido procesada una única vez a la que se suma otra queha sido procesada dos veces, y que se utiliza para lograr proporcionar potencia <strong>con</strong>stante a la salida.Cuanto mayor sea la proporción <strong>de</strong> potencia que se procesa una única vez, el cómputo total sereduciría más respecto <strong>de</strong>l doble procesado que se realiza en los <strong>con</strong>vertidores en dos etapas.Ahora bien, el rendimiento no sólo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l número <strong>de</strong> veces que se procesa la energía sinotambién <strong>de</strong> las pérdidas que presentan los caminos por don<strong>de</strong> ésta se transfiere (como se discutirá en5.3.2.1). Sin embargo, sí resulta interesante cuantificar la potencia <strong>de</strong> procesado único o simpleprocesado y estudiar como se relaciona <strong>con</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, el rendimiento, las variaciones <strong>de</strong>carga y tensión <strong>de</strong> red, etc., ya que <strong>de</strong> esta manera es posible facilitar la obtención <strong>de</strong> criterios <strong>de</strong>diseño extensibles a todas la topologías SII.A la hora <strong>de</strong> diseñar los <strong>con</strong>vertidores SII, los criterios <strong>de</strong> diseño adquieren un carácter más general sise enuncian en términos <strong>de</strong> K P que si se recurre a parámetros <strong>de</strong> diseño <strong>con</strong>cretos, tales como n 1 , n 23 ,a , etc. No hay que olvidar que <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la <strong>Familia</strong> SII se han <strong>de</strong>sarrollado hasta 6 topologíasdistintas, cada una <strong>de</strong> ellas <strong>con</strong> grados <strong>de</strong> libertad o parámetros <strong>de</strong> diseño también distintos, por lo quesi se quiere ganar en generalidad, a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> establecer aquellos criterios que sean particulares a cadatopología, <strong>de</strong>berán establecerse, también, otros criterios que puedan aplicarse a todos los <strong>con</strong>vertidoresSII. 5HODFLyQGH. 3 FRQODIRUPDGHRQGDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDEl tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , <strong>de</strong>finido en el apartado 5.2.1.2; pue<strong>de</strong>expresarse también, tal y como se hace, en (5.27).p1× ò S'61(w W)× GwW ò S'61(w W)× GwWp00. 3 = =pp3(5.27)2S ( w W)× GwW + S ( w W)× GwWò0'61pDon<strong>de</strong> S '6 w W es la potencia transferida por la vía <strong>de</strong> procesado simple y S '6 w W correspon<strong>de</strong> a lapotencia cedida a la carga a través <strong>de</strong> la vía <strong>de</strong> doble procesadoAntes <strong>de</strong> pasar a establecer cómo varía la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> el tanto por uno<strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, es necesario estudiar el rango <strong>de</strong> valores que pue<strong>de</strong> tomar K P en los<strong>con</strong>vertidores SII.5.3.2.1.1 Rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> K P .En primer lugar se analizará si existe una cota superior al valor que pue<strong>de</strong> llegar a tomar K P . Para ellose va a <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar un <strong>con</strong>vertidor genérico que presenta los caminos <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple y dobleprocesado y cuyo diagrama <strong>de</strong> bloques se representa en la figura 5.14.ò0'6 2153


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,S ( w W2S '6 w WS '$8; w WS '6 w W3 21C 1)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVJHQHUDOGHXQFRQYHUWLGRUTXHSUHVHQWDGLYLVLyQSDUDOHORGHHQHUJtDSi se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra, como primer caso a tratar, aquel en el que la FRUULHQWHGHHQWUDGDHVVLQXVRLGDO, laspotencias <strong>de</strong> entrada, simple y doble procesado y la que se almacena en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador C 1 , vienendadas por:Potencia <strong>de</strong> entrada:3 w W = 2 × 32× VHQ2( wPotencia <strong>de</strong> simple procesado:W (5.28)2'6 1w W = 2 × . 3 × 3 × VHQ w3 2Potencia <strong>de</strong> doble procesado:W (5.29)32w W = 3 - 2 × . × 32× VHQ2'6 2 3 wW Potencia cedida al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, C 1 :(5.30)3 w W = 2 × 3 × 1-. 3'$8;22×VHQ wW (5.31)Utilizando las expresiones (5.28) a (5.31) se ha representado la evolución <strong>de</strong> dichas potencias <strong>con</strong> elángulo <strong>de</strong> red, en función <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> K P . En la figura 5.15.a, para K P = 0,4, se pue<strong>de</strong> comprobarcomo el máximo <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> simple procesado no llega nunca a alcanzar la potencia <strong>de</strong> salida,P O . Sin embargo en la figura 5.15.c, correspondiente a K P = 0,6, se representa un caso, que aunquematemáticamente posible, supone que la potencia <strong>de</strong> doble procesado <strong>de</strong>bería tomar valores negativospara mantener la potencia <strong>de</strong> salida <strong>con</strong>stante. Si en este <strong>con</strong>vertidor se lograse alcanzar este valor <strong>de</strong>K P , lo que ocurriría, realmente, es que la suma <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> simple y doble procesado superaríala <strong>de</strong>manda <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> la carga, P O , produciéndose rizado <strong>de</strong> 100 Hz en la tensión <strong>de</strong> salida.Por tanto se <strong>de</strong>duce que el valor límite para K P , cuando la corriente es sinusoidal pura, es 0.5 (figura5.15.b). Para el caso <strong>de</strong> corriente puramente sinusoidal, éste sería el diseño óptimo, ya que transfieredirectamente la mayor cantidad <strong>de</strong> energía posible.Sin embargo, si <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ramos un <strong>con</strong>vertidor SII, que también respon<strong>de</strong> al diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> lafigura 5.14, pero cuya corriente <strong>de</strong> entrada se <strong>con</strong>oce que no es sinusoidal pura, la situación respecto al154


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,valor máximo <strong>de</strong> K P varía.K P = 0,4 K P = 0,5 K P = 0,62P O p E (w t)2P O p E (w t)2P O p E (w t)p DS1 (w t) p DS2 (w t)P Op DS1 (w t) p DS2 (w t)P Op DS1 (w t) p DS2 (w t)P Op2pw tp2pw ta) b) c)p2pw t)LJXUD(YROXFLyQGHODVSRWHQFLDVGHVLPSOHSURFHVDGR\GREOHSURFHVDGRFXDQGRODFRUULHQWHGHHQWUDGDHVVLQXVRLGDOD. 3Ã E. 3Ã F. 3Ã Para el caso <strong>de</strong> FRUULHQWH GH HQWUDGD QR VLQXVRLGDO, la potencia S '6 w W presenta una forma másachatada, como se representa en la figura 5.16.b. Por tanto es posible que el área que encierra estacurva y en <strong>con</strong>secuencia su valor medio, sea superior al 50% <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> salida, sin que sumáximo alcance el valor <strong>de</strong> P O , lo que provocaría <strong>de</strong> nuevo rizado <strong>de</strong> baja frecuencia en la tensión <strong>de</strong>salida.2P O p E (w t)K P = 0,5 K P = 0,552P O p E (w t)p DS1 (w t) p DS2 (w t)p DS1 (w t) p DS2 (w t)P OP Op2pCorriente <strong>de</strong> entrada sinusoidala)w tp2pw tCorriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> armónicosb))LJXUD&RPSDUDFLyQGHODVSRWHQFLDVGHSURFHVDGRVLPSOH\GHSURFHVDGRGREOHSDUDDFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDOEFRUULHQWHGHHQWUDGDFRQDUPyQLFRVEn <strong>con</strong>clusión, VLODFRUULHQWHGHHQWUDGDQRHVVLQXVRLGDOSXUD. 3 SXHGHVXSHUDUHOYDORU, loque redundará en el rendimiento y en el tamaño <strong>de</strong> los componentes que <strong>con</strong>stituyen el <strong>con</strong>vertidorinterno número 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques. Estos aspectos se justificarán en 5.3.2.3.5.3.2.1.2 Relación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada en los <strong>con</strong>vertidores SII.Como se ha <strong>de</strong>scrito en el apartado anterior, se pue<strong>de</strong>n <strong>con</strong>seguir proporciones <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>procesado simple mayores que el 50 %, a costa <strong>de</strong> obtener a la entrada una corriente <strong>con</strong> un <strong>con</strong>tenidoarmónico mayor.La estructura <strong>de</strong> la norma limitadora <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong> baja frecuencia IEC 61000-3-2 proporciona a155


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,aquellos <strong>con</strong>vertidores que puedan operar <strong>con</strong> valores <strong>de</strong> K P mayores que 0,5 una importante ventaja.Una vez que se <strong>con</strong>ozca la potencia que hay que proporcionar a la carga y la aplicación <strong>de</strong>l equipo 1 enel que se va a insertar la fuente <strong>de</strong> alimentación, se pue<strong>de</strong> diseñar el <strong>con</strong>vertidor para operar próximo alos límites impuestos por la norma, y <strong>de</strong> esta manera, optimizar el rendimiento y el tamaño <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor.En la figura 5.17, se representa la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada y la evolución <strong>con</strong> elángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> simple y doble procesado para tres valores distintos <strong>de</strong> K P .K P = 0,48K P = 0,6K P = 0,75Corriente <strong>de</strong> entrada (A)0.750.60.450.30.1500 0.79 1.57 2.36 3.14w tCorriente <strong>de</strong> entrada (A)0.750.60.450.30.1500 0.79 1.57 2.36 3.14w tCorriente <strong>de</strong> entrada (A)0.750.60.450.30.1500 0.79 1.57 2.36 3.14w tPotencias (W)150Procesado SimpleProcesado Doble1005000 0.79 1.57 2.36 3.14w tPotencias (W)150Procesado SimpleProcesado Doble100500 0.79 1.57 2.36 3.14w tPotencias (W)150Procesado SimpleProcesado Doble100500 0.79 1.57 2.36 3.14w t)LJXUD)RUPDGHRQGDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGD\HYROXFLyQFRQHOiQJXORGHUHGGHODVSRWHQFLDVGHVLPSOH\GREOHSURFHVDGRSDUDWUHVYDORUHVGLVWLQWRVGH. 3 En la figura 5.17, se pue<strong>de</strong> observar cómo la reducción <strong>de</strong> la calidad <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada va acompañada <strong>de</strong> una mayor proporción <strong>de</strong> la potencia procesada una única vez.1 Todas las normas armonizadas <strong>con</strong> la directiva <strong>de</strong> CEM <strong>de</strong>ben aplicarse al equipo final, por tanto es necesariotambién <strong>con</strong>ocer si el equipo final es susceptible <strong>de</strong> ser incluido en las Clases A o D <strong>de</strong> la norma.156


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Habrá que recurrir al <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente y a su comparación <strong>con</strong> los límites <strong>de</strong> lanorma, para <strong>de</strong>terminar si la calidad <strong>de</strong> la corriente es suficiente.En la figura 5.18 se presenta la evolución <strong>con</strong> K P <strong>de</strong> los armónicos tercero al <strong>de</strong>cimoquinto <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada, así como los límites <strong>de</strong> la Clase-D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 para 100 W. Enesta figura pue<strong>de</strong> observarse cómo el <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente para K P = 0,75 ha aumentadonotablemente respecto <strong>de</strong>l correspondiente a K P = 0,48. Sin embargo en cualquiera <strong>de</strong> los tres casos, secumplen los límites <strong>de</strong> la Clase – D, en este caso para los 100 W <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> entrada.D]Ã$ILFÃHWHQULHR&0.40.350.30.250.20.150.10.05Límites Clase-D para 100 WKp = 0,48Kp = 0,6Kp = 0,752.3D]Ã$ILFÃHWHQ1.14ULHR0.77&0.4&ODVHÃ$&ODVHÃ'/tPLWHVÃGHÃ&ODVHÃ$/tPLWHVÃGHÃ&ODVHÃ'n =3n =5n =7n =903 5 7 9 11 13 152UGHQÃGHOÃDUPyQLFRÃ:50 W500 W 1 kWÃ:327(1&,$Ã:)LJXUD9DULDFLyQGHOFRQWHQLGRDUPyQLFRFRQ. 3 SDUDXQFRQYHUWLGRU6,,%GH:GHSRWHQFLDGHHQWUDGD)LJXUD(YROXFLyQGHORVOtPLWHVGHODV&ODVHV$\'GHODQRUPD,(&FRQODSRWHQFLDAhora bien, una <strong>de</strong> las ventajas <strong>de</strong> la familia SII resi<strong>de</strong> en que la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> entradase mantiene al aumentar la potencia <strong>de</strong> salida (ver apartado 5.3.4), por tanto sus armónicos aumentan<strong>con</strong> ésta <strong>de</strong> forma proporcional. En este sentido, si un <strong>con</strong>vertidor SII pasa la Clase-D a 100 W, lo harátambién a 200 W (si no se superan los límites <strong>de</strong> la Clase-A), ya que como se representa en la figura5.19, también los límites <strong>de</strong> Clase-D crecen proporcionalmente <strong>con</strong> la potencia hasta alcanzar el valor<strong>de</strong> los límites absolutos <strong>de</strong> la Clase-A.En el caso <strong>de</strong> que los límites aplicables 2 sean los <strong>de</strong> Clase-A, resulta interesante <strong>con</strong>ocer el número <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores que se podrían <strong>con</strong>ectar en paralelo, <strong>con</strong>sumiendo cada uno <strong>de</strong> ellos una corriente <strong>con</strong>idéntico <strong>con</strong>tenido armónico, hasta alcanzar en <strong>con</strong>junto los límites <strong>de</strong> la norma. Este coeficientevendrá impuesto por aquel armónico que esté más próximo a su correspondiente límite y proporcionauna i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> la calidad <strong>de</strong> la corriente que <strong>de</strong>manda el <strong>con</strong>vertidor.En este sentido, en la Tabla 5.1 pue<strong>de</strong> observarse como <strong>con</strong>forme aumenta K P el número <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores en paralelo se reduce. El armónico que limita este coeficiente no es siempre el mismo,ya que este aspecto <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda. Para K P = 0,75 se podrían <strong>de</strong>mandar <strong>de</strong> la red hasta9 x 100 W <strong>con</strong>sumiendo corriente <strong>con</strong> la forma <strong>de</strong> onda correspondiente a K P = 0,75 <strong>de</strong> la figura 3.26.2 Las versiones <strong>de</strong> 1995 y 1997 <strong>de</strong> la norma IEC 1000-3-2 clasificaban los equipos a tenor <strong>de</strong> la aplicación a la forma<strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> la <strong>con</strong>ocida máscara <strong>de</strong> Clase-D. La aparición <strong>de</strong>l $PHQGPHQW A-14 <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, clasifica a los equipos según su propósito; or<strong>de</strong>nadores, monitores <strong>de</strong> or<strong>de</strong>nadores y televisores <strong>de</strong>ben superar loslímites <strong>de</strong> Clase-D.Por tanto los límites <strong>de</strong> la Clase A, pue<strong>de</strong>n ser aplicados, bien porque el equipo final se clasifique <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la Clase-A o bien porque aún perteneciendo el equipo a Clase-D al crecer la potencia <strong>de</strong> salida sean los límites absolutos <strong>de</strong> laClase-A los que <strong>de</strong>ban verificarse. Esto ocurre a partir <strong>de</strong> los 600 W.157


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Or<strong>de</strong>n <strong>de</strong>lNº <strong>Convertidores</strong>ParaleloArmónico3 27 18 115 41 21 97 70 30 109 74 31 911 122 46 1113 16 55 1115 246 79 13K P0,48 0,6 0,757DEOD1~PHURPi[LPRGHFRQYHUWLGRUHVHQSDUDOHORVHJ~QHORUGHQGHODUPyQLFRSDUDFDGDYDORUGH. 3 5HODFLyQGH. 3 FRQHOUHQGLPLHQWRComo se <strong>de</strong>scribió al comienzo <strong>de</strong>l apartado 5.3, es importante relacionar K P también <strong>con</strong> elrendimiento en los <strong>con</strong>vertidores SII <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> facilitar la obtención <strong>de</strong> criterios <strong>de</strong> diseñogeneralizables a todas las topologías <strong>de</strong>sarrolladas.En un <strong>con</strong>vertidor formado por dos <strong>con</strong>vertidores internos <strong>con</strong>ectados en cascada o bien <strong>de</strong> forma que,como en la familia SII, exista una fracción <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada que se procesa una vez y otrafracción que se procesa dos veces, el rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>junto <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá no solo <strong>de</strong>lnúmero <strong>de</strong> veces que se procese la energía sino también <strong>de</strong> las pérdidas que presenta cada uno <strong>de</strong> loscaminos por los que ésta es transferida.Se persigue por tanto estudiar la relación <strong>de</strong>l rendimiento global en los <strong>con</strong>vertidores SII <strong>con</strong> K P , peropara ello se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rará que las pérdidas <strong>de</strong> potencia correspondientes a cada camino energético varíantambién <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> K P; <strong>de</strong> esta manera se habrá <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado no sólo las veces que es procesada laenergía sino cómo ha sido procesada.En la figura 5.20 se ha dibujado <strong>de</strong> nuevo el diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII,acompañándolo <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la potencia que fluye por cada una <strong>de</strong> las vías y <strong>de</strong> su valormedio, habiendo tenido en cuenta los rendimientos individuales <strong>de</strong> cada <strong>con</strong>vertidor interno.Partiendo <strong>de</strong> la salida hacia la entrada, la potencia <strong>de</strong> entrada, P E , pue<strong>de</strong> calcularse <strong>con</strong> la expresión(5.32).= 1 æ 13( ç × 1-. 3 ×32+ . 3 × 3h è h22 1ö÷ø(5.32)A partir <strong>de</strong> esta expresión se establece el rendimiento global <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor que viene dado por(5.33).h =h1× h2- . × (1 - h )(5.33)1 3 1158


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,P Edc1æç(1 - . 3 ) × 32+ .h2è h1÷ ö× 3ø×32(1-. )×h3 3 21& Convertidor O O Convertidor fSpUGLGDVeg. ×(1- . )×P O3 3 23 3 2)LJXUD5HQGLPLHQWRFRQMXQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Si en un primer paso se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra que el rendimiento <strong>de</strong> cada <strong>con</strong>vertidor interno no varía <strong>con</strong> K P , lavariación <strong>de</strong>l rendimiento global <strong>con</strong> el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado presentaría unaevolución que se recoge en la figura 5.21. En esta figura, se han tomando como rendimientos para los<strong>con</strong>vertidores internos h 1 = h 2 = 0,9. Pue<strong>de</strong> comprobarse <strong>de</strong> forma sencilla como esta <strong>con</strong>figuracióntoma ventaja sobre la solución en dos etapas, cuyo rendimiento para este caso sería <strong>de</strong>l 81 % ya quesólo influye el número <strong>de</strong> veces que se procesa la energía.Ahora bien, (5.30) es una expresión teórica, que requiere <strong>con</strong>ocer los valores <strong>de</strong> los rendimientosindividuales, que no son in<strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> K P y cuya <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia podría llegar a provocarque el rendimiento global no resultase ventajoso respecto <strong>de</strong> una <strong>con</strong>exión en cascada para la cual semultiplican los rendimientos. Por tanto, como segundo paso se va a estudiar como varían losrendimientos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos <strong>con</strong> K P .Utilizando el método <strong>de</strong>scrito en 5.2.3.3, el programa <strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong>sarrollado <strong>con</strong> la aplicaciónMathcad Ò ha permitido representar, en la figura 5.22, las principales corrientes que afectan a laspérdidas mayoritarias que se producen en los <strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong> la topología SII-F2. Se haelegido esta topología, por sencillez en elhh<strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong>l estudio <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> K 1×h2Ph=sobre el rendimiento, aunque las <strong>con</strong>clusiones0.91 -. 3×(1-h1)que se obtengan serán extensibles a todas las<strong>de</strong>más topologías propuestas.0.880.850.83h ×1 h20.80 0.2 0.4 0.6 0.8 1)LJXUD5HQGLPLHQWRJOREDOWHyULFRHQIXQFLyQGH. 3 &RQVLGHUDQGRh h \SRUWDQWRLQGHSHQGLHQWHVGHOYDORUGH. 3 K PPara nombrar las corrientes que se representanen 5.22, se ha utilizado una notación que en elcaso <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada resulta:[L ( ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t). En esta notación, el subíndiceEFI<strong>CA</strong>Z hace referencia al valor eficaz <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada correspondiente alperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación que se produce parael instante w t. Por lo tanto, este valor eficazirá evolucionando <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. Estevalor eficaz <strong>de</strong> corriente, calculado en un159


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, producirá unas pérdidas óhmicas (por ejemplo, en la resistencia en<strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los MOSFET, R (DS)on ) que evolucionarán también <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.K P = 0,8 K P = 0,5322[L '6 ] MEDIA (w t)[L '6 ] MEDIA (w t)[L '6 ] MEDIA (w t)[L 2 ] MEDIA (w t)1[L '6 ] MEDIA (w t)[L 2 ] MEDIA (w t)10 0.79 1.57 2.36 3.14w t0 0.79 1.57 2.36 3.14w t66[L ( ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)4[L ( ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)4[L 6 ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)[L 6 ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)2200 0.79 1.57 2.36 3.1400 0.79 1.57 2.36 3.14w tw t66[L 46(& ] EFI<strong>CA</strong>Z(w t)[L & ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)2[L 46(& ] EFI<strong>CA</strong>Z(w t)[L & ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)200 0.79 1.57 2.36 3.14w t00 0.79 1.57 2.36 3.14w t66[L '6 ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)4[L '6 ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t)42200 0.79 1.57 2.36 3.1400 0.79 1.57 2.36 3.14w tw t160)LJXUD9DULDFLyQFRQ. 3 GHORVYDORUHVHILFDFHV\PHGLRVGHDOJXQDVFRUULHQWHVFDUDFWHUtVWLFDVGHOFRQYHUWLGRU6,,)Para un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, las pérdidas <strong>de</strong> potencia tienen el carácter <strong>de</strong> “pérdidas locales”, si se


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,quieren obtener las pérdidas globales o totales que se producen en un componente, habrá que calcularla media <strong>de</strong> estas pérdidas locales a lo largo <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red. Para <strong>de</strong>ducir la influencia quetiene K P sobre una <strong>de</strong>terminada corriente se han representado en la figura 5.22, en dos columnas, lasmismas corrientes para dos valores distintos <strong>de</strong> K P : 0,8 y 0,53.En la figura 5.23 se representan los esquemas <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong> la topología SII-F2 ysobre estos se han <strong>de</strong>sglosado las principales pérdidas <strong>de</strong> potencia que se producen en suscomponentes.7LSRÃGHÃSpUGLGD0DJQLWXGÃGHWHUPLQDQWH9DULDFLyQÃFRQÃ. 3Convertidor 2L ( w W '6 7 L 6(& w W L '6 w W+/ / Y ( w W6 -&RQGXFFLyQÃÃGHELGDÃDÃ9 ' >L '6 @ 0(',$ $XPHQWDÃFRQÃ. 3& 266 ÏKPLFDVÃUHVLVWHQFLDÃGHYDQDGRÃÏKPLFDVÃUHVLVWHQFLDÃGHYDQDGRÃÏKPLFDVÃUHVLVWHQFLDÃ5 '6RQ$SDJDGR(QFHQGLGRÃGHELGDVÃDÃ>L ( @ (),&$=>L 6(& @ (),&$=>L ( @ (),&$=>L ( @ 3,&2 ÃY ( 9 2 QY ( 9 2 Q0X\ÃEDMD0X\ÃEDMD0X\ÃEDMD0X\ÃEDMD1XOD7LSRÃGHÃSpUGLGD0DJQLWXGÃGHWHUPLQDQWH9DULDFLyQÃFRQÃ. 3Convertidor 17 '6 L 6 w W/ / 6 & L & w W+9 &-L '6 w W&RQGXFFLyQÃÃGHELGDÃDÃ9 '>L '6 @ 0(',$ 'LVPLQX\HÃFRQÃ. 3& 266 ÏKPLFDVÃUHVLVWHQFLDÃGHYDQDGRÃÏKPLFDVÃUHVLVWHQFLDÃGHYDQDGRÃÏKPLFDVÃ(65Ã ÏKPLFDVÃUHVLVWHQFLDÃ5 '6RQ$SDJDGR(QFHQGLGRÃGHELGDVÃDÃ>L 6 @ (),&$=>L '6 @ (),&$=>L & @ (),&$=>L 6 @ (),&$=>L 6 @ 3,&2 Ã9 & 9 2 Q9 & 9 2 Q$XPHQWDÃFRQÃ. 3$XPHQWDÃFRQÃ. 3$XPHQWDÃFRQÃ. 3$XPHQWDÃFRQÃ. 3$XPHQWDÃFRQÃ. 30X\ÃEDMD)LJXUD9DULDFLyQFRQ. 3 GHODVSpUGLGDVGHSRWHQFLDHQORVFRQYHUWLGRUHVLQWHUQRV\GHODWRSRORJtD6,,)También en esta figura, se han representado las magnitu<strong>de</strong>s que <strong>de</strong>terminan cada una <strong>de</strong> estas pérdidasy la influencia que presenta K P sobre estas magnitu<strong>de</strong>s. A modo <strong>de</strong> ejemplo, si se <strong>con</strong>oce la variación<strong>con</strong> K P <strong>de</strong> la corriente media que circula por D S1 , se tendrá una i<strong>de</strong>a precisa <strong>de</strong> la evolución, también<strong>con</strong> K P , <strong>de</strong> las pérdidas en <strong>con</strong>ducción en este diodo.161


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Las <strong>con</strong>clusiones, que se establecen en la figura 5.23 en cuanto a la variación <strong>con</strong> K P <strong>de</strong> unas<strong>de</strong>terminadas pérdidas, pue<strong>de</strong>n <strong>con</strong>trastarse al observar cómo varía la distribución <strong>de</strong> la corrientecorrespondiente para los dos valores <strong>de</strong> K P que se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran en la figura 5.22.Si en la figura 5.22, se observa la variación, <strong>con</strong> K P , <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada (segunda fila,representada <strong>con</strong> trazo negro), pue<strong>de</strong> comprobarse cómo, aunque la forma <strong>de</strong> onda varía ligeramente,su valor promedio se mantiene prácticamente <strong>con</strong>stante. Por tanto, las pérdidas en <strong>con</strong>ducción en elMOSFET S 1 , y en el <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 1 resultarán prácticamente in<strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong> K P . Esteaspecto se justifica fácilmente, si se tiene en cuenta que en los dos casos representados en la figura5.22, la potencia que el <strong>con</strong>vertidor toma <strong>de</strong> la red es la misma.Por otro lado, si se compara la evolución <strong>de</strong> la corriente media que circula a través <strong>de</strong>l diodo DS 1 ,pue<strong>de</strong> observarse en la primera fila <strong>de</strong> la figura 5.22, cómo el área bajo la curva <strong>de</strong> esta corriente,marcada <strong>con</strong> trazo negro, es mayor para el caso <strong>de</strong> K P = 0,8. Este hecho se <strong>con</strong>trasta fácilmente,teniendo en cuenta que en este caso es mucho mayor el porcentaje <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado.Por tanto, las pérdidas en DS 1 aumentarán <strong>con</strong> K P .Observando la figura 5.22, se pue<strong>de</strong> verificar cómo las magnitu<strong>de</strong>s que afectan a las pérdidas <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 2 ([L ( ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t), [L 6(& ] EFI<strong>CA</strong>Z (w t), [L '6 ] MEDIA (w t)), varían poco <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> K P , yen el caso <strong>de</strong> la corriente por DS 1 , aunque la variación en la corriente media sí es apreciable, estaspérdidas no son tan significativas como las pérdidas en <strong>con</strong>ducción en el MOSFET S 1 . Por el<strong>con</strong>trario, las magnitu<strong>de</strong>s que afectan a las pérdidas que se producen en el <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>de</strong>l diagrama<strong>de</strong> bloques, aumentan todas <strong>con</strong> K P , excepto en el caso <strong>de</strong> [L '6 ] MEDIA (w t) que disminuye, pero tambiénestas pérdidas son reducidas en comparación <strong>con</strong> las que se producen en el interruptor S 2 .Utilizando el programa <strong>de</strong> cálculo, <strong>de</strong>sarrollado para la topología SII-F2, se pue<strong>de</strong>n obtener los valores<strong>de</strong> los rendimientos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos 1 y 2 (h 1 y h 2 ) y el rendimiento global (h ). Se haevaluado dicho programa <strong>de</strong> cálculo para diez valores distintos <strong>de</strong> K P y <strong>con</strong> todos los datos generadosdatos se ha <strong>con</strong>feccionado el gráfico representado en la figura 5.24.En la figura 5.24 se pue<strong>de</strong> observar, cómo el rendimiento más bajo se produce para el <strong>con</strong>vertidorinterno 1, sobre todo para valores reducidos <strong>de</strong> K P . Esto es <strong>de</strong>bido a que para estos valores <strong>de</strong> K P , lascorrientes eficaces adquieren valores elevados, ya que el nivel <strong>de</strong> potencia que <strong>de</strong>be transferir este<strong>con</strong>vertidor es <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rable mientras que la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es reducida.Pue<strong>de</strong> realizarse una simple comparación numérica <strong>de</strong> este aspecto: para una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>220 V EF. , una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong> 40 V aproximadamente y una K P <strong>de</strong>0.55, el <strong>con</strong>vertidor 2 transfiere potencia a partir <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> 220 V eficaces, por lo que paratransferir los 117 W tomados <strong>de</strong> la red (<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando un h = 0.85 y P O = 100W), <strong>con</strong>sumirá unacorriente eficaz <strong>de</strong> 0.53 A, mientras que el <strong>con</strong>vertidor 1 para transferir sus correspondientes 45 W (K P= 0.55), necesita una corriente media <strong>de</strong> aproximadamente el doble, (1,1 A).Los dos <strong>con</strong>vertidores internos operan en MCD, <strong>con</strong> idéntico ciclo <strong>de</strong> trabajo, y para po<strong>de</strong>r alcanzarvalores <strong>de</strong> K P reducidos, será necesario que la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 sea también reducida.Para <strong>con</strong>seguir, en el <strong>con</strong>vertidor SII-F2, un valor <strong>de</strong> K P = 0,55, la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 ,L 21 , ha <strong>de</strong> ser unas 8 veces más pequeña que la <strong>de</strong> T 1 (este aspecto se tratará en <strong>de</strong>talle en el apartado5.4.1.2). Esta relación <strong>de</strong> inductancias tan dispar, provoca que el valor <strong>de</strong> L 21 resulte muy reducido yen <strong>con</strong>secuencia las corrientes eficaces en el <strong>con</strong>vertidor 1 serán bastante más elevadas que en el162


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>vertidor 2, (ver figura 5.22 segunda fila, en ella se comparan las corrientes eficaces <strong>de</strong> entrada,igual a la que circula por el MOSFET S 1 , <strong>con</strong> la corriente eficaz que circula por el MOSFET S 2 , paralos dos valores <strong>de</strong> K P <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rados).5HQGLPLHQWRV0.960.940.920.90.880.860.840.820.80.78hh1h20.5 0.6 0.7 0.87DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3)LJXUD9DULDFLyQFRQ. 3 GHORVUHQGLPLHQWRVGHORVFRQYHUWLGRUHVLQWHUQRV\GHOUHQGLPLHQWRJOREDOGHODWRSRORJtD6,,)Aunque los valores absolutos <strong>de</strong> los rendimientos que se representan en la figura 5.24 pue<strong>de</strong>n diferir<strong>de</strong> los que se midan experimentalmente, sin embargo, la ten<strong>de</strong>ncia que apuntan sí pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarsecorrecta y por tanto aportan una información interesante acerca <strong>de</strong>l la distribución <strong>de</strong> pérdidas <strong>de</strong>ntro<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.La ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> los rendimientos que se observa en la figura 5.24 corrobora finalmente la variación<strong>de</strong>scrita en las figuras 5.22 y 5.23. Las <strong>con</strong>clusiones que pue<strong>de</strong>n extraerse respecto a la relación entreel rendimiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII y el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado son:• (O UHQGLPLHQWR GHO FRQYHUWLGRU LQWHUQR UHVXOWD YLUWXDOPHQWH LQGHSHQGLHQWH GH . 3 .Este <strong>con</strong>vertidor ha <strong>de</strong> extraer toda la potencia <strong>de</strong> la red, por tanto, <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>cómo se reparta <strong>de</strong>spués esta potencia, las pérdidas serán las que se produzcan paratransferir ese nivel <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> entrada, que es fijo.• (O UHQGLPLHQWR GHO FRQYHUWLGRU LQWHUQR FUHFH FRQ . 3 . Debido al aumento <strong>de</strong> lascorrientes eficaces que circulan por sus componentes para valores reducidos <strong>de</strong> K P .• (O UHQGLPLHQWR JOREDO Vt HVWi PX\ UHODFLRQDGR FRQ . 3 . Para distintas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong>línea y carga y distintos diseños, se obtendrán rendimientos globales diferentes, pero si sefijan estas <strong>con</strong>diciones el mejor rendimiento correspon<strong>de</strong>rá a aquel diseño que presente unamayor K P . 5HODFLyQGH. 3 FRQHOWDPDxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,El tamaño <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado viene impuesto fundamentalmente por el tamaño <strong>de</strong> losdisipadores <strong>de</strong> calor, el tamaño <strong>de</strong> los componentes magnéticos, y en algún caso particular, tambiéntiene un peso importante el tamaño <strong>de</strong> algún otro elemento como un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico.El apartado 5.3.3.1 se <strong>de</strong>dica por entero a estudiar el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento enlos <strong>con</strong>vertidores correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia en una etapa y en <strong>con</strong>creto al tamaño que adquiere163


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador en los <strong>con</strong>vertidores SII. Sin embargo, en este apartado, se estudiará la influenciaque tiene el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , sobre el tamaño <strong>de</strong> los disipadores yfundamentalmente sobre el tamaño <strong>de</strong> los componentes magnéticos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internospresentes en las topologías <strong>de</strong> la familia SII.Como ya se ha estudiado en el apartado anterior, un aumento <strong>de</strong> K P , está siempre asociado a unadisminución <strong>de</strong> las pérdidas en el <strong>con</strong>vertidor interno 1 y por tanto a una disminución <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>los disipadores. A<strong>de</strong>más, las corrientes <strong>de</strong> pico en el <strong>con</strong>vertidor 1 también se reducen cuandoaumenta K P (ver figura 5.22), por esta razón, la energía que almacena la inductancia <strong>de</strong> dispersión <strong>de</strong>ltransformador T 2 (presente en todas las topologías SII excepto en el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D), también sereducirá, siendo posible utilizar una red <strong>de</strong> protección o VQXEEHU <strong>de</strong> menor tamaño o incluso prescindir<strong>de</strong> su utilización.Sin embargo, el estudio <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> K P sobre el tamaño <strong>de</strong> los componentes magnéticos, <strong>de</strong>beser estudiado en <strong>de</strong>talle y para ello se <strong>de</strong>scribirá por separado la influencia <strong>de</strong> este parámetro en trescasos:• Convertidor Interno 2, presenta siempre topología )O\EDFN.• Convertidor Interno 1, correspondiente a los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l grupo SII-F, que siemprepresenta topología )O\EDFN.• Convertidor Interno 1, correspondiente a los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l grupo SII-B, que siemprepresenta topología elevadora. Ver apartado 3.3.3.En todas las topologías SII, los componentes magnéticos <strong>de</strong> ambos <strong>con</strong>vertidores internos tienen lamisión <strong>de</strong> almacenar energía. Tanto en la estructura )O\EDFN como en la estructura elevadora, cuandoambos operan en MCD, el componente magnético <strong>de</strong>be almacenar toda la energía que se extrae <strong>de</strong> laentrada para ce<strong>de</strong>rla a la carga cuando se abre el interruptor <strong>con</strong>trolado. Este hecho se presenta <strong>de</strong>manera gráfica, en la figura 5.25.///164)LJXUD5HSUHVHQWDFLRQHVHTXLYDOHQWHVGHODWRSRORJtDHOHYDGRUDRSHUDQGRHQ0&'7DQWRHQODWRSRORJtDFlybackFRPRHQODHOHYDGRUDFXDQGRRSHUDQHQ0&'HOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRDOPDFHQDWRGDODHQHUJtDH[WUDtGDGHODHQWUDGDSDUDOXHJRFHGHUODDODFDUJDEn esta figura, se ha representado la topología elevadora sustituyendo su inductancia por dos bobinasacopladas que funcionan “tipo )O\EDFN” (las corrientes <strong>de</strong> primario y secundario, nunca circulan almismo tiempo). Por tanto en cualquiera <strong>de</strong> las topologías SII (que siempre operan en MCD) loscomponentes magnéticos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong>ben ser diseñados para po<strong>de</strong>r almacenar unacierta cantidad <strong>de</strong> energía proce<strong>de</strong>nte <strong>de</strong> su entrada.Antes <strong>de</strong> pasar a <strong>de</strong>scribir qué energía se <strong>de</strong>be almacenar en cada caso, se va a realizar una <strong>de</strong>scripcióngeneral <strong>de</strong> la relación existente, en un componente magnético, entre la energía que éste ha <strong>de</strong>


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,almacenar y el tamaño <strong>de</strong> su núcleo.5.3.2.3.1 Relación energía almacenada y tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong> un componente magnético.La Ley <strong>de</strong> Faraday aplicada a un componente magnético <strong>con</strong> N espiras, pue<strong>de</strong> rescribirse en (5.34).1 × $(=/ × ,%0$;0$;(5.34)don<strong>de</strong> (ver figura 5.27):- A E es el área efectiva <strong>de</strong>l componente magnético.- I MAX es la corriente máxima que <strong>de</strong>be circular por el componente magnético.- L es el valor <strong>de</strong> la inductancia o coeficiente <strong>de</strong> autoinducción requerido por eldiseño.- B MAX es un valor <strong>de</strong> la <strong>de</strong>nsidad <strong>de</strong>l flujo magnético en el núcleo <strong>de</strong>l componenteque se selecciona por diseño, <strong>de</strong> manera que resulte inferior al valor <strong>de</strong> saturación.El valor <strong>de</strong> la inductancia <strong>de</strong> un componente magnético pue<strong>de</strong> expresarse mediante (5.35)./ = 12×Â1 2(= 1×1m × m251O(1× +$ m(2O×$*$3(=1m × $2(1æ O×çè m(5+ O*$3ö÷ø(5.35)don<strong>de</strong> (ver figura 5.27):-  E es la reluctancia magnética equivalente teniendo en cuenta el núcleo magnéticocompleto, ferrita y entrehierro.- µ O es la permeabilidad magnética <strong>de</strong>l vacío. (4.p .10 -7 H/m).- µ R es la permeabilidad magnética relativa. Consi<strong>de</strong>rando la ferrita sin entrehierro.- O E es la longitud efectiva <strong>de</strong>l camino magnético <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l núcleo magnético.- O GAP es la longitud efectiva <strong>de</strong>l entrehierro.En cualquier componente magnético <strong>con</strong>cebido para almacenar energía, ésta se almacena casi en sutotalidad en el entrehierro, tal y como se pue<strong>de</strong> apreciar en la simulación realizada <strong>con</strong> unaherramienta <strong>de</strong> elementos finitos que se representa en la figura 5.26. Por tanto, si en (5.35) se<strong>de</strong>sprecia O E /µ R frente a O GAP , lo que resulta equivalente a que toda la energía está <strong>con</strong>finada en elentrehierro, (5.35) pue<strong>de</strong> rescribirse en (5.36)./ = 12m 2 × $×O*$3((5.36)Eliminando N entre las expresiones (5.34) y (5.36) se obtiene (5.37) que relaciona las dimensiones <strong>de</strong>lentrehierro <strong>con</strong> la energía que <strong>de</strong>be almacenar, sin que se sature, el material ferromagnético.O*$3× $(1= × / ×22(,0$; ) ×22 2%×m0$;(5.37)165


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,O E— ( — 2O GAPEfectoEntrehierroEnergía<strong>con</strong>finada enel entrehierroNA E)LJXUD/DHQHUJtDDOPDFHQDGDHQXQFRPSRQHQWHPDJQpWLFRVHFRQILQDHQVXPD\RUtDHQHOHQWUHKLHUUR/DSUR[LPLGDGDOHQWUHKLHUURSURYRFDXQDUHGXFFLyQGHODVHFFLyQHIHFWLYDDOSDVRGHODFRUULHQWHGHORVFRQGXFWRUHVTXHFRPSRQHQORVGHYDQDGRV)LJXUD(VTXHPDVLPSOLILFDGRGLPHQVLRQHV\PDJQLWXGHVTXHGHWHUPLQDQODLQGXFWDQFLDGHXQFRPSRQHQWHPDJQpWLFRYa que en (5.37) el factor (2.µ O / B MAX 2 ) es una <strong>con</strong>stante, pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>cluirse que VLODHQHUJtDTXHGHEHVHUFDSD]GHDOPDFHQDUHOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRHVWiILMDGDODVGLPHQVLRQHVPtQLPDVGHOHQWUHKLHUURGHGLFKRFRPSRQHQWHPDJQpWLFRTXHGDQWDPELpQILMDGDVAhora bien, sobre el resultado anterior son posibles ligeras variaciones, ya que una posible estrategiapara reducir el tamaño <strong>de</strong>l componente magnético sería aumentar la longitud <strong>de</strong>l entrehierro, O GAP , sinembargo este aumento trae <strong>con</strong>sigo importantes efectos negativos [87]-[89] tales como: aumento <strong>de</strong> laresistencia en <strong>CA</strong> <strong>de</strong> los <strong>de</strong>vanados, <strong>de</strong>bido al efecto entrehierro (IULQJLQJIOX[ en lengua inglesa), y elaumento <strong>de</strong> las emisiones electromagnéticas radiadas.Una vez <strong>con</strong>ocida la relación entre el tamaño <strong>de</strong>l núcleo y la energía que <strong>de</strong>be almacenar, se va aestudiar cómo evoluciona esta energía en los <strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong> las topologías SII.5.3.2.3.2 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorinterno 2.En la figura 5.28, se ha representado la evolución <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> la tensión y corriente <strong>de</strong>entrada instantáneas, así como <strong>de</strong> la potencia instantánea tomada <strong>de</strong> la red por el <strong>con</strong>vertidor interno 2.Las formas <strong>de</strong> onda representadas en la figura 5.28 correspon<strong>de</strong>n al <strong>con</strong>vertidor SII-F2 operando <strong>con</strong>tensión universal y se han representado los valores eficaces extremos <strong>de</strong> este rango <strong>de</strong> tensión, 85 V EF.y 265 V EF. .Los <strong>con</strong>vertidores SII modifican <strong>de</strong> manera natural el valor <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> entrada, tal ycomo se justificará en el apartado 5.3.2.5, y por tanto para cada una <strong>de</strong> estas tensiones <strong>de</strong> entrada, seobtiene un valor <strong>de</strong> K P diferente: 0,55 para 85 V EF. y 0,8 para 265 V EF .La potencia instantánea, que <strong>de</strong>be transferir el componente magnético para la <strong>con</strong>mutación o<strong>con</strong>mutaciones próximas a w t = p /2, será mayor que la potencia <strong>de</strong> salida (ya que a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> alimentara la carga, hay que recargar <strong>de</strong> energía el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento) y pue<strong>de</strong> expresarsemediante (5.38) y (5.39) respectivamente, para las tensiones <strong>de</strong> entrada eficaces <strong>con</strong>si<strong>de</strong>radas.166


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,S ( ( p 2) = N 1× 3@85 2(5.38)S ( ( p 2) = N 2× 3@ 265 2(5.39)Los valores <strong>con</strong>cretos <strong>de</strong> las <strong>con</strong>stantes k 1 y k 2 <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rán <strong>de</strong> la topología SII que se hayaseleccionado y <strong>de</strong>l diseño que se haya realizado. Ahora bien, sí se <strong>con</strong>oce el rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>estas <strong>con</strong>states, que viene dado por (5.40), y como éstas varían <strong>con</strong> K P .1 < N < 2(5.40)El límite inferior se alcanzaría para un valor <strong>de</strong> K P próximo a la unidad, don<strong>de</strong> toda la potencia <strong>de</strong>entrada se transferiría por la vía <strong>de</strong> simple procesado, y don<strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada instantáneapresentaría, en un semiciclo <strong>de</strong> red, una forma <strong>de</strong> onda prácticamente rectangular <strong>con</strong> un valormáximo igual a P O .Por el <strong>con</strong>trario, el valor superior <strong>de</strong> N (N = 2) se alcanzaría para valores <strong>de</strong> K P muy reducidos, para loscuales estos <strong>con</strong>vertidores se comportarían prácticamente como un <strong>con</strong>vertidor en dos etapas,<strong>con</strong>trolado por un mismo ciclo <strong>de</strong> trabajo, que en este caso resultaría invariante <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.Debido a este ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante y a que el <strong>con</strong>vertidor 2 presenta topología )O\EDFN y opera enMCD, dicho <strong>con</strong>vertidor absorbería <strong>de</strong> la red una corriente prácticamente sinusoidal. Por tanto laforma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada sería también una sinusoi<strong>de</strong>, <strong>de</strong>l doble <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> red,y <strong>con</strong> un valor máximo igual a 2·P O , por lo que N tiene un límite superior igual a 2.Como se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir <strong>de</strong> la <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong>l rango <strong>de</strong> valores que pue<strong>de</strong> tomar la <strong>con</strong>stante N, esta<strong>con</strong>stante <strong>de</strong>crece cuando se incrementa K P . Para una aplicación <strong>de</strong> tensión universal, el valor <strong>de</strong> K Pque se fije por diseño para los 85 V EF. <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada, <strong>de</strong>terminará la máxima potencia que<strong>de</strong>berá transferir el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 2 (ver figura 5.28.c).La implicación que tiene este aspecto, respecto al tamaño <strong>de</strong>l núcleo magnético <strong>de</strong>l transformador T 1(transformador <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 2 en cualquier topología SII), se obtendrá teniendo en cuentaque el <strong>con</strong>vertidor interno 2 presenta topología )O\EDFN y opera en MCD. Por tanto, estableciendo unbalance <strong>de</strong> potencia instantáneo para la <strong>con</strong>mutación correspondiente a w t = p /2 se obtiene laexpresión (5.41).* × 6HQ( p2 ) × L((p2)= N1329 ×y sustituyendo el valor <strong>de</strong> la corriente media <strong>de</strong> entrada para esa <strong>con</strong>mutación:(5.41)* × 1 × ,11(p2)× G(p 2)= N13 29 ×2don<strong>de</strong> I 11 (p /2) es la corriente <strong>de</strong> pico por el primario <strong>de</strong>l transformador T 1 , para w t = p /2.A partir <strong>de</strong> la expresión <strong>de</strong> I 11 , pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>spejarse el ciclo <strong>de</strong> trabajo que se recoge en (5.43):(5.42)1G( p2 ) = /11× , (p11 2)× I × & 9 *(5.43)167


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,a)b)c)400200020021017HQVLyQGHHQWUDGD94000 1.57 3.14 4.71 6.28w t&RUULHQWHGHHQWUDGD$20 1.57 3.14 4.71 6.28w t20017515012510075502585 V EF. , K P =0.55265 V EF., K P =0.885 V EF. , K P =0.55265 V EF. , K P =0.83RWHQFLDGHHQWUDGD:N 3 2N 3 23 200 1.57 3.14 4.71 6.28w t85 V EF.; K P =0.55 265 V EF.; K P =0.8)LJXUDD7HQVLyQGHHQWUDGDE&RUULHQWHGHHQWUDGDF(YROXFLyQFRQHOiQJXORGHUHGGHODSRWHQFLDLQVWDQWiQHDGHHQWUDGD6HKDWRPDGRFRPRSDUiPHWURHOWDQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGREliminando d(p /2) entre las expresiones(5.42) y (5.43) se obtiene una nueva expresión(5.44) para el balance <strong>de</strong> potencia instantáneo,que impone la relación que existirá entre lainductancia magnetizante <strong>de</strong> T 1 y la corriente<strong>de</strong> pico máxima que circulará por su <strong>de</strong>vanadoprimario.12× 21/ × , = N × 3 2 × 7 11 11&(5.44)don<strong>de</strong> T C es el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Resta estudiar si la <strong>con</strong>stante k 1 para 85 V EF.varía mucho o por el <strong>con</strong>trario su valor semantiene bastante fijo. Como se <strong>de</strong>scribirá enel apartado 5.4.1.4, si se plantean comodiseños objetivo, aquellos que <strong>con</strong>sigan, paracualquier topología SII, que se cumplan loslímites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 y que a<strong>de</strong>más se optimicen los valorescaracterísticos, tales como el rendimiento,etc., se requiere que estos presenten, a 230V EF. (Valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada para elque se comprueban los límites <strong>de</strong> la norma, sila fuente <strong>de</strong> alimentación pue<strong>de</strong> operar <strong>con</strong> unrango <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada), un valor <strong>de</strong> K P =0,78. Para <strong>con</strong>seguir este valor a 230 V EF. eldiseño <strong>de</strong>be imponer a 85 V EF. un valoraproximado <strong>de</strong> K P = 0,55.La energía máxima que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong>almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 2, sí <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> K P .Ahora bien, si se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran los diseñosobjetivo, que cumplan los límites <strong>de</strong> la ClaseD, el valor <strong>de</strong> K P a 85 V EF está fijo y por tantolo será también el valor <strong>de</strong> la <strong>con</strong>stante k 1 , yen <strong>con</strong>secuencia la energía que <strong>de</strong>be ser capaz<strong>de</strong> almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor 2.En <strong>con</strong>clusión, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando el FXPSOLPLHQWR <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la FODVH ', HO WDPDxR GHO Q~FOHRPDJQpWLFR GHO FRQYHUWLGRU LQWHUQR GHSHQGH H[FOXVLYDPHQWH GH OD SRWHQFLD GH FDUJD \ GH ODIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ.168


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,5.3.2.3.3 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorinterno 1 si éste presenta topología )O\EDFN.Si se analizan las evoluciones <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> las potencias <strong>de</strong> simple y doble procesado, verfigura 5.29, se pue<strong>de</strong> observar cómo ODHQHUJtDTXHGHEHDOPDFHQDUHOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRGHOFRQYHUWLGRU <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques, para la <strong>con</strong>mutación o <strong>con</strong>mutaciones próximas a ZW ,permanece <strong>con</strong>stante y HVLQGHSHQGLHQWHGHOYDORUGH. 3 . Este hecho se <strong>de</strong>be a que toda la potencia<strong>de</strong> carga la <strong>de</strong>be proporcionar el <strong>con</strong>vertidor 1 cuando el valor instantáneo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red pasapor cero. Realizando un balance <strong>de</strong> potencia instantáneo, para una <strong>con</strong>mutación próxima a w t=0, seobtiene la expresión (5.45). Desarrollando esta expresión, sabiendo que el <strong>con</strong>vertidor 1 siempre operaen MCD y que su topología es )O\EDFN, se obtiene (5.46).9 & 1× L/21= 32(5.45)123× ,21(0) × G(0)=92& 1(5.46)S ( w W2S '6 w WS '$8; w WL / w W7 '6 6 / / 1S '6 w W3 2K P = 0,8C 11×/ 21×3,&2×22( [ L/ 21]) =327&K P = 0,533 23 2S '6 w WS '6 w WS '6 w WS '6 w W0 0.79 1.57 2.36 3.14w t0 0.79 1.57 2.36 3.14w t)LJXUD/D(QHUJtDTXHGHEHDOPDFHQDUHOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRGHOFRQYHUWLGRUGHOGLDJUDPDGHEORTXHVHQHOSDVRSRUFHURGHODWHQVLyQGHUHGHVLQGHSHQGLHQWHGH. 3 Teniendo en cuenta la expresión que relaciona la corriente <strong>de</strong> pico I 21 (que circula por L 21 <strong>de</strong>vanadoprimario <strong>de</strong> T 2 ) que se presenta en (5.47), se pue<strong>de</strong> eliminar el valor <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo para w t = 0.Por tanto la expresión (5.46) se <strong>con</strong>vierte en (5.48), expresión en la que se recoge el valor <strong>de</strong> laenergía que tiene que ser capaz <strong>de</strong> transferir el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor 1.,21× /21G(0)=9 & 1× 7 &(5.47)169


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,12× 2/ × , = 3 2 × 7 21 21&(5.48)Por tanto, como se <strong>de</strong>duce <strong>de</strong> la figura 5.29, HOYDORUPtQLPRGHHQHUJtDque tiene que ser capaz <strong>de</strong>DOPDFHQDU HO FRPSRQHQWH PDJQpWLFR 7 cuando el <strong>con</strong>vertidor interno 1 presenta topología)O\EDFNHVLQGHSHQGLHQWHGH. 3 \VyORGHSHQGHGHODSRWHQFLDGHVDOLGD\GHODIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ.En este caso, y teniendo en cuenta la expresión (5.37), por resultar fija la energía a transferir por elTransformador T 2 , en los <strong>con</strong>vertidores SII-F vendrá impuesto el tamaño <strong>de</strong>l núcleo magnético <strong>de</strong>dicho transformador. Sin embargo <strong>de</strong>bido a la reducción <strong>de</strong> las corrientes eficaces por estecomponente magnético al aumentar K P , pue<strong>de</strong> reducirse ligeramente este tamaño, posiblementepasando al núcleo inmediatamente inferior, a costa <strong>de</strong> un aumento <strong>de</strong> la longitud <strong>de</strong>l entrehierro (verfigura 5.69). Sin embargo, la importancia que pue<strong>de</strong>n llegar a adquirir los efectos perniciosos <strong>de</strong>scritosrelacionados <strong>con</strong> el aumento <strong>de</strong>l entrehierro, pue<strong>de</strong>n hacer inviable esta estrategia.5.3.2.3.4 Energía máxima que <strong>de</strong>be almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorinterno 1 si éste presenta topología elevadora.También para los <strong>con</strong>vertidores que presentan estructura elevadora en el <strong>con</strong>vertidor interno 1, secumple que para w t = 0, ha <strong>de</strong> ser este <strong>con</strong>vertidor quien proporcione toda la potencia <strong>de</strong> carga. Ahorabien, la operación en MCD <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor elevador es diferente a la <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN ypor tanto, el hecho <strong>de</strong> tener que proporcionar un nivel <strong>de</strong> potencia <strong>con</strong>stante pue<strong>de</strong>, en este caso, noimponer el tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor 1.En la figura 5.30 se representa el <strong>con</strong>vertidor interno 1 <strong>de</strong> la topología SII-B-2D, así como la corrienteque se extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para la <strong>con</strong>mutación w t = 0.La corriente media que se extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para alimentar a la carga, vienedada por la expresión (5.49):1L '6 1- 2( 0) = × ,2(0) × [ G(0)+ G1(0)]2(5.49)Y teniendo en cuenta la igualdad voltios x segundo en la inductancia L 2 , se llega a (5.50):192-×29 - 9(5.50)'6 1 2(0) = × ,2(0) × G(0)L2& 1Si se elimina d(0) teniendo en cuenta la expresión <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> pico I 2 , se obtiene (5.51):L1(0) = × /× ,(0)×1×922'6 1- 22 227&× 9&192- 9(5.51)& 1Sustituyendo (5.51) en la expresión <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia instantáneo para la <strong>con</strong>mutación w t = 0,dado por (5.52) se llega a obtener la igualdad (5.53).9 & 1× L'61- 2(0)= 32(5.52)170


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,92(5.53)1 2 &× / × , (0) = (1 -12) × 32× 7&292De la expresión (5.53), se <strong>de</strong>duce, que en el caso <strong>de</strong> la topología elevadora, para transferir una mismapotencia P O , la energía que necesita almacenar el núcleo magnético <strong>de</strong> su inductancia es inferior alproducto P O . T C .Convertidor 1'6 $8; / C 1G0G 0W7'6 6 & 2 5 2L & 0, 09 & 192 -9&1/2/2áL '6 ñ0Ã Ã, 2)LJXUD&RQYHUWLGRULQWHUQRGHODWRSRORJtD6,,%'&RUULHQWHVH[WUDtGDGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQHOSHULRGRGHFRQPXWDFLyQFRUUHVSRQGLHQWHDw W Finalmente, combinando las expresiones (5.53) y (5.37), se obtiene (5.54):O*$3× $(= (1 -99& 12×m2) × 32× 7&×22 % 0$;(5.54)Como se <strong>de</strong>duce <strong>de</strong> la expresión (5.54), en el caso <strong>de</strong> que el <strong>con</strong>vertidor interno 1 presente topologíaelevadora, el tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor viene impuesto no solopor la potencia <strong>de</strong> carga y la frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, como en el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII-F(topología )O\EDFN en el <strong>con</strong>vertidor interno 1), sino que <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> a<strong>de</strong>más, <strong>de</strong> la relación existenteentre la tensión <strong>de</strong> salida y la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Debido a que también los <strong>con</strong>vertidores SII-B <strong>de</strong>ben operar <strong>con</strong> un rango <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada, eltamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>be seleccionarse para el mínimo valor <strong>de</strong> V C1 , que es el correspondiente a V C1@85 .Teniendo este aspecto en cuenta, (5.54) <strong>de</strong>be rescribirse en (5.55):O*$3× $(= (1 -9×m& 1@852 2) × 32× 7&×292% 0$;(5.55)Los <strong>con</strong>vertidores SII-B siempre presentan una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento inferiora la tensión <strong>de</strong> salida y por lo tanto, el factor (1-V C1@85 /V O ) supone una atenuación (respecto al valorimpuesto por el producto P O . T C ) <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l núcleo magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1. En lafigura 5.31 se ha representado este factor <strong>de</strong> atenuación, para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 48 V y paraoperación <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada en rango universal y en rango europeo.Como se pue<strong>de</strong> comprobar atendiendo a (5.55) y a la figura 5.31, diseñar los <strong>con</strong>vertidores SII-B <strong>con</strong>un valor superior <strong>de</strong> V C1@85 , lleva asociada una reducción <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1. Por otro lado, en el apartado 5.3.3.1, se <strong>con</strong>cluye que aumentar la tensión171


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,0.80.70.60.50.40.30.20.19)DFWRUGHDWHQXDFLyQ(1 -7HQVLyQÃXQLYHUVDO5DQJRÃHXURSHR00 5 10 15 20 2530 35 40 45 509 &#&1@8592)9 2 9)LJXUD)DFWRUGHDWHQXDFLyQGHOWDPDxRGHOQ~FOHRGHOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRGHOFRQYHUWLGRULQWHUQRHQODVWRSRORJtDV6,,%'LVHxRSDUDHQWUDGDXQLYHUVDO\9GHWHQVLyQGHVDOLGDV C1@85 supone una reducción <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Por último, si se incrementa V C1@85 , para lamisma potencia transferida, las corrienteseficaces disminuirán y <strong>con</strong> ellas las pérdidas<strong>de</strong> potencia, pudiéndose reducir, en<strong>con</strong>secuencia, los disipadores <strong>de</strong> potencia. Portodas las razones anteriores, incrementar elvalor <strong>de</strong> V C1 , supondrá una reducción <strong>de</strong>ltamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII,fundamentalmente en los pertenecientes algrupo SII-B, en los que a<strong>de</strong>más se reduce eltamaño <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1.El valor <strong>de</strong> energía que <strong>de</strong>be almacenar elcomponente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorinterno 1 <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la topología que presentaeste <strong>con</strong>vertidor. De esta manera:• Topología )O\EDFN:1(QHUJtD = × / ×222[ × ,2[= 327&(5.56)• Topología elevadora:9(QHUJtD =2) ×(5.57)1 2 & 1@× / [ × , [ = (1 -852327&292don<strong>de</strong> el subíndice 2x hace referencia a las inductancias y corrientes <strong>de</strong> pico en el componentemagnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno1: inductancia L 2 para el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, inductanciaL 22 para los <strong>con</strong>vertidores SII-B e inductancia L 21 para los <strong>con</strong>vertidores SII-F.El factor <strong>de</strong> atenuación, que aparece en la expresión (5.57) respecto <strong>de</strong> la expresión (5.56) y cuyavariación se representa en la figura 5.31, supone que HO WDPDxR GHO FRPSRQHQWH PDJQpWLFR GHOFRQYHUWLGRULQWHUQRHVPHQRUHQODVWRSRORJtDV6,,%TXHHQODVWRSRORJtDV6,,)$GHPiVHVWDGLIHUHQFLDSXHGHLQFUHPHQWDUVHPHGLDQWHXQGLVHxRDGHFXDGR\VREUHWRGRSDUDUDQJRHXURSHRGHWHQVLyQGHHQWUDGD.5.3.2.3.5 Conclusiones.Las <strong>con</strong>clusiones que pue<strong>de</strong>n extraerse tras el estudio realizado en el apartado 5.3.2.3 acerca <strong>de</strong> lainfluencia <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , sobre el tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidoresSII son las siguientes:• (O WDPDxR GH ORV GLVLSDGRUHV \ UHGHV GH SURWHFFLyQ FRUUHVSRQGLHQWHV DO FRQYHUWLGRULQWHUQRGHOGLDJUDPDGHEORTXHVVHUHGXFHDODXPHQWDU. 3 , ya que disminuyen lascorrientes eficaces y <strong>de</strong> pico.172


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• (OWDPDxRGHOQ~FOHRPDJQpWLFRGHOFRQYHUWLGRULQWHUQRGHSHQGHIXQGDPHQWDOPHQWHGHODSRWHQFLDGHFDUJD\IUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ, ya que los valores <strong>de</strong> K P para unatensión <strong>de</strong> red <strong>de</strong> 85 V EF han sido impuestos, para que se cumplan los límites <strong>de</strong> la Clase D.• (O WDPDxR GHO FRPSRQHQWH PDJQpWLFR GHO FRQYHUWLGRU LQWHUQR FXDQGR HVWHFRQYHUWLGRUSUHVHQWDWRSRORJtD)O\EDFNGHSHQGHIXQGDPHQWDOPHQWHGHODSRWHQFLDGHFDUJD \ GH OD IUHFXHQFLD GH FRQPXWDFLyQ, que fijan el tamaño mínimo <strong>de</strong>l núcleomagnético <strong>de</strong> dicho <strong>con</strong>vertidor.• (O WDPDxR GHO FRPSRQHQWH PDJQpWLFR GHO FRQYHUWLGRU LQWHUQR HV PHQRU HQ ODVWRSRORJtDV6,,%TXHHQODVWRSRORJtDV6,,) ya que en las primeras aparece un factor <strong>de</strong>atenuación <strong>de</strong> la energía que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong> almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1 para transferir una misma potencia <strong>de</strong> carga. Esta diferencia pue<strong>de</strong>incrementarse mediante un diseño a<strong>de</strong>cuado y sobre todo para rango europeo <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong>entrada. 9DULDFLyQ GHO WDQWR SRU XQR GH SRWHQFLD GH VLPSOH SURFHVDGR . 3 FRQ ODSRWHQFLDGHFDUJDSi se tiene en cuenta que la suma <strong>de</strong> las potencias instantáneas <strong>de</strong> simple y doble procesado (S '6 w WS '6 w Wrespectivamente) es siempre <strong>con</strong>stante e igual a la potencia <strong>de</strong> carga, el valor medio <strong>de</strong> lapotencia entregado por la vía <strong>de</strong> procesado simple pue<strong>de</strong> calcularse a partir <strong>de</strong> la potencia media quese transfiere por la vía <strong>de</strong> doble procesado, tal y como se expresa en (5.58):p1×p11'6 GwWpp(5.58)ò S ò [ ] ×1( w W)× GwW = × 32- S'62( w W)× GwW = 32- ò S'62( w W)×p000La expresión <strong>de</strong> la potencia S '6 w Wresulta más sencilla <strong>de</strong> calcular y por tanto se utilizará (5.58) paraobtener el valor medio <strong>de</strong> la potencia media transferida por la vía <strong>de</strong> simple procesado.Al objeto <strong>de</strong> ilustrar la <strong>de</strong>mostración, se toma como ejemplo la topología SII-F2 cuyo <strong>con</strong>vertidorinterno 1 se representa en la figura 5.32, así como la corriente que se ce<strong>de</strong> a la carga a través <strong>de</strong> D S2 enun periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.La corriente media que circula por el diodo D S2 viene dada por (5.59):p21 9&1) 2'6 ( w W)= × × G(w W22×/21× IF 92L(5.59)A partir <strong>de</strong> (5.59) pue<strong>de</strong> obtenerse la expresión <strong>de</strong> la potencia instantánea que se transfiere por la vía<strong>de</strong> doble procesado, (5.60):S22'6 2( w W)= 92× L'62( w W)= × 9&1× G(w W)2×/21× IF1(5.60)Sustituyendo (5.60) en (5.58) se obtiene la expresión <strong>de</strong> la potencia media que se transfiere por la vía<strong>de</strong> procesado simple, (5.61):173


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,p112 12× S '6 w W × GwW = 32- × 9&× G w W × GwWpò 1( )1× / × IF pò ( )2021p0(5.61)Convertidor 1L & w W7 / 6 9 &L '6 w W/ 9 2 L & w WL '6 w W, w W9 &/121W7Gw W, w WG w W9 2/ 22áL '6 ñw WW7C 1)LJXUD&RQYHUWLGRULQWHUQRGHODWRSRORJtD6,,)&RUULHQWHVSRUHO026)(76 \HOGLRGR'6 HQXQSHULRGRGHFRQPXWDFLyQTeniendo en cuenta la <strong>de</strong>scomposición <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo en el producto <strong>de</strong> la raíz cuadrada <strong>de</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga por la función y que se recoge en (5.23), se obtiene (5.62):pp1é 12 1× ò S1( w W)× GwW = 32ê1-× 9&1× Yë × ×ò ( w W)p2 /21IF p00× G2'6 wùWúû(5.62)Finalmente el valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado se pue<strong>de</strong> expresar a partir <strong>de</strong>(5.62) tal y como se hace en (5.63):p1× S'6w W GwWpò 1() ×p012 1= = 1-× 91× Y32×/ × IF pò( w W)2. 3 &w2210× GW(5.63)10.90.80.70.60.50.40.30.20.1. 3 3RWHQFLDÃGHÃFDUJDÃ:00 20 40 60 80 100)LJXUD9DULDFLyQGHOWDQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 FRQODSRWHQFLDGHFDUJDHQHOFRQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUDXQDWHQVLyQGHVDOLGDGH9De la expresión (5.63) se <strong>de</strong>duce que el tantopor uno <strong>de</strong> simple procesado resultain<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> salida, ya quela función y también lo es, tal y como se<strong>de</strong>scribió en los apartados 5.3.1.1 y 5.3.1.2.Quien impone la cantidad <strong>de</strong> energía que setransfiere a través <strong>de</strong> las vías <strong>de</strong> simple ydoble procesado es la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l ciclo<strong>de</strong> trabajo en un semiperiodo <strong>de</strong> red, que serecoge en la función y , y que resultain<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.Cuando la potencia <strong>de</strong> carga aumente,aumentarán las potencias <strong>de</strong> simple y dobleprocesado, pero la relación entre ellaspermanecerá invariable.174


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,En la figura 5.33, a partir <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo, se ha representado la variación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga utilizando como ejemplo el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS diseñado para una tensión <strong>de</strong>salida <strong>de</strong> 72V. En esta figura se corrobora que K P es in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong>l grado <strong>de</strong> carga. 9DULDFLyQGHOWDQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 FRQHOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDTeniendo en cuenta la expresión (5.63) se <strong>de</strong>duce que el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simpleprocesado <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, ya que tanto la función y , como el valor<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, que satisface el nuevo régimen permanente, esdistinto <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> la red. Por otro lado hay que tener en cuenta queen los <strong>con</strong>vertidores SII, el lazo <strong>de</strong> realimentación estabiliza la tensión <strong>de</strong> salida pero no así la tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.V G = 85 V EF.1.5K P = 0,58Corriente <strong>de</strong> entrada (A) Ciclo <strong>de</strong> trabajo, d(w t) Potencias (W)0.51251.20.4100Procesado Simple0.90.3750.60.250ProcesadoDoble0.30.12500 0.79 1.57 2.36 3.14w t00 0.79 1.57 2.36 3.14w t00 0.79 1.57 2.36 3.14w tV G = 265 V EF.K P = 0,8Corriente <strong>de</strong> entrada (A) Ciclo <strong>de</strong> trabajo, d(w t) Potencias (W)1.50.51251.20.41000.90.375Procesado Simple0.60.30.20.15025Procesado Doble00 0.79 1.57 2.36 3.14w t00 0.79 1.57 2.36 3.14w t00 0.79 1.57 2.36 3.14w t)LJXUD&RPSDUDFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDFLFORGHWUDEDMRSRWHQFLDVGHVLPSOH\GREOHSURFHVDGR\WDQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 SDUDWHQVLRQHVGHHQWUDGDGH\9HILFDFHVLas magnitu<strong>de</strong>s representadas en la figura 5.34 correspon<strong>de</strong>n a un mismo <strong>con</strong>vertidor, por tanto, losparámetros <strong>de</strong> diseño son los mismos .En todas las topologías SII, la forma <strong>de</strong> onda que adquiere elciclo <strong>de</strong> trabajo en un semiperiodo <strong>de</strong> red <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada tal y como sejustificó en el apartado 5.3.1.2. En <strong>con</strong>secuencia, al variar la tensión eficaz <strong>de</strong> entrada, la corriente <strong>de</strong>entrada adquiere un nueva forma <strong>de</strong> onda, al igual que las potencias instantáneas que se ce<strong>de</strong>n por lasvías <strong>de</strong> simple y doble procesado. Por lo tanto, el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P ,varía también <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.175


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RQFOXVLRQHVGHODQiOLVLVGHOWDQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 3 HQORVFRQYHUWLGRUHV6,,• K P resulta in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y aumenta cuando lo hace el valor eficaz<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.• Al aumentar K P empeora la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. El valor <strong>de</strong> 0,78 es elmáximo valor que pue<strong>de</strong> tomar K P cumpliéndose los límites impuestos por la Clase D <strong>de</strong> lanorma IEC 61000-3-2.• Al aumentar K P disminuyen las corrientes eficaces <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1, aumenta surendimiento, h 1 , y por tanto aumenta también el rendimiento global <strong>de</strong> la topología SII.Este aumento <strong>de</strong>l rendimiento permite una reducción <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong> los disipadores <strong>de</strong>potencia.• Si el <strong>con</strong>vertidor interno 1 presenta topología )O\EDFN, K P no afecta en absoluto al tamaño<strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor interno. Por el <strong>con</strong>trario, si la topología eselevadora, el tamaño <strong>de</strong> este componente magnético <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la relación entre la tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y la tensión <strong>de</strong> salida.• K P afecta a la energía que ha <strong>de</strong> ser capaz <strong>de</strong> almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 2. Ahora bien, si se preten<strong>de</strong> cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D, el valor<strong>de</strong> K P queda impuesto y por tanto el tamaño <strong>de</strong> este componente magnético sólo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.176


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWREn cualquier <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, <strong>de</strong>bido a que en el instante <strong>de</strong>l paso por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red laenergía que pue<strong>de</strong> extraerse <strong>de</strong> la entrada es nula, se hace necesario incluir un elemento capaz <strong>de</strong>almacenar energía para alimentar a la carga <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante, durante todo el ciclo <strong>de</strong> red.A<strong>de</strong>más, en aplicaciones relacionadas <strong>con</strong> los or<strong>de</strong>nadores, es necesario almacenar una cantidad <strong>de</strong>energía adicional, para mantener la tensión <strong>de</strong> salida en su valor nominal, ante un posible fallo <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red, durante un intervalo <strong>de</strong> tiempo <strong>con</strong>ocido como tiempo <strong>de</strong> mantenimiento o KROGXSWLPH en lengua inglesa. En tales aplicaciones, el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento se utiliza, por ejemplo, paraterminar or<strong>de</strong>nadamente las operaciones en curso y para superar, sin fallo en la tensión <strong>de</strong> salida, eltiempo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong> un sistema <strong>de</strong> alimentación ininterrumpida (SAI) fuera <strong>de</strong> línea. En lamayoría <strong>de</strong> los casos el elemento dispuesto para almacenar la energía es un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico.Cuando un diseñador se plantea cuál es la mejor opción para implementar un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>,que cumpla todas las especificaciones <strong>de</strong> partida, los aspectos relacionados <strong>con</strong> el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento como son su tamaño, coste y tensión a la que se almacena la energía, tienen un granimpacto en la viabilidad <strong>de</strong> la solución. Algunos aspectos a tener en cuenta, que se <strong>de</strong>scriben en lasreferencias [79] y [80], pue<strong>de</strong>n ser los siguientes:• En aplicaciones don<strong>de</strong> el tamaño y coste son críticos, las buenas características que pue<strong>de</strong>presentar una <strong>de</strong>terminada solución (por ejemplo buen rendimiento, cumplimiento <strong>de</strong> lanormativa, un único interruptor y un único circuito integrado <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, etc.) pue<strong>de</strong>nquedar enmascaradas si se requiere un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong> tamaño elevadoy <strong>de</strong>masiado caro.• La complejidad <strong>de</strong> fabricación se traduce en un incremento <strong>de</strong> coste, <strong>de</strong> esta manera, lasujeción a la placa <strong>de</strong> circuito impreso <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos muy altos ovoluminosos, requiere un trabajo <strong>de</strong> montaje adicional en la ca<strong>de</strong>na <strong>de</strong> producción, y portanto un encarecimiento <strong>de</strong> la fuente <strong>de</strong> alimentación.• Si en una <strong>de</strong>terminada solución <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento alcanza valores elevados, pue<strong>de</strong> ser necesaria la inclusión <strong>de</strong> interruptores<strong>de</strong> alta tensión, que en general presentan unas peores características en <strong>con</strong>ducción.Aunque la selección <strong>de</strong> una topología y su optimización para dar solución a una <strong>de</strong>terminadaaplicación no <strong>de</strong>be centrarse en mejorar un único aspecto, sino que todas las prestaciones(rendimiento, coste, tamaño, etc.) han <strong>de</strong> ser tenidas en cuenta al mismo tiempo, sí es importanteestudiar cuáles son los factores claves que afectan al tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico,<strong>de</strong>stinado a almacenar energía, ya que estos aspectos son <strong>de</strong>terminantes en aplicaciones <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>de</strong>baja potencia. En este ámbito se encuadran los <strong>con</strong>vertidores SII, y en éstos se ha puesto un énfasisespecial en la reducción <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Un objetivo adicional <strong>de</strong> este apartado es respon<strong>de</strong>r a las siguientes pregunta: ¿es siempre la mejoropción una tensión <strong>de</strong> 400V en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento?, o ¿existen otras alternativas encuanto a reducir su tamaño y coste?.Por tanto este apartado se <strong>de</strong>dicará en primer lugar a realizar una revisión <strong>de</strong> los factores que, engeneral, <strong>de</strong>terminan el tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, para <strong>de</strong>spués tratar cómo177


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,varía la tensión <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador en los <strong>con</strong>vertidores SII y los tamaños y costes <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento que se obtienen en los <strong>con</strong>vertidores en estudio. )DFWRUHV TXH LQIOX\HQ VREUH HO WDPDxR \ HO FRVWH GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWREl tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> dos tipos <strong>de</strong> factores. Aquellosrelacionados <strong>con</strong> el proceso <strong>de</strong> fabricación <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos y aquellos que serelacionan <strong>con</strong> la topología y diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor así como <strong>con</strong> las especificaciones <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong>mantenimiento y potencia <strong>de</strong> carga. En la figura 5.35 se muestra un esquema que recoge todos losfactores que presentan influencia sobre el tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Estosfactores se <strong>de</strong>scribirán en los siguientes apartados.Depen<strong>de</strong>nciaprincipal<strong>Factor</strong>es relacionados <strong>con</strong> laHQHUJtDÃDOPDFHQDGD• Potencia <strong>de</strong> salida• Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento• Rendimiento <strong>de</strong>l “<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga”(VSHFLILFDFLRQHV7RSRORJtDÃ\ÃGLVHxRTamaño y Coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento<strong>Factor</strong>es<strong>de</strong> diseño <strong>Factor</strong>es relacionados <strong>con</strong> la• Tensión nominal <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>WHQVLyQÃDSOLFDGD sobre elalmacenamiento<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador• Variación <strong>de</strong> la tensión nominal• Tensión final, alcanzada cuando hatranscurrido el tiempo <strong>de</strong>mantenimiento• La capacidad necesaria para almacenar una energía fija y el tamaño <strong>de</strong> los<strong>Factor</strong>es <strong>de</strong><strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos presentan una ten<strong>de</strong>ncia opuesta <strong>con</strong> la tensión.IDEULFDFLyQ <strong>de</strong> los• Los valores comerciales <strong>de</strong> capacidad y tensiones <strong>de</strong> ruptura son discretos y<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadoreselectrolíticossu número es reducido. Aún más reducido es el número <strong>de</strong> tamaños <strong>de</strong>encapsulados• Relación tamaño y coste.5DQJRÃGHÃWHQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃ\ÃSRWHQFLDÃGHÃFDUJD7RSRORJtDÃ\ÃGLVHxR)DFWRUÃGHÃDSURYHFKDPLHQWR)LJXUD)DFWRUHVFODYHHQHOWDPDxR\FRVWHGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR5.3.3.1.1 Aspectos <strong>con</strong>structivos <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos.En este trabajo se han investigado más <strong>de</strong> 20 series comerciales <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos,teniendo en cuenta diferentes fabricantes y distintas tecnologías (<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> propósito general,baja impedancia, amplio rango <strong>de</strong> temperatura, encapsulados axiales y radiales, etc.). Sin embargo, apesar <strong>de</strong> la dispersión <strong>de</strong> los datos, las <strong>con</strong>clusiones que se han podido extraer han sido las mismas entodos los casos. Estas <strong>con</strong>clusiones se recogen a <strong>con</strong>tinuación. 7HQGHQFLDVFRQWUDSXHVWDVGHODFDSDFLGDG\HOWDPDxRFRQODWHQVLyQComo es bien <strong>con</strong>ocido, para que un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador almacene una cantidad fija <strong>de</strong> energía, el valor <strong>de</strong> lacapacidad que se requiere disminuye al aumentar la tensión a la que se almacena dicha energía. Porotro lado, para un mismo valor <strong>de</strong> capacidad, el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador será mayor <strong>con</strong>forme tengaque soportar una mayor tensión. Estas dos ten<strong>de</strong>ncias <strong>con</strong>trapuestas, que se representan <strong>de</strong> forma178


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,esquemática en las figuras 5.36.a y 5.36.b, justifican, al menos <strong>de</strong> forma cualitativa, la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>lvolumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la tensión a la que se almacena la energía.Ten<strong>de</strong>ncia que se muestra en la figura 5.36.c.C 1,MINVolumen(QHUJtDFRQVWDQWH&DSDFLGDGFRQVWDQWHV NOMa) b)Volumen(QHUJtDFRQVWDQWHV RUP162563100160c)400450V NOM)LJXUDD9DULDFLyQGHODFDSDFLGDGPtQLPDQHFHVDULDSDUDDOPDFHQDUXQDHQHUJtDILMDFRQODWHQVLyQDODTXHVHDOPDFHQDODHQHUJtDE&RQVLGHUDQGRILMDODFDSDFLGDGWHQGHQFLDGHOWDPDxRGHOFRQGHQVDGRUFRQODWHQVLyQGHUXSWXUDGHOPLVPRF7HQGHQFLDGHOWDPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODWHQVLyQDODTXHVHDOPDFHQDODHQHUJtD 9DORUHVFRPHUFLDOHVGHFDSDFLGDG\WHQVLyQGHUXSWXUDLos valores <strong>de</strong> capacidad y tensiones <strong>de</strong> ruptura comerciales varían <strong>de</strong> forma discreta y no <strong>de</strong> forma<strong>con</strong>tinua. Por tanto, una vez obtenidos el valor <strong>de</strong> la capacidad mínima necesaria para cumplir elrequisito energético y la tensión a la que se almacenará la energía, al acudir a las hojas <strong>de</strong>características <strong>de</strong> los fabricantes, los valores <strong>de</strong> capacidad y / o tensión, inmediatamente superiores alos requeridos, pue<strong>de</strong>n resultar bastante más elevados. En este caso, el aprovechamiento <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador es bajo y el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador no es el menor posible. Un ejemplo <strong>de</strong> esta situaciónpue<strong>de</strong> observarse en la figura 5.37 y se comenta a <strong>con</strong>tinuación.Si se comparan los valores <strong>de</strong> la capacidad comercial para 100 V pue<strong>de</strong> observarse que en el peor casose obtiene un aprovechamiento <strong>de</strong>l 91% que correspon<strong>de</strong> al caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> Panasonic [126]para una potencia a plena carga <strong>de</strong> 100 W y un tiempo <strong>de</strong> mantenimiento <strong>de</strong> 10 ms. En este caso se hautilizado un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador comercial (C NORM ) <strong>de</strong> 220 µF cuando la capacidad mínima (C 1,MIN ) es <strong>de</strong> 200µF, que supone un aprovechamiento dado por (5.64).&$SURYHFKDPLHQWR =&1, 0,11250200m)× 100 = × 100 = 91%220m)(5.64)Sin embargo el aprovechamiento 3obtenido para cualquiera <strong>de</strong> los casos correspondientes a una3 El aprovechamiento <strong>de</strong>finido según la expresión (5.64) no preten<strong>de</strong> más que proporcionar una i<strong>de</strong>a cualitativa <strong>de</strong> lainfluencia que, sobre el tamaño final <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, tiene el hecho <strong>de</strong> que el valor comercial disponible estépróximo al mínimo requerido. Al mismo tiempo pue<strong>de</strong> servir para comparar entre los distintos casos. Ahora bien,179


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,tensión nominal <strong>de</strong> 160V presenta un valor máximo <strong>de</strong> un 78% (78,15 µF / 100 µF). Por tanto, paraestas series <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores comerciales y requisitos energéticos los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores capaces <strong>de</strong>almacenar a 160V están peor aprovechados y su tamaño resulta mayor.Volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (cm 3 )2015105PO,PC =Ã:TM=ÃPVPO,PC =Ã:TM=ÃPVÃ685*(ÃVHULHÃ65($Ã ÃÃ 3DQDVRQLFÃVHULHÃ0ÃC1,MINNº C CNORMFLVolumenVNOMC1,MINNº C CNORMFLVolumen(V)(µF)(µF)(mm)(mm)(cm 3 )(V)(µF)(µF)(mm)(mm)(cm 3 )100 200 2 100 10 20 3.142 100 200 1 220 12.5 20 2.454160 78.15 1 100 16 25 5.027 160 78.15 1 100 12.5 25 3.068VNOM1 200 50 2 33 13 25 6.637 200 50 2 33 10 20 3.142685*(ÃVHULHÃ65($Ã ÃÃ 3DQDVRQLFÃVHULHÃ0ÃC1,MINNº C CNORMFLVolumenVNOMC1,MINNº C CNORMFLVolumen(V)(µF)(µF)(mm)(mm)(cm 3 )(V)(µF)(µF)(mm)(mm)(cm 3 )100 400 4 100 10 20 6.238 100 400 2 220 12.5 20 4.91160 156.25 1 220 18 35.5 9.034 160 156.25 2 100 12.5 25 6.14VNOM1 200 100 1 100 16 35.5 7.138 200 100 1 100 16 25 5.03P O,PC = 200 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores SURGE serie SREAP O,PC = 200 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores PANASONIC serie MP O,PC = 100 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores SURGE serie SREAP O,PC = 100 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores PANASONIC serie SREA00 50 100 150 200 250 300 350 400 450Tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (V))LJXUD9ROXPHQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQIXQFLyQGHODWHQVLyQQRPLQDOGHHVWHFRQGHQVDGRUSDUDGRVFRPELQDFLRQHVGHSRWHQFLDGHFDUJD\WLHPSRGHPDQWHQLPLHQWR\GRVVHULHVFRPHUFLDOHVGHFRQGHQVDGRUHVHOHFWUROtWLFRV>@>@'HWDOOHGHORVGDWRVGHORVFRQGHQVDGRUHVXWLOL]DGRVSDUDODVWHQVLRQHVQRPLQDOHVGH\9Hay que tener en cuenta que, para obtener el gráfico representado en la figura 5.37 se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>radoque la tensión <strong>de</strong> ruptura se aprovecha también al máximo, y por tanto, solo ha influido elaprovechamiento <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> la capacidad. Ahora bien, en un caso real, para que un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador estébien aprovechado necesitará que tanto su capacidad mínima teórica como la tensión máxima que <strong>de</strong>besoportar, estén próximas a los valores comerciales. ,QIOXHQFLDGHOHQFDSVXODGRGHOFRQGHQVDGRUSi el número <strong>de</strong> valores <strong>de</strong> capacida<strong>de</strong>s y tensiones <strong>de</strong> ruptura disponibles no es <strong>de</strong>masiado elevado,provocando que el aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador influya en su volumen, el número <strong>de</strong>encapsulados distintos que los fabricantes utilizan para comercializar sus <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores es todavíamás reducido. Por tanto, en un mismo encapsulado pue<strong>de</strong>n en<strong>con</strong>trarse <strong>con</strong>tenidos dos <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadoresque para la misma tensión <strong>de</strong> ruptura presenten distintos valores <strong>de</strong> capacidad. Este hecho se pone <strong>de</strong>manifiesto en la figura 5.38, en la que se recoge un extracto <strong>de</strong> las hojas <strong>de</strong> características <strong>de</strong> los<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores Surge Serie SREA [127], sobre las que se han marcado <strong>con</strong> elipses varios ejemplos <strong>de</strong>este aspecto.cualquier otra <strong>de</strong>finición sería igualmente válida para el coeficiente <strong>de</strong> aprovechamiento, siempre y cuandoproporcione la misma información.180


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,De esta forma, por ejemplo para la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong> 63V, los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 33 µF y 47 µF secomercializan en idéntico encapsulado. El uso <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> 33 µF implica un volumen extra.µFV CM50V63V100VF L F L F L(mm) (mm) (mm) (mm) (mm) (mm)33 6.3 11 8 11.5 10 1647 6.3 11 8 11.5 10 16100 8 11.5 10 12.5 10 20220 10 16 10 20 13 25330 13 20 13 20 16 31.5470 13 20 16 25 18 35.51000 16 25 16 31.5 22 402200 18 40 22 403300 22 40 25 504700 25 40 25 50µFV CM350V400V450VF L F L F L(mm) (mm) (mm) (mm) (mm) (mm)3.3 10 16 10 20 10 204.7 10 20 13 20 13 2010 13 20 13 25 13 2522 13 25 16 25 16 2533 16 31.5 16 35.5 18 35.547 18 35.5 18 40 22 40100 22 40 25 50 25 50)LJXUD([WUDFWRGHODVKRMDVGHFDUDFWHUtVWLFDVGHORVFRQGHQVDGRUHV6XUJH6HULH65($De manera dual, los fabricantes también comercializan <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores que <strong>con</strong> idéntico encapsulado yvalor <strong>de</strong> capacidad, presentan dos tensiones <strong>de</strong> ruptura diferentes. En la figura 5.38 se muestran variosejemplos <strong>de</strong> este aspecto, que han sido encerrados en un rectángulo. En este rectángulo pue<strong>de</strong>comprobarse cómo los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 400 V presentan el mismo tamaño que los <strong>de</strong> 450 V. Portanto, en este caso, el uso <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 400 V implica un tamaño adicional para el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.Los aspectos <strong>de</strong>scritos en los apartados 5.3.3.1.1.2 y 5.3.3.1.1.3 referentes a los valores comerciales <strong>de</strong>capacidad y tensión <strong>de</strong> ruptura, así como el encapsulado <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos, hacenreferencia al aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. Como recomendación práctica, que llega a suponer unahorro <strong>de</strong> hasta un 30% <strong>de</strong>l volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, se sugiere intentar que los valores teóricos <strong>de</strong>diseño estén lo más próximo posible a los valores comerciales y <strong>de</strong>scartar el uso <strong>de</strong> aquellos<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores cuyo encapsulado esté poco optimizado en tamaño. En <strong>con</strong>clusión, PHMRUDU HODSURYHFKDPLHQWRGHOFRQGHQVDGRU. 5HODFLyQFRVWH±WDPDxRGHORVFRQGHQVDGRUHVHOHFWUROtWLFRVOtro aspecto interesante es <strong>con</strong>ocer si el coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico se relaciona <strong>con</strong> el valor<strong>de</strong> la capacidad, o <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura, o <strong>con</strong> el tamaño que presenta este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. En lafigura 5.39 se representan, para tres grupos <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores Nichi<strong>con</strong> serie VX [128] <strong>con</strong> tresvolúmenes distintos ( 0,8 cm 3 , 6,33 cm 3 y 10,43 cm 3 ), los valores <strong>de</strong> capacidad, tensión <strong>de</strong> ruptura, ycoste en unas <strong>de</strong>terminada unida<strong>de</strong>s monetarias 4 .Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 5.39, todos los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores que presentan el mismo volumentienen unos precios semejantes. A<strong>de</strong>más, incluso los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores extremos (correspondientes a lamáxima capacidad o a la máxima tensión <strong>de</strong> ruptura, y que aparecen enmarcados en un rectángulo)presentan también precios muy similares. En <strong>con</strong>secuencia pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducirse que no existe una relaciónclaramente distinguible entre el valor <strong>de</strong> la capacidad o <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>con</strong> el precio. Sinembargo, sí que se pue<strong>de</strong> observar queFXDQWRPD\RUVHDHOYROXPHQGHOFRQGHQVDGRUPD\RUHVVXSUHFLR.En el presente trabajo, a pesar <strong>de</strong> variabilidad asociada al precio <strong>de</strong> cualquier componente electrónico,4 La unidad monetaria en las que se proporciona el coste <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores comerciales que se recogen en la figura5.39 es la 3HVHWD, antigua moneda oficial <strong>de</strong> España. Dado que el coste real <strong>de</strong> cualquier componente electrónico estásujeto a una gran variabilidad, se ha preferido <strong>de</strong>jar sin variación los precios en Pesetas, ya que sólo se preten<strong>de</strong>establecer comparaciones.181


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,se admitirá que existe una correlación entre tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador y por ello se asumirá,para establecer comparaciones entre distintos <strong>con</strong>vertidores, que los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> mayor tamaño,resultarán también más caros.VOL1 = 0,8 cm 3 VOL2 = 6,33 cm 3VOL3 = 10,43 cm 3Unida<strong>de</strong>sL F CV CML F C V CM Unida<strong>de</strong>s(mm) (mm) (µF) (V)monetarias16 8 470 10 4616 8 220 16 6416 8 220 25 4616 8 100 35 4016 8 47 63 40L F C V CM(mm) (mm) (µF) (V)monetarias31.5 16 2200 25 23331.5 16 1000 35 13731.5 16 1000 50 21931.5 16 1000 63 27431.5 13 330 100 24231.5 16 33 350 22431.5 16 22 450 228a) b) c)Unida<strong>de</strong>smonetarias(mm) (mm) (µF) (V)41 18 6800 16 34241 18 4700 25 34241 18 2200 50 40241 18 33 450 382)LJXUD&RPSDUDFLyQGHFRVWHSDUDORVFRQGHQVDGRUHV1LFKLFRQVHULH9;D9ROXPHQFP E9ROXPHQFP F9ROXPHQFP 5.3.3.1.2 Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento y capacidad mínima.El tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> dos tipos distintos <strong>de</strong> factores, aquellosque se relacionan <strong>con</strong> el proceso <strong>de</strong> fabricación <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico y aquellos que <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>n<strong>de</strong> la topología y el diseño seleccionados así como <strong>de</strong> la especificación <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimiento,T M . Todos estos aspectos están <strong>con</strong>ectados en la expresión (5.65).&1, 0,12×(QHUJtD=9 - 921202)32×h=92,3&'(6&2120 -× 7902)(5.65)don<strong>de</strong>:• & 0,1 es el mínimo valor <strong>de</strong> capacidad, requerido para almacenar la energía necesaria paraalimentar a la carga durante el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, 7 0 .• 3 2Ã3& es la potencia <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> a plena carga.• K '(6& es el rendimiento <strong>de</strong>l “<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga”. Se ha <strong>de</strong>nominado así a aquellaparte <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor total, que <strong>de</strong>scarga el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para alimentara la carga durante el fallo <strong>de</strong> la red. Este <strong>con</strong>vertidor opera como un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> /<strong>CC</strong>, yen las topologías SII, coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> el <strong>con</strong>vertidor interno 1. En la figura 5.40 se <strong>de</strong>staca el<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga mediante un trazo más oscuro.• 9 120 es el valor nominal o valor <strong>de</strong> diseño para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.• 9 ) es la tensión final o tensión mínima que se alcanza en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, cuando el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga pier<strong>de</strong> la capacidad <strong>de</strong> regulación. Estevalor da una i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> cuanta energía se pue<strong>de</strong> llegar a extraer <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Por tanto, el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento no solo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la energía queel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador es capaz <strong>de</strong> almacenar sino también <strong>de</strong> cuanta energía es capaz <strong>de</strong> extraer el“<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga”.Para estudiar los factores que afectan al tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento será necesario,182


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,por tanto, estudiar los términos <strong>de</strong> la expresión (5.65).Los términos <strong>de</strong>l numerador vienen impuestos por las especificaciones, a excepción <strong>de</strong>l rendimientoque habrá sido optimizado en lo posible. Consi<strong>de</strong>rando la influencia <strong>de</strong> este último factor, es necesario<strong>de</strong>stacar que, en los <strong>con</strong>vertidores SII, el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> el <strong>con</strong>vertidor interno1, por tanto si una topología SII se diseña <strong>con</strong> un valor bajo <strong>de</strong> K P , no solo se está reduciendo elrendimiento <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor interno 1 (y también el global), sino que a<strong>de</strong>más se provoca elaumento <strong>de</strong> la capacidad mínima necesaria para cumplir la especificación <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong>mantenimiento.'6 ' $8; ³&RQYHUWLGRUGHGHVFDUJD´7 7 / / / / 6 6 & '6 & 2 5 2)LJXUD³&RQYHUWLGRUGHGHVFDUJD´HQODWRSRORJtD6,,)Sin embargo, en general, son los términos <strong>de</strong>l <strong>de</strong>nominador <strong>de</strong> la expresión (5.65) los que no vienenimpuestos y que podrán variarse para reducir el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Éstosson por tanto, los que se estudiarán a <strong>con</strong>tinuación <strong>con</strong> mayor <strong>de</strong>talle.5.3.3.1.3 Tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y su rango <strong>de</strong> variación.En un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> en dos etapas, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento estáregulada por medio <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong>l pre-regulador <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia (ver figura5.41), por tanto esta tensión es fija y el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es menor que enel caso <strong>de</strong> que esta tensión pueda variar <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> un rango. Sin embargo en <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> enuna etapa, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no está regulada (al menos en aquellassoluciones <strong>con</strong> un único lazo <strong>de</strong> realimentación) y por tanto pue<strong>de</strong> variar <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red y también <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. Se hace necesario adaptar la expresión(5.65) al rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. (5.66) es la ecuaciónrescrita.&1, 0,1=932×h2,3&'(6&2120 @ 5HG _ EDMD -× 7902) @ 5HG _ EDMD(5.66)don<strong>de</strong>:• 9 120#5HGBEDMD es el valor nominal para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientocuando la red toma el valor más bajo posible. Si la red varía <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango europeo esta183


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,tensión es aproximadamente 187 V eficaces y si lo hace <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango universal, estevalor será 85 V EF . 9 )#5HGBEDMD es el valor final <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento en las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> mínimo valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red.La reducción <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, suele elevar la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, por lo que la influencia<strong>de</strong> la carga (en caso <strong>de</strong> existir) afecta al valor <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador pero no a la capacidadnecesaria.Cuando la tensión <strong>de</strong> red varía en un rango, el valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, para el valor <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> red más bajo (9 120#5HGBEDMD ), <strong>de</strong>termina el valor <strong>de</strong> lacapacidad mínima necesaria para cumplir el requisito <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimiento. Por otro lado, elvalor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, correspondiente al valor más alto <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado (9 120#5HGBDOWD ), <strong>de</strong>termina la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong> este<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico.Por tanto, si la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada se refleja íntegra en la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (tal y como ocurre en los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo B en la figura 5.41) o incluso laaumenta (como ocurre en los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo A en la figura 5.41), se requerirá, por un lado,alta capacidad y por otro elevada tensión <strong>de</strong> ruptura, por lo que el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento se verá seriamente penalizado.V C1 , Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (V)500450400350300250200150100503 2 ÃÈ3 2 ÃÈ&)3ÃHQÃÃHWDSDV9 & UHJXODGD&)3ÃHQÃÃHWDSDÃ*UXSRÃ$9 & <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la carga y<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red&)3ÃHQÃÃÃHWDSDÃ*UXSRÃ%9 & HQFODYDGDÃal valor <strong>de</strong>pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red184050 75 100 125 150 175 200 225 250 275 300Tensión <strong>de</strong> red (V EFI<strong>CA</strong>CES ))LJXUD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRIUHQWHDOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHUHGSDUDGLVWLQWDVVROXFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFDTres son los grupos <strong>de</strong> soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica que mejor se a<strong>de</strong>cuan para <strong>de</strong>scribir lavariación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> red y la potencia <strong>de</strong>carga. Estos tipos <strong>de</strong> soluciones se han representado en la figura 5.41:• Correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia en GRVHWDSDV [35]. En el caso <strong>de</strong> la figura 5.41 se haelegido un pre-regulador <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia típico, que presenta topología elevadora yque proporciona una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento próxima a los 400V.• *UXSR$: Correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia en una etapa, cuya tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento GHSHQGH tanto <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la WHQVLyQ GH UHG como <strong>de</strong> la


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,SRWHQFLD GH FDUJD [59]-[68]. Esta doble <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia provoca que en la figura 5.41 estegrupo aparezca no como un único trazo sino como un área <strong>de</strong>stacada en gris. En estos<strong>con</strong>vertidores, para un grado <strong>de</strong> carga próximo a la plena carga se obtienen valores <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento próximos al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red,pero para bajas cargas se obtienen tensiones bastante más elevadas.• *UXSR%: Correctores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia en una etapa, cuya tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento está HQFODYDGD al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, [72], [73].Con objeto <strong>de</strong> analizar cuál es el efecto <strong>de</strong> la tensión a la que nominalmente se almacena la energía enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, se preten<strong>de</strong> evaluar la expresión (5.66) para cada <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>los grupos anteriores, ante varias especificaciones <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> carga y tiempo <strong>de</strong> mantenimiento.Ahora bien, para po<strong>de</strong>r realizar un análisis, que resulte in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la topología, y centradoexclusivamente en la tensión nominal <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado<strong>de</strong>spreciable el efecto <strong>de</strong>l rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga y <strong>de</strong> la tensión final V F . Estasmagnitu<strong>de</strong>s, como se <strong>de</strong>scribirá en el apartado 5.1.1.5, <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>n <strong>de</strong> la topología seleccionada paraimplementar el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. Por tanto la expresión evaluada para los casos <strong>de</strong>scritos es(5.67).&1, 0,12×3=9× 72,3& 02120 @ 5HG _ EDMD(5.67)Los resultados <strong>de</strong> la aplicación (5.67) se muestran en la figura 5.42.V RED(V eficaces)V NOM(V)P O,PC = 100 WT M = 10 msP O,PC = 200 WT M = 10 msP O,PC = 200 WT M = 20 ms&)3ÃHQÃÃHWDSDV85265380380C MIN =13,9 µF1 x 22 µF / 400 V12.5 x 25 FP C MIN =27,7 µF1 x 33 µF / 400 V16 x 25FP C MIN =55,4 µF12.5 x 25FP 3 x 22 µF / 400 V*UXSRÃ$9 & GHSHQGHÃGHÃODÃUHGÃ\ÃGHÃODÃFDUJD85265120440C MIN =139 µF5 x 33 µF / 450 V16 x 31.5 FP C MIN =278 µFC MIN =556 µF9 x 33 µF / 450 V16 x 31.516 x 31.5 FP FP 17 x 33 µF / 450 V*UXSRÃ%9 & HQFDOYDGRÃDOÃYDORUÃGHÃSLFRÃGHÃODÃWHQVLyQÃGHÃUHG85265120375C MIN =139 µF3 x 47 µF / 400 V16 x 31.5FP C MIN =278 µF3 x 100 µF / 400 V18 x 40FP C MIN =556 µF6 x 100 µF / 400 V18 x 40FP 9ROXPHQ'LiPHWURPP[/RQJLWXGPP)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOWDPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUDWUHVVROXFLRQHVWtSLFDVGHFRQYHUWLGRUHV&$&&En esta figura se recoge el volumen mínimo (en cm 3 ) que presenta el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador comercial único, o<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores iguales <strong>con</strong>ectados en paralelo, que proporcionan un valor <strong>de</strong> capacidadinmediatamente a C MIN . La serie comercial <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores que se ha utilizado para obtener losdatos presentados en la figura 5.42 es la serie M <strong>de</strong> Panasonic [126], <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticosradiales <strong>de</strong> propósito general. Se han realizado los mismos análisis, para otras series comerciales y185


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,fabricantes diferentes, obteniéndose resultados muy similares.Se pue<strong>de</strong> comprobar en la figura 5.42, como los mejores resultados correspon<strong>de</strong>n al CFP en dos etapas<strong>de</strong>bido a que la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no varía, ni <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red, ni <strong>con</strong> la carga. Entre las soluciones <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> /<strong>CC</strong> en una etapa, aquellosque presentan una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento enclavada al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red, requieren <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> menor volumen, ya que una menor variación <strong>de</strong> la tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, ha permitido utilizar <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 400 V en vez <strong>de</strong> otros<strong>de</strong> 450 V.Como <strong>con</strong>clusión se tiene que, HO UDQJR GH YDULDFLyQ GH OD WHQVLyQ HQ HO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWR HO IDFWRU PiV GHWHUPLQDQWH GHO WDPDxR \ FRVWH GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWR. 6HOHFFLyQGHODWHQVLyQQRPLQDOGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRLa pregunta inmediata que habría que respon<strong>de</strong>r, a <strong>con</strong>tinuación, sería: ¿Existe alguna tensión queminimice el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, cuando sólo se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra el efecto <strong>de</strong> la tensión nominal <strong>de</strong>operación, no la tensión final que se alcanza en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador?.En la figura 5.43 se ha representado la evolución <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador comercial queproporciona un valor <strong>de</strong> capacidad inmediatamente superior al valor <strong>de</strong> C MIN requerido. En estegráfico se ha representado aquella combinación, bien un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador único o bien un <strong>con</strong>junto <strong>de</strong><strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores idénticos <strong>con</strong>ectados en paralelo, que proporciona el menor volumen.Volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (cm 3 )20P O,PC = 200 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores SURGE serie SREAP O,PC = 200 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores PANASONIC serie M15P O,PC = 100 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores SURGE serie SREAP O,PC = 100 W, T M = 10 ms; Con<strong>de</strong>nsadores PANASONIC serie SREA10500 50 100 150 200 250 300 350 400 450Tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (V))LJXUD9ROXPHQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQIXQFLyQGHODWHQVLyQQRPLQDOGHHVWHFRQGHQVDGRUSDUDGRVFRPELQDFLRQHVGH3 23& \7 0 \GRVVHULHVFRPHUFLDOHVGHFRQGHQVDGRUHVHOHFWUROtWLFRVEl objetivo <strong>de</strong> la figura 5.43 es <strong>de</strong>terminar si existe una tensión nominal, V NOM , claramente superior alas otras en cuanto al valor <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Por tanto, se ha<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado que la tensión nominal y la <strong>de</strong> ruptura coinci<strong>de</strong>n. Aunque éste no es un caso que puedaproducirse en la realidad, elimina la incertidumbre, que impondría en esta comparativa, el hecho <strong>de</strong>utilizar ciertos márgenes entre el valor nominal al que se almacena la energía y la tensión <strong>de</strong> ruptura<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico.186


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Se pue<strong>de</strong> observar en la figura 5.43, cómo se obtienen valores <strong>de</strong> tamaños prácticamente iguales, pararangos <strong>de</strong> tensión muy dispares. Compárese, por ejemplo, los volúmenes que se obtienen para P O,PC =100 W y T M = 10 ms, correspondientes a las tensiones <strong>de</strong> 100, 250, 350 y 450 V, todos ellos resultanprácticamente idénticos. Por tanto, una primera <strong>con</strong>clusión es que se pue<strong>de</strong>n obtener WDPDxRVVLPLODUHV <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, SDUDGLVWLQWRVYDORUHVGHODWHQVLyQQRPLQDO a la quealmacenar la energía. De esta forma, la figura 5.43 corrobora la ten<strong>de</strong>ncia teórica apuntada en la figura5.36.c, así como su justificación.5.3.3.1.4 Tensión final en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.El tiempo <strong>de</strong> mantenimiento proporcionado por el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> no sólo <strong>de</strong> la energíaalmacenada en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en el instante <strong>de</strong>l fallo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, sinotambién, <strong>de</strong> la energía que se pue<strong>de</strong> llegar a extraer <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. La energía almacenada en elinstante <strong>de</strong>l fallo está relacionada <strong>con</strong> V NOM y la que se pue<strong>de</strong> extraer <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento <strong>con</strong> V F . Por tanto, será necesario estudiar también, qué factores afectan al valor final<strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 3URFHVRGHGHVFDUJDEn la figura 5.44 se presenta una simulación <strong>de</strong>l proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII-F2 <strong>de</strong>spués <strong>de</strong> que se ha producido un fallo <strong>de</strong> red. En éstafigura pue<strong>de</strong> observarse como una vez que se anula la tensión <strong>de</strong> entrada, el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga(ver figura 5.40) es capaz <strong>de</strong> alimentar a la carga, <strong>con</strong> potencia <strong>con</strong>stante, a partir <strong>de</strong> la energía quetenía almacenada el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.1. 0Fallo <strong>de</strong> red0. 5SEL>>01. 51. 00. 5075V50V25V0V7. 5090V( r e d) / 311 AVGX( I ( e ) , 20u)( V( c omp) - 1. 4) / 3 1Tensión <strong>de</strong> salida, 9 2Tensión almacenamiento, 9 &V( C1) V( O)Corriente media <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador almacenamiento, ¢L & ²Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, 7 0- AVGX( I ( C1) , 20u)Potencia cedida por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador almacenamiento, ¢L & ²Y &' 0$; 9 )Ciclo <strong>de</strong> trabajo, 'W (Tensión <strong>de</strong>salida <strong>de</strong>l comparador <strong>de</strong> error)Potencia <strong>con</strong>stantePotencia cedida por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador almacenamiento, ¢L & ²Y &Ti me00s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40msV( C1) *( AVGX( - I ( C1) , 20u) )Ti me)LJXUD3URFHVRGHGHVFDUJDGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQHOFRQYHUWLGRU6,,)Según se vaya extrayendo energía, la tensión <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador se irá reduciendo, por lo que HOFLFORGHWUDEDMRGHOFRQYHUWLGRUGHGHVFDUJDVLHPSUHFUHFHUiGXUDQWHHVWHSURFHVR para mantener lopotencia <strong>con</strong>stante. Cuando el ciclo <strong>de</strong> trabajo alcanza su valor máximo, D MAX (i<strong>de</strong>almente 1, éste187


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,valor ha podido ser reducido a 0.9 teniendo en cuenta otras <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones como protecciones etc.),la corriente extraída <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento ya no pue<strong>de</strong> seguir incrementándose por loque la potencia que ahora se suministra a la carga ya no es <strong>con</strong>stante y la tensión <strong>de</strong> salida se reducerápidamente, partiendo <strong>de</strong> su valor nominal.En un caso real, la ganancia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación va disminuyendo <strong>con</strong>forme la tensión <strong>de</strong>entrada (en este caso la <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento) va reduciéndose, si esta tensión alcanzavalores suficientemente reducidos antes <strong>de</strong> que se produzca la saturación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, pue<strong>de</strong>que la tensión <strong>de</strong> salida no se mantenga exactamente en el valor nominal, sino que aparece un ciertoerror, ya que el ciclo <strong>de</strong> trabajo no llega a alcanzar el valor a<strong>de</strong>cuado.La saturación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, d(t) = D MAX , marca el instante en que se alcanza el valor V F ytermina el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento. Por tanto, el valor final V F <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá <strong>de</strong> la capacidad <strong>de</strong>regulación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, que será el siguiente aspecto a tratar. &DSDFLGDGGHUHJXODFLyQGHOFRQYHUWLGRUGHGHVFDUJDLos principales factores que influyen sobre la capacidad <strong>de</strong> regulación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga sonlos siguientes:• La topología <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga.• El diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. Dependiendo <strong>de</strong> los valores que tomen aquellosgrados <strong>de</strong> libertad <strong>con</strong> los que pue<strong>de</strong> diseñarse este <strong>con</strong>vertidor, se modificará su capacidad<strong>de</strong> regulación.Si el <strong>con</strong>vertidor presenta aislamiento y ha sido diseñado para operar en modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo, el parámetro <strong>de</strong> diseño más <strong>de</strong>terminante será la relación <strong>de</strong>transformación <strong>de</strong>l transformador. Por otro lado si el <strong>con</strong>vertidor ha sido diseñado paraoperar en MCD, el principal parámetro <strong>de</strong> diseño será el tradicional parámetro <strong>de</strong> cargaadimensional, expresión (5.68).• El modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Modo <strong>de</strong> ConducciónDis<strong>con</strong>tinuo (MCD) o Modo <strong>de</strong> Conducción Continuo (M<strong>CC</strong>).Probablemente el diseño y la selección <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga nopuedan ser elegidos exclusivamente para optimizar el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, sino que tanto loscriterios <strong>de</strong> diseño como el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>ban ser seleccionados respondiendo a aspectosfuncionales o <strong>de</strong> optimización <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor completo. Sin embargo, resulta interesante analizar quécomportamiento, respecto <strong>de</strong> su capacidad <strong>de</strong> regulación, presentan los topologías básicas, <strong>con</strong> susposibles diseños y operando tanto en MCD como en M<strong>CC</strong>.El objetivo <strong>de</strong>l estudio que se <strong>de</strong>sarrolla en este apartado es <strong>de</strong>terminar qué topologías, modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción y diseño logran disminuir el valor <strong>de</strong> V F . Para ello se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarán:• Como topologías posibles para el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, las tres topologías básicas:topología elevadora, topología )O\EDFN como extensión <strong>de</strong> la reductora elevadora (sucomportamiento se podrá <strong>de</strong>ducir a partir <strong>de</strong>l <strong>de</strong> la topología )O\EDFN) y por último latopología )RUZDUG como extensión <strong>de</strong> la reductora. Se podrán obtener idénticas<strong>con</strong>clusiones también para los <strong>con</strong>vertidores en medio puente y en puente completo.188


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Como combinaciones <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción, se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarán solamente tres, ya quecomo se pue<strong>de</strong> observar en la figura 5.39, durante el proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento, el ciclo <strong>de</strong> trabajo siempre crece. Estas combinaciones son:- Un <strong>con</strong>vertidor diseñado para operar en MCD que mantiene el MCD durante todoel proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga.- Un <strong>con</strong>vertidor diseñado para operar en MCD y que cambia a M<strong>CC</strong> durante elproceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga.- Un <strong>con</strong>vertidor diseñado para operar en M<strong>CC</strong>.• Como diseños distintos se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarán todos aquellos que puedan realizarse, <strong>de</strong>pendiendo<strong>de</strong> los grados <strong>de</strong> libertad que presenta cada topología <strong>de</strong> las tres <strong>con</strong>si<strong>de</strong>radas, teniendoa<strong>de</strong>más en cuenta que estas topologías pue<strong>de</strong>n operar en uno <strong>de</strong> los dos modos <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción. Si el <strong>con</strong>vertidor opera en M<strong>CC</strong>, el parámetro <strong>de</strong> diseño principal será larelación <strong>de</strong> transformación (1:n), si opera en MCD, el parámetro <strong>de</strong> carga adimensional,que se recoge en (5.68).× /. = 2 5 ×(5.68)2 7 &Sin embargo, para po<strong>de</strong>r presentar en un mismo gráfico los resultados para ambos modos<strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción, se ha seleccionado como variable, para realizar un barrido <strong>de</strong> los diferentesdiseños posibles, el ciclo <strong>de</strong> trabajo nominal, D NOM . Este valor es el ciclo <strong>de</strong> trabajonecesario para obtener la tensión <strong>de</strong> salida requerida a plena carga, es <strong>de</strong>cir el valor <strong>de</strong> ciclo<strong>de</strong> trabajo que cumple la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. La relación <strong>de</strong>transformación o la inductancia <strong>de</strong>l componente magnético, si el <strong>con</strong>vertidor opera enMCD, se <strong>de</strong>berán seleccionar para adaptarse al valor <strong>de</strong> D NOM .Teniendo en cuenta las <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones anteriores, si se toma como ejemplo un <strong>con</strong>vertidorelevador que opera en MCD, si D NOM es el ciclo <strong>de</strong> trabajo que <strong>de</strong>fine el diseñoseleccionado, el valor <strong>de</strong>l parámetro <strong>de</strong> carga adimensional <strong>de</strong>berá verificar la expresión(5.69), que la <strong>con</strong>ecta a la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones (5.69).don<strong>de</strong>:2120.'' =0 d( 0 d- 1)(5.69)- M d es la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor tomando como tensión<strong>de</strong> entrada, el valor nominal <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,V NOM . Esta relación se expresa en (5.70).90 =92d (5.70)120&RPSDUDFLyQGHODVGLVWLQWDVWRSRORJtDVPRGRVGHFRQGXFFLyQ\SRVLEOHVGLVHxRVUna vez <strong>de</strong>scritos los factores que influyen sobre la capacidad <strong>de</strong> regulación o en <strong>de</strong>finitiva sobre laenergía que pue<strong>de</strong> extraer <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, se va establecer una comparación189


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,entre las distintas topologías, modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción y posibles diseños. En primer lugar se va a <strong>de</strong>finirun nuevo parámetro adimensional relacionado <strong>con</strong> la capacidad <strong>de</strong> regulación y <strong>con</strong> la energía extraída<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, y cuya evolución (<strong>con</strong> las distintas topologías, modos <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción y posibles diseños, expresados en función <strong>de</strong> D NOM ), permitirá establecer la comparaciónque se persigue.A tal efecto, la expresión (5.65) pue<strong>de</strong> ser reescrita en (5.71). En esta nueva expresión, el parámetro d ,que se <strong>de</strong>fine en (5.72), permite cuantificar <strong>de</strong> manera adimensional la capacidad <strong>de</strong> regulación <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga.2 × (QHUJtD 2 × (QHUJtD& 0,1 ==2 22 29 - 9 9 × (1 - d )(5.71)9120)120)d =9(5.72)120El nuevo parámetro d también proporciona información acerca <strong>de</strong> la energía que pue<strong>de</strong> llegar a extraerel <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga:(QHUJtD([WUDtGD(QHUJtDDOPDFHQDGDWRWDO= × (1 -2d)(5.73)Teniendo en cuenta que en la expresión (5.73) el término en d aparece elevado al cuadrado, si se<strong>con</strong>sigue que HO SDUiPHWUR DGLPHQVLRQDOG VHD LQIHULRU D VRODPHQWH HO GH OD HQHUJtDDOPDFHQDGDHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRQRSRGUiVHUH[WUDtGa.En la tabla 5.2 se presenta un listado <strong>de</strong> las expresiones <strong>de</strong>l parámetro d para cada una <strong>de</strong> lastopologías básicas, y las tres posibilida<strong>de</strong>s que existen en cuanto al modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción para el quefue diseñado originalmente el <strong>con</strong>vertidor y el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción en el que el <strong>con</strong>vertidor opera alfinal <strong>de</strong>l proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga:• Si el <strong>con</strong>vertidor ha sido diseñado para operar en M<strong>CC</strong> en <strong>con</strong>diciones nominales, asíoperará durante todo el proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, ya que el ciclo <strong>de</strong> trabajo siempre crece en esteproceso.• Un <strong>con</strong>vertidor diseñado para operar en MCD que mantiene el MCD durante todo elproceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga. Para ello, por ejemplo, tal y como se muestra para la topología)O\EDFN, <strong>de</strong>ben cumplirse las expresiones (5.74) y (5.75).' < ' 4) Þ Q×. < ( 1-' 4) )o bien:(5.74)0< 0Þ.


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,' 4) = ' 0$; Þ Q'× . ' < ( 1-' 0$; )(5.76)A partir <strong>de</strong> (5.76) y teniendo en cuenta que como criterio <strong>de</strong> diseño se ha utilizado, laselección <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> K que asegura la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones para el valornominal, y que en el caso <strong>con</strong>creto <strong>de</strong> la topología )O\EDFN viene dado por (5.77), se pue<strong>de</strong>obtener el máximo ciclo <strong>de</strong> trabajo nominal que asegura el MCD, D F . Su valor se recogepara la topología )O\EDFN en la expresión (5.78).æ=çè'0 d.1202ö÷ø(5.77)0d0d' 120 < × ( 1-' 0$; ) Û ')= × (1 - ' 0$; )QQ''(5.78)&RQYHUWLGRUTopología <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scargaGLVHxDGRSDUDRSHUDUHQ ELEVADOR )/


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,correspondiente al M<strong>CC</strong>. Estas expresiones se recogen también en última fila <strong>de</strong> la tabla5.2.Finalmente, en la tabla 5.2 también, se presentan los criterios <strong>de</strong> diseño, y el valor <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong>transformación, n D , y <strong>de</strong>l parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, K D , necesarios para que se obtenga elvalor <strong>de</strong> D NOM seleccionado. Con objeto <strong>de</strong> que las expresiones <strong>con</strong>tengan la mayor informaciónposible, se ha optado por utilizar en ellas la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones, M d , en vez <strong>de</strong> valores<strong>con</strong>cretos <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong> entrada y salida.La comparación entre topologías, modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción y diseños se establecerá <strong>de</strong> forma gráfica apartir <strong>de</strong> las expresiones <strong>con</strong>tenidas en la tabla 5.2. Estos gráficos se recogen en la figura 5.45, en ellase representa (para las tres topologías básicas <strong>con</strong>si<strong>de</strong>radas, operando en los dos modos <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción) la variación <strong>de</strong>l parámetro adimensional d como función <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo nominal,D NOM. En la figura 5.45 cabe <strong>de</strong>stacar un aspecto referente a la forma que adquieren las distintas trazasrepresentadas. Si el <strong>con</strong>vertidor fue diseñado para operar en régimen permanente en MCD y durante elproceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga pasa a operar en M<strong>CC</strong>, el valor <strong>de</strong> d y por tanto el valor <strong>de</strong> la tensión final en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento lo imponen la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en M<strong>CC</strong>. Esta es la causa <strong>de</strong>que en la figura 5.45 las trazas correspondientes a cualquier topología presenten un tramo <strong>con</strong>stante apartir <strong>de</strong>l valor frontera, D F .10.80.60.40.2da) M d =0.5Reductor M<strong>CC</strong>Reductor MCD0.8)RUZDUG MCD, n=3' ))O\EDFN 0&'ÃQ )RUZDUG MCD, n=2Forward M<strong>CC</strong>)RUZDUG MCD, n=1.2)O\EDFN 0&'ÃQ ) O \ EDFN0&&00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.910.60.40.2d)RUZDUGÃMCD, n=6Elevador M<strong>CC</strong>b) M d =2UGM<strong>CC</strong>)RUZ D)O\EDFN 0&'ÃQ ) O \ EDFN0&&)O\EDFNÃ0&'ÃQ 00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9Elevador MCDD NOMD NOM)LJXUD9DULDFLyQGHOSDUiPHWURd FRQ' 120 SDUDODVWRSRORJtDVEiVLFDVTXHSXHGHSUHVHQWDUHOFRQYHUWLGRUGHGHVFDUJD\ORVGRVPRGRVGHFRQGXFFLyQ0&'\0&&D0 \E0 A la vista <strong>de</strong> las figuras 5.45.a y 5.45.b pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>ducirse algunas <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones respecto a laenergía que pue<strong>de</strong> llegar a ser extraída por cada una <strong>de</strong> las distintas topologías, modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>duccióny posibles diseños:• /DVWRSRORJtDVVLQDLVODPLHQWR no tienen grados <strong>de</strong> libertad en el diseño, cuando operan enM<strong>CC</strong> ya que existe una relación rígida entre el ciclo <strong>de</strong> trabajo máximo y la tensión <strong>de</strong>salida y tensión final, V F . Por tanto el parámetro d <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> casi en exclusivo <strong>de</strong> M d . Sóloen el caso <strong>de</strong> MCD, el diseño <strong>de</strong> K D pue<strong>de</strong> servir para reducir ligeramente el valor <strong>de</strong> d ypor tanto <strong>de</strong> V F .192


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Es importante <strong>de</strong>stacar, como en el caso en que la tensión <strong>de</strong> entrada es el doble que la <strong>de</strong>salida (M d =0,5) para el <strong>con</strong>vertidor reductor y su equivalente para el <strong>con</strong>vertidor elevador(M d =2), éste último presenta siempre un menor valor <strong>de</strong> d .• En los <strong>con</strong>vertidores )O\EDFN y )RUZDUG cuando operan en M<strong>CC</strong>, la correspondienterelación <strong>de</strong> transformación, siempre pue<strong>de</strong> ser adaptada por diseño para compensar el valor<strong>de</strong> M d y en <strong>con</strong>secuencia resultan in<strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong> este parámetro. Por tanto la trazacorrespondiente al <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en M<strong>CC</strong> que aparece en las figuras 5.45.ay 5.45.b es la misma (lo mismo aplica, para el <strong>con</strong>vertidor )RUZDUG).Por otro lado, HQ0&&SDUDFXDOTXLHUYDORUGH' 120 HOFRQYHUWLGRU)O\EDFNVLHPSUHSURGXFHPHMRUHVUHVXOWDGRVTXHHOFRQYHUWLGRU)RUZDUG.Un diseño optimizado <strong>de</strong> la topología )O\EDFN correspon<strong>de</strong> a un D NOM = 0,5 [85] - [86],obteniéndose para éste valor un d = 0,11 por lo que se podrá extraer un 98,7% <strong>de</strong> la energíaalmacenada en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Sin embargo, un <strong>con</strong>vertidor Forwardoptimizado requiere ciclos <strong>de</strong> trabajo nominales por encima <strong>de</strong> 0,6 [85] - [86], obteniéndoseen este caso un valor <strong>de</strong> d = 0,6, lo que implica que sólo podrá extraerse el 64% <strong>de</strong> laenergía almacenada• La topología )O\EDFN operando en MCD también supone una opción interesante ya que sintener que recurrir a un diseño restrictivo, pue<strong>de</strong> extraerse la mayoría <strong>de</strong> la energíaalmacenada, por obtenerse valores <strong>de</strong>l parámetro d inferiores a 0,3. Estos buenos resultadosse obtienen incluso en el caso <strong>de</strong> que durante el proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga se produzca latransición <strong>de</strong> MCD a M<strong>CC</strong>.• Como se comprobará en el apartado 5.4.2.2, para los diseños más favorables <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII, se está en el caso <strong>de</strong> M d £ 2 (2·V C1 ³ V O ). En estas <strong>con</strong>diciones, yteniendo en cuenta que la topología <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga HQORV FRQYHUWLGRUHV6,,,es elevadora o )O\EDFN, <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>l valor que pudiese tomar D NOM , se obtiene d£ 0,3 y por tanto, ODHQHUJtDH[WUDtGD en estos <strong>con</strong>vertidores HVVLHPSUHPD\RUDO.5.3.3.1.5 Gráficos volumen – tensión nominal en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.En los apartados 5.3.3.1.1 a 5.3.3.1.4.2 se han <strong>de</strong>scrito todos los factores que influyen sobre el tamañoy coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Por tanto, se está en disposición <strong>de</strong> cumplir el segundoobjetivo que se apuntaba en la introducción <strong>de</strong>l apartado 5.3.3. Este objetivo era respon<strong>de</strong>r a lasiguiente pregunta: ¿Es siempre un tensión <strong>de</strong> 400 V la mejor opción o existen otras alternativas parareducir el tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento?.Para respon<strong>de</strong>r a esta pregunta se van a elaborar varios gráficos que representarán el volumen <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento frente a la tensión nominal (V NOM ) que tomaría este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.Los parámetros que se eligen para el gráfico son: la topología <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, el modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción y algunos posibles diseños.Estos gráficos se han particularizado <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando la topología )O\EDFN y )RUZDUG como<strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga y los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores Surge Serie SREA [127]. Los datos que se representanen los gráficos <strong>de</strong> las figura 5.46 correspon<strong>de</strong>n a la combinación <strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores idénticos193


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>ectados en paralelo, que ha presentado un menor tamaño para obtener el valor <strong>de</strong> capacidadcomercial inmediatamente superior a la capacidad mínima, C 1,MIN requerida.HÃUÃGR VDG PHQ ÃFWRQGQRLHHOÃFDPHQÃGDFHQPOX DOPR9 FPRQGHQVDGRUÃPÃFQWRÃ WRLHHOÃFHQÃGDFHQDPPOPROX9 GHÃD40353025201510)O\EDFN MCD)O\EDFN M<strong>CC</strong>)RUZDUG MCD)RUZDUG M<strong>CC</strong>Descarga TotalD NOM =0,2506.3 10 16 25 35 50 63 100 160 200 250 350 400 4504035302520151057HQVLyQÃQRPLQDOÃHQÃHOÃFRQGHQVDGRUÃGHÃDOPDFHQDPLHQWRÃ9 120 9a))O\EDFN 0&'ÃD NOM =0.05D NOM =0.2D NOM =0.4Descarga total, d» 006.3 10 16 25 35 50 63 100 160 200 250 350 400 4507HQVLyQÃQRPLQDOÃHQÃHOÃFRQGHQVDGRUÃGHÃDOPDFHQDPLHQWRÃ9 120 9c)40HÃ 35)O\EDFN MCDUÃG30R D NOM =0,4)O\EDFN M<strong>CC</strong>VDG P25)RUZDUG MCDHQ ÃFWRGQ20)RUZDUG M<strong>CC</strong>RQ LH15Descarga TotalHOÃFDPÃGHQ DFHQ10POX DOP5R906.3 10 16 25 35 50 63 100 160 200 250 350 400 4507HQVLyQÃQRPLQDOÃHQÃHOÃFRQGHQVDGRUÃGHÃDOPDFHQDPLHQWRÃ9 120 940UÃVDGR PGHQ ÃFWRRQ QLHHOÃFDPÃGHQ DFHQPOPOXRHÃD9G3530252015105b))O\EDFN 0&&D NOM =0.45D NOM =0.75Descarga total, d» 006.3 10 16 25 35 50 63 100 160 200 250 350 400 4507HQVLyQÃQRPLQDOÃHQÃHOÃFRQGHQVDGRUÃGHÃDOPDFHQDPLHQWRÃ9 120 9d))LJXUD7DPDxRIUHQWHDWHQVLyQQRPLQDOHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUD9 2 97 0 PV\3 23& :D7RSRORJtDVFlyback y Forward SDUD' 120 E7RSRORJtDVFlyback yForward SDUD' 120 F&RQYHUWLGRUGHGHVFDUJDFlybackHQ0&'G&RQYHUWLGRUGHGHVFDUJDFlybackHQ0&&Observando los gráficos que se recogen en la figura 5.46 se pue<strong>de</strong>n hacer algunas <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones, encuanto a la topología y al modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción por un lado y en cuanto a la tensión nominal por otro.• &RPSDUDFLyQGHWRSRORJtDV\PRGRGHFRQGXFFLyQ.La influencia <strong>de</strong> la topología y el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, sepue<strong>de</strong> observar en la figura 5.46.a y 5.46.b. Estos gráficos han sido obtenidos para dosciclos <strong>de</strong> trabajo nominales, D NOM = 0,2 (figura 5.46.a) y D NOM = 0,4 (figura 5.46.b) y parala misma tensión <strong>de</strong> salida, V O = 48V. Los aspectos que se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>stacar son lossiguientes:- El <strong>con</strong>vertidor )RUZDUG operando en MCD siempre presenta los perores resultados.- El <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD se aproxima a la traza correspondiente ala <strong>de</strong>scarga total (V F » 0) a partir <strong>de</strong> los 35 V.- Para D NOM = 0,2 el <strong>con</strong>vertidor )RUZDUG operando en M<strong>CC</strong> y el <strong>con</strong>vertidor)O\EDFN operando en MCD obtienen unos resultados similares. Ya para D NOM = 0,4los resultados correspondientes al <strong>con</strong>vertidor Forward son ligeramente superiores(comprobar los volúmenes correspondientes a las tensones <strong>de</strong> 35 V 100 V y 250V), pero <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando a<strong>de</strong>más que el <strong>con</strong>vertidor Forward requiere para su194


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,optimización ciclo <strong>de</strong> trabajo superiores a 0,4 éste presentará finalmente peoresresultados.- El <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en M<strong>CC</strong> siempre obtiene los mejores resultados,prácticamente idénticos a los correspondientes a la <strong>de</strong>scarga total.Como <strong>con</strong>clusión <strong>de</strong> esta comparación se tiene que la topología )O\EDFN es una buenaopción para utilizarlo como <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, ya que presenta XQD HOHYDGDFDSDFLGDGGHUHJXODFLyQ, pudiendo extraer la mayoría <strong>de</strong> la energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y en <strong>con</strong>secuencia UHGXFLHQGRHOYROXPHQGHHVWHFRQGHQVDGRU.• &RPSDUDFLyQGHWHQVLRQHVQRPLQDOHVSi se realiza una comparación <strong>de</strong> forma que no influya la topología, ni el modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción, ni el diseño (tal y como ocurre en la traza correspondiente a D NOM = 0,45 en lafigura 5.46.a y en las trazas para D NOM = 0,05 y D NOM = 0,2 <strong>de</strong> la figura 5.46.b) se pue<strong>de</strong>observar que, SRUHQFLPDGHXQDWHQVLyQQRPLQDOGH9QRKD\XQYDORUTXHUHGX]FDGUiVWLFDPHQWHHOWDPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR. De esta forma, V NOM =100 V , V NOM = 250 V, y V NOM = 350 V producen resultados similares a la tensión nominal<strong>de</strong> 450 V que a priori podría parecer la más a<strong>de</strong>cuada. A<strong>de</strong>más, la tensión <strong>de</strong> 400 Vproporciona resultados semejantes a las <strong>de</strong> 50 o 63V. En el caso analizado, HO QLYHO GHDSURYHFKDPLHQWR GHO FRQGHQVDGRU HOHFWUROtWLFR WRPD XQ SHVR VLJQLILFDWLYR HQ HOWDPDxRDSDUWLUGHHVRV9.Para realizar la comparación mostrada en la figura 5.46, se ha utilizado la serie comercial<strong>de</strong> <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos Surge Serie SREA, cuyas características se recogen en lafigura 5.38. Una posible explicación al hecho <strong>de</strong> que la tensión <strong>de</strong> 400 V no presentaresultados equivalentes a los <strong>de</strong> 350 V o 450 V pue<strong>de</strong> centrarse en el hecho <strong>de</strong> que la seriecomercial utilizada presenta un único encapsulado (ver figura 5.38) para los valores <strong>de</strong> 400V y 450 V <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> ruptura. Por tanto los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 400 V están peoraprovechados y su tamaño es mayor. Con este ejemplo, se pone también <strong>de</strong> manifiesto laimportancia <strong>de</strong>l aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.5.3.3.1.6 Conclusiones.A lo largo <strong>de</strong>l apartado 5.3.3.1 se ha realizado una completa discusión acerca <strong>de</strong> los factores clave que<strong>de</strong>terminan el tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> que<strong>de</strong>ban cumplir un cierto requisito <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong> mantenimiento. Los aspectos más <strong>de</strong>stacados que serecogen <strong>de</strong>l estudio realizado se enumeran a <strong>con</strong>tinuación:• /D YDULDFLyQ GH OD WHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR HV HO IDFWRU PiVGHWHUPLQDQWHVREUHHOWDPDxR\FRVWHTXHpVWHSUHVHQWD. Principalmente, en aplicaciones<strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada universal, los CFP en dos etapas reducen el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>bido a que su tensión nominal es in<strong>de</strong>pendiente tanto <strong>de</strong>l valor eficaz<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red como <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. /RVFRQYHUWLGRUHVHQXQDHWDSDVHUiQWDQWRPHMRUHVVLFRQVLJXHQTXHODYDULDFLyQGHODWHQVLyQGHUHG, QRVHWUDQVILHUDDODWHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR ya que <strong>de</strong> lo <strong>con</strong>trario el tamaño <strong>de</strong> este<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador se penaliza fuertemente.195


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Para una variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y una cantidad <strong>de</strong>energía a almacenar fijas, tensiones <strong>de</strong> almacenamiento nominales diferentes a los 400Vrequieren <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> un tamaño y coste similares. Por tantoWHQVLRQHVPiVUHGXFLGDVDORV9R9SXHGHQVHUVHOHFFLRQDGDVREWHQLpQGRVHUHVXOWDGRVVLPLODUHV.• 0HMRUDU HO IDFWRU GH DSURYHFKDPLHQWR GHO FRQGHQVDGRU D\XGD WDPELpQ D UHGXFLU HOWDPDxR\HOFRVWHGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR. Dos vías principales aparecenpara mejorar este factor:- Intentar obtener valores teóricos <strong>de</strong> diseño lo más próximo posible a los valorescomerciales.- Detectar que valores <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> una serie comercial están poco optimizados y<strong>con</strong>secuentemente evitar su utilización.• Entre las topologías básicas, OD WRSRORJtD )O\EDFN resulta bastante interesante para serutilizada como <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, ya que SUHVHQWD XQD HOHYDGD FDSDFLGDG GHUHJXODFLyQ posibilitando extraer la mayor parte <strong>de</strong> la energía almacenada en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento, y SHUPLWLHQGR por tanto TXH HO WDPDxR GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWRVHDPHQRU. 9DULDFLyQGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJDHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,El valor medio <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se <strong>de</strong>termina a partir <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong>potencia a frecuencia <strong>de</strong> red 5 . Tal como se <strong>de</strong>scribió en el apartado 4.5.1 este balance pue<strong>de</strong> expresarse<strong>de</strong> varias formas, pudiéndose <strong>de</strong>ducir <strong>de</strong> todas ellas el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, V C1 .En la figura 5.47 se representa la expresión, quizás más intuitiva, <strong>de</strong>l balance <strong>de</strong> potencia a frecuencia<strong>de</strong> red y la forma <strong>de</strong> <strong>de</strong>terminar la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Tal y como se muestraen la figura 5.47, ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento absorbe y ce<strong>de</strong>energía (en el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 2) y solamente ce<strong>de</strong> energía (en el modo <strong>de</strong>funcionamiento zona 1), por tanto para cada <strong>con</strong>mutación, es <strong>de</strong>cir para cada valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red,se tiene un valor neto <strong>de</strong> la potencia que absorbe el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Este valor neto<strong>de</strong> la potencia entrante al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador se representa en la figura 5.47 como S & w W, <strong>con</strong> trazo negro.Matemáticamente, el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento será aquel que iguale lasáreas A y B, que se representan en la figura 5.47, y por tanto que verifique la expresión (5.85):pò S & 1(w W)× GwW = 0(5.79)0Una forma más <strong>de</strong>tallada para (5.85) es (5.86).5 En el Capítulo 3 se estableció que el término “frecuencia <strong>de</strong> red”, se utilizaría, por simplicidad, para referirse tanto ala a la frecuencia <strong>de</strong> la onda sinusoidal <strong>de</strong> la red <strong>de</strong> <strong>CA</strong> que alimenta a los <strong>con</strong>vertidores, como a la frecuencia <strong>de</strong> laonda <strong>de</strong> tensión rectificada (100 Hz para re<strong>de</strong>s europeas).196


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,a 12 ( 9&1)p - a 12 ( 9&1)ò0L& 1 = 1( w W,9& 1) × GwW +òL( w W,9) × GwW +& 1 = 2 & 1& 1a 12 ( 9& 1)p - a 12 ( 9&1)pòL= 1( w W,9& 1) × GwW = 0(5.80)don<strong>de</strong> a 12 es el ángulo <strong>de</strong> red frontera entre los modos <strong>de</strong> operación Zona 1 y Zona 2.Y 5(&7 (w t)S & (w t)3 25050$p%2pw t2S & w WC 11100Zona 2Zona 1G G W7L & Zona 2áL G G G G C1 ce<strong>de</strong> & ñ Z1energía,S / L C1 absorbe& ,S &energíaW7áL & ñ Z2 C1 ce<strong>de</strong>,S energía/ )LJXUD(YROXFLyQGHODSRWHQFLDQHWDHQWUDQWHDOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUDFDGDFRQPXWDFLyQRYDORUGHOiQJXORGHUHGObservando (5.86), se pue<strong>de</strong> comprobar, como sólo es posible obtener una solución numérica para elvalor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 . Esta se ha obtenido, para cualquiera <strong>de</strong>las topologías SII, utilizando los programas <strong>de</strong> cálculo presentados en el apartado 5.2.2.Ahora bien, aunque no se pue<strong>de</strong> obtener una solución analítica para (5.86), sí se pue<strong>de</strong> evaluarrepetidas veces el programa <strong>de</strong> cálculo y obtener una representación gráfica (figura 5.48) <strong>de</strong> losdistintos valores que en régimen permanente toma la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento alvariar, por ejemplo, la potencia <strong>de</strong> carga.HÃUÃGRVDG Ã99 HQ 9 &GWRQRLH HOÃFQWR ÃHDPQÃHQFHQDFHQDPL VLyHQ DOP75040302010267 V EF.220 V EF.187 V EF.84 V EF.00 20 40 60 80 1003RWHQFLDÃGHÃFDUJDÃ3 2 :)LJXUD9DULDFLyQGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJDSDUDYDULDVWHQVLRQHVHILFDFHVGHUHG&RQYHUWLGRU6,,)WHQVLyQGHVDOLGD9 2 9Q Q a Como se pue<strong>de</strong> comprobar en la figura 5.48 elvalor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento resulta in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga, P O , aunque sí varía <strong>con</strong> elvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red y como severá en el apartado 5.4.1.1 también <strong>con</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño. En la figura 5.48 se harepresentado en la variación <strong>de</strong> V C1 para el<strong>con</strong>vertidor SII-F2 correspondiente unatensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 56 V siendo losparámetros <strong>de</strong> diseño: n 1 = 1,2 , n 2 =1, a = 4.En todas las topologías SII, el valor <strong>de</strong> laWHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWR es LQGHSHQGLHQWH GH OD197


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,SRWHQFLDGHFDUJD ya que los dos <strong>con</strong>vertidores internos que <strong>con</strong>forman cada una <strong>de</strong> estas topologíasRSHUDQHQPRGRGHFRQGXFFLyQGLVFRQWLQXR, MCD.5.3.3.2.1 Justificación cualitativa a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.Este importante aspecto pue<strong>de</strong> justificarse <strong>de</strong> manera cualitativa como sigue. Si se tiene en cuanta queen cualquier topología <strong>de</strong> la familia SII existe un único lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol y un ciclo <strong>de</strong> trabajo comúnpara gobernar ambos <strong>con</strong>vertidores internos tal y como se refleja en la figura 5.49, ante una variación<strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y la <strong>con</strong>siguiente variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, se producirá una variaciónen el ciclo <strong>de</strong> trabajo.2MCD5 21C 1d(w t)-V REF)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVGHODVWRSRORJtDV6,,Ya que el <strong>con</strong>vertidor 2 opera en MCD 6 , éste tomará <strong>de</strong> la entrada los ”paquetes <strong>de</strong> energía”a<strong>de</strong>cuadamente dimensionados como para que se establezca un nuevo equilibrio energético afrecuencia <strong>de</strong> red. Ahora bien, ¿qué suce<strong>de</strong> <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento?. Sevan a <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar dos posibilida<strong>de</strong>s:• Convertidor interno 1, operando en M<strong>CC</strong>.Si el <strong>con</strong>vertidor 1 opera en M<strong>CC</strong>, la tensión <strong>de</strong> salida y la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento están rígidamente ligadas por la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>este <strong>con</strong>vertidor, que no <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>, en este caso, <strong>de</strong> la resistencia <strong>de</strong> carga ( expresión (5.87)para el caso <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidor 1 <strong>con</strong> topología )O\EDFN). Por tanto ante una variación <strong>de</strong> R O , elciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>berá variar, para que el <strong>con</strong>vertidor interno 2 que opera en MCD extraiga<strong>de</strong> la red la potencia necesaria para producir un nuevo equilibrio energético. En<strong>con</strong>secuencia la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento habrá variado, ya que el lazo<strong>de</strong> realimentación impone que la tensión <strong>de</strong> salida sea fija.6 En todas las topologías SII, las inductancias magnetizantes <strong>de</strong> ambos <strong>con</strong>vertidores internos completan su<strong>de</strong>smagnetización <strong>con</strong>ectadas en serie. Por tanto siempre ambos <strong>con</strong>vertidores operan en MCD o M<strong>CC</strong>. El caso queaquí se utiliza como hipótesis, <strong>con</strong>vertidor 2 en MCD y <strong>con</strong>vertidor 1 en M<strong>CC</strong>, no se llega a producir físicamente y seutiliza exclusivamente para ayudar a ilustrar cualitativamente que ocurriría <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento si ésta viniera impuesta por una relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones rígida, como lascorrespondientes a <strong>con</strong>vertidores que operan en M<strong>CC</strong>.198


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,'= 91× Q1-'(5.81)92 & ו Convertidor interno 1, operando en MCD.Al <strong>con</strong>trario que en el caso anterior, no existe esta relación rígida tensión <strong>de</strong> salida – tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, por el <strong>con</strong>trario es un equilibrio <strong>de</strong> potencias entredos <strong>con</strong>vertidores que operan en MCD el que <strong>de</strong>termina la nueva relación entre lastensiones <strong>de</strong> salida, entrada, <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y potencia <strong>de</strong> carga.Si se persigue aportar una <strong>de</strong>scripción intuitiva, y no tanto exacta, se podría admitir que larelación entre la tensión <strong>de</strong> salida y la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento estuvierarelacionada <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor 1 operando en MCD.En este caso y <strong>de</strong> forma bastante sencilla, si a<strong>de</strong>más se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra que el <strong>con</strong>vertidor interno1 presenta también topología )O\EDFN, pue<strong>de</strong> observarse, en la expresión (5.88), que anteuna disminución <strong>de</strong> R O , se pue<strong>de</strong> producir un aumento <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong> forma quetanto la tensión <strong>de</strong> salida como la <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento puedan permanecersin variación.9522 = 9&1× ' ×/ × I(5.82)&De esta forma se hace patente, que en el caso <strong>de</strong> operación en MCD, por un lado, no existeuna relación rígida tensión <strong>de</strong> salida – tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento comoen el caso <strong>de</strong> M<strong>CC</strong> y por otro, ante incremento positivo <strong>de</strong> R O , el ciclo <strong>de</strong> trabajo ten<strong>de</strong>ría adisminuir ya que es necesario extraer menos potencia <strong>de</strong> la entrada, por lo tanto los efectos<strong>de</strong> R O y D se <strong>con</strong>trarrestan permitiendo que no varíe la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Sin embargo si el <strong>con</strong>vertidor interno 1 opera en M<strong>CC</strong>, cualquiervariación <strong>de</strong> la resistencia <strong>de</strong> carga, llevaría asociada una variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo(para que el <strong>con</strong>vertidor 2 extraiga <strong>de</strong> la entrada la potencia necesaria), que impondría unnuevo valor a la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.5.3.3.2.2 Justificación matemática a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.Una justificación menos intuitiva, aunque un poco más matemática y rigurosa pue<strong>de</strong> abordarse comosigue: Si se toma como ejemplo la topología SII-F2, el <strong>con</strong>vertidor interno 1 transfiere a la carga lapotencia extraída <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Esta potencia es, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando rendimientounidad, (1-K P ).P O , tal y como pue<strong>de</strong> comprobarse en la figura 5.50.Realizando un balance <strong>de</strong> potencia que exprese el régimen permanente que alcanza el <strong>con</strong>vertidor 1 afrecuencia <strong>de</strong> red, se obtienen las expresiones (5.89) y (5.90) que relacionan la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia cedida a la carga y el ciclo <strong>de</strong> trabajo:pò01×pL & 1 w W × 9&1× GwW = 1-. 3 × 32(5.83)22×/2119& 1= ( 1-. 3 ) × 32× ×p7&1(5.84)GwW2×ò G(w W)×p0199


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,2MCD5 21. C 3 3 21 MCDConvertidor 1L & w W7 / 6 +9 & -5 2 . . 3/ . 3 3 2C 1C 19 &1/21L & w W, w WáL (;7 ñw WW7Gw Wd(w t)-V REF)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVGHODVWRSRORJtDV6,,(OFRQYHUWLGRUWUDQVILHUHVyORODSRWHQFLDTXHVHH[WUDHGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR. 3 3 2 \TXHKDVLGRSURFHVDGDGRVYHFHVTeniendo en cuenta las expresiones (4.62) a (4.64), obtenidas en el apartado 4.4.5.1 a partir <strong>de</strong>lbalance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, pue<strong>de</strong> escribirse la expresión general <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong>trabajo, que se recoge <strong>de</strong> nuevo, en (5.91).( w W,91)= 3 × Y ( w W,91,9 , 9 , /12,/21,Q1, Q2)G & 2& * 2(5.85)En (5.91) la función Y sólo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong> entrada, salida y en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. Sin embargo toda la <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>lciclo <strong>de</strong> trabajo respecto <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, pue<strong>de</strong> extraerse como factor común, en el términoÖ P O . Por tanto, sustituyendo (5.91) en (5.90), pue<strong>de</strong> obtenerse una nueva expresión para la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, (5.92).2 2×/2119& 1= ( 1-. 3 ) × ×p7 1(5.86)&2× ò Y ( w W,9&1,9*, 92, /12,/21,Q1, Q2) × GwWp0Tal y como se <strong>de</strong>scribió en los apartados 5.3.1.1 y 5.3.1.2, el valor <strong>de</strong> la integral que aparece en (5.92)no <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. Por otro lado, en el apartado 5.3.2.4, se justificó que el tanto poruno <strong>de</strong> simple procesado, K P , es también in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. En <strong>con</strong>clusión, en los<strong>con</strong>vertidores SII, la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento resulta in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> lapotencia que <strong>de</strong>manda la carga.5.3.3.2.3 Justificación equivalente en otros <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica.En el estado <strong>de</strong> la técnica se pue<strong>de</strong>n en<strong>con</strong>trar otras familias <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> en una solaetapa [53], para las cuales se obtiene una <strong>con</strong>clusión idéntica respecto a la <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.Si utilizamos dos topologías )O\EDFN <strong>con</strong>ectadas en cascada (figura 5.51), <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>funcionamiento idéntico a una <strong>de</strong> las topologías propuestas en [54], y en la que toda la potenciaextraída <strong>de</strong> la entrada se procesa dos veces, se pue<strong>de</strong> también ilustrar, <strong>de</strong> forma sencilla, el problema<strong>de</strong> la variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la carga.Una vez más, para <strong>de</strong>terminar la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es necesario realizar unbalance <strong>de</strong> potencia a frecuencia <strong>de</strong> red. Dicho balance <strong>de</strong> potencia se presenta en la expresión (5.93):200


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,pò0Y5(&7 wW ×L( wW ×GwW =pò09& 1× L2 wW ×GwW(5.87)don<strong>de</strong> Y 5(&7Ã = V G·|sen(w t)|.si en (5.93) se sustituyen los valores <strong>de</strong> las corrientes promediadas en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación setiene (5.94):p 22 2p 29 × ' × 7 9&× 6HQ(w W)2×/× '2×/× 7*1ò × GwW = ò ×0 10 22GwW(5.88)Tras resolver la integral y <strong>de</strong>spejando V C1 , se obtiene (5.95):19 & 1= 9*× ×2//21+Y 5(&7 w W-' L'2( w W/ / +& 9 &-6 6 L ( ( w W))(5.89)D-V REF)LJXUD&RQH[LyQGHGRVFRQYHUWLGRUHVFlybackFRQHFWDGRVHQFDVFDGD\JREHUQDGRVSRUXQ~QLFRFLFORGHWUDEDMRDe la expresión (5.95) se <strong>de</strong>duce que la operación en MCD <strong>de</strong> ambos <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>sigue que latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento sea in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. En este caso, alno existir dos lazos <strong>de</strong> realimentación, sino que un único ciclo <strong>de</strong> trabajo gobierna ambos<strong>con</strong>vertidores, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no está regulada, y <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá <strong>de</strong> latensión eficaz <strong>de</strong> la red que alimente al <strong>con</strong>vertidor y también <strong>de</strong>l diseño, a través <strong>de</strong> la relación entrelas inductancias <strong>de</strong> las dos topologías )O\EDFN <strong>con</strong>ectadas en cascada.Finalmente como <strong>con</strong>clusiones po<strong>de</strong>mos extraer las siguientes.• Si los <strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong> las topologías SII operan en MCD, OD WHQVLyQ GHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRVHHVWDEOHFHGHDFXHUGRFRQHOEDODQFHGHSRWHQFLD afrecuencia <strong>de</strong> red \ QR <strong>de</strong> acuerdo D XQD UHODFLyQ GH FRQYHUVLyQ GH WHQVLRQHV comoocurriría en caso <strong>de</strong> operación en M<strong>CC</strong>.• (O YDORU GH OD WHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR HV LQGHSHQGLHQWH GH ODSRWHQFLDGHFDUJD por operar los FRQYHUWLGRUHVLQWHUQRVHQ0&' y sólo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá <strong>de</strong>lvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red y <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño.201


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 9DULDFLyQGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQHOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHUHGHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,Como se pue<strong>de</strong> observar, por ejemplo en la figura 5.50, los dos <strong>con</strong>vertidores internos <strong>de</strong> todas lastopologías <strong>de</strong> la familia SII están gobernados por un único ciclo <strong>de</strong> trabajo, por tanto la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no está regulada y por <strong>con</strong>siguiente, si aparecen variaciones en elvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, estas variaciones se transmitirán a la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.Como se <strong>de</strong>scribió en el apartado anterior, la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se establecepor el balance energético que se produce a frecuencia <strong>de</strong> red. La expresión matemática <strong>de</strong> este balance<strong>de</strong> potencias no permite obtener una solución analítica para el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, sino que será necesario recurrir, una vez más, a una representación gráfica que recojalos resultados numéricos <strong>de</strong> esta tensión.Tomando como ejemplo la topología SII-F1-SS, en la tabla 5.3 se han recogido los datos <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para varias tensiones <strong>de</strong> salida y rango universal <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong>entrada; así mismo, la evolución <strong>de</strong> esta tensión se ha representado en la figura 5.52.Tensión <strong>de</strong>red, V REDTensión <strong>de</strong> salida, V O24 V 48 V 72 VValorEficaz(V EF.)ValorPico(V)90 =92*V C1(V)90 =92*V C1(V)90 =9265 375 0,064 Ã 0,128 Ã 0,192 Ã248 351 0,068 Ã 0,137 Ã 0,205 ÃÃ230 325 0,078 Ã 0,148 Ã 0,221 Ã187 265 0,091 Ã 0,181 Ã 0,272 Ã165 233 0,103 Ã 0,205 Ã 0,309 Ã115 163 0,147 Ã 0,295 Ã 0,441 Ã100 142 0,169 Ã 0,34 Ã 0,51 Ã2*V C1(V)HÃUÃGRVDG Ã99 &HQG WRQR LH H OÃFQWR ÃH DPQÃHQFHQDFHQDPL VLyHQ DOP711010090809 &70605040309 2Ã Ã99 2Ã Ã99 2Ã Ã9201050 100 150 200 250 3007HQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃ9 () 85 120 0,2 Ã 0,4 Ã 0,6 Ã7DEOD7HQVLRQHVHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66SDUDYDULDVWHQVLRQHVGHHQWUDGD\VDOLGD)LJXUD9DULDFLyQGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66SDUDWHQVLRQHVGHVDOLGDGH\9\UDQJRXQLYHUVDOGHWHQVLyQGHHQWUDGDPara cada tensión <strong>de</strong> salida se ha realizado un diseño distinto <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. En elapartado 5.4.1.1 se <strong>de</strong>scribirá cómo se <strong>de</strong>ben modificar los parámetros <strong>de</strong>l diseño <strong>de</strong> cada topologíaSII para obtener una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento que varíe <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l margen<strong>de</strong>seado, ante tensiones <strong>de</strong> entrada variables en rango universal y europeo.A la vista <strong>de</strong> los datos <strong>de</strong> la tabla 5.3 y <strong>de</strong> la figura 5.52, varios son los aspectos que <strong>con</strong>viene<strong>de</strong>stacar:202• El valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> los valores<strong>con</strong>cretos que tomen las tensiones <strong>de</strong> entrada y salida, no <strong>de</strong> la relación entre ellas.


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,La variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> redresulta bastante menor que la propia variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango universal. Lavariación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red en rango universal es <strong>de</strong> 3 a 1 (265/85» 3) sin embargo, la mayorvariación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, (que entre los casos representados, seproduce para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72 V) es <strong>de</strong> 1,68 a 1. El resto <strong>de</strong> topologías <strong>de</strong> la <strong>Familia</strong> SIIpue<strong>de</strong>n diseñarse <strong>de</strong> manera que se obtengan resultados semejantes a los presentados para el<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS; el estudio <strong>de</strong>l diseño particular <strong>de</strong> cada topología se acometerá en los próximosapartados. Sin embargo, los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la <strong>Familia</strong> SII, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rados en <strong>con</strong>junto, presentan unavariación en la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento que se pue<strong>de</strong> representar, tal y como sehace en la figura 5.53, <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r comparar los resultados obtenidos <strong>con</strong> otras soluciones <strong>de</strong>lEstado <strong>de</strong> la Técnica.7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGH9500450400350DOPDFHQDPLHQWR9&300250200150100503 2 ÃÈ3 2 ÃÈ&)36,,&)3ÃHQÃÃHWDSDV9 & UHJXODGD&)3ÃHQÃÃHWDSDÃ*UXSRÃ$9 & <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la carga y<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red&)3ÃHQÃÃÃHWDSDÃ*UXSRÃ%9 & HQFODYDGDÃal valor <strong>de</strong>pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red7HQVLyQÃGHÃVDOLGDEj. 56 V050 75 100 125 150 175 200 225 250 275 3007HQVLyQGHHQWUDGD9 () )LJXUD9DULDFLyQGHODWensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento frente al valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada SDUDGLVWLQWDVVROXFLRQHVGHOHVWDGRGHODWpFQLFD6HLQFOX\HQORVUHVXOWDGRVREWHQLGRVSDUDORVFRQYHUWLGRUHV6,,\XQDWHQVLyQGHVDOLGDGH9En la figura 5.53 se pue<strong>de</strong> observar como para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 56 V todas las posibles curvasque representan la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y que aparecen como<strong>con</strong>secuencia <strong>de</strong> las diferentes topologías y <strong>de</strong> los distintos diseños que <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> ellas puedanhacerse, quedarían <strong>con</strong>finadas <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l área rayada. Aunque esta es una representación cualitativa,permite centrar el ámbito en el que se mueve la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento que<strong>con</strong>siguen los <strong>con</strong>vertidores SII:• Tensiones poco variables <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> red.• Tensiones reducidas. Pue<strong>de</strong>n obtenerse diseños que proporcionen una tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento ligeramente superior a 100V.Como se <strong>con</strong>cluyó en el estudio realizado en el apartado 5.3.3.1.1, para UHGXFLU HO WDPDxR GHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR, resulta mucho más GHWHUPLQDQWHODEDMDYDULDFLyQGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR que los valores <strong>con</strong>cretos que tome esta tensión. Es preferiblealmacenar a una tensión reducida, inferior por ejemplo a 35 V si se acompaña <strong>de</strong> una variaciónreducida (<strong>de</strong>bida a rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada) que almacenar a una tensión siempre203


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,superior a 100 V si el rango <strong>de</strong> variación es mucho mayor.Este aspecto se pone <strong>de</strong> manifiesto en la figura 5.54. En ésta se ha representado una comparativa <strong>de</strong>ltamaño que se obtiene <strong>con</strong> tres tipos distintos <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> entre los cuales se incluye latopología SII-F1-SS diseñada para las tres especificaciones <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> salida, que se representabanen la figura 5.52.V RED(V eficaces)V C1(V)P O,PC = 100 WT M = 10 msVolumen&)3HQHWDSDV85265380380C MIN =13,9 µF1 x 22 µF / 400 V12.5 x 25 FP *UXSR%9 & HQFDOYDGRÃDOÃYDORUÃGHÃSLFRÃGHÃODÃWHQVLyQÃGHÃUHG85265120375C MIN =139 µF3 x 47 µF / 400 V16 x 31.5FP V O (V)&RQYHUWLGRU6,,)662448852658526526,43340.262.7C MIN = 2870 µF1 x 3300 µF / 35 V16 x 31.5C MIN = 1238 µF4 x 330 µF / 63 V10 x 20FP FP 728526558,698C MIN = 583 µF2 x 330 µF / 100 V12.5 x 25FP 'LiPHWURÃ[Ã/RQJLWXGÃPP)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOWDPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUDWUHVVROXFLRQHVGHFRQYHUWLGRUHV&$&&6HLQFOX\HQORVUHVXOWDGRVSDUDWUHVGLVHxRVGLVWLQWRVGHODWRSRORJtD6,,)66FRUUHVSRQGLHQWHVDWUHVWHQVLRQHVGHVDOLGDGLIHUHQWHV99\9Para obtener el valor <strong>de</strong> la capacidad mínima (C MIN ) que asegure un requisito <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong>mantenimiento <strong>de</strong> 10 ms se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado la <strong>de</strong>scarga total <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, yaque ésta es la única manera <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r comparar los resultados, correspondientes a distintas soluciones<strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, sin <strong>con</strong>ocer la capacidad <strong>de</strong> regulación y el diseño <strong>con</strong>creto que se hayarealizado para cada una <strong>de</strong> estas soluciones.Varias son las <strong>con</strong>clusiones a extraer <strong>de</strong> la figura 5.54:• Los mejores resultados correspon<strong>de</strong>n al CFP en dos etapas <strong>de</strong>bido a que la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento no varía.• Entre las soluciones <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> /<strong>CC</strong> en una etapa, aquellos que presentan unatensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento enclavada al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>red, requieren <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores bastante voluminosos <strong>de</strong>bido a que la tensión en su<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento varía en un rango idéntico al rango en el que varía la redpara la tensión <strong>de</strong> entrada universal, es <strong>de</strong>cir <strong>de</strong> 1 a 3.• Los valores correspondientes al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS reducen a un tercio el volumen <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento respecto <strong>de</strong> la solución anterior <strong>de</strong>bido a la baja variación<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.204


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Se obtienen tamaños muy similares cuando se almacena a tres tensiones distintas: hasta 35V, hasta 63 V y hasta 100 V. Una vez más se pone <strong>de</strong> manifiesto, que las tensiones máselevadas no correspon<strong>de</strong>n automáticamente a los mejores resultados en cuanto al tamaño<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.5.3.3.3.1 Justificación <strong>de</strong> la variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong>el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.El origen <strong>de</strong> la reducida variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> el valoreficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red es doble:Por un lado influye el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los componentes magnéticos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII,ya que <strong>de</strong>bido a la RSHUDFLyQHQ0&' la WHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRVHHVWDEOHFHDSDUWLUGHOEDODQFHGHSRWHQFLDV que se produce en estos <strong>con</strong>vertidores a frecuencia <strong>de</strong> red.Como segundo factor aparece la HVSHFLDOWRSRORJtDGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,. Dentro <strong>de</strong> esta familia,el <strong>con</strong>vertidor interno 1 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques presenta topología elevadora o topología )O\EDFN. Enambos casos, como se recogía en el apartado 4.4.4, es un requisito funcional el que la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento sea menor que la tensión <strong>de</strong> salida, o bien menor, que la tensión <strong>de</strong>salida multiplicada por la relación <strong>de</strong> transformación que incluye el tercer arrollamiento en latopología SII-F1-SS. Este requisito supone una cota superior al valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y por tanto el rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> esta tensión queda limitado.En la figura 5.55.a se representa el diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> una topología SII así como la potencia quese transfiere por cada una <strong>de</strong> las ramas, la <strong>de</strong> simple (K P .P O ) y la <strong>de</strong> doble procesado ((1- K P ).P O ).2a). 3 3 25 2b)Convertidor 2L ( w W7 +/ / Y ( w W6 -Y ( (wW)5 2/1 1L ( w W3 2, w WáL ( ñw WW7Gw W3 2 . 3 3 2MCD1C 1 MCDD-V REFc)Convertidor 1L & w W7 / 6 +9 & -5 2 . . 3/ . 3 3 2C 1C 19 &1/21L & w W, w WáL (;7 ñw WW7Gw W)LJXUDD'LDJUDPDGHEORTXHVGHODVWRSRORJtDV6,,3RWHQFLDVGHVLPSOH. 3 3 2 \GREOHSURFHVDGR. 3 3 2 E(OFRQYHUWLGRUWUDQVILHUHWRGDODSRWHQFLDTXHVHWRPDGHODHQWUDGD3 2 F(OFRQYHUWLGRUWUDQVILHUHVyORODSRWHQFLDTXHVHH[WUDHGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR. 3 3 2 Si se toma como ejemplo la topología SII-F2, se pue<strong>de</strong> dividir el diagrama <strong>de</strong> bloques en dos<strong>con</strong>vertidores que transfieren cada uno <strong>de</strong> ellos una potencia diferente:• &RQYHUWLGRU : Transfiere toda la potencia tomada <strong>de</strong> la entrada que, asumiendorendimiento unidad, es igual a la potencia entregada a la carga, P O . (Ver figura 5.55.b). Sise establece un balance <strong>de</strong> potencia para este <strong>con</strong>vertidor, se obtiene la expresión (5.96):205


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,pò01× 3 w W ×GwW =p( 3 2(5.90)Sustituyendo términos se llega a la expresión (5.97) que <strong>de</strong>sarrollada se <strong>con</strong>vierte en (5.98):1p×òp0L ( w ) ( w ) w =( W × Y(W × G W 32(5.91)p2 2 52× 7&122• 92 = 9*× × × ò 6HQ(w W)× G(w W)× GwW(5.92)2×/11p0• &RQYHUWLGRU : Este <strong>con</strong>vertidor transfiere exclusivamente la potencia que se extrae <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y que se entrega a la carga por la vía <strong>de</strong> doble procesado,que resulta asumiendo rendimiento unitario, (1- K P ).P O . (Ver figura 5.55.c). Realizando unbalance <strong>de</strong> potencia se obtienen las expresiones (5.99) a (5.100):p1×ò L (;7 ( w W)× 9&1× GwW = (1 - . 3 ) × 32p (5.93)0p2 2 1 52× 7 122 = 9&1× × × ×ò G(w W)× GwW1-. 2×/(5.94)9&321p0Eliminando la tensión <strong>de</strong> salida entre las expresiones (5.98) y (5.100) se pue<strong>de</strong> obtener la expresión(5.101), que relaciona la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entrada, V G :pò226HQ(w W)× G(w W)× GwW2 2 æ / ö21= × - ×ç÷ × 0& 19*(1 . )pè /11 ø(5.95)2G(w W)× GwW9 3ò0Tal y como se justificó en el apartado 5.3.1.2, en todas las topologías SII, el ciclo <strong>de</strong> trabajo, y en<strong>con</strong>secuencia, la corriente <strong>de</strong> entrada y el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P ,<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>n <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Un <strong>con</strong>vertidor SII no entrega la misma cantidad <strong>de</strong>potencia por la vía <strong>de</strong> simple procesado cuando el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red es 85 V que cuandovale 265 V.Por tanto la expresión (5.101) <strong>de</strong>be rescribirse en (5.102) <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> expresar tal <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia:9æ /çö÷mè ø[ 1-. ( 9 )] × ( )2 2 21& 1= 9*× ç3 * 9*/ ÷ ×11(5.96)don<strong>de</strong>:206


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,pò6HQ(w W)0m ( 9 * ) =p2(5.97)G(w W)× GwWò02× G(w W)2× GwWPara ilustrar la variación <strong>de</strong> los parámetros K P y µ <strong>con</strong> V G , se ha utilizado el programa <strong>de</strong> cálculocorrespondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 72V. Para dicho <strong>con</strong>vertidor,en la figura 5.56, se han representado los valores <strong>de</strong> las funciones (1-K P (V G )) y <strong>de</strong> µ(V G ) para el rango<strong>de</strong> tensión universal.En la figura 5.56.a se pue<strong>de</strong> comprobar que las funciones (1-K P (V G )) y µ(V G ) toman valores inferioresa 1 y que este valor se reduce <strong>con</strong>forme aumenta la tensión V G , por tanto logran amortiguar el efectoque sobre la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento tiene la tensión <strong>de</strong> entrada, tal y como seobserva en la figura 5.56.b.0.450.420.390.360.330.30.270.240.210.18µ1-K Pa)110ÃGUÃGHÃ VDGRÃ99 &HQQG WRy QÃ H QÃ H RQGHQVDGRUÃ LH HOÃFQWR ÃH DPÃHFHQDFHQDPL HQVL PVLy7Q DOP10090809 &706050403020b)9 2Ã 90.1550 100 150 200 250 3007HQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃ9 () 1050 100 150 200 250 3007HQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃ9 () )LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUDXQDWHQVLyQGHVDOLGDGH9D9DULDFLyQGHODVIXQFLRQHV. 3 9 * \—9 * E9DULDFLyQGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRPue<strong>de</strong> resultar interesante comparar las expresiones para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, correspondientes: (5.95) a la <strong>con</strong>exión en cascada <strong>de</strong> dos <strong>con</strong>vertidores )O\EDFN<strong>con</strong>trolados por un mismo ciclo <strong>de</strong> trabajo (ver figura 5.51), y (5.102), que se obtiene para los<strong>con</strong>vertidores SII. En el primer caso la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada se transmite íntegra al<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento mientras que en el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, la variación <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada queda amortiguada por el efecto <strong>de</strong> K P y <strong>de</strong> µ.En <strong>con</strong>clusión, la RSHUDFLyQHQ0&' <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII así como su HVSHFLDOWRSRORJtD logranque la YDULDFLyQ GH OD WHQVLyQ GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR FRQ OD WHQVLyQ GH HQWUDGDUHVXOWHEDVWDQWHUHGXFLGD. De esta forma se impedirá que la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red en el rango<strong>de</strong> tensión universal se transmita al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, siendo posible una reducción <strong>de</strong>su tamaño. &RQFOXVLRQHVGHODQiOLVLVGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,• A lo largo <strong>de</strong>l apartado 5.3.3 se ha realizado un HVWXGLRH[KDXVWLYR acerca <strong>de</strong> los IDFWRUHVTXH GHWHUPLQDQ HO WDPDxR \ FRVWH GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR en los207


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> que <strong>de</strong>ban cumplir una especificación <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong> mantenimiento.Entre los factores <strong>con</strong> mayor importancia cabe <strong>de</strong>stacar los siguientes:- Rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento al variar elvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada o la carga.- Aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.- Topología <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga.• Los <strong>con</strong>vertidores SII operan en MCD lo que posibilita que ODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGH DOPDFHQDPLHQWR UHVXOWH LQGHSHQGLHQWH GH OD SRWHQFLD GH FDUJD. Por otro lado, ODHVSHFLDOWRSRORJtD <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores FRQVLJXHUHGXFLUHOUDQJRGHYDULDFLyQGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQHOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHUHG.Esta reducida variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento en los<strong>con</strong>vertidores SIISRVLELOLWDUHGXFLUQRWDEOHPHQWHWDQWRHOWDPDxRFRPRHOFRVWHGHHVWHFRQGHQVDGRU.• La WRSRORJtD GHO FRQYHUWLGRU GH GHVFDUJD ()O\EDFN o elevadora) correspondiente a los<strong>con</strong>vertidores SII, permite obtener valores <strong>de</strong> Gd y por tanto, H[WUDHUXQDFDQWLGDGGHHQHUJtDVLHPSUHPD\RUDO. )RUPDGHRQGDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDTodas las topologías SII presentan un <strong>con</strong>vertidor interno 2 que se <strong>con</strong>ecta a la red y que presentaestructura )O\EDFN tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 5.57. En esta figura también se muestra laforma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, i E (w t), para un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.La corriente <strong>de</strong>mandada <strong>de</strong> la red por el <strong>con</strong>vertidor, L 5(' w W, pue<strong>de</strong> calcularse promediando lacorriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, L ( w W ya que las componentes <strong>de</strong>más alta frecuencia <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada las eliminará el filtro EMI <strong>con</strong>ectado a la entrada. Laexpresión (5.104) recoge la evolución <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>manda <strong>de</strong> la red.L 5(' w WFiltroEMIConvertidor 2L ( w W'6 7 +/ / Y ( w W6 -Y ( (wW)/11L ( w WGw W, w WáL ( ñw WW7)LJXUD(VWUXFWXUDFlybackGHOFRQYHUWLGRULQWHUQRGHOGLDJUDPDGHEORTXHVGHXQDWRSRORJtD6,,&RUULHQWHGHHQWUDGDSDUDXQSHULRGRGHFRQPXWDFLyQ7( w ) = ( w ) = × 9 × 6HQ(w W)× G(w W)&L 5(' W L(W*2×/112(5.98)208


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,o bien teniendo en cuenta la expresión (5.66) pue<strong>de</strong> expresarse tal y como se recoge en (5.90):L5('7&( w W)= L(( w W)= × 9*× 6HQ(w W)× 32× Y ( w W,9*, 9&1,Q1....)2×/112(5.99)Como se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir <strong>de</strong> las expresiones (5.89) y (5.90), las variaciones que se producen en lacorriente <strong>de</strong> red serán las mismas que sufre el ciclo <strong>de</strong> trabajo. De esta manera, la corriente <strong>de</strong> redpresenta una forma <strong>de</strong> onda que se mantiene, salvo en la escala, al variar la potencia <strong>de</strong> carga. Por el<strong>con</strong>trario, y al igual que ocurre <strong>con</strong> el ciclo <strong>de</strong> trabajo, la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> la red sí<strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Ver figura 5.34.209


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 'LVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,El análisis <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII como primera parte <strong>de</strong>l Estudio Estático <strong>de</strong> los mismos, hapermitido <strong>con</strong>ocer un aspecto fundamental <strong>de</strong>l funcionamiento y características <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores<strong>CA</strong> /<strong>CC</strong> como es el hecho <strong>de</strong> que el equilibrio energético, o régimen permanente, se establece en los<strong>con</strong>vertidores SII <strong>de</strong> manera que se <strong>de</strong>termina un valor para la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y una ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.Estos dos valores pue<strong>de</strong>n modificarse mediante la selección a<strong>de</strong>cuada <strong>de</strong> las inductancias <strong>de</strong> cada una<strong>de</strong> las topologías SII, o tal y como se abordará, en el siguiente estudio, también seleccionando losvalores <strong>de</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño que se <strong>de</strong>finieron en el aparatado 5.2.1.3.En el presente apartado se abordará el diseño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, en primer lugar se <strong>de</strong>scribirá lainfluencia, que sobre cada uno <strong>de</strong> los valores característicos, tiene cada uno <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong>diseño, <strong>de</strong>stacando, cuando existan, las particularida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> cada topología. Posteriormente se<strong>de</strong>scribirá el proceso <strong>de</strong> diseño completo, por medio <strong>de</strong> un ejemplo y finalmente se presentaránalgunos <strong>de</strong> los diseños más favorables que se pue<strong>de</strong>n realizar <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. ,QIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxRCuando se varían los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño, en cualquiera <strong>de</strong> las topologías SII,realmente se está variando el punto <strong>de</strong> equilibrio energético que como ya se ha estudiado secaracteriza por un valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y por una ley <strong>de</strong> variación<strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo.La influencia que tienen los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre la ley <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo impone elcomportamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor: tanto por uno <strong>de</strong> simple procesado, valores <strong>de</strong> las corrientes yrendimiento, forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada y cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la norma IEC61000-3-2, pero sin embargo, estudiar la forma <strong>de</strong> onda que adquiere el ciclo <strong>de</strong> trabajo noproporciona una información comparable al efecto <strong>de</strong>l diseño sobre los valores característicos, aunquela <strong>con</strong>formación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo sea el punto <strong>de</strong> partida. Por tanto se estudiará la influencia <strong>de</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño sobre:• Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.• Tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado y rendimiento.• Forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.La ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la variación <strong>de</strong> un <strong>de</strong>terminado valor característico, <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño, será<strong>de</strong>terminada mediante unos gráficos (obtenidos a su vez <strong>con</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo) y resultará serel elemento clave <strong>de</strong> este estudio, permitiendo a<strong>de</strong>más diseñar los <strong>con</strong>vertidores SII. El número <strong>de</strong> losgráficos, que se pue<strong>de</strong>n trazar al respecto, resulta bastante elevado <strong>de</strong>bido a: la existencia <strong>de</strong> hasta seistopologías <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la familia SII, a los numerosos grados <strong>de</strong> libertad que presentan, para su diseño,cada uno <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, así como a los valores que estos grados <strong>de</strong> libertad pue<strong>de</strong>n tomar.Para lograr que la extensión <strong>de</strong> los apartados <strong>de</strong> diseño no sea excesiva y ya que el resultado que sequiere plasmar es exclusivamente una ten<strong>de</strong>ncia, y esta se <strong>con</strong>serva <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> los valores<strong>con</strong>cretos, sólo se representarán aquellos gráficos que se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ren más representativos.210


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, ,QIOXHQFLD GH ORV SDUiPHWURV GH GLVHxR VREUH HO WDPDxR GHO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWREl tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento viene <strong>de</strong>terminado, no sólo por el valor puntual quepueda adquirir la tensión en este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador sino, y posiblemente más importante, también por elrango <strong>de</strong> variación en el que pueda encuadrarse esta tensión al variar el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada. Por tanto se van a distinguir tres valores característicos, que <strong>de</strong>finen el rango <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, y que por tanto, <strong>de</strong>terminarán el tamaño <strong>de</strong> dicho<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.• V C1@85 : Representa el menor valor posible que pue<strong>de</strong> tomar la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, y correspon<strong>de</strong> al valor mínimo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red para el rango<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado, que en el caso <strong>de</strong> tensión universal pue<strong>de</strong> fijarse en 85 V EF. .• V C1@265 : Máximo valor para V C1 , que para rango <strong>de</strong> tensión universal correspon<strong>de</strong>rá a 265V EF. .• D V C1 : Variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento ante un rango <strong>de</strong>tensión <strong>de</strong> entrada. D V C1 = V C1@265 - V C1@85 .En la figura 5.58 se representan estos valores característicos <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, junto <strong>con</strong> los valores comerciales, más habituales, <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, (que en a<strong>de</strong>lante se <strong>de</strong>nominará V RUPT. ) y que se han resaltado mediante unas franjas endistinta escala <strong>de</strong> grises.9 2 ÃÃ99 2 ÃÃ9Ã9 2 ÃÃ9ÃHÃUÃGRVDGHQGQROÃFÃHQÃHQVLyHQ7Ã911010090809 &70WRQ60LHDPDFHQDOP504030209 &#9 &#'9 &100 V63 V50 V35 V25 V7HQVLyQÃGHÃUXSWXUD1050 100 150 200 250 3007HQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃ9 () )LJXUD9DORUGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRUUHVSRQGLHQWHDOFRQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUDWUHVWHQVLRQHVGHVDOLGDGLIHUHQWHV6HKDQUHSUHVHQWDGRWDPELpQORVYDORUHVFDUDFWHUtVWLFRVGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRD 9 & 9 &# \9 &# DVtFRPRYDORUHVFRPHUFLDOHVGHODWHQVLyQGHUXSWXUDPara disminuir el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento será necesario diseñar los <strong>con</strong>vertidoresSII <strong>de</strong> manera que el valor V C1@265 se aproxime a una <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong> ruptura normalizadas paraaprovechar mejor el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. Será necesario también, <strong>con</strong>seguir elevar, tanto como se pueda,V C1@265 <strong>de</strong> manera que se reduzca en lo posible el valor <strong>de</strong> la capacidad necesaria para asegurar lasespecificaciones <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong> mantenimiento y potencia <strong>de</strong> salida.211


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,5.4.1.1.1 Influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.La influencia <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre las tensiones V C1@85 y V C1@265 se van a estudiarutilizando la topología SII-F1-SS, por ser ésta la que posee un mayor número <strong>de</strong> grados <strong>de</strong> libertadpara su diseño.9DULDFLyQGH9 &# La máxima tensión que se alcanza en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento viene impuesta por latopología. Este hecho se relaciona <strong>con</strong> la <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ración funcional <strong>de</strong> diseño que establece, tal y comose estudió en el apartado 4.4.4, que para que se pueda recargar la energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento es necesario que se verifiquen los requisitos recogidos en la tabla 5.4:&RQYHUWLGRU *UXSR 3RODUL]DFLyQ' $8; (WDSDSII-B2, SII-B1, SII-B-2D, SII-F2 V C1 -L 9 & 1< 92SII-F1SII-F1-SS39& 1< 92× º 9&< 92× Q12V C1 -HL 1237DEOD&RQVLGHUDFLyQIXQFLRQDOGHGLVHxRTXHGHWHUPLQDHOPi[LPRYDORUSDUDODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUWLFXODUL]DGDSDUDFDGDWRSRORJtDGHODIDPLOLD6,,Como se pue<strong>de</strong> comprobar en la tabla 5.4, la tensión <strong>de</strong> salida supone una cota superior a la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Para el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS pue<strong>de</strong>diseñarse la relación <strong>de</strong> transformación entre los <strong>de</strong>vanados secundario y terciario <strong>de</strong>l transformadorT 1 <strong>de</strong> manera que se podrá seleccionar el valor <strong>de</strong> esta cota superior y por tanto <strong>de</strong> la tensión V C1@265 .Por ejemplo, para un <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS que <strong>de</strong>ba proporcionar 56 V <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> salida, y para elque se preten<strong>de</strong> utilizar <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 63 V <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> ruptura, basta seleccionar n 23 = 1.1 paralimitar a 61 V la máxima tensión que pueda aparecer en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Estaposibilidad es <strong>de</strong> gran importancia ya que permite por un lado, almacenar la energía a tensionessuperiores a la <strong>de</strong> salida y por otro aprovechar al máximo la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.Sin embargo en las topologías SII pertenecientes al grupo V C1-L (ver tabla 5.4 y figura 3.12), la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>berá ser siempre inferior a la tensión <strong>de</strong> salida. En este caso,por ejemplo, un <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D que <strong>de</strong>ba proporcionar 56 V <strong>de</strong> salida podrá utilizar<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 35 V y 50 V, que requerirán <strong>de</strong> un diseño más ajustado <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong> los parámetros<strong>de</strong> diseño para que la tensión V C1@265 no supere los 50 V y para <strong>con</strong>seguir al mismo tiempo que el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento presente un tamaño reducido. Para este <strong>con</strong>vertidor el uso <strong>de</strong><strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 63V supondría un incremento en el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador ya que éstos estaríanmás <strong>de</strong>saprovechados.Un último aspecto general que <strong>con</strong>viene <strong>de</strong>stacar <strong>de</strong> la tensión V C1@265 es que su valor va a ser pocovariable <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. A<strong>de</strong>más <strong>de</strong>l hecho ya tratado, <strong>de</strong> la existencia <strong>de</strong> una cotasuperior al valor <strong>de</strong> V C1 , <strong>de</strong> manera cualitativa se pue<strong>de</strong> argumentar, que para valores elevados <strong>de</strong> latensión eficaz <strong>de</strong> entrada, K P es elevado (ver apartado 5.3.2.5) y por tanto la potencia que se transfierea C 1 y <strong>de</strong>spués se extrae <strong>de</strong> éste, es reducida, resultando la variación que experimentará su tensión1212


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,inferior a la que correspon<strong>de</strong> si la energía, que <strong>de</strong>be almacenar y <strong>de</strong>spués ce<strong>de</strong>r, aumenta.9DULDFLyQGH9 &# Por el <strong>con</strong>trario, el valor V C1@85 va a ser mucho más <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la selección que se haga <strong>de</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño, ya que no existe ningún límite inferior a esta tensión y porque a<strong>de</strong>más cuantomenor es la tensión eficaz <strong>de</strong> entrada, mayor es la variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.,QIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxRVREUH9 &# \9 &# En la tabla 5.5, se recogen los gráficos, sobre la influencia los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre V C1 .Valores absolutosV C1@265 y V C1@85Variación normalizada:D V C1 / V C1@2659DULDFLyQUHVSHFWRGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQGH7 Q UÃRVDG Ã9HQGQWRRQLHOÃFÃH DPQÃHQ DFHQVLyOPHQHÃD7G4035309 &2520151050V C1@265 , n 1 =1,7V C1@265 , n 1 =1,3V C1@85 , n 1 =1,7V C1@85 , n 1 =1,30.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.25HODFLyQÃGHÃWUDQVIRUPDFLyQÃGHÃ7 ÃQ DÃDGDOL]UPRÃQ 9 &#QFLyDULD90.400.350.300.250.209 &# 9& 0.159 &n 1 =1,7'0.10n 1 =1,30.050.000.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.25HODFLyQÃGHÃWUDQVIRUPDFLyQÃGHÃ7 ÃQ 9DULDFLyQUHVSHFWRGHODUHODFLyQGHLQGXFWDQFLDVDUÃRVDG Ã9HQGQWRRQLHOÃFÃH DPQÃHQ DFHQVLyOPHQHÃD7G5045409 &35302520151050V C1@265 , n 23 =1V C1@265 , n 23 =0,8V C1@85 , n 23 =1V C1@85 , n 23 =0,81 2 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃDDÃDGDOL]UPRÃQQFLyDULD90.400.350.300.259 9 &#0.209 9&& 0.15'0.100.050.00n 23 =1n 23 =0,81 2 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQGH7 Q UÃRVDG Ã9HQGQWRRQLHOÃFÃH DPQÃHQ DFHQVLyOPHQHÃD7G5045409 &35302520151050V C1@265 , n 23 =1V C1@265 , n 23 =0,8V C1@85 , n 23 =1V C1@85 , n 23 =0,80.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7DÃDGDOL]UPRÃQQFLyDULD90.500.450.400.350.309 0.259 &#0.209 9&&'0.150.100.050.00n 23 =1n 23 =0,80.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.75HODFLyQÃGHÃWUDQVIRUPDFLyQÃGHÃ7 ÃQ 5HODFLyQÃGHÃWUDQVIRUPDFLyQÃGHÃ7 ÃQ 7DEOD7HQGHQFLDVGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\GHVXYDULDFLyQQRUPDOL]DGDFRQORVSDUiPHWURVGHGLVHxR213


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,En el apartado anterior se <strong>de</strong>scribió la influencia que presenta el parámetro n 23 sobre la tensiónV C1@265 . Por tanto, los gráficos que se recogen en la tabla 5.5 muestran la influencia <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong>parámetros <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS que en este caso <strong>con</strong>creto se ha diseñado para unatensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 48 V.Las ten<strong>de</strong>ncias que se recogen <strong>de</strong> los gráficos <strong>de</strong> la tabla 5.5 son válidas para los <strong>con</strong>vertidores SII-F2,SII-F1 ya que al igual que el SII-F1-SS, presentan topología )O\EDFN en ambos <strong>con</strong>vertidores internos.Sin embargo, los <strong>con</strong>vertidores SII-B1 y SII-B2 representan una excepción en cuanto a la influencia<strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 2 . Sólo en el caso <strong>de</strong> este parámetro <strong>de</strong> diseño existe diferenciarespecto <strong>de</strong> las ten<strong>de</strong>ncias mostradas para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS y éstas se recogen en la tabla 5.6.Valores absolutosV C1@265 y V C1@85Variación normalizada:D V C1 / V C1@2659DULDFLyQUHVSHFWRGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQGH7 Q UÃRVDG Ã9HQGQWRy QÃ H QÃ H RQGHQVDGRUÃ QLHOÃFÃH DPÃHDFHQVLyOPQHQVL HÃD7 G35309 &2520151050V C1@265 , n 1 =1,4V C1@265 , n 1 =1V C1@85 , n 1 =1,4V C1@85 , n 1 =10.5 0.6 0.7 0.8 0.9DÃDGDOL]UPRÃQQFLyDULD90.600.500.409 9 &#0.309 9&&'0.200.100.00n 1 =1.4n 1 =10.5 0.6 0.7 0.8 0.95HODFLyQÃGHÃWUDQVIRUPDFLyQÃGHÃ7 ÃQ 5HODFLyQÃGHÃWUDQVIRUPDFLyQÃGHÃ7 ÃQ 7DEOD&RQYHUWLGRUHV6,,%\6,,%7HQGHQFLDVGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\GHVXYDULDFLyQQRUPDOL]DGDFRQODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQGHOWUDQVIRUPDGRU7 Q La razón <strong>de</strong> que la influencia, que sobre V C1 tiene el parámetro n 2 , resulte diferente en los<strong>con</strong>vertidores SII que presentan topología )O\EDFN o elevadora en su <strong>con</strong>vertidor interno 1, no se <strong>de</strong>betanto a las diferencias <strong>de</strong> funcionamiento entre las topologías básicas elevadora y )O\EDFN sino a laparticipación, en la <strong>con</strong>formación <strong>de</strong> la corriente que circula por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,<strong>de</strong> la inductancia L 22 y al valor que ésta toma para los distintos valores <strong>de</strong> n 2 .En la figura 5.59 se han representado los esquemas <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII-B2 y SII-F2, así como lacorriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento para un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. En la figura 5.59.ase pue<strong>de</strong> observar, que para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, la forma <strong>de</strong> la corriente mediante la cual setransfiere energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento hacia la carga se <strong>con</strong>forma <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> L 22 .Por el <strong>con</strong>trario, tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 5.59.b, en el <strong>con</strong>vertidor SII-F2, la corriente<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento adquiere una forma distinta <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> L 21 sin quela inductancia L 22 tenga influencia alguna.Teniendo en cuenta el proceso mediante el cual, a partir <strong>de</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño,se fijan los valores <strong>de</strong> las inductancias L 11 , L 12 , L 21 y L 22 se podrá justificar el porqué, <strong>de</strong>l diferentecomportamiento respecto <strong>de</strong> n 2 .Con el parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, K y <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 1 se habrán fijado losvalores <strong>de</strong> L 11 y L 12 . Posteriormente fijando la relación <strong>de</strong> inductancias, a , se proporcionará valor aL 21 y por último, a partir <strong>de</strong> L 21 , mediante n 2 se fijará el valor <strong>de</strong> L 22 . Por esta razón, aunque en el214


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>vertidor SII-F2, n 2 tome un valor diferente y por tanto también L 22 , la influencia sobre la tensión enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es bastante reducida ya que L 22 no interviene el la forma queadquiere la corriente por C 1 . En el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 se produce el proceso <strong>con</strong>trario y la tensión enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento es bastante más sensible a las variaciones <strong>de</strong> n 2 . Para los<strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS se pue<strong>de</strong>n extraer idénticas <strong>con</strong>clusiones a las que se han expuestopara el <strong>con</strong>vertidor SII-F2, y <strong>de</strong> igual manera, el <strong>con</strong>vertidor SII-B1 tiene un comportamientosemejante al, ya expuesto, para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2.5 Q 7 7 Q 5 / / '6 ' $8; Q '6 / / / / & 2 5 26 6 & 7 '6 ' $8;7 Q 6 / / 6 & 2 5 2& L 9 2 - 9&1,S 9 & & & 1/21/12+/21W7,S / 9 2 L - 9&1& ,S 9 & & 1/21/12+/21W7,S /99 2 -9&1& 1//2222a)9 & 1/21b))LJXUD3DUWLFLSDFLyQGHODLQGXFWDQFLD/ HQODFRUULHQWHGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHQODVWRSRORJtDVD6,,%\E6,,)A la vista <strong>de</strong> las curvas representadas en la tablas 5.5 y 5.6 pue<strong>de</strong>n extraerse las siguientes<strong>con</strong>clusiones:• La variación <strong>de</strong> la tensión V C1@265 es, en todos los casos, bastante reducida, tal y como sejustificó en el apartado anterior. Esta tensión, prácticamente no se ve afectada por losvalores <strong>de</strong> n 1 , n 2 y a y sólo varía sensiblemente <strong>con</strong> el valor que adquiera n 23 ya que seimpone <strong>con</strong> este parámetro, la cota superior a la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.• El parámetro que más afecta a la tensión V C1@85 es la relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>ltransformador T 1 , n 1 . El valor V C1@85 crece al aumentar n 1 y dado que la tensión V C1@265 esprácticamente <strong>con</strong>stante, la variación D V C1 se reduce al aumentar n 1 .• La relación <strong>de</strong> inductancias, a , tiene una influencia prácticamente <strong>de</strong>spreciable, resultandoligeramente mayor cuando crece n 23 ya que se extien<strong>de</strong> el rango en el cual pue<strong>de</strong> variar V C1 .• En los <strong>con</strong>vertidores SII-F1, SII-F1-SS y SII-F2, la relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>ltransformador T 2 , n 2 , tiene una influencia <strong>de</strong>spreciable sobre la tensión V C1@85 , esta tensión<strong>de</strong>crece ligeramente al aumentar n 2 y por tanto crecerá también ligeramente la variaciónD V C1 .Por el <strong>con</strong>trario, en los <strong>con</strong>vertidores SII-B1 y SII-B2, la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento crece, <strong>de</strong> manera sensible, al incrementarse n 2 .5.4.1.1.2 Tabla <strong>de</strong> volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Una vez que se <strong>con</strong>oce cómo seleccionar los parámetros <strong>de</strong> diseño, <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, paraobtener los valores a<strong>de</strong>cuados <strong>de</strong> V C1@85 y V C1@265 es necesario un método que traduzca, <strong>de</strong> forma215


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,7HQVLRQHVÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOHVÃ9 3.07 3.07 9ROXPHQ3.07 50ÃFP 3.07 3.07 50ÃFP 4.62 50ÃFP 4.62 50ÃFP 4.62 4.62 * Volumen exterior4.62 aproximado, núcleo + carrete4.91 4.91 4.91 4.91 4.91 5.03 5.03 6.14 6.14 6.14Ã9 3.14 6.14 3.14 6.14 3.14 6.14 3.14 6.14Ã9 &# 3.14 6.14WRQ 3.14 6.14LH 3.14 6.14 4.05 8.67DP 4.05 8.67 4.62 9.03DFHQ 4.62 9.03OP 4.62 9.03 4.62 9.03HÃD 3.07 4.71 9.03UÃG 3.07 4.71 9.03R 3.07 4.71 9.03 3.07 4.71 9.03VDG 3.07 4.71 9.03HQ 4.71 6.28 12.27GQ 4.71 6.28 12.27R 4.71 6.28 12.27OÃF 4.71 6.28 12.27ÃH 4.71 6.28 12.27QÃH 4.71 6.28 12.27Q 4.71 7.36 15.08 6.14 7.85 15.34VLyQ 6.14 7.85 15.34 6.14 7.85 15.34DÃWH 4.62 6.14 9.03 18.07LP 4.91 6.14 9.03 18.07tQ 4.91 6.14 9.03 18.070 5.03 6.33 9.03 21.48 6.28 7.85 11.00 21.48 6.33 9.03 12.57 24.54 6.33 9.03 12.57 24.54 6.33 9.03 14.14 27.10 6.33 9.03 14.14 27.10 6.33 9.03 15.71 30.68 6.14 9.03 12.27 17.28 33.75 6.14 9.03 12.27 18.07 36.13 6.14 9.03 12.67 18.07 39.88 6.33 9.03 15.34 21.99 42.95 7.85 12.27 15.34 25.13 45.17 9.03 12.67 18.07 26.70 52.16 9.03 12.67 18.07 27.10 58.29 11.00 17.18 21.48 32.99 63.24 12.27 18.07 24.54 36.13 72.27 12.67 18.07 27.10 42.41 81.30 15.34 25.13 31.67 45.17 95.11 18.07 25.33 36.13 54.20 108.40 19.00 27.10 42.95 63.24 126.47)LJXUD7DEODGHYROXPHQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUDXQSURGXFWR3RWHQFLDGHVDOLGDDSOHQDFDUJD[WLHPSRGHPDQWHQLPLHQWRGH-&RQGHQVDGRUHV3$1$621,&6HULH0rápida y directa, estos valores a tamaño o volumen enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong>lograr que la selección <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseñoresulte efectiva.Por otro lado, si se preten<strong>de</strong> comparar entre lasdistintas topologías SII y sus posibles diseños, eincluso comparar estos <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> otrospertenecientes al mismo estado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII, en cuanto al volumen que ocupa el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, resulta muy útil<strong>con</strong>feccionar una tabla que relacione el volumen <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>con</strong> la tensión a la que se almacena laenergía y <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura normalizada.A tal efecto, la capacidad mínima <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador seestimará utilizando la expresión (5.66), que se repite en(5.106) por comodidad. En ésta expresión, no se hatenido en cuenta la tensión final en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, para po<strong>de</strong>r comparar topologías <strong>de</strong>familias distintas, <strong>de</strong> las que en principio se <strong>de</strong>s<strong>con</strong>ocela capacidad <strong>de</strong> regulación, y sus diferentes valores <strong>de</strong>diseño.&1, 0,12×3=9× 72,3& 02& 1@85(5.100)La tabla <strong>de</strong> volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento se representa en la figura 5.60 yrecoge los valores que se obtienen al aplicar (5.106),<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando un producto potencia <strong>de</strong> salida a plenacarga por tiempo <strong>de</strong> mantenimiento <strong>de</strong> 1 J y utilizando<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores PANASONIC Serie M.Las filas <strong>de</strong> esta tabla, se i<strong>de</strong>ntifican por el valorV C1@85 , y las columnas por las tensiones <strong>de</strong> rupturacomerciales más habituales, que no <strong>de</strong>berán sersobrepasadas por la tensión V C1@265 .En la tabla <strong>de</strong> volumen se han marcado en gris todosaquellos valores superiores a 19 cm 3 , volumen <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador requerido, ante operación <strong>de</strong> entradauniversal, por aquellos <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> quepresentan una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento enclavada al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> red. Estos mismos <strong>con</strong>vertidores, sinembargo, necesitan para rango europeo, un216


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> tan sólo 4,71 cm 3 (compárese <strong>con</strong> el volumen <strong>de</strong> un RM8). Por tanto aquellassoluciones que <strong>con</strong>sigan para cada tensión <strong>de</strong> ruptura almacenar a una tensión superior a las que seencuentran por encima <strong>de</strong> la línea negra, presentarán, para rango europeo, un menor volumen que los<strong>de</strong>nominados “<strong>con</strong>vertidores enclavados”.Al objeto <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r comparar los volúmenes recogidos en la figura 5.60 <strong>con</strong> un volumen <strong>con</strong>ocido, sehan incluido los volúmenes <strong>de</strong> algunos a componentes magnéticos correspondiente a núcleos RM8,RM10, RM12 y RM14 calculados <strong>de</strong> manera aproximada al <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar un prisma que <strong>con</strong>tuviese elnúcleo y el carrete.Algunas <strong>con</strong>clusiones pue<strong>de</strong>n extraerse directamente <strong>de</strong> la observación <strong>de</strong> la tabla <strong>de</strong> volumenrepresentada en la figura 5.60:• Si se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra una variación fija <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, D V C1 ,almacenar a mayor tensión supone una reducción <strong>de</strong>l volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. Tomandopor ejemplo V C1@85 = 0.6 x V RUP , se obtienen los datos recogidos en la tabla 5.7.• Ahora bien, si se almacena energía a una tensión más reducida, es posible, o al menos asíocurre en los <strong>con</strong>vertidores SII, que el rango <strong>de</strong>variación <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento también se reduzca (ver figura 5.58comparando D V C1 para las tres tensiones <strong>de</strong> salidaV RUP .25V C1@8515Vol. (cm 3 )12.67representadas). Por tanto se pue<strong>de</strong>n obtener resultadossimilares para tensiones <strong>de</strong> 35V a 100V.• Para tensión <strong>de</strong> entrada universal, en los<strong>con</strong>vertidores SII, no se requiere un diseñoexcesivamente exigente para reducir el volumen <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento respecto <strong>de</strong>l querequieren los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, que presentanuna tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento enclavada al valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> red.• Sin embargo si se preten<strong>de</strong> obtener el mismo resultado para tensión <strong>de</strong> entrada en rangoeuropeo, el diseño va a resultar más restrictivo ya que la propia variación <strong>de</strong> la red, en esterango, es muy reducida, <strong>de</strong> 1:1.41 (1: 265/187). Solamente si se realiza un diseño <strong>de</strong> unatopología SII que pueda almacenar energía hasta 50 V, 63 V o hasta 100 V, se lograráreducir el volumen respecto <strong>de</strong> los “<strong>con</strong>vertidores enclavados”.Teniendo en cuenta la tabla <strong>de</strong> volumen representada en la figura 5.60 podrá <strong>de</strong>terminarserápidamente el volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento según se vayan modificando los valoresV C1@85 y V C1@265 <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. 7DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR35 21 9.0350 30 7.8563 37.8 7.36100 60 6.147DEOD9ROXPHQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUDXQD 9 & FRQVWDQWHLa influencia que tienen los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simpleprocesado, K P , es la misma en todos los <strong>con</strong>vertidores SII. Para ilustrar la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong>los parámetros <strong>de</strong> diseño sobre K P se ha elegido <strong>de</strong> nuevo la topología SII-F1-SS. Los datos extraídos217


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo se recogen en la tabla 5.8.0.90.850.80.750.70.650.60.550.50.45valor <strong>de</strong> K P menor.9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 7DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 2 =1,5n 2 =1n 2 =0,50.41 2 3 4 5 6 70.90.850.80.750.70.650.60.550.50.455HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 7DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 1 =1,5n 1 =1n 1 =0,50.41 2 3 4 5 6 70.90.850.80.750.70.650.60.550.50.450.45HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 7DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,22 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD7HQGHQFLDVGHOWDQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGRFRQORVSDUiPHWURVGHGLVHxRLos gráficos, que recogen la variación <strong>de</strong> K Prespecto <strong>de</strong> n 2 y a y respecto <strong>de</strong> n 1 y a, se hanrealizado para el valor fijo n 23 = 1. De estamanera, los datos obtenidos correspon<strong>de</strong>ntambién a los que proporcionaría el programa<strong>de</strong> cálculo correspondiente a la topología SII-F2, ya que a efectos <strong>de</strong> K P , ésta es unaparticularización <strong>de</strong> la topología SII-F1-SS.A la vista <strong>de</strong> las curvas representadas en latabla 5.8 pue<strong>de</strong>n extraerse las siguientes<strong>con</strong>clusiones:• El parámetro que más afecta a K P es larelación <strong>de</strong> inductancias, a . K P <strong>de</strong>creceal incrementarse a .• Las relaciones <strong>de</strong> transformación n 1 yn 2 , presentan idéntica ten<strong>de</strong>ncia,haciendo crecer K P cuando tomanvalores mayores.• Si se incrementa la relación <strong>de</strong>transformación n 23 , se imponen valoresinferiores <strong>de</strong> K P .La inductancia L 11 viene impuesta paraasegurar el MCD en el equilibrio energéticoque se produce para las tensiones <strong>de</strong> entrada ysalida, y potencia <strong>de</strong> carga especificadas. Portanto un aumento <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong>inductancias impondrá un valor menor paraL 21 . En <strong>con</strong>secuencia, las corrientes quecirculan por la vía <strong>de</strong> doble procesadoaumentarán y por tanto en el nuevo régimenpermanente la transferencia <strong>de</strong> potencia poresta vía resultará mayor imponiéndose unEs importante recordar la relación existente <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado <strong>con</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada y <strong>con</strong> el rendimiento; esta relación fue <strong>de</strong>scrita en los apartados 5.3.2.1 y 5.3.2.2respectivamente. Estas dos magnitu<strong>de</strong>s siempre presentan una ten<strong>de</strong>ncia <strong>con</strong>trapuesta, <strong>de</strong> manera queun <strong>con</strong>vertidor SII, que por diseño o <strong>de</strong>bido al valor que tome <strong>de</strong> la tensión eficaz <strong>de</strong> entrada presenteun valor <strong>de</strong> K P más elevado, presentará también un mejor rendimiento pero una forma <strong>de</strong> onda <strong>con</strong> un<strong>con</strong>tenido armónico mas cerca <strong>de</strong> los límites impuestos por la norma IEC 61000-3-2.218


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 5HQGLPLHQWRFRUULHQWHVGHSLFR\HILFDFHVLa relación entre el rendimiento y el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado se estableció en elapartado 5.3.2.2. Sin embargo, pue<strong>de</strong> resultar interesante, no sólo <strong>de</strong>ducir la evolución <strong>de</strong>l rendimiento<strong>de</strong> forma indirecta, a partir <strong>de</strong> K P , sino a<strong>de</strong>más, <strong>con</strong>tar <strong>con</strong> información <strong>de</strong> cómo los parámetros <strong>de</strong>diseño afectan al rendimiento y a las corrientes que circulan a través <strong>de</strong> los componentes <strong>de</strong> lastopologías SII.Para ello se van a utilizar <strong>de</strong> nuevo los programas <strong>de</strong> cálculo, obteniéndose las ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong> laevolución, <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño, <strong>de</strong>l rendimiento y <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> pico por lasinductancias L 11 y L 21 , ya que éstas, son una medida compacta <strong>de</strong> como evolucionan las corrientesmedias y eficaces en los principales componentes <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. La corriente I 11 es el valor<strong>de</strong> pico que adquiere la corriente por el <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 1 para el ángulo <strong>de</strong> red w t = p /2, portanto la máxima corriente por L 11 . Sin embargo, I 21 correspon<strong>de</strong> al ángulo <strong>de</strong> red w t = 0 siendotambién éste, el máximo valor <strong>de</strong> la corriente que atraviesa L 21 .En la tabla 5.9 se presentan los gráficos que recogen la influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 23 ,en <strong>con</strong>junción <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias a .9DULDFLyQUHVSHFWRGHD\Q 7DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.90.850.80.750.77DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3302520&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , 0.650.60.550.50.450.4n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD151050n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD5HQGLPLHQWR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.95HQGLPLHQWR30&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , 0.85250.8200.750.70.65n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,415105n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,40.62 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD02 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD,QIOXHQFLDGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQQ HQFRQMXQFLyQFRQODUHODFLyQGHLQGXFWDQFLDVa, VREUHOD. 3 HOUHQGLPLHQWR\ODVFRUULHQWHVGHSLFRPiVVLJQLILFDWLYDVHQHOFRQYHUWLGRU6,,)66/RVFRQYHUWLGRUHV6,,)\6,,)SUHVHQWDQWHQGHQFLDVVHPHMDQWHVSiguiendo el procedimiento utilizado hasta el momento, se han presentado las ten<strong>de</strong>ncias obtenidaspara el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS (por ser esta topología la que más grados <strong>de</strong> libertad presenta en cuantoa su diseño), y se van a completar <strong>con</strong> aquellas particularida<strong>de</strong>s o excepciones que otras topologías SII219


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,puedan presentar. Todos los resultados que se presentan en las tablas 5.9 a 5.12 han sido obtenidospara una tensión <strong>de</strong> entrada eficaz <strong>de</strong> 85 V y una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 48 V. Los valores <strong>de</strong> K P y elrendimiento hubieran sido mas elevados si se hubieran elegido unas tensiones superiores, sin embargolo que se preten<strong>de</strong> es <strong>de</strong>terminar las ten<strong>de</strong>ncias y no tanto los valores <strong>con</strong>cretos.Pue<strong>de</strong> observarse, en la tabla 5.9, como el crecimiento <strong>de</strong> n 23 lleva asociado un menor valor <strong>de</strong> K P ,mayores corrientes y un menor rendimiento. Así mismo, tal y como se presentó en el apartadoanterior, la influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias sobre el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simpleprocesado es notable. Diseñar <strong>con</strong> un valor <strong>de</strong> a mayor <strong>con</strong>lleva reducir K P y el rendimiento,aumentando las corrientes, fundamentalmente las <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1.En la tabla 5.10 se presentan los gráficos que recogen la influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 1<strong>con</strong>juntamente <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias a .9DULDFLyQUHVSHFWRGHD\Q 7DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.90.850.80.750.70.650.60.550.50.450.47DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 1 =1n 1 =1,2n 1 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD302520151050&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , n 1 =1n 1 =1,2n 1 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD5HQGLPLHQWR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.95HQGLPLHQWR30&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , 0.85250.8200.750.70.65n 1 =1n 1 =1,2n 1 =1,415105n 1 =1n 1 =1,2n 1 =1,40.62 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD02 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD,QIOXHQFLDGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQQ HQFRQMXQFLyQFRQODUHODFLyQGHLQGXFWDQFLDVa, VREUHOD. 3 HOUHQGLPLHQWR\ODVFRUULHQWHVGHSLFRPiVVLJQLILFDWLYDVHQHOFRQYHUWLGRU6,,)66/RVFRQYHUWLGRUHV6,,)\6,,)SUHVHQWDQWHQGHQFLDVVHPHMDQWHVEl efecto que n 1 presenta sobre la corriente <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> L 11 es <strong>de</strong>spreciable. Este valor no <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> enabsoluto <strong>de</strong> n 1 sino <strong>de</strong> la potencia que ha <strong>de</strong> tomar <strong>de</strong> la entrada el <strong>con</strong>vertidor interno 2. Sin embargo,dado que L 12 viene impuesta por las magnitu<strong>de</strong>s relacionadas en el parámetro adimensional <strong>de</strong> carga(resistencia <strong>de</strong> carga, frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación y la propia inductancia L 12 7 ), si se modifica n 17 La <strong>de</strong>finición <strong>de</strong>l parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, K, se recoge en (5.3) y está referida a L 12 . Sin embargo losvalores <strong>de</strong> las inductancias L 11 o L 12 , que <strong>con</strong>siguen cada equilibrio energético asegurando a<strong>de</strong>más la operación enMCD, resultan iguales, <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> que se <strong>de</strong>fina K referida a L 11 o a L 12 . Este aspecto se <strong>de</strong>be a que el220


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,acabará variando el valor <strong>de</strong> L 21 una vez impuesto un valor a la relación <strong>de</strong> inductancias.De esta forma para L 11 fija, un aumento <strong>de</strong> n 1 provoca, para idéntico valor <strong>de</strong> a , un aumento <strong>de</strong> L 21<strong>con</strong> lo que la corriente I 21 disminuirá en <strong>con</strong>secuencia. De esta forma también se explica que el valor<strong>de</strong> K P sea mayor cuando aumenta n 1 y que, por tanto, el rendimiento también aumente.En la tabla 5.11 se presentan los gráficos que recogen la influencia <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación n 2<strong>con</strong>juntamente <strong>con</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias a .9DULDFLyQUHVSHFWRGHD\Q 7DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.97DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 340&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , 0.850.80.750.70.650.60.550.50.450.4n 2 =0,8n 2 =1n 2 =1,22 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD35302520151050n 2 =0,8n 2 =1n 2 =1,22 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD5HQGLPLHQWR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.85HQGLPLHQWR30&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , 0.7525200.70.65n 2 =0,8n 2 =1n 2 =1,215105n 2 =0,8n 2 =1n 2 =1,20.62 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD02 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD,QIOXHQFLDGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQQ HQFRQMXQFLyQFRQODUHODFLyQGHLQGXFWDQFLDVa, VREUHOD. 3 HOUHQGLPLHQWR\ODVFRUULHQWHVGHSLFRPiVVLJQLILFDWLYDVHQHOFRQYHUWLGRUHV6,,)66/RVFRQYHUWLGRUHV6,,)\6,,)SUHVHQWDQWHQGHQFLDVVHPHMDQWHVComo se <strong>de</strong>scribía al final <strong>de</strong>l apartado 5.4.1.1.1, en los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> topología )O\EDFN en el<strong>con</strong>vertidor interno 1, el valor <strong>de</strong> la corrientes <strong>de</strong> pico I 11 e I 21 no se ven afectadas por el valor quetome la relación <strong>de</strong> transformación n 2 (ver figura 5.59.b). Este hecho se corrobora <strong>con</strong> los resultadosque proporcionan los programas <strong>de</strong> cálculo, tal y como se refleja en la tabla 5.11. Aunque el tanto poruno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado sufre un ligero aumento al disminuir n 2 , la influencia sobre elrendimiento resulta <strong>de</strong>spreciable.Ahora bien, en los <strong>con</strong>vertidores SII-B1 y SII-B2, tal y como se observa en la figura 5.59.a, lacorriente extraída <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y cedida a la carga se relaciona <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong>L 22 . Por tanto, una vez fijados los valores <strong>de</strong> L 11 , L 12 y L 21 a través <strong>de</strong> K, n1 y a , el valor <strong>de</strong> n 2equilibrio energético <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> realmente <strong>de</strong> las dos inductancias <strong>de</strong> cada topología SII, no sólo <strong>de</strong> una <strong>de</strong> ellas, aunqueL 11 o L 12 tengan un mayor peso que L 21 .221


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>de</strong>terminará el valor <strong>de</strong> L 22 . En estos <strong>con</strong>vertidores, si n 2 disminuye L 22 disminuirá <strong>con</strong> el cuadrado <strong>de</strong>n 2 y teniendo en cuenta que n 2 < 1 es un requisito funcional <strong>de</strong> las topologías SII-B1 y SII-B2 (verapartado 4.4.4), los valores <strong>de</strong> L 22 pue<strong>de</strong>n llegar a reducirse notablemente.9DULDFLyQUHVSHFWRGHD\Q 7DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.90.850.80.750.70.650.60.550.50.450.47DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 2 =0,5n 2 =0,7n 2 =0,92 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD100806040200&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , n 2 =0,5n 2 =0,7n 2 =0,92 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD5HQGLPLHQWR&RUULHQWHGHSLFRSRUODLQGXFWDQFLD/ 0.90.850.85HQGLPLHQWRn 2 =0,5n 2 =0,7n 2 =0,9302520&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃSRUÃODÃLQGXFWDQFLDÃ/ , 0.750.715105n 2 =0,5n 2 =0,7n 2 =0,90.652 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD02 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD,QIOXHQFLDGHODUHODFLyQGHWUDQVIRUPDFLyQQ HQFRQMXQFLyQFRQODUHODFLyQGHLQGXFWDQFLDVa, VREUHOD. 3 HOUHQGLPLHQWR\ODVFRUULHQWHVGHSLFRPiVVLJQLILFDWLYDVHQHOFRQYHUWLGRU6,,%(OFRQYHUWLGRU6,,%SUHVHQWDWHQGHQFLDVVHPHMDQWHVUna reducción <strong>de</strong> n 2 lleva asociada una reducción <strong>de</strong> L 22 y un fuerte aumento <strong>de</strong> las corrientes en el<strong>con</strong>vertidor interno 1, también una disminución drástica <strong>de</strong> K P y <strong>de</strong>l rendimiento, tal y como se pue<strong>de</strong><strong>con</strong>trastar <strong>con</strong> los resultados obtenidos <strong>con</strong> losprogramas <strong>de</strong> cálculo y recogidos en la tablad(w t)5.12.0.5En estas topologías, el valor <strong>de</strong> n 2 modifica laley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, tal ycomo se pue<strong>de</strong> comprobar en la figura 5.61,don<strong>de</strong> se observa que el valor que toma elciclo <strong>de</strong> trabajo para el ángulo <strong>de</strong> red w t = p /2disminuye <strong>con</strong> n 2 , sin embargo la corriente <strong>de</strong>pico I 11 aumenta <strong>con</strong> n 2 tal y como se pue<strong>de</strong>observar en la tabla 5.12.La causa el crecimiento <strong>de</strong> I 11 se <strong>de</strong>be a que elvalor <strong>de</strong>l parámetro <strong>de</strong> carga adimensional, K,0.40.30.20.1n 2 =0,9n 2 =0,500 0.79 1.57 2.36 3.14w t)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,%)RUPDGHRQGDGHOFLFORGHWUDEDMRHQXQVHPLSHULRGRGHUHGSDUDGRVYDORUHVGHQ 222


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,ha tenido que ser reducido a la mitad, al pasar n2 <strong>de</strong> 0,9 a 0,5, para asegurar la operación <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor en modo <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo. Por tanto el valor <strong>de</strong> la inductancia L 11 se habráreducido también a la mitad (los cálculo se han realizado para n 1 =1) aumentando la corriente <strong>de</strong> picopor el <strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 1 , tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la tabla 5.12. )RUPDGHRQGDGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDConocer cómo se modifica la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño,permitirá diseñar los <strong>con</strong>vertidores SII <strong>de</strong> manera que cumplan los límites <strong>de</strong> Clase D o <strong>de</strong> Clase A <strong>de</strong>la norma IEC 61000-3-2.En la figura 5.62 se ha representado la variación, <strong>con</strong> los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño, <strong>de</strong> laforma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente absorbida <strong>de</strong> la red por el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS.1.2510.75Corriente <strong>de</strong> entrada (A)n 23 =0,8n 23 =1,41.2510.75Corriente <strong>de</strong> entrada (A)a =2a =60.50.50.250.2500 0.79 1.57 2.36 3.14w t00 0.79 1.57 2.36 3.14w t10.8Corriente <strong>de</strong> entrada (A)n 1 =1,510.8Corriente <strong>de</strong> entrada (A)n 2 =1,50.60.60.40.2n 1 =0,500 0.79 1.57 2.36 3.14w t0.40.2n 2 =0,500 0.79 1.57 2.36 3.14w t)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)669DULDFLyQFRQORVSDUiPHWURVDGLPHQVLRQDOHVGHGLVHxRGHODFRUULHQWHDEVRUELGDGHODUHGEn esta figura se pue<strong>de</strong> comprobar como la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada mejora alaumentar n 23 y a y al disminuir n 1 . Por otro lado, se pue<strong>de</strong> observar también como en esta topología elefecto <strong>de</strong>l parámetro n 2 es prácticamente <strong>de</strong>spreciable. La causa <strong>de</strong> este hecho es la misma que para labaja influencia <strong>de</strong> n 2 sobre otros aspectos, tales como la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,el rendimiento o las corrientes pico, y que ya ha sido justificada en los apartados correspondientes.Sin embargo, una vez más, en las topologías SII-B1 y SII-B2, el parámetro n 2 sí presenta unainfluencia significativa tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figurar 5.63. En esta figura pue<strong>de</strong>comprobarse cómo el <strong>con</strong>vertidor presenta, para n 2 = 0,5, el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 0apareciendo en <strong>con</strong>secuencia una leve distorsión <strong>de</strong> cruce en la corriente <strong>de</strong> entrada.Ahora bien, la evolución <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada no aporta la informaciónsuficiente, es necesario <strong>con</strong>tar <strong>con</strong> algún parámetro que cuantifique la calidad <strong>de</strong> dicha corriente y éste223


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,parámetro no pue<strong>de</strong> ser otro, que el <strong>con</strong>ocerpara cada caso, si el <strong>con</strong>vertidor cumple loslímites <strong>de</strong> la Clase D o <strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> lanorma IEC 61000-3-2.En la figura 5.64 se ha representado, para losarmónicos <strong>de</strong> or<strong>de</strong>n 3, 9 y 11, el valornormalizado <strong>de</strong> dicho armónico respecto <strong>de</strong>llímite correspondiente en Clase D y laevolución, que estos valores van experimentando,al cambiar el tanto por uno <strong>de</strong> potencia<strong>de</strong> simple procesado.Los valores que se representan en la figura5.64 han sido obtenidos para el al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. Ahora bien, la particular forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>los <strong>con</strong>vertidores SII, <strong>con</strong> dos máximos en las proximida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los pasos por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada, se <strong>con</strong>serva <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> qué topología SII se esté estudiando. Los valores que <strong>de</strong>banadquirir los parámetros <strong>de</strong> diseño para que una topología SII <strong>de</strong>terminada presente un valor <strong>con</strong>creto<strong>de</strong> K P , sí <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rán <strong>de</strong> la topología, pero una vez que se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra dicho valor <strong>de</strong> K P , la corrientepresenta una forma <strong>de</strong> onda muy similar.10.80.60.40.2Corriente <strong>de</strong> entrada (A)n 2 =0,9n 2 =0,500 0.79 1.57 2.36 3.14w t)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,%9DULDFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDFRQHOSDUiPHWURQ 43.532.5$UPyQLFRVQRUPDOL]DGRV&ODVH'Or<strong>de</strong>n 3Or<strong>de</strong>n 9Or<strong>de</strong>n 11&ODVH$21.51K P =0,780.500.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.857DQWRSRUXQRGHSRWHQFLDGHVLPSOHSURFHVDGR. 30.9)LJXUD(YROXFLyQGHORVDUPyQLFRVQRUPDOL]DGRVUHVSHFWRGHVXOtPLWHFRUUHVSRQGLHQWHHQ&ODVH'SDUDORVyUGHQHVEn todos los casos que se han estudiado, <strong>con</strong> ayuda <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo, se han obtenido<strong>con</strong>clusiones idénticas respecto a la forma <strong>de</strong> onda y al <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. De los cuarenta armónicos que <strong>con</strong>templa la norma CEI 61000-3-2, los quepresentan un valor más elevado son siempre los armónicos <strong>de</strong> or<strong>de</strong>n 3, 9 y 11. Aunque realmente losarmónicos que discriminan el cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la Clase D o A son los <strong>de</strong> or<strong>de</strong>n 9 y 11.Un resultado muy interesante, obtenido mediante la evaluación <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong> cada224


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,0.90.850.80.750.70.650.60.550.50.90.850.80.750.70.650.60.550.59DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 7DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q n 1 =1n 1 =1,2n 1 =1,4&ODVHÃ$&ODVHÃ'7DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 32 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD&ODVHÃ$&ODVHÃ'9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q &RQYHUWLGRU6,,)660.90.850.80.750.70.650.60.550.50.450.47DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 2 =0,8n 2 =1n 2 =1,2&ODVHÃ$&ODVHÃ'2 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q&RQYHUWLGRU6,,%0.90.850.80.750.70.650.60.550.50.450.47DQWRÃSRUÃXQRÃGHÃSRWHQFLDÃGHÃVLPSOHÃSURFHVDGRÃ. 3n 2 =0,5n 2 =0,7n 2 =0,9&ODVHÃ$&ODVHÃ'2 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD9DULDFLyQFRQORVSDUiPHWURVGHGLVHxRGH. 3 SDUD9 () GHWHQVLyQGHUHG\IURQWHUDHQHOFXPSOLPLHQWRGHORVOtPLWHVGH&ODVH'\$GHODQRUPD,(&topología y para todos los diseños posibles <strong>de</strong>cada una <strong>de</strong> ellas, es que . 3 HVVLHPSUH HO YDORU IURQWHUD TXH VHSDUD HOFXPSOLPLHQWRGHORVOtPLWHVGHOD&ODVH'\ORV GH OD &ODVH $. Por tanto, en el casoparticular <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, K P pue<strong>de</strong>utilizarse como parámetro para cuantificar lacalidad <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente. Estehecho presenta un gran interés, ya quea<strong>de</strong>más, el tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>simple procesado, está estrechamenterelacionado <strong>con</strong> el rendimiento, en estos<strong>con</strong>vertidores.Para aplicar la cuantificación <strong>de</strong> la calidad <strong>de</strong>la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada,observando cómo se modifica ésta <strong>con</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño, se ha utilizado el<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS para recoger lainfluencia <strong>de</strong> todos los parámetros <strong>de</strong> diseñoque pue<strong>de</strong>n aparecer en las topologías SII.En la Tabla 5.13 se ha representado lavariación <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>simple procesado, K P al <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar esteparámetro como medida <strong>de</strong> la calidad <strong>de</strong> laforma <strong>de</strong> onda así como el valor frontera parael cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> clase A o D,para una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> 230 V eficaces,que es el valor <strong>con</strong> el que hay que pasar lanorma, cuando la tensión <strong>de</strong> entrada pue<strong>de</strong>variar <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> un rango.A la vista <strong>de</strong> los resultados recogidos en latabla 5.13, se pue<strong>de</strong> llegar a idénticas<strong>con</strong>clusiones que las que se obtenían alobservar la figura 5.62. Se pue<strong>de</strong> comprobarcómo la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada mejora al aumentar n 23 y a y aldisminuir n 1 . Sin embargo la influencia <strong>de</strong> n 2es muy reducida para las topologías SII-F1,SII-F1-SS y SII-F2.Por el <strong>con</strong>trario, tal y como pue<strong>de</strong> observarseen la celda inferior <strong>de</strong> la tabla 5.13, para lastopologías SII-B1 y SII-B2, la relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 2 sí tiene efecto225


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,importante sobre la corriente que se absorbe <strong>de</strong> la red. En este caso, un disminución <strong>de</strong> n 2 llevaasociada un disminución <strong>de</strong> K P y una mejora <strong>de</strong> la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. 3DUiPHWUR DGLPHQVLRQDO GH FDUJD \ PRGRGH FRQGXFFLyQ GH ORV FRQYHUWLGRUHV6,,El último <strong>de</strong> los valores característicos que <strong>de</strong>be ser estudiado y que influye sobre el diseño <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII es el parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, cuya <strong>de</strong>finición se recogía en (5.3), y queaquí se repite por comodidad en (5.107).0.30.250.20.150.10.0500.30.250.20.150.10.0500.30.250.20.150.10.0509DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 3DUiPHWURÃDGLPHQVLRQDOÃGHÃFDUJDÃTXHÃDVHJXUDÃODÃRSHUDFLyQÃHQÃ0&'Ã.n 23 =0,8n 23 =1n 23 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 3DUiPHWURÃDGLPHQVLRQDOÃGHÃFDUJDÃTXHÃDVHJXUDÃODÃRSHUDFLyQÃHQÃ0&'Ã. 3n 1 =1n 1 =1,2n 1 =1,42 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q 3DUiPHWURÃDGLPHQVLRQDOÃGHÃFDUJDÃTXHÃDVHJXUDÃODÃRSHUDFLyQÃHQÃ0&'Ã.n 2 =0,8n 2 =1n 2 =1,22 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD. =2 × /125 72 ×(5.101)Aunque la permanencia en MCD en los<strong>con</strong>vertidores SII <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l valor <strong>con</strong>cretoque tomen las cuatro inductancias <strong>de</strong> estos<strong>con</strong>vertidores, y <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong> las tensiones <strong>de</strong>entrada y salida, <strong>de</strong>bido a que el <strong>con</strong>vertidorinterno 2 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques ha <strong>de</strong>extraer, <strong>de</strong> la entrada toda la potencia <strong>de</strong>carga, las magnitu<strong>de</strong>s que se relacionan en(5.107) presentan un peso importante a la hora<strong>de</strong> asegurar la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor enMCD.La <strong>de</strong>terminación <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor, mediante el método <strong>de</strong>scrito en5.2.2.2, por medio <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong>cálculo, ha producido valores <strong>de</strong> inductanciasmuy similares <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> que elparámetro adimensional <strong>de</strong> carga se <strong>de</strong>fina<strong>con</strong> la inductancia L 21 o <strong>con</strong> la inductanciaL 11 . Dado que la diferencia entre una<strong>de</strong>finición y otra no supone diferenciassustanciales, se ha optado por la expuesta en(5.107) para que la <strong>de</strong>finición <strong>de</strong> la relación<strong>de</strong> inductancias se hiciera <strong>con</strong> ambasinductancias referidas al mismo <strong>de</strong>vanado y lainductancia L 12 apareciese en ambas<strong>de</strong>finiciones.Para unas misma tensión <strong>de</strong> salida y el valor7DEOD&RQYHUWLGRU6,,)66más bajo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango7HQGHQFLDVGHOSDUiPHWURDGLPHQVLRQDOGH <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado, el valor <strong>de</strong> K que asegura laFDUJDTXHDVHJXUDODRSHUDFLyQHQ0&'FRQHOUHVWRGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxRoperación en MCD <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rá, como se ha<strong>de</strong>scrito, <strong>de</strong> los valores <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong> losparámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño. En este apartado, por tanto, se van a presentar las ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong>l226


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,valor que ha <strong>de</strong> tomar, K para asegurar el MCD, al variar el resto <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. En latabla 5.14 se han recogido los resultados obtenidos para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, siendo lasten<strong>de</strong>ncias que se observan idénticas a las correspondientes a los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F2.El aumento <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias provoca siempre que sea necesario reducir el valor <strong>de</strong> K queasegura el MCD. Ante un incremento <strong>de</strong> n 23 es necesario reducir el valor <strong>de</strong> K, sin embargo, si sereduce el valor <strong>de</strong> n 1 será necesario también reducir el valor <strong>de</strong> K. Una vez más, el valor <strong>de</strong> n 2 apenastiene influencia en los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> topología )O\EDFN en su <strong>con</strong>vertidor interno 1. En este caso,el valor <strong>de</strong> n 2 tampoco afecta al valor <strong>de</strong> K.9DULDFLyQUHVSHFWRD\Q&RQYHUWLGRU6,,%0.20.150.10.0503DUiPHWURÃDGLPHQVLRQDOÃGHÃFDUJDÃTXHÃDVHJXUDÃODÃRSHUDFLyQÃHQÃ0&'Ã.n 2 =0,5n 2 =0,7n 2 =0,92 3 4 5 65HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD7DEOD&RQYHUWLGRU6,,%7HQGHQFLDVGHOSDUiPHWURDGLPHQVLRQDOGHFDUJDTXHDVHJXUDODRSHUDFLyQHQ0&'FRQHOUHVWRGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxRSin embargo, en los <strong>con</strong>vertidores SII-B1 ySII-B2, el parámetro n 2 si tiene un pesoimportante a la hora <strong>de</strong> modificar el valor <strong>de</strong>K.En los <strong>con</strong>vertidores que presentan topologíaelevadora en su <strong>con</strong>vertidor interno 1, unincremento <strong>de</strong> n 2 implica que puedaaumentarse el valor <strong>de</strong> K manteniendo elMCD.El valor que toma el parámetro adimensional<strong>de</strong> carga impone los valores <strong>de</strong> lasinductancias <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 2. Si eldiseño que se realice impone un valorreducido <strong>de</strong> este parámetro, la inductancia <strong>de</strong>l transformador T 1 adquirirá también un valor reducido,incrementándose las corrientes eficaces. El valor <strong>de</strong> K que es necesario seleccionar en el caso <strong>de</strong> queel <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>ba operar <strong>con</strong> rango universal <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada, impondrá unas mayorescorrientes eficaces cuando el <strong>con</strong>vertidor opere, por ejemplo a 230 V EF. , que las que correspon<strong>de</strong>n alcaso <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor, también operando a 230 V, pero que ha sido diseñado para rango <strong>de</strong> entradaeuropeo, ya que en este caso el valor seleccionado para K será mayor. &XDGURUHVXPHQGHODLQIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVDGLPHQVLRQDOHVGHGLVHxRVREUHORVYDORUHVFDUDFWHUtVWLFRVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,En la tabla 5.16 se recogen, <strong>de</strong> manera esquemática, las ten<strong>de</strong>ncias <strong>de</strong> la influencia que tiene cadaparámetro adimensional <strong>de</strong> diseño sobre los valores característicos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Se han<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado todos los parámetros <strong>de</strong> diseño que aparecen el los <strong>con</strong>vertidores SII:• El parámetro n 23 afectará a los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS, resultando el <strong>con</strong>vertidorSII-F2 una particularización <strong>de</strong> los anteriores (n 23 = 1), a efectos <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> losparámetros <strong>de</strong> diseño.• La influencia <strong>de</strong>l parámetro n 2 se ha representado utilizando dos filas, una para cada uno <strong>de</strong>dos los grupos, que se pue<strong>de</strong>n establecer <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la familia SII, atendiendo a la topología<strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1. Tal y como se <strong>de</strong>scribe en el apartado 3.3.3, el grupo SII-Fpresenta topología )O\EDFN en su <strong>con</strong>vertidor interno 1, mientras que los pertenecientes algrupo SII-B presentan, en este <strong>con</strong>vertidor, topología elevadora.227


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Los parámetros n 1 y a presentan una influencia que es compartida por todos los<strong>con</strong>vertidores SII.V EV On 23n 2n 1aV C1@85 K P h I 11 I 2x KV C1@265CreceCrece ligeramenteDecreceDecrece ligeramenteSin influenciaSII-BSII-FInfluencia mássignificativaEjemplo: K P crece ligeramente <strong>con</strong> n 17DEOD5HVXPHQGHODLQIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxRVREUHORVYDORUHVFDUDFWHUtVWLFRVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,En la tabla 5.16 se ha representado la influencia <strong>de</strong> cada parámetro sobre cada valor característico,proporcionándoles un valor cualitativo según el sentido <strong>de</strong> la flecha. También han sido <strong>de</strong>stacadas lostres casos que resultan más <strong>de</strong>terminantes:• Influencia <strong>de</strong> n 23 sobre V C1@265 .• Influencia <strong>de</strong> n 1 sobre V C1@85 .• Influencia <strong>de</strong> a sobre el valor <strong>de</strong> K P y por tanto sobre la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada y sobre el rendimiento.Tomando como punto <strong>de</strong> partida estos tres casos, que representan las influencias <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong>diseño cuya influencia resulta más <strong>de</strong>terminante sobre las prestaciones <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, se<strong>de</strong>scribirá, en el próximo apartado, un procedimiento, que ayudará a obtener el punto <strong>de</strong> diseño óptimo<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 3URFHVRGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Los <strong>con</strong>vertidores SII, al igual que cualquier otro <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado, <strong>con</strong>jugarán lasespecificaciones y los objetivos generales como el rendimiento, el tamaño y el coste, <strong>con</strong> otrosrequisitos particulares <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, como el cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la normaIEC 61000-3-2 y el cumplimiento <strong>de</strong> una especificación <strong>de</strong> tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, como punto <strong>de</strong>partida antes <strong>de</strong> abordar su diseño.En el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, las especificaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor (tensión <strong>de</strong> salida, rango <strong>de</strong>tensión <strong>de</strong> entrada, etc.) no fijan directamente los valores <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. Para obteneréstos, es necesario a<strong>de</strong>más, <strong>de</strong>finir algunos <strong>de</strong> los valores característicos como son la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y K P . A partir <strong>de</strong> éstas se podrá elegir la topología SII más a<strong>de</strong>cuada228


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,y sus parámetros <strong>de</strong> diseño más <strong>con</strong>venientes. Este <strong>con</strong>junto <strong>de</strong> parámetros <strong>de</strong> diseño, más<strong>con</strong>veniente para cada especificación, <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong> entrada y salida, potencia <strong>de</strong> carga, etc,<strong>con</strong>stituye lo que se ha <strong>de</strong>nominado como punto <strong>de</strong> diseño óptimo. Todo el proceso <strong>de</strong> diseño serepresenta, <strong>de</strong> forma esquemática en la figura 5.65.(VSHFLILFDFLRQHV2EMHWLYRVÃJHQHUDOHV9DORUHVÃFDUDFWHUtVWLFRV3URFHGLPLHQWRÃGHÃGLVHxR3XQWRÃGHÃGLVHxRÃySWLPR• EntradaUniversal• T M• Rendimiento• Tamaño• Coste• V C1@85• V C1@265• K P • n 1 Ö V C1@85• P On 23• V O2EMHWLYRVÃSDUWLFXODUHV&$ÃÃ&&• Cumplimientolímites normaCEI 61000-3-2• Tiempo <strong>de</strong>mantenimiento¿ValoresSi• n 23 Ö V C1@265característicos?• a Ö K P NoNuevos valores:n 23 , n 1 , n 2 , a , Kn 1n 2aKSelección <strong>de</strong> latopología SIIProceso <strong>de</strong> diseño)LJXUD(VSHFLILFDFLRQHV\3URFHVRGHGLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,'HVGHODVHOHFFLyQGHORVYDORUHVFDUDFWHUtVWLFRVKDVWDODREWHQFLyQGHOSXQWRGHGLVHxRySWLPRA partir <strong>de</strong> la información que, acerca <strong>de</strong> la influencia <strong>de</strong> cada uno <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño sobrelos valores característicos, se recoge en la tabla 5.16, se podría abordar el proceso <strong>de</strong> diseño, ya quedicha información permite ir dando valores a los parámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño,introduciéndolos como entrada en los programas <strong>de</strong> cálculo, e ir comprobando si los resultados son los<strong>de</strong>seados.Sin embargo <strong>con</strong> el fin <strong>de</strong> reducir al máximo el número <strong>de</strong> iteraciones necesarias para alcanzar elpunto <strong>de</strong> diseño óptimo, pue<strong>de</strong>n establecerse unos criterios <strong>de</strong> diseño generales y algunas otras<strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones. En el próximo aparatado, se propondrá un ejemplo, <strong>con</strong> el objetivo <strong>de</strong> ilustrar todo elprocedimiento <strong>de</strong> diseño y también los criterios <strong>de</strong> diseño mencionados. (MHPSORGHGLVHxRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66Supóngase que se preten<strong>de</strong> diseñar un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong> las siguientes especificaciones:• Tensión <strong>de</strong> entrada universal.• Tensión <strong>de</strong> salida, V O = 48 V.• Potencia <strong>de</strong> carga, P O = 100 W.• Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, T M = 10 ms.• Cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> Clase D <strong>de</strong> la norma CEI 61000-3-2.229


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,El procedimiento <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS que responda a los requisitos anteriores seestablece según los siguientes pasos:5.4.2.1.1 Selección <strong>de</strong> V C1@265 o <strong>de</strong>l rango en el cual se almacena la energía en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Los <strong>con</strong>vertidores SII pertenecientes al Grupo V C1 -L (ver apartado 3.3.3) siempre presentarán unatensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong> valor inferior a la tensión <strong>de</strong> salida. Por tanto, paraestos <strong>con</strong>vertidores, el diseñador <strong>de</strong>berá utilizar <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores electrolíticos <strong>de</strong> tensiones <strong>de</strong> ruptura35 o 50 V, y <strong>de</strong>biendo ajustar a<strong>de</strong>cuadamente, fundamentalmente, el valor <strong>de</strong> n1, para situar lastensiones V C1@85 y V C1@265 en aquellos valores que aprovechen lo mejor posible los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadoresanteriores.Sin embargo, los <strong>con</strong>vertidores SII que pertenecen al Grupo V C1 -HL, entre los que se encuentra el<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, pue<strong>de</strong> presentar una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, inferior osuperior a la tensión <strong>de</strong> salida. En este caso, dando valor al parámetro adimensional n 23 , se estableceríacomo cota superior al valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, el producto <strong>de</strong> n 23 .V O .Las cuatro alternativas, más razonables se recogen en la tabla 5.17. Almacenar la energía a 25V o a160 V supondría diseños, que a buen seguro no resultarían óptimos en todos los aspectos, pudiendopresentar un pobre rendimiento o no cumpliendo fácilmente los límites <strong>de</strong> la Clase D.Tensión <strong>de</strong> salida n 23 Cota superior a V C1 Tensión <strong>de</strong> rupturacomercial48 V0,7 33,6 V 35 V1 48 V 50 V1,3 62,4 V 63 V1,8 86,4 V 100 V7DEOD7HQVLRQHVGHUXSWXUDFRPHUFLDOHVTXHSXHGHQXWLOL]DUVHFRQHOFRQYHUWLGRU6,,)66HQIXQFLyQGHOSDUiPHWURQ En este apartado, se preten<strong>de</strong> <strong>de</strong>scribir un procedimiento <strong>de</strong> diseño, más que proponer valores <strong>de</strong>diseño reales, que en el caso <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> ruptura comercial, tendría que <strong>con</strong>tar, no solamente <strong>con</strong>el valor medio <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (valor al que se ha estado haciendoreferencia hasta el momento), sino <strong>con</strong>tar a<strong>de</strong>más <strong>con</strong> el rizado <strong>de</strong> 100 Hz que presenta la tensión <strong>de</strong>este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. En el Anexo B, se realiza una estimación <strong>de</strong>l valor máximo <strong>de</strong>l rizado en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Los cuatro valores <strong>de</strong> n 23 que se especifican en la tabla 5.17 <strong>de</strong>terminan cada una <strong>de</strong> las posibilida<strong>de</strong>sque se abren para el diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, para 48 V <strong>de</strong> salida. Con objeto <strong>de</strong> seleccionaren que rango se almacenará la energía en este <strong>con</strong>vertidor, y que se <strong>de</strong>signará <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> ruptura comercial requerida en cada caso, es necesario tener en cuenta varios aspectos:• Corrientes <strong>de</strong> pico.• Valor final <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V F , y tamaño en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.230


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,40.0035.0030.0025.0020.0015.0010.001.000.900.800.700.600.500.401210• Valor máximo <strong>de</strong> la tensión que <strong>de</strong>ben soportar los diodos D S1 , D AUX y D SS .DEF35 50 63 10035 50 63 100En la figura 5.66.a se han representado lascorrientes <strong>de</strong> pico por los <strong>de</strong>vanadosprimarios <strong>de</strong> T 1 y T 2 (I 11 e I 21respectivamente), para los cuatro rangos <strong>de</strong>tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.En esta figura se pue<strong>de</strong> apreciar como amedida que aumenta la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, la corrienteI 21 se reduce drásticamente, mientras que lacorriente I 11 aumenta ligeramente. Como sepue<strong>de</strong> comprobar en la figura 5.66.b, laten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>scrita para estas dos corrientes vaacompañada <strong>de</strong> un aumento <strong>de</strong>l rendimiento.En <strong>con</strong>clusión, <strong>de</strong>s<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista <strong>de</strong> lascorrientes, fundamentalmente <strong>de</strong> las quecirculan por el <strong>con</strong>vertidor interno 1, y <strong>de</strong>lrendimiento, resulta más favorable almacenaren el rango más alto <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> losque son viables.9.037.857.859.03Los tamaños que se obtienen para el8<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, en este64<strong>con</strong>vertidor, para cada uno <strong>de</strong> los cuatro2rangos <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rados, se recogen en la figura05.66.c. El volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>35 50 63 1007HQVLyQÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOÃ9almacenamiento se reduce para las tensiones<strong>de</strong> 50 y 63 V respecto a la <strong>de</strong> 35 V. Sin)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUDXQDWHQVLyQGHVDOLGDGH9(YROXFLyQ embargo, el hecho <strong>de</strong> aprovechar en suFRPRIXQFLyQGHOUDQJRHQHOTXHVHDOPDFHQD totalidad la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong> 100 V, haceODHQHUJtDHQHOFRQGHQVDGRUGHmuy difícil el cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong>DOPDFHQDPLHQWRGHDFRUULHQWHVGHSLFR\EGHOUHQGLPLHQWRClase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. Portanto, este peor aprovechamiento <strong>de</strong> los<strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores en el rango <strong>de</strong> 100 V impone un valor <strong>de</strong>l volumen resultante ligeramente superior.Ahora bien, tal y como se <strong>de</strong>scribía en 5.3.3.1.2, la capacidad <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento ypor tanto su volumen, <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> también <strong>de</strong> la energía que se logra extraer <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.Rescribiendo las expresiones para el parámetro d , que medía la proporción <strong>de</strong> energía que podíaextraerse <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, respecto <strong>de</strong> la energía almacenada (ver (5.72)), quepara la topología )O\EDFN se recogían en la tabla 5.2, se obtienen (5.108) y (5.109). Estas expresiones,respectivamente, recogen el valor <strong>de</strong> d para el caso <strong>de</strong> que el <strong>con</strong>vertidor permanezca en MCD durantetodo el proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga o pase a operar en M<strong>CC</strong> antes <strong>de</strong> que finalice este proceso:921d 0&' = × × .9 '(5.102)& 1@ 85&RUULHQWHVÃGHÃSLFRÃ$7HQVLyQÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOÃ95HQGLPLHQWR7HQVLyQÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOÃ90$;Corriente I 11Corriente I 219ROXPHQÃGHOÃFRQGHQVDGRUÃGHÃDOPDFHQDPLHQWRÃFP 231


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,9 1 1 -'20$;d 0&& = × ×9&1@ 85Q2'(5.103)0$;En ambos casos se pue<strong>de</strong> comprobar, que al permanecer fija la tensión <strong>de</strong> salida, cuanto mayor resulteel valor <strong>de</strong> V C1@85 menor será el valor <strong>de</strong> d , pudiéndose extraer la casi totalidad <strong>de</strong> la energíaalmacenada en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y pudiéndose reducir en <strong>con</strong>secuencia su tamaño.Sin embargo, elevar el rango <strong>de</strong> tensión en el cual se almacena la energía en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, <strong>con</strong>lleva como efecto negativo el crecimiento <strong>de</strong> la tensión máxima que <strong>de</strong>bensoportar los diodos D S1 , D AUX y D SS . Los valores <strong>de</strong> estas tensiones máximas se recogenrespectivamente en las expresiones (5.110) a (5.112):[ 9 '6 ] = Q 1× 9*+ 921 0$;(5.104)[ 9 '$8; ] = Q × Q23× 9*0$;1(5.105)2 2[ 9 ] = 9 + - + )99'66 0$; * ( 9&1Q1Q2(5.106)Don<strong>de</strong> V G es el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.Con la tecnología actual, se encuentran diodos <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación rápida (tiempo <strong>de</strong> recuperación inversa<strong>de</strong> unos 50 ¸ 75 ns) <strong>de</strong> hasta 800 V o 1000 V, <strong>con</strong> tensiones en <strong>con</strong>ducción directa inferiores a 1,5 V.Sin embargo si es necesario dar el salto al escalón superior <strong>de</strong> 1200 V, las caídas <strong>de</strong> tensión yaresultan <strong>de</strong>l or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> los 3 V, lo que doblaría las pérdidas en <strong>con</strong>ducción en estos componentes.En <strong>con</strong>clusión, respecto a la selección <strong>de</strong>l rango en el cual se almacena la energía en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento, pue<strong>de</strong>n establecerse los siguientes criterios <strong>de</strong> diseño:&ULWHULR : Para los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo SII-L (V C1 < V O ), se <strong>de</strong>be seleccionar un<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> ruptura muy próxima a la tensión <strong>de</strong> salida.Para los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l SII-F1 y SII-F1-SS, resulta más <strong>con</strong>veniente la selección <strong>de</strong>lvalor <strong>de</strong> n 23 <strong>de</strong> manera que se almacene la energía a la máxima tensión posible, siempre ycuando el aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y las tensiones en losdiodos no limiten éste valor. En el ejemplo <strong>de</strong>scrito, la mejor opción sería almacenar hasta63 V.Los gráficos que se presentan, en la figura 5.67, ayudarán a <strong>de</strong>terminar cuál es la zona en la que seobtienen mejores resultados, cuando se trata <strong>de</strong> optimizar varios <strong>de</strong> los valores característicos a la vez.Ya que estos tres gráficos presentan idéntico eje <strong>de</strong> abcisas (relación <strong>de</strong> inductancias), se pue<strong>de</strong> trazaruna vertical a partir <strong>de</strong>l corte <strong>de</strong> las trazas <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el valor 0,78 <strong>de</strong>terminando así, en los tresgráficos, qué zonas (separadas por un trazo negro) correspon<strong>de</strong>n a diseños que cumplirán <strong>con</strong> loslímites <strong>de</strong> la Clase D o <strong>de</strong> la Clase A.En la figura 5.67 se representa el caso <strong>de</strong> n 23 = 0,7 aunque el procedimiento que se recoge en estosgráficos es el mismo que se utilizaría para el resto <strong>de</strong> los valores <strong>de</strong> n 23 que pue<strong>de</strong>n plantearse comoalternativa en el diseño que se está realizando.232


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,5.4.2.1.2 Selección <strong>de</strong> V C1@85 .Este valor va a <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>r en gran parte <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong> T 1 , n 1 . Como pue<strong>de</strong>observarse en la figura 5.67, cuanto más aumente n 1 , más aumentará la tensión V C1@85 y por tanto sereducirá el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, pudiendo pasar <strong>de</strong> valores <strong>de</strong> 12,7 cm 3 a unvalor <strong>de</strong> 9 cm3. Conviene recordar que el tamaño <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores siempre evoluciona aincrementos discretos, tal y como se pue<strong>de</strong> comprobar en la figura 5.60, don<strong>de</strong> se recogía la Tabla <strong>de</strong>Volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y mediante la cual se ha trazado el gráficocorrespondiente al volumen, en la figura40.005.64.b.a)b)c)d)HÃUÃGRVDG Ã9HQ 9 &GWRRQ QLHOÃFÃHQÃHQ DFHQDP7HQVLyHÃÃGQFLDWHRHÃSÃGRQUÃXRÃSWRDQ735.0030.0025.0020.00n 15.001 =1,2DOPn 1 =1,4n 1 =1,610.004 6 8 1020n 1 =1,2 n 1 =1,4Clase A n 1 =1,6HÃUÃGVDGRPGHQÃFWRQQRLHHOÃFÃGR DFHQDPDxDOPDP7Ã$RLFHÃSVÃGWHQULHR&1510540.0035.0030.0025.0020.0015.0010.005.000.900.880.70Clase A4 6 8 10n 1 =1,2n 1 =1,4n 1 =1,6I 21V C1@85Clase A4 6 8 100.86Ã. 3 0.840.82FHVDGR0.80Clase AUR0.78ÃS0.76SOHn 1 =1,20.74n VLP1 =1,4n 0.721 =1,6Clase DV C1@265Clase DClase DClase D4 6 8 105HODFLyQÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃD)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRSDUDXQDWHQVLyQGHVDOLGDGH9\SDUDXWLOL]DUFRQGHQVDGRUHVGH9FRPRFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRQ ,QIOXHQFLDGHORVSDUiPHWURVGHGLVHxRQ \a HQODVHOHFFLyQGHOSXQWRGHWUDEDMRySWLPRI 11Sin embargo, un aumento <strong>de</strong> n 1 también vieneacompañado <strong>de</strong> una aumento <strong>de</strong> K P o lo quees igual, <strong>de</strong> un empeoramiento <strong>de</strong> la calidad<strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.Si se preten<strong>de</strong> diseñar el <strong>con</strong>vertidor para quecumpla los límites <strong>de</strong> la Clase D, n 1 no podráaumentarse hasta el valor <strong>de</strong> 1,6, ya que paraeste caso ya no se cumplen dichos límites (ver5.66.b)&ULWHULR Seleccionar n 1 lo más elevadoposible mientras que K P < 0,78.Otro aspecto perjudicial <strong>de</strong> una elevadarelación <strong>de</strong> transformación para T 1 es elelevado valor <strong>de</strong> tensión máxima que <strong>de</strong>besoportar el diodo D S1 .5.4.2.1.3 Selección <strong>de</strong> K P .Una vez seleccionados aquellos valores <strong>de</strong> n 1que permiten diseños <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la zonacorrespondiente a Clase D, resta seleccionar elvalor <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias paraobtener el valor <strong>de</strong> K P más alto posible,aunque siempre inferior a 0,78.Ya que como se pue<strong>de</strong> observar en la figura5.65, el efecto <strong>de</strong> a sobre las tensiones V C1@85y V C1@265 es <strong>de</strong>spreciable, pue<strong>de</strong> modificarseen último lugar el valor <strong>de</strong> a sin que semodifique el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Es importante recordar que amayor K P mejor rendimiento en cualquier<strong>con</strong>vertidor SII, por lo tanto este parámetro se<strong>de</strong>berá aumentar hasta que lo permita el233


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la clase D.Otro aspecto importante a tener en cuenta, es el crecimiento <strong>de</strong> las corrientes <strong>de</strong> pico <strong>con</strong> la relación<strong>de</strong> inductancias a , sobre todo cuando el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>ba operar <strong>con</strong> tensión universal. Por todo ello,pue<strong>de</strong> establecerse como tercer criterio <strong>de</strong> diseño:&ULWHULR Seleccionar a lo más reducido posible mientras que K P < 0,78.En la figura 5.67 se han <strong>de</strong>stacado <strong>con</strong> círculos las zonas correspondientes a los puntos <strong>de</strong> diseñoóptimo para el valor <strong>de</strong> n 23 = 0,7.Si <strong>de</strong>bido a la aplicación <strong>de</strong>l equipo, que será alimentado <strong>con</strong> el <strong>con</strong>vertidor SII, no es necesario queéste cumpla <strong>con</strong> los limites <strong>de</strong> la Clase D, se obtiene una importante ventaja en el diseño. Podrá, eneste caso, superarse el límite <strong>de</strong> K P = 0,78, <strong>de</strong> forma que se aumente el rendimiento y se obtenga untamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento menor, al haber podido incrementarse el valor <strong>de</strong> n 1 .También podrán seleccionarse valores inferiores <strong>de</strong> a , que llevan asociados menores corrientes <strong>de</strong>pico. 'LVHxRVPiVIDYRUDEOHVSDUDFDGDWRSRORJtD6,,Con el fin <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r distinguir cuáles son las topologías SII que resultan más interesantes a<strong>de</strong>más <strong>de</strong><strong>de</strong>stacar aquellas características ventajosas <strong>de</strong> cada uno <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores, se recogen en la tabla5.18, algunos <strong>de</strong> los diseños más favorables para cada una <strong>de</strong> las topologías SII.Los datos que se presentan en la tabla 5.18, correspon<strong>de</strong>n a una aplicación típica <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidorSII, cuyas características se resumen a <strong>con</strong>tinuación, y han sido obtenidos mediante la ejecución <strong>de</strong> loscorrespondientes programas <strong>de</strong> cálculo:• Tensión <strong>de</strong> entrada universal.• Tensión <strong>de</strong> salida, V O = 48 V.• Potencia <strong>de</strong> carga, P O = 100 W.• Tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, T M = 10 ms.• Cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.Debido a que en este trabajo se presentan hasta seis topologías diferentes, y para no repetir datosinnecesariamente, en la tabla 5.18, no se proporcionan datos <strong>con</strong>cretos <strong>de</strong> las topologías SII-B1 y SII-F1. Las <strong>con</strong>clusiones que se extraigan, respectivamente, para los <strong>con</strong>vertidores SII-B2 y SII-F1-SS sonaplicables a estas topologías que se han excluido <strong>de</strong> esta comparativa.Conviene aclarar algunos aspectos, para hacer más sencilla la lectura <strong>de</strong> los datos recogidos en la tabla5.18. Estos son los siguientes:• En la tabla 5.18 se recogen datos para cada topología y en los rangos <strong>de</strong> tensión en los quepue<strong>de</strong> almacenarse la energía en cada caso. Así, para la topología SII-F1-SS, aparecencuatro rangos, que se distinguen mediante la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador comercialque pue<strong>de</strong> utilizarse para dicho rango (35, 50, 63 y 100V).• En las primeras filas se presentan los valores <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño adimensionales,marcando en color gris las celdas que no son posibles. En las últimas filas se recogen los234


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,valores <strong>de</strong> las inductancias (expresadas en µH) correspondientes a estos parámetros <strong>de</strong>diseño.&RPSDUDFLyQÃGHÃWRSRORJtDV n1 1.5 1.6 1.6 1.7 0.60 1.5 1.65 1.20 1.70 2.20 1.20 1.60 2.20n2 0.8 0.9 1 1 1.00 0.8 1 0.90 0.90 0.90n23 0.7 1 1.3 1.8a 11 6 4 2.5 2.00 5.5 6.5 2.40 3.20 4.30 2.80 3.50 4.30K 0.21 0.19 0.17 0.16 0.05 0.19 0.2 0.10 0.14 0.18 0.10 0.14 0.12Parámetros <strong>de</strong> diseñoSII-F1-SS SII-F2 SII-B2 SII-B2-2DTensión eficaz <strong>de</strong> entrada (V ef.)85230265Vc1@85 22.14 30.26 35.39 45.17 14.23 29.82 29.99 18.31 22.26 25.15 18.91 22.19 25.95Kp 0.52 0.55 0.58 0.61 0.70 0.549 0.55 0.70 0.68 0.65 0.69 0.68 0.67pe(p /2) 156.42 156.09 156.46 156.23 142.59 155.847 156.84 142.90 145.71 149.12 144.28 146.25 147.17(1-Vc1/Vo) 1 1 1 1 1 1 1 0.62 0.54 0.48 0.61 0.54 0.46(1-Vc1/Vo)*Po 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00 61.85 53.62 47.61 60.60 53.77 45.94h 0.68 0.74 0.77 0.80 0.83 0.74 0.83 0.85 0.85 0.84 0.84 0.84 0.82Fp 0.96 0.95 0.95 0.95 0.89 0.953 0.95 0.89 0.91 0.92 0.90 0.91 0.91I11(p /2) 17.06 19.11 20.22 22.13 13.35 17.9 19.25 19.39 22.85 26.38 18.99 21.55 32.10Icu11 3.32 3.52 3.63 3.80 3.07 3.41 3.53 3.70 3.98 4.23 3.65 3.86 4.70Icu12 2.83 3.02 3.21 3.35 6.11 4.13 4.09 4.99 4.46 4.17 4.93 4.47 4.56Icu13 3.50 2.48 2.02 1.50I22(0) 37.70 26.02 20.21 16.47 26.35 28.02 23.75 18.28 16.19 15.60 17.16 15.28 16.91Icu21 6.72 4.80 3.95 3.00 6.21 4.35 4.83 2.73 2.41 2.30 4.47 4.00 3.93Icu22 4.36 3.44 2.91 2.51 2.74 3.6 3.28 3.69 3.28 3.18Vc1 31.22 44.63 57.49 79.37 31.03 44.30 44.75 30.10 33.82 36.27 30.79 33.82 36.78Kp 0.77 0.77 0.76 0.76 0.76 0.77 0.77 0.77 0.76 0.75 0.77 0.76 0.77h 0.82 0.84 0.85 0.86 0.89 0.82 0.86 0.88 0.88 0.88 0.88 0.87 0.85Fp 0.80 0.80 0.82 0.83 0.83 0.81 0.81 0.83 0.84 0.85 0.84 0.84 0.84Clase A / D SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SI SIArm. máximo 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00 9.00LimD / Arm. máx. 0.96 0.99 0.89 0.84 0.89 0.94 0.98 0.98 0.92 0.81 0.95 0.92 0.92Vc1@265 31.67 45.31 58.57 81.07 33.53 45.05 45.41 31.63 35.17 37.47 32.30 35.18 37.94Kp 0.80 0.80 0.79 0.79 0.78 0.80 0.80 0.78 0.78 0.76 0.78 0.78 0.78h 0.82 0.85 0.85 0.86 0.89 0.86 0.85 0.88 0.88 0.87 0.87 0.87 0.85Fp 0.76 0.77 0.79 0.80 0.82 0.77 0.77 0.82 0.83 0.84 0.83 0.83 0.82fc (Hz) 50000 Tamaño C1 (cm3) 9.03 7.85 7.85 9.03 25.13 7.85 7.85 12.67 12.67 9.03 12.67 12.67 9.03Po (W) 100 Tamaño nucl. T1 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM12 RM129RÃ9 Tamaño nucl. T2 RM10 RM10 RM10 RM10 RM10 RM10 RM10 RM8 RM8 RM8 RM8 RM8 RM8TM (s) 0.01L11 (µH) 21.50 17.10 15.30 12.76 32.00 19.46 16.93 15.20 11.16 8.57 16.00 12.60 5.71Ro (W ) 23.04 L12 (µH) 48.38 43.78 39.17 36.86 11.52 43.78 46.08 21.89 32.26 41.47 23.04 32.26 27.65L13 (µH) 23.71 43.78 66.19 119.44L21 (µH) 4.40 7.30 9.79 14.75 5.76 7.96 7.09 9.12 10.08 9.64L22 (µH) 2.82 5.91 9.79 14.75 5.76 5.09 7.09 7.39 8.16 7.81 8.23 9.22 6.437DEOD'LVHxRVPiVIDYRUDEOHVSDUDFDGDXQDGHODVSULQFLSDOHVWRSRORJtDV6,,• Para cada topología y diseño, se recogen datos a tres tensiones distintas, que resultansignificativas <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l rango <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada universal: 85, 230 y 265 V EF. .• El valor mínimo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, 85 V EF. , impondrá los valores más <strong>de</strong>sfavorables<strong>de</strong> corrientes <strong>de</strong> pico (I 11 (p /2) e I 2x (0)) y corrientes eficaces (por ejemplo, Icu 11 es elpromedio, en un semiperiodo <strong>de</strong> red, <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la corriente que circula por el<strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 1 ) <strong>con</strong> las que se dimensionarán las secciones <strong>de</strong> los <strong>con</strong>ductorescorrespondientes a los <strong>de</strong>vanados <strong>de</strong> cada componente magnético.También a 85 V EF. se recoge el valor <strong>de</strong> la estimación que se ha hecho <strong>de</strong>l rendimiento, h ,así como los valores <strong>de</strong> la potencia instantánea <strong>de</strong> entrada para al ángulo <strong>de</strong> red p /2, pe(p /2)que se utilizará para dimensionar el núcleo magnético <strong>de</strong> T 1 según las expresiones (5.37) y(5.44). De igual manera, se presenta el valor <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> atenuación (1-V C1 /V O ) y <strong>de</strong> lapotencia instantánea máxima, (1-V C1 /V O ). P O , que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong> transferir elcomponente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1 para las topologías SII-B y <strong>con</strong> el quesegún (5.55) se dimensiona el núcleo <strong>de</strong> este componente magnético.• Los datos que se presentan par la tensión <strong>de</strong> 230 V EF. se utilizan para <strong>de</strong>terminar la calidad<strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. De esta forma se recoge si esta corriente cumple235


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong> los límites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, así como el armónico quepresenta un valor más cercano al límite (Arm. máximo) y el factor por el que habría quedividir al armónico Arm. máximo para alcanzar dicho límite.Así mismo, se proporciona el valor <strong>de</strong> K P , que como se ha <strong>de</strong>scribió en el apartado 5.4.1.4,permite <strong>de</strong>terminar si la corriente <strong>de</strong> entrada cumple o no los límites <strong>de</strong> Clase D medianteeste único valor numérico. Por último, y como información adicional, se ha recogido elvalor <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia que se obtiene (Fp).• El dato principal <strong>de</strong> los que se proporcionan para la tensión <strong>de</strong> 265 V EF es el valor <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento V C1@265 que <strong>de</strong>finirá la tensión <strong>de</strong> rupturamínima <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador electrolítico que se pretenda utilizar como <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Esta tensión junto <strong>con</strong> la que se recoge a 85 V EF. , V C1@85 , imponen eltamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Este tamaño se presenta mediante el volumen<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador en cm 3 . También, <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong> la fila que recoge el volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador,se presentan los tamaños <strong>de</strong> los núcleos requeridos para <strong>con</strong>struir los componentesmagnéticos. &RPSDUDFLyQGHWRSRORJtDVLa comparación entre las distintas topologías SII, se va a realizar en base a las prestaciones <strong>de</strong> cadauna <strong>de</strong> ellas y no a las diferencias <strong>de</strong> funcionamiento, que ya han quedado expuestas a lo largo <strong>de</strong> losCapítulos 4 y 5.Las características que se van a utilizar para establecer las diferencias entre cada topología, son lassiguientes:• Tamaño <strong>de</strong> los componentes magnéticos.• Tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.• Corrientes circulantes por los <strong>con</strong>vertidores internos.• Lista <strong>de</strong> componentes. 7DPDxRGHORVFRPSRQHQWHVPDJQpWLFRVResumiendo todos los aspectos tratados en el apartado 5.3.2.3, en la figura 5.68 se representa laenergía mínima que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong> almacenar, sin saturarse, el componente magnético <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores internos según la topología que estos presenten.Como se recogía en la expresión (5.37), la energía que <strong>de</strong>be almacenar un componente magnéticoimpone las dimensiones mínimas <strong>de</strong>l entrehierro <strong>de</strong> dicho componente. En (5.113) se rescribe estaexpresión:O*$3× $(2×m= E ×%220$;(5.107)Para el <strong>con</strong>vertidor interno 2, que toma toda la potencia <strong>de</strong> la entrada y que siempre presenta topología)O\EDFN, esta energía vienen dada por la expresión (5.114):236


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,E= S1( p / 2), p22( × I&= × /11×11(/ 2)(5.108)Sin embargo, el <strong>con</strong>vertidor interno 1 pue<strong>de</strong> presentar topología )O\EDFN o elevadora, y por tanto laenergía que se <strong>de</strong>be almacenar respectivamente, se recoge en las expresiones (5.115) y (5.116):EE=12232 × I&= × /21× ,21(0)1 & 12= 32× I&= × /2[× ,2[(0) × (1 -23RWHQFLDÃGHÃHQWUDGDS ( ZW992)Convertidor 2, topología )O\EDFN:E=S122( ( p /2)×I&=×/11 ×,11(p/2)(5.109)(5.110)‡/2‡2‡3RWHQFLDVÃVLPSOHÃ\ÃGREOHÃSURFHVDGR3ÃGREOHÃ3ÃVLPSOH3 2‡ 2‡ŠtŠtConvertidor 1, topología )O\EDFN:E=1223 2 ×I&=×/21 ×,21(0)Convertidor 1, topología (OHYDGRUD:991 &12E=3 2×I&=×/2[×,2[(0)×(1-2)LJXUD(QHUJtDTXHGHEHVHUFDSD]GHDOPDFHQDUVLQVDWXUDUVHHOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRGHORVFRQYHUWLGRUHVLQWHUQRVGHOGLDJUDPDGHEORTXHVGHXQFRQYHUWLGRU6,,VHJ~QODWRSRORJtDTXHHVWRVSUHVHQWHQPor tanto, a partir <strong>de</strong> la expresión (5.113) y <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> la energía que <strong>de</strong>be almacenar, es posible<strong>de</strong>terminar el tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong> cada componente magnético <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.En la figura 5.68 se ha representado para varios núcleos magnéticos comerciales, la potencia que soncapaces <strong>de</strong> transferir sin saturarse, una vez fijado un valor para:• B MAX , valor <strong>de</strong> la <strong>de</strong>nsidad <strong>de</strong>l flujo magnético, en el núcleo <strong>de</strong>l componente, que seselecciona por diseño <strong>de</strong> manera que resulte inferior al valor <strong>de</strong> saturación. Para la figura5.68 se ha seleccionado un valor <strong>de</strong> 230 mT.• f C : frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. En este caso, se ha elegido f C = 50 kHz.Como se pue<strong>de</strong> comprobar en la tabla 5.18, los valores que toma la potencia instantánea máxima <strong>de</strong>entrada sufre pocas variaciones cuando se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran los diseños más favorables, aunque esligeramente inferior en el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo SII-B. Este valor se ha fijado en 156 Wpara representar la figura 5.68 y es el que <strong>de</strong>termina el tamaño <strong>de</strong>l núcleo magnético <strong>de</strong>l transformadorT 1 . Sin embargo, para el componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1, T 2 o L 2 , se presentan tresposibilida<strong>de</strong>s en cuanto a la potencia que ha <strong>de</strong> transferir dicho componente magnético. Este valor seobtiene a partir <strong>de</strong> las expresiones (5.115) y (5.116) y la frecuencia <strong>de</strong> 50 kHz y también se recogen en2)237


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,la tabla 5.18.Si el <strong>con</strong>vertidor interno 1 presenta topología )O\EDFN, la potencia instantánea mínima que <strong>de</strong>be sercapaz <strong>de</strong> transferir será la potencia <strong>de</strong> salida, en este caso se han <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado 100 W. Sin embargo, siel <strong>con</strong>vertidor presenta topología elevadora, el valor <strong>de</strong> potencia instantánea que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong>transferir, (para que el <strong>con</strong>vertidor SII-B, en <strong>con</strong>junto, proporcione los 100 W <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> carga),se ve atenuado por el factor (1-V C1 /V O ). Este factor <strong>de</strong> atenuación podrá tomar diferentes valoressegún el diseño y por tanto, la potencia instantánea correspondiente se ha representado mediante unafranja <strong>de</strong> color gris.3RWHQFLDWUDQVIHULGDSRUHOQ~FOHRPDJQpWLFR:250200150100505 0 50 5050507 7 *UXSR6,,)7 Ã R/ Ã *UXSR6,,%0400 600 800 1000 1200 1400 1600/RQJLWXGGHOHQWUHKLHUURO *$3 —P)LJXUD3RWHQFLDPi[LPDTXHSXHGHWUDQVIHULUHOFRPSRQHQWHPDJQpWLFRVHJ~QHOWDPDxRGHVXQ~FOHR\ODORQJLWXGGHOHQWUHKLHUURTXHVHVHOHFFLRQH3RWHQFLDVTXHKDQGHWUDQVIHULUFRPRPtQLPRORVFRPSRQHQWHVPDJQpWLFRVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,VHJ~QVXWRSRORJtDConsi<strong>de</strong>rando que longitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l entrehierro mayores a los 1000 µm no son a<strong>con</strong>sejables, pue<strong>de</strong>nextraerse las siguientes <strong>con</strong>clusiones, observando la figura 5.69:• Todos los <strong>con</strong>vertidores SII, para el caso <strong>con</strong>templado en la figura 5.69, requieren al menosun núcleo RM12 para <strong>con</strong>struir el transformador T 1 , aun queriendo primar el tamaño frentea otros aspectos como rendimiento o las emisiones electromagnéticas (EMI) radiadas. Encaso <strong>con</strong>trario, podría elegirse un RM14, al que correspon<strong>de</strong>ría una longitud <strong>de</strong>l entrehierromenor y por tanto unos menores valores para los efectos <strong>de</strong>scritos anteriormente.• Los <strong>con</strong>vertidores pertenecientes al Grupo SII-F necesitan un tamaño mínimo, para elnúcleo magnético <strong>de</strong>l transformador T 2 , equivalente al núcleo comercial RM10.• Los <strong>con</strong>vertidores pertenecientes al Grupo SII-B, requieren para igual valor <strong>de</strong> longitud <strong>de</strong>lentrehierro, un núcleo un escalón menor (RM8) que los <strong>con</strong>vertidores SII-F. Según eldiseño que se realice para los <strong>con</strong>vertidores SII-B, pue<strong>de</strong> optimizarse bastante elcomportamiento <strong>de</strong>l componente magnético (T 2 o L 2 ), <strong>de</strong>bido a que para un valor alto <strong>de</strong>V C1@85 , el factor <strong>de</strong> atenuación (1-V C1 /V O ) posibilita el uso <strong>de</strong> longitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l entrehierrobastante reducidas.238


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Consi<strong>de</strong>rando que el <strong>con</strong>vertidor SII va a ser diseñado para operar <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>rango europeo, varias son las <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones acerca la posible reducción <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong> losnúcleos magnéticos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII:- El valor <strong>de</strong> K P que pue<strong>de</strong> seleccionarse para 187 V EF. (pero que también asegureque a 230 V EF. se obtenga un valor <strong>de</strong> K P inferior a 0.78 para así cumplir los límites<strong>de</strong> la Clase D), será ligeramente superior al correspondiente al diseño para 85 V EF. .Por tanto, el valor <strong>de</strong> la potencia mínima que <strong>de</strong>be ser capaz <strong>de</strong> transferir eltransformador T 1 se reducirá también ligeramente. Aunque no sea posible pasar aun núcleo inferior, sí se posibilitará reducir el valor <strong>de</strong> la longitud <strong>de</strong>l entrehierro.- Si el <strong>con</strong>vertidor pertenece al Grupo SII-F, el tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>l transformadorT2 no se podrá modificar, ya que se tienen que transferir <strong>de</strong> manera instantánea losmismos 100 W. Ahora bien, sí habrán disminuido las corrientes eficaces por los<strong>de</strong>vanados <strong>de</strong> este transformador.- Si el <strong>con</strong>vertidor pertenece al Grupo SII-B, el tamaño <strong>de</strong>l núcleo, sí podrá reducirseya que así lo hace el factor <strong>de</strong> atenuación <strong>de</strong>bido al mayor valor que adquiere latensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. En algún caso y <strong>con</strong>si<strong>de</strong>randoaceptable una longitud para el entrehierro <strong>de</strong> 1000 µm, sería posible pasar a unnúcleo RM6. 7DPDxR GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR \ FRUULHQWHV FLUFXODQWHV SRUORVFRQYHUWLGRUHVLQWHUQRVPara establecer una comparación a<strong>de</strong>cuada acerca <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientocorrespondiente a las distintas topologías SII, no basta <strong>con</strong> <strong>de</strong>terminar los valores que se obtienen paracada una <strong>de</strong> ellas, sino que es necesario tener en cuenta qué requisitos, en cuanto a las corrientes quecirculan por los <strong>con</strong>vertidores internos, supone el reducir el volumen <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento al valor especificado.A partir <strong>de</strong> los datos recogidos en la tabla 5.18 se pue<strong>de</strong>n trazar los gráficos que se presentan en lafigura 5.70. Los aspectos que se pue<strong>de</strong>n observar en esta figura son los siguientes:• La mayor versatilidad, que la relación <strong>de</strong> transformación n 23 <strong>con</strong>fiere a las topologías SII-F1 y SII-F1-SS, permite que a éstas les corresponda el menor volumen, para el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento, entre todos los <strong>con</strong>vertidores SII. A<strong>de</strong>más, para su diseño óptimo (63V), las corrientes <strong>de</strong> pico I 11 e I 21 son comparables a las más reducidas, que se obtienen enlas otras topologías.Es <strong>de</strong> <strong>de</strong>stacar, que la capacidad, que presenta esta topología, <strong>de</strong> almacenar la energía a unatensión mayor que la <strong>de</strong> salida, le permitirá reducir el tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, en <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> salida reducida, por ejemplo 24 V. El Grupo<strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores SII-L (V C1 < V O ) presentarán un valor en la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, V C1@85 , que provocará un elevado tamaño <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, tal y comopue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducirse <strong>de</strong> la figura 5.38.239


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,DEF9ROXPHQÃGHOÃFRQGHQVDGRUÃGHÃDOPDFHQDPLHQWRÃFP 7HQVLyQÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOÃ9SII-F1-SSSII-F2SII-B2SII-B-2D, Ã&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃHQÃHOÃSULPDULRÃGHÃ7 Ã$SII-F1-SSSII-F2SII-B2SII-B-2D 7HQVLyQÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOÃ9, [ Ã&RUULHQWHÃGHÃSLFRÃHQÃHOÃFRPSRQHQWHÃPDJQpWLFRÃGHOÃFRQYHUWLGRUÃLQWHUQRÃÃ$SII-F1-SSSII-F2SII-B2SII-B-2D 7HQVLyQÃGHÃUXSWXUDÃFRPHUFLDOÃ9)LJXUD7DPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSDUDGLIHUHQWHVWRSRORJtDV6,,HQIXQFLyQGHOUDQJRGHWHQVLyQHQHOTXHVHDOPDFHQDODHQHUJtDHQHVWHFRQGHQVDGRU&RQYHUWLGRUHVGLVHxDGRVSDUD9GHWHQVLyQGHVDOLGD\WHQVLyQGHHQWUDGDXQLYHUVDO• El tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento en la topología SII-F2 sellega a reducir tanto como en el<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS peroexclusivamente si se almacena a 50 V.Intentar almacenar a 35 V, <strong>con</strong> estatopología, supone bajar excesivamente elvalor <strong>de</strong> la tensión V C1@85 .• Los resultados que se obtienen en los<strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F2, cuando sealmacena la energía en el rango <strong>de</strong> tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>hasta 50 V, son muy similares, ya queestos <strong>con</strong>vertidores funcionan <strong>de</strong> maneraprácticamente idéntica, cuando n 23 toma elvalor 1.• El tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento que se llega a obtener enlos <strong>con</strong>vertidores SII-B2 y SII-B-2Dresulta siempre mayor que elcorrespondiente a los <strong>con</strong>vertidores SII-F1-SS y SII-F2 cuando éste almacena a 50V.• Ahora bien, cuando los <strong>con</strong>vertidores SII-B2 y SII-B-2D almacenan la energía hasta35 V, obtienen un valor aceptable <strong>de</strong>lvolumen <strong>de</strong>l este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, 12 cm 3 (compárese estevalor, <strong>con</strong> los 19 cm 3 que requierenaquellos <strong>con</strong>vertidores, <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> latécnica, cuya tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento está enclavada al valor <strong>de</strong>pico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red) y en este caso, presentan unas corrientes bastante reducidas. Sin embargo,si se diseñan para que almacenen la energía en el rango <strong>de</strong> los 50 V, las corrientes por el primario<strong>de</strong> T 1 crecen notablemente.• La razón <strong>de</strong> que los <strong>con</strong>vertidores SII-B presenten en general unas corrientes <strong>de</strong> pico, en el<strong>con</strong>vertidor interno 1, inferiores a las que presentan los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo SII-F, se <strong>de</strong>be a ladiferente forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente que se extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,correspondiente a cada uno <strong>de</strong> los dos tipos <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores. En la figura 5.71 se ha representadoesta corriente para los dos casos expuestos. Observando ambas formas <strong>de</strong> onda se justifica el hecho<strong>de</strong> que para transferir una misma potencia, lo que requiere idéntico valor medio <strong>de</strong> la corriente y portanto <strong>de</strong>l área que encierra la forma <strong>de</strong> onda (A = B), el valor <strong>de</strong> pico que se necesita en el caso <strong>de</strong>240


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,los <strong>con</strong>vertidores SII-F es mayor. También lo serán, por tanto, las corrientes eficaces asociadas aestos valores <strong>de</strong> pico y esta es la causa <strong>de</strong> que en general, los <strong>con</strong>vertidores pertenecientes al grupoSII-B presenten un rendimiento más alto que los pertenecientes al grupo SII-F.<strong>Convertidores</strong> SII-Fa) b)<strong>Convertidores</strong> SII-BL & ,S & W7,S / L & ,S & W7,S /AB)LJXUD&RUULHQWHFLUFXODQWHSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRH[WUDtGD\FHGLGDHQODVWRSRORJtDVD6,,)\E6,,%Otro aspecto importante que distingue a las distintas topologías <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la familia SII es el valor quepue<strong>de</strong> llegar a tomar el parámetro d , que medía la proporción <strong>de</strong> energía que podía extraerse <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, respecto <strong>de</strong> la energía almacenada (ver (5.72)). En la tabla 5.19 serecoge el valor <strong>de</strong>l parámetro d , para los grupos <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores SII-L y SII-HL, en dos situacionesdiferentes: cuando el <strong>con</strong>vertidor opera en MCD durante todo el proceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga, y cuando seproduce, durante este proceso, el paso a M<strong>CC</strong>.. ' 3URFHVRGHGHVFDUJDHQ0&' 3DVRD0&&GXUDQWHSURFHVRGHGHVFDUJD6,,%2× / 225 2 × 7 &92292d 0&' = ×d920&& = × (1 - ' 0$; )& 1@ 85'90$;& 1@ 851 + 1 + 4 ×.'6,,)2× / 215 2 × 7 &d920&' = × × . '9&1@ 85' 0$;1d0&&921 1 - '= × ×9 Q '& 1@8520$;0$;. ': Parámetro <strong>de</strong> carga adimensional correspondiente al “<strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga” o <strong>con</strong>vertidor interno 1. La inductancia <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1 es la que se utiliza para calcular el valor <strong>de</strong> K D en cada caso.7DEOD([SUHVLyQGHOSDUiPHWURd SDUDORVJUXSRVGHFRQYHUWLGRUHV6,,)\6,,%FXDQGRGXUDQWHWRGRHOSURFHVRGHGHVFDUJDRSHUDQHQ0&'\FXDQGRSDVDQDRSHUDUHQ0&&GXUDQWHHVWHSURFHVRLas expresiones que se recogen en la tabla 5.19 se han particularizado <strong>con</strong> los valores <strong>de</strong> la tabla 5.18para las topologías SII-F1, SII-F2 y SII-B2, obteniéndose los resultados que se presentan en la tabla5.20.Conviene <strong>de</strong>stacar que, en los tres casos, se obtiene un valor <strong>de</strong> d MCD , mayor que el <strong>de</strong> d M<strong>CC</strong> . Estehecho significa que el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga pasará a operar en M<strong>CC</strong> antes <strong>de</strong> que se complete elproceso <strong>de</strong> <strong>de</strong>scarga y por tanto la tensión final que se alcanza en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento yen <strong>con</strong>secuencia el valor <strong>de</strong> d vendrán impuestos por este modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción. (Ver apartado5.3.3.1.2 y figura 5.41).241


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,242n 1 n 2 n 23 a K K D d MCD d M<strong>CC</strong>SII-F1-SS 1,6 1 1,3 4 0,17 SII-F2 1,65 1 6,5 0,2 SII-B2 1,7 0,9 3,2 0,14 7DEOD9DORUHVGH. ' d 0&' \d 0&& SDUDORVFRQYHUWLGRUHV6,,)666,,)\6,,%FRUUHVSRQGLHQWHVDORVYDORUHVTXHVHUHFRJHQHQODWDEODAhora bien, las <strong>con</strong>clusiones que pue<strong>de</strong>n extraerse a tenor <strong>de</strong> los resultados <strong>de</strong> la tabla 5.20, son lassiguientes:• Para los tres <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rados, el valor <strong>de</strong>l parámetro d presenta un valor inferiora 0,3, por tanto será extraída en los tres casos más <strong>de</strong>l 90% <strong>de</strong> la energía almacenada. (Verexpresión 5.72).• Debido a que el valor que toma la tensión V C1@85 es mayor en el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS por el grado <strong>de</strong> libertad que le <strong>con</strong>fiere la relación <strong>de</strong> transformación n 23 , el valor <strong>de</strong>lparámetro d es el menor <strong>de</strong> los tres casos analizado. En el extremo opuesto se encuentra el<strong>con</strong>vertidor SII-B2 por la misma razón. /LVWDGHFRPSRQHQWHVPue<strong>de</strong> establecerse también una comparación entre las distintas topologías SII, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando la lista <strong>de</strong>componentes que presenta cada uno <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores. En la tabla 5.21 se presentan los esquemaseléctricos <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> la topologías SII y se <strong>de</strong>stacan los componentes más significativos <strong>de</strong> cadauna <strong>de</strong> ellas.Conviene aclarar algunos <strong>de</strong> los términos utilizados en la tabla 5.21:• MOSFET <strong>de</strong> Alta tensión (600 V). Pue<strong>de</strong>n utilizarse indistintamente MOSFET <strong>de</strong> 500 V o600 V.• MOSFET <strong>de</strong> baja tensión. En los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo SII-L (topologías SII-B1, SII-B1,SII-B-2D y SII-F2), el transistor S 2 <strong>de</strong>be soportar como tensión máxima la tensión <strong>de</strong>salida, este caso se ha <strong>de</strong>signado como “MOSFET <strong>de</strong> baja tensión (100 V)”.Sin embargo, en la topología SII-F1, el transistor S 2 ha <strong>de</strong> soportar una tensión máximadada por la expresión (5.117). Este caso se ha <strong>de</strong>signado <strong>con</strong> “MOSFET <strong>de</strong> baja tensión(200 V)” aunque los valores numéricos que proporcione (5.117) no superen los 100 V.[ Y 6 2] = 9&1+ × 920$; .1Q2(5.111)• Diodo <strong>de</strong> baja tensión. Los diodos DS 2 y DS 1-2 pertenecientes respectivamente a lastopologías SII-B2 y SII-B-2D <strong>de</strong>ben soportar una tensión máxima igual a la tensión <strong>de</strong>salida. Para este caso se ha utilizado la <strong>de</strong>signación “diodo baja tensión (100 V)”.• El diodo DS 2 presente en las topologías SII-B1, SII-F2, SII-F1 y SII-F1-SS ha <strong>de</strong> soportaruna tensión máxima, cuyo valor se recoge en (5.118), este caso se ha <strong>de</strong>signado como“diodo <strong>de</strong> baja tensión (200 V)”.


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,[ Y ] 9 + Q2×1= (5.112)'6 2 0$; . 2 9&SII-BSII-B2 SII-B1 SII-B-2D5'6 '6 5 7 7 7 / / / / 6 6 6 '6 $8;'6 7 ' $8;'6 ' $8;'6 5 7 / / / / / / / & 2 5 2& 2 5 2& 2 5 26 6 6 & & & 1 MOSFET Alta tensión (600 V) 1 MOSFET Alta tensión (600 V) 1 MOSFET Alta tensión (600 V)1 MOSFET Baja tensión (100V) 1 MOSFET Baja tensión (100V) 1 MOSFET Baja tensión (100V)2 diodos Alta tensión (600V) 2 diodos Alta tensión (600V) GLRGR$OWDWHQVLyQ91 diodo baja tensión (100V) 1 diodo baja tensión (200V) 1 diodo baja tensión (100V)Transformador T 1 , núcleo RM12 Transformador T 1 , núcleo RM12 Transformador T 1 , núcleo RM12Transformador T 2 , núcleo RM8 Transformador T 2 , núcleo RM8 ,QGXFWDQFLD/ Q~FOHR50C 1 12 cm 3 , núcleo equiv. (>RM10) C 1 12 cm 3 , núcleo equiv. (>RM10) C 1 12 cm 3 , núcleo equiv. (>RM10)Circuito <strong>de</strong> disparo S 2 <strong>con</strong>aislamientoSII-FCircuito <strong>de</strong> disparo S 2 <strong>con</strong>aislamientoCircuito <strong>de</strong> disparo S 2 <strong>con</strong>aislamientoSII-F2 SII-F1 SII-F1-SS5 / / 5 5 & 2 5 2/ / '6 '6 '67 7 '6 7 7 '6' $8; / / / 7 7 7 / 6 7 6 ' $8;6 ' $8;6'6 / ' 66& 25 2& 2 5 2/ / / 7 6 7 / / & & & 1 MOSFET Alta tensión (600 V) 026)(7$OWDWHQVLyQ9 1 MOSFET Alta tensión (600 V)1 MOSFET Baja tensión (100V) 3 diodos Alta tensión (600V) 1 MOSFET Baja tensión (200V)2 diodos Alta tensión (600V) 1 diodo baja tensión (100V) 2 diodos Alta tensión (600V)1 diodo baja tensión (200V) Transformador T 1 , núcleo RM12 1 diodo baja tensión (200V)Transformador T 1 , núcleo RM12 Transformador T 2 , núcleo RM10 Transformador T 1 , núcleo RM12Transformador T 2 , núcleo RM10 C 1 7,85 cm 3 , núcleo equiv. (>RM8) Transformador T 2 , núcleo RM10C 1 7,85 cm 3 , núcleo equiv. (>RM8)Circuito <strong>de</strong> disparo S 2 <strong>con</strong>aislamientoC 1 7,85 cm 3 , núcleo equiv. (>RM8)6 \6 UHIHULGRVDPDVDFRP~Q 6 UHIHULGRDPDVD7DEOD&RPSDUDWLYDGHODOLVWDGHFRPSRQHQWHVGHFDGDWRSRORJtD6,,• En la tabla 5.21 se han <strong>de</strong>stacado en gris aquellos aspectos <strong>de</strong> una <strong>de</strong>terminada topologíaque resulten significativos y los distinga <strong>de</strong>l resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.243


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• En la tabla 5.21, se ha incluido el volumen que presenta el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,C 1 , y se ha intentado relacionar su volumen <strong>con</strong> uno equivalente, correspondiente a unnúcleo magnético comercial. &RQFOXVLRQHVGHODFRPSDUDFLyQHQWUHWRSRORJtDV6,,Las <strong>con</strong>clusiones acerca <strong>de</strong> la comparación <strong>de</strong> las topologías se realizará en base a <strong>de</strong>stacar quétopologías resultan más interesantes <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> los Grupos SII-B y SII-F y también cuál <strong>de</strong> los dosgrupos presenta mejores características.*UXSR6,,%Dentro <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores que presentan topología elevadora en su <strong>con</strong>vertidor interno 1, el queresulta más interesante es el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D. Esta topología presenta idénticas prestaciones encuanto al tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, pero requiere un inductancia en vez <strong>de</strong> unsegundo transformador y presenta únicamente dos diodos, uno <strong>de</strong> ellos <strong>de</strong> baja tensión.*UXSR6,,%IUHQWHD*UXSR6,,)El grupo SII-B, <strong>de</strong>bido a la presencia <strong>de</strong> una topología elevadora en lugar <strong>de</strong> una topología )O\EDFN ensu <strong>con</strong>vertidor interno 1, presenta, en este <strong>con</strong>vertidor, menores corrientes <strong>de</strong> pico, menores corrienteseficaces y por tanto un mayor rendimiento que el que se obtenga <strong>con</strong> un diseño equivalentecorrespondiente a las topologías SII-F. También y por la presencia <strong>de</strong> la topología elevadora, laenergía instantánea máxima que ha <strong>de</strong> ser capaz <strong>de</strong> almacenar el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1, resulta menor que en las topologías SII-F y su núcleo magnético pue<strong>de</strong>reducirse respecto al requerido por los <strong>con</strong>vertidores SII-F.Sin embargo, requieren un mayor tamaño en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y todas sus topologíasnecesitan dos interruptores <strong>con</strong>trolados, requiriendo el transistor S 2 un circuito <strong>de</strong> disparo <strong>con</strong>aislamiento. Si la aplicación <strong>de</strong> la fuente <strong>de</strong> alimentación requiere una tensión <strong>de</strong> aislamiento primario– secundario muy restrictiva, el transformador <strong>de</strong> pulsos, que se utilizaría para <strong>con</strong>struir dicho circuito<strong>de</strong> disparo <strong>con</strong> aislamiento (por ser una <strong>de</strong> las soluciones más extendidas), podría suponer unincremento notable <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong> la solución, o al menos enmascarar la ventaja, que respecto <strong>de</strong>ltamaño <strong>de</strong> los componentes magnéticos <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia, presentan los <strong>con</strong>vertidores SII-B.Esta aspecto, queda resuelto <strong>con</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS, aunque sin embargo estosrequieren un transformador <strong>con</strong> tres <strong>de</strong>vanados.*UXSR6,,)El <strong>con</strong>vertidor SII-F2 es el que resulta menos atractivo <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> los que presentan topología )O\EDFNen el <strong>con</strong>vertidor interno 1 <strong>de</strong>bido fundamentalmente, por un lado a la necesidad <strong>de</strong>l circuito <strong>de</strong>disparo <strong>con</strong> aislamiento y por otro a que esta topología no posee la versatilidad que le proporciona larelación <strong>de</strong> transformación n 23 en cuanto a establecer la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.En los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS, la inclusión <strong>de</strong>l tercer arrollamiento en el transformador T 1 ,posibilita elevar la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, pudiendo reducir los valores <strong>de</strong> pico yeficaces <strong>de</strong> las corrientes que circulan por el <strong>con</strong>vertidor interno 1.El <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS resulta indudablemente atractivo <strong>de</strong>bido a que necesita un único interruptor<strong>con</strong>trolado. Sin embargo, la topología SII-F1 presenta idénticas prestaciones a la SII-F1-SS pero la244


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,posibilidad <strong>de</strong> separar en dos el interruptor <strong>con</strong>trolado S 1 permite que las pérdidas sean menores,aumentando el rendimiento. Es necesario tener en cuenta, que el interruptor único <strong>de</strong> la topología SII-F1-SS es un interruptor <strong>de</strong> alta tensión, que a priori presentará peores características en <strong>con</strong>ducción.A<strong>de</strong>más <strong>de</strong>be <strong>con</strong>ducir las corrientes extraídas tanto <strong>de</strong> la entrada como <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, por lo que, a buen seguro, su mayor temperatura <strong>de</strong> trabajo supondrá aumentar suresistencia en <strong>con</strong>ducción. Por tanto, el <strong>de</strong>sdoblamiento <strong>de</strong> S 1 en dos interruptores en la topología, SII-F1, lejos <strong>de</strong> ser un in<strong>con</strong>veniente, pue<strong>de</strong> resultar ventajoso, ya que la corriente extraída <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento circulará por un MOSFET <strong>de</strong> baja tensión <strong>con</strong> menor resistencia en<strong>con</strong>ducción y no tendrá que pasar a través <strong>de</strong>l diodo D SS , que aunque <strong>de</strong> un valor reducido, tambiénsupone unas pérdidas <strong>de</strong> potencia adicionales.En <strong>con</strong>clusión, ORV FRQYHUWLGRUHV 6,,) \ 6,,)66 \ SRU HVWH RUGHQ UHVXOWDQ ORV PiVLQWHUHVDQWHVGHWRGDVODVWRSRORJtDV6,,. &RQFOXVLRQHVEn el presente capítulo se ha realizado el HVWXGLRHVWiWLFR <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores alterna - <strong>con</strong>tinua <strong>con</strong>Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie.En primer lugar se han distinguido tres tipos <strong>de</strong> parámetros que <strong>de</strong>finen el comportamiento <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII. Se han presentado las HVSHFLILFDFLRQHV (valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada ypotencia <strong>de</strong> carga), los SDUiPHWURVGHGLVHxR (relaciones <strong>de</strong> transformación n 1 , n 2 y n 23 , la relación <strong>de</strong>inductancias, a y el parámetro adimensional <strong>de</strong> carga, K) y por último los YDORUHVFDUDFWHUtVWLFRV (ley<strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, d(w t), corriente <strong>de</strong> entrada, i E (w t), tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>simple procesado, K P , tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 y el rendimiento).Posteriormente se ha establecido la estructura y metodología <strong>con</strong> la que se han elaborado losSURJUDPDVGHFiOFXOR así como las funciones <strong>de</strong> cálculo que <strong>con</strong>tienen, que <strong>de</strong>sarrollados para cadauna <strong>de</strong> las topologías SII, han permitido estudiar a fondo estos <strong>con</strong>vertidores así como diseñarlos yestablecer las diferencias entre ellos.En el apartado <strong>de</strong> DQiOLVLV se han estudiado cómo afectan el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada y lapotencia <strong>de</strong> carga a los distintos valores característicos y también, las interrelaciones que entre estos seproducen, por ejemplo la influencia <strong>de</strong> K P sobre el rendimiento. Las <strong>con</strong>clusiones más importantes quese <strong>de</strong>ducen <strong>de</strong>l apartado <strong>de</strong> análisis son:• &LFOR GH WUDEDMR. La ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>scomponen comoproducto <strong>de</strong> dos factores, uno <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, y el otro <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada y <strong>de</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño. La potencia <strong>de</strong> carga sólo varía la escala<strong>de</strong> la ley <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, pero no modifica su forma, mientras que la tensión <strong>de</strong> entradamodifica ambas, magnitud y forma.Todos los <strong>con</strong>vertidores SII, funcionan <strong>de</strong> manera que la forma que adquiera el ciclo <strong>de</strong>trabajo en un semiperiodo <strong>de</strong> red junto <strong>con</strong> el valor medio <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento, <strong>de</strong>terminan el equilibrio energético y por tanto <strong>de</strong>finen el régimenpermanente <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores.• &RUULHQWHGHHQWUDGD. Las modificaciones que sufra la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajose transfieren íntegras a la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.245


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• 7DQWR SRU XQR GH SRWHQFLD GH VLPSOH SURFHVDGR . 3 . En cuanto a la influencia <strong>de</strong> lasespecificaciones sobre K P , hay que <strong>de</strong>stacar que el valor <strong>de</strong> . 3 HV LQGHSHQGLHQWH GH ODSRWHQFLDGHFDUJD pero disminuye cuando lo hace el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.La interrelación <strong>de</strong> K P <strong>con</strong> el resto <strong>de</strong> los valores característicos se pue<strong>de</strong> resumir en :- Debido a que la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor no es sinusoidal, el valor <strong>de</strong> K Ppue<strong>de</strong> superar el valor <strong>de</strong> 0,5.- HVHOPi[LPRYDORUTXHSXHGHWRPDU. 3 SDUDTXHODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHFXDOTXLHUFRQYHUWLGRU6,,FXPSODORVOtPLWHVGHOD&ODVH'- K P afecta al rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1. El rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor<strong>con</strong>ectado a la entrada , <strong>con</strong>vertidor interno 2, es in<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> K P .- El tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 2 esin<strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> K P , y solo <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación. Idéntica <strong>con</strong>clusión se obtiene para el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1 en las topologías <strong>de</strong>l grupo SII-F.Sin embargo, para las topologías <strong>de</strong>l grupo SII-B, el tamaño <strong>de</strong>l núcleo <strong>de</strong>lcomponente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1 <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga y <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, también <strong>de</strong> la relaciónentre la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y la tensión <strong>de</strong> salida.• 7HQVLyQ HQ HO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR. Debido a la operación en modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo (0&') <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, ODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRHVLQGHSHQGLHQWHGHODSRWHQFLDGHFDUJD./DYDULDFLyQGHHVWDWHQVLyQFRQHOYDORUHILFD]HVEDVWDQWHUHGXFLGD por estar acotadasuperiormente por la tensión <strong>de</strong> salida o por la tensión <strong>de</strong> salida multiplicada por la relación<strong>de</strong> transformación n 23 en los <strong>con</strong>vertidores SII-F y SII-F1-SS.En el apartado <strong>de</strong> análisis, se ha puesto un énfasis especial en <strong>de</strong>terminar aquellos aspectos que tieneninfluencia sobre el WDPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR, ya que reducir este tamaño era uno<strong>de</strong> los objetivos <strong>de</strong> este trabajo. El estudio realizado es general, y en <strong>con</strong>secuencia las <strong>con</strong>clusionesson aplicables a otros <strong>con</strong>vertidores distintos a los CFP SII. 'HVWDFDQGR como factores importantespara optimizar este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador: el UDQJR GH YDULDFLyQ GH OD WHQVLyQ HQ HO FRQGHQVDGRU GHDOPDFHQDPLHQWR <strong>de</strong>bido a la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red, (caso <strong>de</strong> que esta no se encuentreregulada, como en los CFP en una etapa), OD FDSDFLGDG GH UHJXODFLyQ GHO ³FRQYHUWLGRU GHGHVFDUJD´ que <strong>de</strong>termina la energía que se pue<strong>de</strong> llegar a extraer <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamientoy también DVSHFWRVFRQVWUXFWLYRVGHORVFRQGHQVDGRUHVHOHFWUROtWLFRV. Entre las <strong>con</strong>clusiones másimportantes, al respecto, <strong>de</strong>stacar que se SXHGHQREWHQHUVROXFLRQHVFRQUHVXOWDGRVFRPSDUDEOHVRLQFOXVRPHMRUHVDODVTXHVHREWLHQHQHQFRQYHUWLGRUHVTXHDOPDFHQDQODHQHUJtDHQHOUDQJRGHORV9. Un ejemplo lo <strong>con</strong>stituyen los FRQYHUWLGRUHV6,,, en los cuales, ODEDMDYDULDFLyQGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODWHQVLyQHILFD]GHHQWUDGDSHUPLWHUHGXFLUVXWDPDxR.En cuanto al diseño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, se ha realizado en función <strong>de</strong> unos parámetrosadimensionales, en lugar <strong>de</strong> recurrir a valores absolutos. Se ha <strong>de</strong>terminado la influencia que, sobre246


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,cada valor característico, posee cada parámetro <strong>de</strong> diseño y se ha hecho extensivo a los parámetrosparticulares a cada topología SII.El procedimiento <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>be realizarse según los siguientes criterios:• &ULWHULR : Para los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l Grupo SII-L (V C1 < V O ), se <strong>de</strong>be seleccionar un<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> ruptura muy próxima a la tensión <strong>de</strong> salida.Para los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>l SII-F1 y SII-F1-SS, resulta más <strong>con</strong>veniente la selección <strong>de</strong>lvalor <strong>de</strong> Q <strong>de</strong> manera que se almacene la energía a la máxima tensión posible, siempre ycuando el aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y las tensiones en losdiodos no limiten éste valor. En el ejemplo <strong>de</strong>scrito, la mejor opción establecía almacenarhasta 63 V.• &ULWHULR Seleccionar Q lo más elevado posible mientras que se mantenga K P < 0,78 si sepreten<strong>de</strong> cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D.• &ULWHULR Seleccionar D lo más reducido posible mientras que se mantenga K P < 0,78.Finalmente se ha establecido una comparación, a nivel <strong>de</strong> prestaciones, entre las distintas topologíasSII. /RVFRQYHUWLGRUHV6,,)\6,,)66KDQUHVXOWDGRORVPiVLQWHUHVDQWHV ya que presentan elmenor tamaño en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, niveles <strong>de</strong> corrientes reducidos y el interruptorúnico (SII-F1-SS) o interruptores <strong>con</strong>trolados (SII-F1) referenciados a la masa común <strong>de</strong>l circuito, <strong>con</strong>lo que no es necesario el uso <strong>de</strong> un circuito <strong>de</strong> disparo <strong>con</strong> aislamiento.247


&DStWXOR(VWXGLR(VWiWLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,248


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&DStWXOR0RGHODGRGLQiPLFR\GLVHxRGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQHQORVFRQYHUWLGRUHVGH)DPLOLDGH&)3FRQ,QWHUYDORGH,QGXFWDQFLDVHQ6HULH ,QWURGXFFLyQ 251 5HJXODFLyQGHODWHQVLyQGHVDOLGD 2515HJXODFLyQ GH OD WHQVLyQ GH VDOLGD HQ XQ FRQYHUWLGRU &$ && Flyback 252FRQWURODGRFRQXQOD]RGHEDQGDDQFKD5HJXODFLyQ GHODWHQVLyQGHVDOLGDHQORVFRQYHUWLGRUHV6,, 253,PSOLFDFLRQHVGHODUHJXODFLyQGHODWHQVLyQGHVDOLGDHQORVFRQYHUWLGRUHV6,, 254 $OWHUQDWLYDVSDUDHOPRGHODGRGLQiPLFRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 255/LPLWDFLRQHV GHO PRGHODGR GLQiPLFR HQ SHTXHxD VHxDO DSOLFDGR D ORV 255FRQYHUWLGRUHV6,,9HQWDMDVGHOSURPHGLDGRHQJUDQVHxDORULHQWDGRDVLPXODGRUHVGHFLUFXLWRV 259 7pFQLFDGHPRGHODGRHQJUDQVHxDORULHQWDGDDVLPXODFLyQGHFLUFXLWRVDSOLFDGD 261DORVFRQYHUWLGRUHV6,,'HVFULSFLyQ JHQHUDO GH OD WpFQLFD GH PRGHODGR HQ JUDQ VHxDO RULHQWDGD D 261VLPXODFLyQGHFLUFXLWRVVHOHFFLRQDGDSDUDPRGHODUORVFRQYHUWLGRUHV6,,6.4.1.1 Sustitución <strong>de</strong> los interruptores por fuentes <strong>de</strong>pendientes. 2626.4.1.2 Obtención <strong>de</strong> las duraciones <strong>de</strong> cada etapa <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. 263,PSOLFDFLRQHVGHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 2653URPHGLDGRHQHOPRGRGHIXQFLRQDPLHQWR=RQD 2666.4.3.1 Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> dos inductancias. Ecuación cúbica. 2676.4.3.2 Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias e interruptor <strong>de</strong>sfasado. Ecuación cuadrática. 2686.4.3.3 Desarrollo <strong>de</strong>l proceso <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado. 2690RGHORSURPHGLDGRFRQMXQWR 2726.4.4.1 Expresiones <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes correspondientes al modo <strong>de</strong> 272operación Zona 1.6.4.4.2 Discriminante <strong>de</strong> los modos <strong>de</strong> funcionamiento. 273249


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,0RGHORSURPHGLDGRGHRWURVHOHPHQWRVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ 275 5HVXOWDGRVGHVLPXODFLyQ\GLVHxRGHUHJXODGRUHVSDUDORVFRQYHUWLGRUHV6,, 2789DOLGDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR 2786.5.1.1 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación en 282régimen permanente.6.5.1.2 Comparación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación ante 284escalones <strong>de</strong> carga.6.5.1.3 Conclusiones <strong>de</strong> la comparación entre el mo<strong>de</strong>lo promediado y el circuito en 291<strong>con</strong>mutación.6.5.1.4 Comparación <strong>de</strong> los resultados proporcionados por el mo<strong>de</strong>lo promediado y el 291programa <strong>de</strong> cálculo.6.5.1.5 Relación entre los resultados <strong>de</strong> simulación <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia en 292pequeña señal y la simulación en el dominio <strong>de</strong>l tiempo obtenidos mediante elmo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>sarrollado.6.5.1.6 Validación experimental <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo. 2965HVXOWDGRVGHVLPXODFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDHQSHTXHxDVHxDO 2965HVXOWDGRVGHVLPXODFLyQHQHOGRPLQLRGHOWLHPSR,QIOXHQFLDGHODJDQDQFLD 298DQFKRGHEDQGD\PDUJHQGHIDVHGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ6.5.3.1 Efecto <strong>de</strong>l ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. 2996.5.3.2 Efecto <strong>de</strong> la ganancia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. 3006.5.3.3 Efecto <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. 3026.5.3.4 Simulaciones <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada real. 303&RQVLGHUDFLRQHVGHGLVHxRGHOUHJXODGRUGHORVFRQYHUWLGRUHV6,, 306 &RQFOXVLRQHV 310250


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, ,QWURGXFFLyQEn el presente capítulo se aborda el mo<strong>de</strong>lado dinámico <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Se preten<strong>de</strong>, <strong>con</strong>ello, obtener una herramienta que facilite el diseño <strong>de</strong>l regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, <strong>de</strong>manera que se obtenga la estabilidad, la respuesta dinámica requerida, así como otras características<strong>de</strong>l lazo que permitirán que la corriente <strong>de</strong> entrada presente la forma <strong>de</strong> onda característica que se haespecificado en el estudio estático <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.Aunque ya se <strong>de</strong>scribió en el Capítulo 3, en este capítulo se comenzará por estudiar cómo estabilizanla tensión <strong>de</strong> salida los <strong>con</strong>vertidores SII, haciendo especial hincapié en las implicaciones más<strong>de</strong>stacadas que supone esta forma <strong>de</strong> regulación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida. Entre ellas es primordial laexistencia <strong>de</strong> un ciclo <strong>de</strong> trabajo variable <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, cuya naturaleza <strong>con</strong>diciona la estrategiaa seguir <strong>de</strong> cara a la obtención <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo dinámico <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores.Entre las diversas alternativas para la obtención <strong>de</strong> un mo<strong>de</strong>lo dinámico, en este trabajo, se hapreferido <strong>de</strong>sarrollar un mo<strong>de</strong>lo promediado en gran señal, orientado a la simulación <strong>de</strong> circuitos. Eneste Capítulo se <strong>de</strong>scribe su <strong>de</strong>sarrollo completo así como el mo<strong>de</strong>lo para otros elementos <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong><strong>con</strong>trol, entre los que se incluyen el amplificador <strong>de</strong> error y modulador PWM.Por último, se presentará un apartado <strong>de</strong> resultados, que persigue un doble objetivo. En primer lugarvalidar el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>sarrollado y utilizarlo <strong>de</strong>spués para obtener información acerca <strong>de</strong> lafunción <strong>de</strong> transferencia en pequeña señal <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia. También, se presentarán resultados<strong>de</strong> la aplicación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong>sarrollado para obtener, <strong>de</strong> manera muy eficaz en cuanto a tiempo <strong>de</strong>simulación, resultados <strong>de</strong> la simulación en el dominio <strong>de</strong>l tiempo.La reducción <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> simulación <strong>de</strong> intervalos <strong>de</strong> duración superior a varios ciclos <strong>de</strong> red,posibilita <strong>de</strong>terminar <strong>de</strong> forma muy rápida las prestaciones <strong>de</strong>l regulador que se haya diseñado.Apoyados en este aspecto, se presentan, por ejemplo, resultados <strong>de</strong> simulación para una tensión <strong>de</strong>entrada no sinusoidal pura y finalmente otros resultados que ponen <strong>de</strong> manifiesto los requisitos básicosque ha <strong>de</strong> cumplir el lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 5HJXODFLyQGHODWHQVLyQGHVDOLGDEn los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, la tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>be estar bien regulada, no <strong>de</strong>biendo presentarrizado <strong>de</strong> baja frecuencia (100 Hz para una red <strong>de</strong> 50 Hz). En la <strong>con</strong>versión en dos etapas, la inclusión<strong>de</strong> la segunda <strong>de</strong> ellas, viene impuesta precisamente porque el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada, el pre -regulador <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia, PFP, presenta una tensión <strong>de</strong> salida <strong>con</strong> rizado <strong>de</strong> baja frecuencia y<strong>con</strong> una pobre respuesta dinámica.Si se preten<strong>de</strong> obtener un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> /<strong>CC</strong> en una sola etapa, varios son los requisitos que se <strong>de</strong>benexigir:• Corrección <strong>de</strong>l <strong>Factor</strong> <strong>de</strong> Potencia.• Tensión <strong>de</strong> salida sin rizado <strong>de</strong> baja frecuencia.• Tensión <strong>de</strong> salida <strong>con</strong> respuesta dinámica rápida.• Un único circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol.Para <strong>con</strong>seguir los requisitos anteriores se va a analizar, como primera opción, el comportamiento <strong>de</strong>251


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD. El interés por estudiar este caso se relaciona, también, <strong>con</strong>el hecho <strong>de</strong> que ésta <strong>con</strong>figuración forma parte <strong>de</strong> todos los <strong>con</strong>vertidores SII. Dos son los casosposibles a tener en cuenta: utilizar un lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> banda ancha para proporcionar la respuestadinámica rápida, o utilizar un lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> banda reducida para <strong>con</strong>formar la corriente <strong>de</strong>entrada.El cumplimiento o incumplimiento <strong>de</strong> los requisitos anteriormente impuestos pondrá <strong>de</strong> manifiestoqué carencias posee la <strong>con</strong>figuración <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>con</strong> los dos tipos <strong>de</strong> lazo propuestos yservirá como punto <strong>de</strong> partida para, a tenor <strong>de</strong> los elementos que respecto <strong>de</strong> esta <strong>con</strong>figuración basese aña<strong>de</strong>n en un <strong>con</strong>vertidor SII, tener una nueva i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> cómo se realiza la regulación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>salida en éstos últimos. 5HJXODFLyQ GH OD WHQVLyQ GH VDOLGD HQ XQ FRQYHUWLGRU &$ && )O\EDFNFRQWURODGRFRQXQOD]RGHEDQGDDQFKDEn la figura 6.1 se presenta una simulación <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> topología )O\EDFN operando enMCD y <strong>con</strong>trolado mediante un lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> banda ancha. En esta figura se pue<strong>de</strong> observar,cómo el lazo rápido permite que el ciclo <strong>de</strong> trabajo evolucione <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red para mantener latensión <strong>de</strong> salida estable. También se observa cómo pasa <strong>de</strong> forma rápida a <strong>de</strong>scribir una nueva ley <strong>de</strong>variación cuando la carga experimenta un cambio brusco. Sin embargo, en este <strong>con</strong>vertidor, el ciclo <strong>de</strong>trabajo no logra paliar el hecho <strong>de</strong> que la potencia que se absorbe <strong>de</strong> la entrada es, en <strong>de</strong>terminadosinstantes, inferior a la que <strong>de</strong>manda la carga imponiendo, por tanto, la aparición <strong>de</strong> un rizado <strong>de</strong> bajafrecuencia (100 Hz) en la tensión <strong>de</strong> salida.DEF)LJXUD6LPXODFLyQFRQ36SLFHGHXQFRQYHUWLGRU&$&&FRQWRSRORJtDFlybackRSHUDQGRHQ0&'\FRQWURODGRPHGLDQWHXQOD]RGHEDQGDDQFKD6HUHSUHVHQWDQODVPDJQLWXGHVD7HQVLyQ\FRUULHQWHGHVDOLGDQyWHVHHOHVFDOyQGHFDUJDE7HQVLyQ\FRUULHQWHGHHQWUDGDF&LFORGHWUDEDMREste rizado en la tensión <strong>de</strong> salida provoca que el máximo <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo se <strong>de</strong>sfase respecto <strong>de</strong>lpaso por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, por tanto la corriente <strong>de</strong> entrada presenta una notable asimetría,que pue<strong>de</strong> no ser admitida por la norma IEC-61000-3-2. (Ver figura 6.2).252


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Con objeto <strong>de</strong> reducir la asimetría <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, y como caso opuesto al anterior, elregulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación pue<strong>de</strong> diseñarse para que presente un comportamiento semejanteal <strong>de</strong> un filtro paso bajo, <strong>de</strong> manera que se elimine el efecto que, sobre el ciclo <strong>de</strong> trabajo, tiene elrizado <strong>de</strong> 100 Hz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida.En este caso, cuando el <strong>con</strong>vertidor se encuentra en régimen permanente, opera <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo<strong>con</strong>stante y por tanto, teniendo en cuenta que el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción es dis<strong>con</strong>tinuo, la corriente <strong>de</strong>entrada resulta sinusoidal. Sin embargo, ante una variación brusca <strong>de</strong> la carga, transcurrirán variosciclos <strong>de</strong> red antes <strong>de</strong> alcanzar el nuevo régimen permanente. Por tanto, lograr que la corriente <strong>de</strong>entrada sea sinusoidal, haciendo lento el lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, provoca que la respuesta dinámica <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> salida sea muy lenta.Por <strong>con</strong>siguiente, para cumplir los cuatro objetivos anteriormente citados será necesario añadir, sobreel <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>con</strong>trolado <strong>con</strong> un lazo <strong>de</strong> banda ancha, algunos elementos que permitan,cuando es insuficiente la potencia proveniente <strong>de</strong> la red, un aporte <strong>de</strong> potencia adicional <strong>de</strong> maneraque se haga frente a la <strong>de</strong>manda total <strong>de</strong> potencia que requiere la carga. Este es precisamente elprincipio <strong>de</strong> funcionamiento <strong>de</strong> la familia SII. 5HJXODFLyQGHODWHQVLyQGHVDOLGDHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,Como se ha <strong>de</strong>scrito en el apartado anterior, una posible forma <strong>de</strong> <strong>de</strong>scribir cómo se realiza laregulación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada en los <strong>con</strong>vertidores SII, pasa por <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar que estos<strong>con</strong>vertidores están formados por un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD y <strong>con</strong>trolado <strong>con</strong> un lazo<strong>de</strong> banda ancha, al que se le han añadido una serie <strong>de</strong> elementos. Estos elementos, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rados en<strong>con</strong>junto, forman la que se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>nominarse estructura SII y que englobaría el <strong>con</strong>vertidor interno 1<strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques más el diodo auxiliar D AUX y el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento C 1 (verfigura 3.3 y 6.3).L ( w WY 2 w WL ( w WY 2 w W1:n 1'6 '6 9 5(&7/ 7 & 2 5 26 9 5(&7/ SIISII7 & 2 5 26 Gw WGw W7 '6 ' $8;/6 & )LJXUD&RQYHUWLGRU&$&&FlybackFRQWURODGRPHGLDQWHXQOD]RGHEDQGDDQFKD)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,%pVWHSXHGHUHSUHVHQWDUVHFRPRODDGLFLyQGHODHVWUXFWXUD6,,DXQFRQYHUWLGRUFlybackLa estructura SII presenta, para cada uno <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos en este trabajo, unatopología diferente, según la que presente el <strong>con</strong>vertidor interno 1. Sin embargo, y <strong>de</strong> forma común atodos los <strong>con</strong>vertidores SII, mediante la adición <strong>de</strong> la estructura SII (que para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2,caso representado en la figura 6.3, está formada por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y los253


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,componentes D AUX , T 2 , S 2 y DS 2 ) al <strong>con</strong>vertidor Flyback <strong>de</strong> partida, se logra aportar la potencianecesaria en el instante en que ésta es requerida. De esta manera, se alimenta la carga <strong>con</strong> potencia<strong>con</strong>stante durante todo el semiperiodo <strong>de</strong> red, lográndose así eliminar el rizado <strong>de</strong> 100 Hz <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> salida. Por tanto, ahora ya, <strong>con</strong>trolar el <strong>con</strong>vertidor mediante un lazo <strong>de</strong> banda ancha o “lazorápido”, logra una ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo sincronizada <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, verfiguras 6.3 y 6.4.c.La tensión <strong>de</strong> entrada y la ley <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo en sincronismo <strong>con</strong> ella, que se obtiene en los<strong>con</strong>vertidores SII, <strong>con</strong>forman la corriente media <strong>de</strong> entrada sin que ésta presente ningún tipo <strong>de</strong>asimetría. La forma <strong>de</strong> onda que se obtiene cumplirá sin dificultad los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. Estos aspectos se resumen gráficamente en las figuras 6.2 y 6.3. En ellas, mediante la secuencia<strong>de</strong> los dos gráficos, se pue<strong>de</strong>n comprobar los efectos que tiene la inclusión <strong>de</strong> la estructura SII sobreun <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN realimentado <strong>con</strong> un “lazo rápido”. ,PSOLFDFLRQHVGHODUHJXODFLyQGHODWHQVLyQGHVDOLGDHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,En la figura 6.4 se presentan las magnitu<strong>de</strong>s promediadas correspondientes a los resultados <strong>de</strong> unasimulación, mediante PSpice, <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 operando en <strong>con</strong>mutación.a)b)c)d))LJXUD6LPXODFLyQFLFORDFLFORGHOFRQYHUWLGRU6,,%PHGLDQWH36SLFHD&RUULHQWH\WHQVLyQGHVDOLGDE&RUULHQWH\WHQVLyQGHHQWUDGDF&LFORGHWUDEDMRGFRUULHQWHVFHGLGDVDODFDUJDSRUODVYtDVGHVLPSOH'6 \GREOHSURFHVDGR'6 En la figura 6.4 se pue<strong>de</strong> observar:254


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• El valor <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> don<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores internos extraen la energía quese ce<strong>de</strong> a la carga, ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, varían <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. La tensión <strong>de</strong>entrada lo hace según el valor absoluto <strong>de</strong> una función seno y la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento presenta un rizado <strong>de</strong> 100 Hz.• Debido a esta variación, el ciclo <strong>de</strong> trabajo varía también <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red, <strong>de</strong>scribiendouna función que está sincronizada <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, y que se adapta <strong>de</strong> formainstantánea a cada nueva <strong>con</strong>dición <strong>de</strong> carga. A<strong>de</strong>más, por las vías <strong>de</strong> simple y dobleprocesado se transfieren niveles <strong>de</strong> potencia que varían instantáneamente <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong>red aunque la suma <strong>de</strong> sus promedios resulte <strong>con</strong>stante.Los aspectos anteriores suponen que todas las magnitu<strong>de</strong>s internas <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, corrientesy tensiones y ciclo <strong>de</strong> trabajo, varían <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. El equilibrio energético se produce en unsemiperiodo <strong>de</strong> red pero ninguna <strong>de</strong> las <strong>con</strong>mutaciones que se producen a lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo<strong>de</strong> red se hayan realmente en equilibrio. $OWHUQDWLYDVSDUDHOPRGHODGRGLQiPLFRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Un diseñador <strong>con</strong> experiencia en el <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>mutados, y que <strong>con</strong>tase al menos <strong>con</strong>la posibilidad <strong>de</strong> una simulación ciclo a ciclo <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII, emplearía unas pocas iteraciones<strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> un método <strong>de</strong> prueba y error para estabilizar su lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol. Sin embargo, estametodología, aunque a<strong>de</strong>cuada como primera aproximación, sobre todo cuando se está <strong>de</strong>sarrollandouna nueva topología y se quiere <strong>con</strong>trastar su viabilidad, no resulta válida en fases <strong>de</strong>l diseño en lasque ya se requiera optimizar las prestaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Se hace necesario, por tanto, <strong>de</strong>sarrollarun mo<strong>de</strong>lo dinámico que permita realizar un diseño preciso <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor.En este sentido, se han barajado las dos vías principales que existen a la hora <strong>de</strong> abordar el mo<strong>de</strong>ladodinámico <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado: mo<strong>de</strong>lado en pequeña señal y obtención <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lospromediados en gran señal. Ambas técnicas son bien <strong>con</strong>ocidas así como las ventajas e in<strong>con</strong>venientesgenerales que éstas presentan, sin embargo, en los <strong>con</strong>vertidores SII es la YDOLGDFLyQGHOPRGHOR elaspecto fundamental que <strong>de</strong>terminará qué técnica <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado utilizar.A <strong>con</strong>tinuación se <strong>de</strong>scribirán las ventajas e in<strong>con</strong>venientes <strong>de</strong> las técnicas <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado en pequeñaseñal y en gran señal aplicadas sobre los <strong>con</strong>vertidores SII. Las <strong>con</strong>clusiones <strong>de</strong> este estudiojustificarán la utilización <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado. /LPLWDFLRQHV GHO PRGHODGR GLQiPLFR HQ SHTXHxD VHxDO DSOLFDGR D ORVFRQYHUWLGRUHV6,,Cuando se <strong>de</strong>sarrolla un mo<strong>de</strong>lo dinámico para una nueva topología <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado, lavalidación <strong>de</strong> tal mo<strong>de</strong>lo se hace indispensable. En los <strong>con</strong>vertidores <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> y también en algunos<strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> es posible realizar la validación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong>sarrollado mediante la medidaexperimental <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida respecto <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo. Paraello se utilizará un analizador <strong>de</strong> impedancias o <strong>de</strong> manera mucho más rudimentaria un simplegenerador <strong>de</strong> funciones y un osciloscopio.En la figura 6.5 se pue<strong>de</strong> observar un esquema genérico para la medida, mediante el uso <strong>de</strong> unanalizador <strong>de</strong> impedancias, <strong>de</strong> dicha función <strong>de</strong> transferencia. En el caso representado se haparticularizado para un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> topología )O\EDFN. En esta figura se han <strong>de</strong>stacado en gris las255


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,tensiones que marcan el punto <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor durante la medida <strong>de</strong> la función <strong>de</strong>transferencia. A tal efecto se han fijado la tensión <strong>de</strong> entrada, V E , y el valor estático <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong>trabajo, D, obteniéndose un valor estático en la tensión <strong>de</strong> salida, V O, y la correspondienteperturbación, Yˆ 2 .'A d-+9 (Y A2 Y A2-+AdAd6/-'S 1E 1 E 29 A2 Y 2256)LJXUD0HGLGDGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLD^Y 2^FlybackPHGLDQWHXQDQDOL]DGRUGHLPSHGDQFLDVGGHXQFRQYHUWLGRU&&&&FRQWRSRORJtDTanto en <strong>con</strong>vertidores <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> como en <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, el regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol sediseña para el punto <strong>de</strong> trabajo que se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra más <strong>de</strong>sfavorable, asumiendo que para cualquier otro<strong>de</strong> los puntos <strong>de</strong> trabajo posibles en los que pueda llegar a operar el <strong>con</strong>vertidor, el diseño realizadoverificará la estabilidad.Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 6.5 la medida <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia requiere alimentar al<strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> una tensión <strong>con</strong>tinua y <strong>con</strong> un ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante, al que se le aña<strong>de</strong> laperturbación que genera el analizador <strong>de</strong> impedancias. En los <strong>con</strong>vertidores <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> se pue<strong>de</strong> fijar elpunto <strong>de</strong> trabajo más <strong>de</strong>sfavorable y medir directamente la función <strong>de</strong> transferencia para dicho punto.Este procedimiento servirá para validar los posibles mo<strong>de</strong>los dinámicos en pequeña señal, que sehayan realizado. Sin embargo, en <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> pue<strong>de</strong>n darse dos situaciones diferentes:• &RQYHUWLGRUHV&$&&TXHRSHUDQFRQFLFORGHWUDEDMRFRQVWDQWH.Aunque la función <strong>de</strong> transferencia en pequeña señal para un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong> topología)O\EDFN , que opera en MCD, es <strong>de</strong> sobra <strong>con</strong>ocida, y viene dada por la expresión (6.1),supóngase, para el <strong>de</strong>sarrollo que se va a realizar a <strong>con</strong>tinuación, que dicha función <strong>de</strong>transferencia no se <strong>con</strong>oce.


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,æçèYˆ2 ö÷Gˆø4don<strong>de</strong>:( V)=9(1×. 521+× & 22V E : tensión <strong>de</strong> entrada.× VK: parámetro <strong>de</strong> carga adimensional.R O : resistencia <strong>de</strong> carga.C O : Con<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> salida.(6.1)En estas <strong>con</strong>diciones, se preten<strong>de</strong> validar el mo<strong>de</strong>lo dinámico en pequeña señal realizadopara un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong> topología )O\EDFN operando en MCD. Para ello seríanecesario escoger un punto <strong>de</strong> trabajo, cuya transferencia energética resultase igual a la quese pue<strong>de</strong> reproducir <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong>tinua y ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante. De estamanera, se valida el mo<strong>de</strong>lo al menos para un punto <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong> todos los que se suce<strong>de</strong>na lo largo <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red.Para el <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong> topología Flyback operando <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo<strong>con</strong>stante, es posible obtener un punto <strong>de</strong> trabajo que resulta equivalente en cuanto atransferencia energética y por tanto que proporciona, para el mismo valor <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong>trabajo, la misma tensión <strong>de</strong> salida que un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong>/<strong>CC</strong>. En las expresiones (6.2) y(6.3) se recogen, respectivamente, la relación <strong>de</strong> <strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones para un<strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> )O\EDFN operando en MCD <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante y lacorrespondiente al mismo <strong>con</strong>vertidor pero alimentado <strong>con</strong> tensión <strong>con</strong>tinua:9 1= × '2 .(6.2)*92 ×19 = 9(×.2 ×'(6.3)Comparando las expresiones (6.2) y (6.3) se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir que, si se selecciona una tensión<strong>de</strong> entrada igual al valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada sinusoidal, para idéntico ciclo <strong>de</strong>trabajo, ambos <strong>con</strong>vertidores proporcionarán idéntica tensión <strong>de</strong> salida. Por tanto, tomandoeste valor <strong>de</strong> tensión <strong>con</strong>tinua, y mediante el esquema <strong>de</strong> la figura 6.5, pue<strong>de</strong> medirseexactamente la función <strong>de</strong> transferencia correspondiente al valor <strong>de</strong> w t para el que latensión instantánea <strong>de</strong> entrada es idéntica al valor eficaz. (Ver figura 6.6.a).• &RQYHUWLGRUHV&$&&TXHRSHUDQFRQFLFORGHWUDEDMRYDULDEOHFRQHOiQJXORGHUHG.Como se ha <strong>de</strong>scrito en el apartado 6.2.3 y se pue<strong>de</strong> también comprobar en la figura 6.4, enlos <strong>con</strong>vertidores SII, el ciclo <strong>de</strong> trabajo varía <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red y en <strong>con</strong>secuenciatambién la potencia instantánea que se transfiere por las vías <strong>de</strong> simple y doble procesado,así como la potencia instantánea que se ce<strong>de</strong> y extrae <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Por lo tanto, en estos <strong>con</strong>vertidores, el régimen permanente se establece a lo largo <strong>de</strong> unsemiperiodo <strong>de</strong> red, ya que éste es el intervalo <strong>de</strong> tiempo que transcurre para que el257


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se encuentre en equilibrio, es <strong>de</strong>cir, que su corriente mediaresulte nula y que por tanto el valor medio <strong>de</strong> su tensión sea <strong>con</strong>stante.Este régimen permanente, establecido como equilibrio <strong>de</strong> potencias que evolucionan <strong>con</strong> elángulo <strong>de</strong> red, fija los valores <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida y <strong>de</strong> la tensión media en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, para unas <strong>de</strong>terminadas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> carga y valoreficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.7HQVLyQGHHQWUDGDY E (Št)7HQVLyQGHHQWUDGDv E (Št)4V G /Ö 2V G3v G‡ 2‡Št&LFORGHWUDEDMR4D2‡‡Št7HQVLyQGHVDOLGD4V O ‡2‡Št‡ 2‡Št&LFORGHWUDEDMRd(Št)37HQVLyQHQ& 32‡‡ŠtV C1‡2‡Št7HQVLyQGHVDOLGD3V O Šta)‡2‡ Štb))LJXUD(YROXFLyQGHORVSXQWRVGHWUDEDMRDORODUJRGHXQVHPLSHULRGRGHUHGSDUDD&RQYHUWLGRUFlybackRSHUDQGRFRQFLFORGHWUDEDMRFRQVWDQWH\HQ0&'\E&RQYHUWLGRU6,,De los posibles puntos <strong>de</strong> trabajo que va recorriendo el <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>con</strong>trolado <strong>con</strong>ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante (ver figura 6.6.a), el correspondiente al punto Q tiene unequivalente en <strong>CC</strong> <strong>con</strong> todas sus variables <strong>de</strong> estado presentando idéntico valor, por lo quees posible validarlo mediante la medida <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia el mo<strong>de</strong>lo enpequeña señal dado por (6.1).Por el <strong>con</strong>trario, en los <strong>con</strong>vertidores SII, un punto <strong>de</strong> trabajo arbitrario P, que vendrá<strong>de</strong>finido por los valores que tomen las tensiones <strong>de</strong> entrada y el ciclo <strong>de</strong> trabajo y lasvariables <strong>de</strong> estado (tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V C1 , y tensión <strong>de</strong> salida,V O ) no encuentra ningún punto equivalente <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante y tensión <strong>de</strong>entrada <strong>con</strong>stante.En <strong>con</strong>clusión, en los <strong>con</strong>vertidores SII no es posible realizar la medida <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia258


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,en pequeña señal, para ningún punto <strong>de</strong> trabajo real <strong>de</strong> los que se suce<strong>de</strong>n a lo largo <strong>de</strong> un semiperiodo<strong>de</strong> red, en <strong>con</strong>secuencia no es posible validar experimentalmente los mo<strong>de</strong>los en pequeña señal que se<strong>de</strong>sarrollen para dichos <strong>con</strong>vertidores. 9HQWDMDV GHO SURPHGLDGR HQ JUDQ VHxDO RULHQWDGR D VLPXODGRUHV GHFLUFXLWRVFrente a las Técnicas <strong>de</strong> Mo<strong>de</strong>lado dinámico en pequeña señal [90] a [102], en los últimos años, lastécnicas que obtienen mo<strong>de</strong>los promediados en gran señal han ganado un importante protagonismo,sobre todo aquellas orientadas a la simulación <strong>de</strong> circuitos. Las referencias [111] a [115] presentan lametodología y su aplicación <strong>de</strong> forma didáctica y <strong>de</strong>tallada.Como resumen <strong>de</strong> las capacida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los promediados, pue<strong>de</strong>n citarse los aspectos que serecogen <strong>de</strong> forma gráfica en la figura 6.7 y se <strong>de</strong>scriben a <strong>con</strong>tinuación.A partir <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los promediados, y mediante técnicas analíticas, pue<strong>de</strong>n obtenerse las ecuaciones<strong>de</strong> régimen permanente, así como mo<strong>de</strong>los en pequeña señal. En este caso, los procesos <strong>de</strong>linealización y perturbación <strong>de</strong>ben realizarse también <strong>de</strong> manera analítica, lo que para <strong>con</strong>vertidores<strong>con</strong> varios componentes capaces <strong>de</strong> almacenar energía y varios interruptores resulta laborioso ypropenso a errores.Sin embargo, utilizar una técnica <strong>de</strong> promediado orientada a la simulación <strong>de</strong> circuitos presenta,respecto al caso anterior, importantes ventajas:• Posibilidad <strong>de</strong> obtención <strong>de</strong> resultados en gran señal, comparables a los que se obtendríanmediante una simulación ciclo a ciclo o <strong>con</strong> un mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación, pero utilizando untiempo <strong>de</strong> simulación mucho menor. Este aspecto presenta especial relevancia en<strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong>, para los que se requiere simular intervalos <strong>de</strong> tiempo que recojanvarios ciclos <strong>de</strong> red.• Obtención <strong>de</strong> resultados correspondientes al régimen permanente. El simulador es capaz <strong>de</strong>realizar un barrido en <strong>CC</strong>, <strong>de</strong> forma que pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>terminarse la evolución <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong><strong>con</strong>versión <strong>de</strong> tensiones. Incluso, este barrido en <strong>CC</strong>, asociado a la posibilidad <strong>de</strong> realizaranálisis paramétricos, permite calcular, por ejemplo, gráficos que representen la evolución<strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada o la potencia <strong>de</strong> carga.• Obtención <strong>de</strong> funciones <strong>de</strong> transferencia en pequeña señal. El simulador realiza losprocesos <strong>de</strong> linealización y perturbación, resultando éstos transparentes para el diseñador.• Pue<strong>de</strong>n obtenerse mo<strong>de</strong>los capaces <strong>de</strong> reproducir los modos <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción MCD y M<strong>CC</strong>así como <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar las no i<strong>de</strong>alida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los componentes electrónicos <strong>de</strong> una manerasencilla.En el caso <strong>con</strong>creto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, un mo<strong>de</strong>lo promediado orientado a simulación <strong>de</strong>circuitos resulta especialmente a<strong>de</strong>cuado, ya que dicho mo<strong>de</strong>lo podrá validarse en el dominio <strong>de</strong>ltiempo, comparando sus resultados <strong>con</strong> los que produce una simulación ciclo a ciclo.Por otro lado, en el mo<strong>de</strong>lo implementado en el simulador podrá imponerse el valor <strong>de</strong> todas lasvariables que <strong>de</strong>finen el punto <strong>de</strong> trabajo, y por tanto, asumiendo cuasi-estaticidad, la función <strong>de</strong>transferencia que proporciona el simulador correspon<strong>de</strong>rá a la que presenta el <strong>con</strong>vertidor cuando al259


+-&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,recorrer el semiperiodo <strong>de</strong> red alcance el valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red seleccionado.MODELO EN CONMUTACIÓNMODELO PROMEDIADO3520(',$'2/P, ' !9 6 !e21ue2TRAFO_IDEALU502'(6&5,3&,Ï1Ã'(/Ã02'(/2Ã3520(',$'2Ã3$5$Ã6,08/$&,Ï1U6D3o2{Tp2}0V1uo21 2load2&È/&8/2Ã$1$/Ë7,&25e*,0(1Ã3(50$1(17(eVe2{Ve}L2{L}IC = {IC_L_MP}1N = {n}SU = {Signo_u}SI = {Signo_i}3Co2{C}IC = {IC_Vo}Ro3{Rp1}Ro4{Rp2}19R=9H×'×.VS2+-ENOM0(I(L2)/n)*(1-D)V(e)*(1-D)+((V(o2)+Vf)/n)*(1-D)+I(L2)*(D*Ron+(1-D)*(rd/(n*n)))3(48(f$Ã6(f$/01-V/wR*=*2×1+(1/4)×(V/w)+(V/w)R2R5e*,0(1Ã75$16,725,2ÃHQÃ0&'ÃRÃ0&&El simulador linealizaautomáticamente entornoal punto <strong>de</strong> trabajoproporcionado)81&,Ï1Ã'(Ã75$16)(5(1&,$)LJXUD$SOLFDFLRQHVGHORVPRGHORVSURPHGLDGRVHQJHQHUDO2EWHQFLyQGHIXQFLRQHVGHWUDQVIHUHQFLDHQSHTXHxDVHxDOPHGLDQWHWpFQLFDVDQDOtWLFDV\DSOLFDFLRQHVGHORVPRGHORVSURPHGLDGRVJUDQVHxDORULHQWDGRVDVLPXODFLyQGHFLUFXLWRV260


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, 7pFQLFD GH PRGHODGR HQ JUDQ VHxDO RULHQWDGD D VLPXODFLyQ GHFLUFXLWRVDSOLFDGDDORVFRQYHUWLGRUHV6,,La i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> realizar un promediado in-situ o promediado directo <strong>de</strong> los elementos no lineales (yvariantes en el tiempo) que aparecen en los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>mutados se <strong>de</strong>be en origen a los estudios<strong>de</strong> Middlebrook [90]. La técnica <strong>con</strong>ocida como “promediado <strong>de</strong> circuitos” <strong>de</strong>scrita en [90] ha sidoutilizada por toda una generación <strong>de</strong> diseñadores <strong>de</strong> fuentes <strong>de</strong> alimentación <strong>con</strong>mutadas, como primerpaso hacia la obtención <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los en pequeña señal. En [103] pue<strong>de</strong> en<strong>con</strong>trarse un resumen <strong>de</strong>lestado <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong> los primeros avances en la obtención <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los promediados, partiendo <strong>de</strong> lostrabajos <strong>de</strong> Middlebrook hasta la aparición <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> “Interruptor PWM” <strong>de</strong>bido a Vorperian[101] y [102].El mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> “Interruptor PWM” pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse como un primer acercamiento hacia un método<strong>de</strong> promediado <strong>con</strong> sustitución <strong>de</strong> elementos invariantes en el tiempo, pero <strong>con</strong> un carácter másversátil que los mo<strong>de</strong>los propuestos en [90], que resultan bastante poco flexibles para <strong>con</strong>vertidores enlos que aparecen varias inductancias, sobre todo cuando éstas no están sometidas a la misma tensióncomo en el caso <strong>de</strong> la topología SEPIC.Con un objetivo común al mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> interruptor PWM, pero <strong>con</strong> un planteamiento distinto(<strong>con</strong>troversia incluida, ver [104]) se propone en [105] el mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> “Inductancia Conmutada”, en elque ya se persigue como objetivo obtener un mo<strong>de</strong>lo único válido para MCD y M<strong>CC</strong>, y se orientahacia la simulación <strong>de</strong> circuitos. Otro mo<strong>de</strong>lo que incluye la posibilidad <strong>de</strong> operar en ambos modos <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción se presenta en [108].El interés por los mo<strong>de</strong>los promediados orientados a simulación ha seguido creciendo en los últimosaños <strong>de</strong>bido a sus buenas características, y se ha ido ampliando en su aplicación, por ejemplo, a<strong>con</strong>vertidores resonantes [107]. Sin embargo, todos los mo<strong>de</strong>los que hasta el momento se han recogidoen este breve estado <strong>de</strong> la técnica, presentan como in<strong>con</strong>veniente una relativa falta <strong>de</strong> generalidad, yaque en su mayoría se adaptan a una estructura cerrada. Esta estructura pue<strong>de</strong> llegar a extraersefácilmente en las topologías básicas como (elevadora, reductora, reductora elevadora) e incluso enRWUDVFRPROD6(3,&RûXNSHURVLQHPEDUJRUHVXOWDPX\FRPSOLFDGDVXDGDSWDFLyQSRUHMHPSORD<strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> aislamiento.En el interesante trabajo que se presenta en [111] se propone un método que, aunque bastante general(es aplicable a algunas topologías <strong>con</strong> aislamiento e incluye en el mo<strong>de</strong>lo el efecto <strong>de</strong> diversaspérdidas <strong>de</strong> potencia) para <strong>de</strong>terminados tipos <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores ()RUZDUG <strong>con</strong> enclavamiento activo o<strong>con</strong>vertidores multi – salida) su aplicación no resulta sencilla.Finalmente en [109] se presenta una metodología sistemática para la obtención <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lospromediados que en origen se <strong>de</strong>dica a los <strong>con</strong>vertidores multi - salida pero que, como se verá en elpróximo apartado, resulta muy a<strong>de</strong>cuada para obtener el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. 'HVFULSFLyQ JHQHUDO GH OD WpFQLFD GH PRGHODGR HQ JUDQ VHxDO RULHQWDGD DVLPXODFLyQGHFLUFXLWRVVHOHFFLRQDGDSDUDPRGHODUORVFRQYHUWLGRUHV6,,Aunque en [109] se <strong>de</strong>scribe en <strong>de</strong>talle el método <strong>de</strong> promediado, en la figura 6.8 se recoge,fundamentalmente por comodidad, la <strong>de</strong>scripción que el propio autor hace <strong>de</strong> la metodología quepropone. Posteriormente se <strong>de</strong>stacarán aquellos aspectos relevantes <strong>de</strong> la citada metodología, sobre261


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,todo aquellos que la hacen idónea para crear un mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.3DVR: Los interruptores se sustituyen por fuentes <strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong> tensión o corriente, teniendo encuenta las siguientes <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones:• No pue<strong>de</strong> imponerse la corriente en una inductancia.• No pue<strong>de</strong> imponerse la tensión en un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador.L 1L Y12&RQILJXUDFLRQHVQRSHUPLWLGDV3DVR : Los transformadores se mo<strong>de</strong>lan como i<strong>de</strong>ales <strong>con</strong> una inductancia magnetizante enparalelo.3DVR : Una vez que se han dispuesto las distintas fuentes <strong>de</strong>pendientes, pue<strong>de</strong>n realizarsetransformaciones <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> simplificar el circuito.3DVR : Calcular el valor medio, en cada intervalo, <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong> tensión ycorriente como función <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s promediadas <strong>de</strong>l circuito.3DVR : Calcular la duración <strong>de</strong> cada intervalo, también como función <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>spromediadas <strong>de</strong>l circuito.3DVR: Obtener el valor promedio <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes durante un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.)LJXUD0HWRGRORJtDSDUDODREWHQFLyQGHPRGHORVSURPHGLDGRVSURSXHVWDHQ>@ 6XVWLWXFLyQGHORVLQWHUUXSWRUHVSRUIXHQWHVGHSHQGLHQWHVEl aspecto quizás más importante <strong>de</strong> cara al mo<strong>de</strong>lado <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII que presenta la técnica<strong>de</strong> promediado propuesta en [109] es la versatilidad que existe a la hora <strong>de</strong> la sustitución <strong>de</strong> losinterruptores. La metodología propuesta permite sustituir, indistintamente, cada interruptor, bien porun fuente <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> tensión o bien por un fuente <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> corriente, sin que se requieraasociar parejas <strong>de</strong> interruptores, que compartan un nodo común, tal y como exige el mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong>l“Interruptor PWM” o el método <strong>de</strong> la “Inductancia <strong>con</strong>mutada”. Por el <strong>con</strong>trario, tal y como se pue<strong>de</strong>observar en la figura 6.9, varias son las posibilida<strong>de</strong>s a la hora <strong>de</strong> sustituir los interruptores <strong>de</strong> un<strong>con</strong>vertidor SII-B2, sólo se exige respetar las reglas que ser recogen en la figura 6.8.La figura 6.9 pue<strong>de</strong> servir también para tener una i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> la dificultad que supone asociar parejas <strong>de</strong>interruptores, fundamentalmente <strong>de</strong>bido a la presencia <strong>de</strong>l diodo D AUX , que aparece en todas lastopologías SII. Este diodo requeriría, cuando menos, exten<strong>de</strong>r el método <strong>de</strong>l interruptor PWM a lautilización <strong>de</strong> puertos <strong>con</strong> más <strong>de</strong> cuatro terminales.262


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,5 7 Q 7 ' $8;Q / / / / & 2 5 26 & ¢Y '6 ²¢L 7 '6 ²7 Y / ( ¢Y '$8; ²/ & 2 5¢L 26 ²¢L 6 ²& ¢L '6 ²¢L 7 '6 ²7 Y / ( ¢L '$8; ²/ & 2 5¢Y 26 ²¢Y 6 ²& '6 '6 6 Y ()LJXUD'RVSRVLEOHVLPSOHPHQWDFLRQHVGHOPRGHORSURPHGLDGRGHOFRQYHUWLGRU6,,% 2EWHQFLyQGHODVGXUDFLRQHVGHFDGDHWDSDGHOSHULRGRGHFRQPXWDFLyQAunque existen técnicas para la obtención <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>los promediados que representan, a<strong>de</strong>más <strong>de</strong>l valormedio, al menos el armónico fundamental <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación [110], <strong>con</strong>la metodología que se ha seleccionado para mo<strong>de</strong>lar los <strong>con</strong>vertidores SII se pier<strong>de</strong> toda información<strong>de</strong>l rizado.Por tanto, se obtendrá un FLUFXLWR LQYDULDQWH HQ HO WLHPSR , cuyas tensiones y corrientes <strong>de</strong>bencoincidir <strong>con</strong> los valores medios que estas mismas magnitu<strong>de</strong>s presentan en el circuito <strong>con</strong>1 Invariante en el tiempo ya que se han eliminado los interruptores y por tanto todos los componentes <strong>de</strong>l circuitofuncionan siempre. En un circuito <strong>con</strong>mutado en distintos intervalos <strong>de</strong> tiempo operan unos componentes u otros<strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong> la <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong> los interruptores. El hecho <strong>de</strong> que el mo<strong>de</strong>lo promediado resulte un circuitoLQYDULDQWH en el tiempo, como se verá posteriormente, es uno <strong>de</strong> los requisitos básicos para po<strong>de</strong>r realizar un análisisen frecuencia mediante el simulador Pspice.263


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,interruptores al promediarlas en un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Para que el mo<strong>de</strong>lo promediado represente a<strong>de</strong>cuadamente la dinámica <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación,las variables <strong>de</strong> estado <strong>de</strong> ambos circuitos han <strong>de</strong> coincidir. En el presente trabajo, se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>radoque los <strong>con</strong>vertidores SII operan siempre en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo, MCD. En este modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción, teniendo en cuenta [93], la variable <strong>de</strong> estado no es la corriente que circula por unabobina sino que se relaciona <strong>con</strong> su valor medio.Por todo ello, para que un mo<strong>de</strong>lo promediado represente a<strong>de</strong>cuadamente la dinámica <strong>de</strong> un<strong>con</strong>vertidor que opera en MCD, <strong>de</strong>berá presentar una tensión en su <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador y una corriente en suinductancia idénticos, respectivamente, a la tensión media en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador y a la corriente media enla bobina <strong>de</strong>l circuito <strong>con</strong>mutado. En la Figura 6.10 se representan dichas magnitu<strong>de</strong>s para un<strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD, es importante hacer notar que la corriente por la inductanciaque se ha representado para el mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación no es su valor instantáneo sino su valor medio., OP W, /P !, ' !/P9 R /P99 R9 HH9 6 !9 R&LUFXLWRÃHQÃFRQPXWDFLyQ9 R0RGHORÃ3URPHGLDGR7/P ×0&LUFXLWRÃHQÃFRQPXWDFLyQL1= ×L/PWGW7 ò ( ), /P !0RGHORÃ3URPHGLDGR)LJXUD 6LPXODFLyQPHGLDQWH36SLFHGHODHYROXFLyQGHODVYDULDEOHVGHHVWDGRGHXQFRQYHUWLGRUFlybackTXHRSHUDHQ0&'\GHVXFRUUHVSRQGLHQWHPRGHORSURPHGLDGREn MCD la corriente instantánea por la inductancia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, siempre cumple la igualdad (6.4).D L/= 0Ahora bien, en cuanto a la tensión media en la inductancia, aunque coherente <strong>con</strong> la expresión (6.4), laigualdad voltios x segundo, que se recoge en (6.5), no pue<strong>de</strong> utilizarse para <strong>de</strong>scribir la evolución <strong>de</strong> lacorriente que circula por la bobina correspondiente al circuito <strong>con</strong> el que se implementa en elsimulador el mo<strong>de</strong>lo promediado.(6.4)264


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,71áX/ ñ = × ò X/( W)× GW = 07(6.5)0Este hecho se <strong>de</strong>be a que el circuito que finalmente se simulará mediante PSpice (comoimplementación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado), al igual que cualquier otro circuito, necesita que evolucionela tensión aplicada sobre la inductancia, para que su correspondiente corriente pueda tambiénevolucionar. Por tanto, no se pue<strong>de</strong> obligar a que la tensión en la bobina <strong>de</strong>l circuito promediado seafija e igual a cero, aunque sea nulo su valor promedio en el circuito en <strong>con</strong>mutación. Por otro lado,cuando se extrae un mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong> un circuito, solamente se exige que coincidan las variables<strong>de</strong> estado <strong>con</strong> sus homólogas <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación, y la tensión media en la inductancia no loes.La <strong>con</strong>clusión práctica <strong>de</strong> este hecho, es que la <strong>de</strong>terminación <strong>de</strong> la duración <strong>de</strong> las distintas etapas quese suce<strong>de</strong>n a lo largo <strong>de</strong> un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, sólo pue<strong>de</strong> obtenerse a partir <strong>de</strong> relacionar lacorriente media por la bobina <strong>con</strong> su valor <strong>de</strong> pico, tal y como se expresa en la igualdad (6.6) para elcaso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>de</strong> la figura 6.11.L/P ñG = 2×á1- G,(6.6)3.En la Figura 6.11 se representa, para un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD, cómo se obtiene laduración (d 1 ) correspondiente al intervalo <strong>de</strong> <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> la inductancia Lm., /P W/P9 H, /P !/P, ' !9 9 H H 9 6 !, /P W, 3., /P !G G G 9 H )1áL/P ñ=×,3. ×(G +2G 1)LJXUD2EWHQFLyQGHODGXUDFLyQG à FRUUHVSRQGLHQWHDOLQWHUYDORGHGHVPDJQHWL]DFLyQGHODLQGXFWDQFLD/PDSDUWLUGHODFRPSDUDFLyQGHOYDORUPHGLR\GHSLFRGHVXFRUULHQWHEl proceso <strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong> las duraciones <strong>de</strong> las distintas etapas pue<strong>de</strong> resultar complejo, si dichasduraciones están relacionadas entre sí a través <strong>de</strong> las corrientes medias <strong>de</strong> varias bobinas a la vez. Eneste caso, no se obtiene una ecuación única para <strong>de</strong>spejar dichas duraciones, como en el caso <strong>de</strong> laexpresión (6.6), sino que se obtiene un sistema <strong>de</strong> ecuaciones. Resolver este sistema <strong>de</strong> ecuacionespue<strong>de</strong> resultar laborioso, por lo que es <strong>con</strong>veniente recurrir a un programa matemático <strong>con</strong> capacidad<strong>de</strong> cálculo simbólico por ejemplo Mathematica®. ,PSOLFDFLRQHVGHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Todos los <strong>con</strong>vertidores SII presentan diversos modos <strong>de</strong> funcionamiento a lo largo <strong>de</strong>l semiperiodo<strong>de</strong> red, tal y como se <strong>de</strong>scribió en el apartado 4.4.2. Consi<strong>de</strong>rando solo los modos <strong>de</strong> operación Zona 1265


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,y Zona 2 (en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 aparece a<strong>de</strong>más el modo Zona 0), éstos se distinguen por elfuncionamiento <strong>de</strong>l diodo D AUX , <strong>de</strong> manera que las formas <strong>de</strong> onda que se producen en un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación, así como la transferencia energética, son sustancialmente diferentes en uno y otro modo.La <strong>con</strong>secuencia que este aspecto trae <strong>con</strong>sigo a la hora <strong>de</strong> obtener el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII es que se <strong>de</strong>berán <strong>de</strong>scribir dos mo<strong>de</strong>los promediados diferentes, uno para cadamodo <strong>de</strong> operación, y se tendrá que disponer a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> un circuito adicional, que discrimine entre losdos mo<strong>de</strong>los.Aunque la <strong>con</strong>dición <strong>de</strong> “circuito invariante en el tiempo” es un requisito indispensable para que elsimulador PSpice pueda realizar el análisis en pequeña señal, la imposición <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> trabajo que<strong>de</strong>be realizarse previa a este análisis, permite salvar esta situación, ya que se fuerza a que laperturbación y linealización se realiza sobre un punto <strong>de</strong> trabajo y un circuito que sí está <strong>de</strong>finido ysobre el que no existe la incertidumbre que provocan los diversos estados posibles, y que son propios<strong>de</strong> un circuito <strong>con</strong> interruptores. 3URPHGLDGRHQHOPRGRGHIXQFLRQDPLHQWR=RQDCon objeto <strong>de</strong> <strong>de</strong>scribir <strong>con</strong> <strong>de</strong>talle la metodología <strong>de</strong> promediado aplicada a los <strong>con</strong>vertidores SII, seva a utilizar, a modo <strong>de</strong> ejemplo, el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS operando en el modo <strong>de</strong> funcionamientoZona 2.3DVRV\En la figura 6.12 se ha representado la sustitución <strong>de</strong> los interruptores <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS porlas correspondientes fuentes <strong>de</strong>pendientes.5 / '6 '6 / ' 66& 2 5 2Y ( / 7 & 25 2& ¢L '6 ²¢Y '$8; ²¢Y '66 ²7 7 ¢Y 6 ²/ 7 7 & )LJXUD6XVWLWXFLyQGHORVLQWHUUXSWRUHVGHOFRQYHUWLGRU6,,)66SRUIXHQWHVGHSHQGLHQWHV3DVREn la metodología propuesta en [109], el or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> los pasos 4 y 5 pue<strong>de</strong> alternarse, ya que los cálculoscorrespondientes a estos pasos se realizan a partir <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación,266


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,y no es hasta el paso 6 cuando se sustituirán las duraciones <strong>de</strong> cada etapa <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación,en las expresiones que recogen las magnitu<strong>de</strong>s promediadas, para dar valor a las fuentes <strong>de</strong>pendientes.En los <strong>con</strong>vertidores SII se ha preferido realizar primero el cálculo <strong>de</strong> la duración <strong>de</strong> las etapas, ya queésta fase ha resultado la parte mas compleja.Debido a la existencia <strong>de</strong>l intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie, las duraciones <strong>de</strong> las diferentes etapas <strong>de</strong>lperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación aparecen en las expresiones <strong>de</strong> las corrientes medias que circulan por las dosinductancias, dando lugar a un sistema <strong>de</strong> ecuaciones. La resolución analítica <strong>de</strong> este sistema <strong>de</strong>ecuaciones llega a resultar bastante compleja, por lo que habrá que buscar alternativas a la aplicacióndirecta <strong>de</strong> la metodología propuesta para obtener las duraciones <strong>de</strong> las etapas. Este aspecto se recogeen el apartado 6.4.3.1 en el que se <strong>de</strong>scribe cómo se hace necesaria una transformación <strong>de</strong>l propiocircuito en <strong>con</strong>mutación. En el apartado 6.4.3.2 se muestra cómo se ha realizado el proceso <strong>de</strong>promediado a partir <strong>de</strong>l esquema transformado o simplificado que se ha <strong>de</strong>nominado “mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tresbobinas e interruptor <strong>de</strong>sfasado”. 0RGHORFRQGRVLQGXFWDQFLDV(FXDFLyQF~ELFDA partir <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda que se representan en la figura 6.13, pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>ducirse las expresiones(6.7) y (6.8) que recogen los valores <strong>de</strong> las corrientes medias por las inductancias L 12 y L 21 <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS.L / G G G G W7,S /5 / '6 '6 ,S & Q ¢L / ²' $8; ' 66L / 7 / G G G G W7& 25 2G G 7 7 7 6 L / & W7G G ¢L / ²,S / ,S &//219 & 1×/13+21)LJXUD&RUULHQWHVLQVWDQWiQHDV\PHGLDVTXHFLUFXODQSRUODVLQGXFWDQFLDV/ \/ GHOFRQYHUWLGRU6,,)66L12,SG,S+ ,S2× Q( G12 & 23/ 12= ×12× +×1+2+ × & ×23×G)12,SQG3(6.7)11L / 21= × ,S21× ( G + G1)- × ,S&× ( G2+ G3)22La expresión (6.9) es la aplicación <strong>de</strong> la Ley <strong>de</strong> Faraday sobre las inductancias L 13 y L 21 <strong>con</strong>ectadas enserie durante el “intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie”.(6.8)/9 ×,S ×21& =& 1/13+ /21× G3/217&(6.9)La igualdad (6.10) se utiliza para completar el sistema <strong>de</strong> tres ecuaciones <strong>con</strong> tres incógnitas que serequiere para po<strong>de</strong>r <strong>de</strong>spejar las duraciones d 1 , d 2 y d 3 .267


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,,S&= ,S/-9( G + G )×/× 7&(6.10)Operando <strong>con</strong> las expresiones (6.7) a (6.10) se obtiene una ecuación cúbica para <strong>de</strong>spejar la duraciónd 3 . Para obtener la solución real <strong>de</strong> las tres raíces <strong>de</strong> una ecuación cúbica es necesario discriminarentre tres expresiones simbólicas, dos <strong>de</strong> las cuales pue<strong>de</strong>n pertenecer a los números complejas. Si se<strong>con</strong>oce a priori la expresión analítica <strong>de</strong> la raíz real, esta podría implementarse directamente en elsimulador, sin embargo, si no es <strong>con</strong>ocida le expresión <strong>de</strong> esta raíz, pue<strong>de</strong> ocurrir que el simuladorintentase <strong>de</strong>terminar una <strong>de</strong> las posibles raíces complejas <strong>con</strong>jugadas, interrumpiéndose la simulaciónal producirse un error <strong>de</strong> <strong>con</strong>vergencia.Se hace necesario plantear una alternativa al procedimiento <strong>de</strong>scrito, <strong>de</strong> tal forma que no sea necesarioresolver una ecuación cúbica que pue<strong>de</strong> forzar la no <strong>con</strong>vergencia <strong>de</strong> la simulación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lopromediado. 0RGHORFRQWUHVLQGXFWDQFLDVHLQWHUUXSWRUGHVIDVDGR(FXDFLyQFXDGUiWLFDLa inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 experimenta, en todos los <strong>con</strong>vertidores SII, unprimer proceso <strong>de</strong> magnetización extrayendo corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento durantelas dos primeras etapas <strong>de</strong>l periodo <strong>con</strong>mutación. A <strong>con</strong>tinuación experimenta un segundo proceso <strong>de</strong>magnetización en sentido <strong>con</strong>trario al anterior, para recargar al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong>corriente proce<strong>de</strong>nte <strong>de</strong> la que se almacenaba en la inductancia L 12 .Tal y como se pue<strong>de</strong> observar en la figura 6.14.a, entre los dos procesos <strong>de</strong> magnetización –<strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong>scritos, la corriente que circula por L 21 ha <strong>de</strong> pasar por cero antes <strong>de</strong> invertir susentido, por lo tanto se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>cir que entre estos procesos “no existe memoria”. En <strong>con</strong>secuencia, esposible <strong>de</strong>sacoplar la inductancia magnetizante <strong>de</strong> T 2 , L 21 , en dos inductancias que se <strong>de</strong>nominaránL 21p y L 21s , y que en el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS presentan idéntico valor, ya que los dosprocesos <strong>de</strong> magnetización tienen lugar en el mismo <strong>de</strong>vanado <strong>de</strong> T 2 .La sustitución <strong>de</strong> L 21 por dos bobinas es posible si se impone que L 21s no comience a magnetizarsehasta que se haya agotado el flujo por L 21p . Este hecho se <strong>con</strong>sigue mediante la utilización <strong>de</strong>linterruptor S a , cuyo encendido se retrasa hasta la <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> L 21p .Este artificio logra proporcionar un nuevo mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, queno posee un sentido físico pero que se hace imprescindible a la hora <strong>de</strong> obtener el mo<strong>de</strong>lo promediadoy su implementación en el simulador. Esta técnica es aplicable a cualquiera <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII,ya que la corriente por L 21 presenta idénticas características en todos ellos.De forma similar a como se <strong>de</strong>scribió en el apartado 4.4.3.2, para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, se pue<strong>de</strong>nobtener las formas <strong>de</strong> onda correspondientes a un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando el mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> 3 inductancias e interruptor <strong>de</strong>sfasado, que servirán <strong>de</strong> punto <strong>de</strong>partida para <strong>de</strong>sarrollar todo el proceso <strong>de</strong> promediado.El mo<strong>de</strong>lo promediado que finalmente se <strong>de</strong>sarrollará para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS se basa en elmo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias e interruptor <strong>de</strong>sfasado. En la Tabla 6.1 se presentan ambos circuitos(mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación y mo<strong>de</strong>lo promediado) junto <strong>con</strong> las formas <strong>de</strong> onda y el valor <strong>de</strong> lasmagnitu<strong>de</strong>s más representativas <strong>de</strong> estas formas <strong>de</strong> onda, correspondientes a un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación para el mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias.268


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Y *6L / /,S / /t/Ta)L 'DX[,S &,S &Y('6 7 $8; '66 7 6 / 7 & 25 27 ' / '6 & b)• Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> dos inductanciasL 21 sufre dos procesos <strong>de</strong> magnetización y<strong>de</strong>smagnetización sin “memoria”.'6 Y 7 *67 6 / D t/TY / V/ SY ( '6 *6D' 66 5 27 & 27 L ,S / /t/T/ /S6 & L /V ,S & • Mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias eInterruptor <strong>de</strong>sfasado S aS a inicia su <strong>con</strong>ducción cuando ha <strong>de</strong>smagnetizado L 21p yfinaliza su <strong>con</strong>ducción cuando se ha <strong>de</strong>smagnetizado L 21s .)LJXUD'HVFULSFLRQHVHTXLYDOHQWHVGHOIXQFLRQDPLHQWRHQFRQPXWDFLyQGHFRQYHUWLGRU6,,)66D0RGHORFRQGRVLQGXFWDQFLDVE0RGHORFRQLQGXFWDQFLDVHLQWHUUXSWRUGHVIDVDGR 'HVDUUROORGHOSURFHVRGHPRGHODGRContinuando <strong>con</strong> los pasos que se recogen el la metodología propuesta en [109] se van a <strong>de</strong>terminar a<strong>con</strong>tinuación las duraciones <strong>de</strong> las diferentes etapas, a partir <strong>de</strong> las corrientes medias por cada una <strong>de</strong>las tres inductancias que aparecen en el mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> interruptor <strong>de</strong>sfasado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS.Los valores medios <strong>de</strong> estas corrientes se recogen en las expresiones (6.11) a (6.13):1 ,S12+ ,S&× Q231L / 12= × ,S12× G +× ( G1+ G2) + × ,S&× Q23× G3222(6.11)1L/ 216= × ,S21× G + G12(6.12)1L / 21S= × ,S&× ( G2+ G3)2(6.13)269


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Convertidor SII-F1-SS. Zona 2, Mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> tres inductancias'6 7 6 D Y/ V / S( '6 ' 66 5 26 7 / 7 7 & 2/ V5 2& 7 ¢L '6 ²7 / ¢L '6 ²¢Y 6D ²Y / V / S ( ¢Y '66 ²7 7 & ¢Y 6 ²& 25 2Y *6L /G,S /,S /Etapa 1: Conducción S 1 .Q1× 9(× G × 7&,S/12=/128= 9( × Q23× Q19&19 +Etapa 2: Desmagnetización <strong>de</strong> L 21 .92× G1× 7&,S'= ,S/12-/9291= 9( +Q1129× G × 7& 1 &,S/21=/21L /SL '6æ 1 1 ö94= 9( + 92×ç - - 9&1Q1Q÷è 2 ø99 = 9& 1- 92× Q23,S & Etapa 3: S a y D S1 comparten la corriente <strong>de</strong> L 12 .19 9 95= 9( + 92× - 9&1Y 6 9 Q1Etapa 4: Intervalo <strong>de</strong> Inductancias en Serie.9&1× 7&9 ,S& = × G3Y 66 9 /13+ /21S9 9 /131 192= 9( + 9&1× × ×/13+ /21SQ1Q239 Y 6Dæö= + × ç/131 19× × - 1÷69(9&1è /13+ /21SQ1Q23ø9 Etapa 5: Tiempo Muerto.9 93 = 9(97 = 9 ( - 9&1GG G G G 9 = 9L /V(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃ(WDSDÃL '6,S ',S & Q t/T10 &17DEOD=RQDUHVXPHQGHIRUPDVGHRQGD\FLUFXLWRVHTXLYDOHQWHVGHOFRQYHUWLGRU6,,)660RGHORGHWUHVERELQDVHLQWHUUXSWRUGHVIDVDGR270


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Aplicando la Ley <strong>de</strong> Faraday sobre las inductancias L 13 y L 21s <strong>con</strong>ectadas en serie durante el intervalo<strong>de</strong> inductancias en serie se obtiene (6.14):,S9× 7F& 1& = × G3/13+ /21V(6.14)o bien, <strong>de</strong> forma más simplificada:don<strong>de</strong>:,S & = T ×G 3(6.15)T =9/× 7F+ /& 11321V(6.16)Eliminando Ip C entre las expresiones (6.13) y (6.15) y sustituyendo la expresión <strong>de</strong> d 2 en (6.11) seobtiene una HFXDFLyQFXDGUiWLFD para <strong>de</strong>spejar el valor <strong>de</strong> d 3 . De esta forma se comprueba cómo lautilización <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias e interruptor <strong>de</strong>sfasado ha permitido calcular <strong>de</strong> formadirecta todas las duraciones <strong>de</strong> las etapas que se suce<strong>de</strong>n a lo largo <strong>de</strong> un periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Portanto, el sistema <strong>de</strong> ecuaciones formado por las expresiones (6.12) a (6.14) tiene como solución:G12×L=,S/ 2121-G(6.17)G22×L=/ 21VG3-× TG23× T(6.18)2- E + E - 4×D × FG3 =2×D(por ser b > 0 y a > 0) (6.19)don<strong>de</strong>:22D = ,S/ 12× ,S/21× T + G × ,S/21× Q23× T - 2×L/21× Q23× T(,S× L - ,S × L - ,S × L )E = 2×T ×Q/ 21 / 12 / 12 / 21 / 21 / 21V×23(6.20)(6.21)F = - 2 × ,S/ 12× ,S/21× L/21V( G + G + G )G +4= 1-1 2G3(6.22)(6.23)Es importante hacer notar, que a la hora <strong>de</strong> implementar el mo<strong>de</strong>lo en el simulador, las corrientes porlas inductancias <strong>de</strong> dicho mo<strong>de</strong>lo, coinci<strong>de</strong>n <strong>con</strong> el valor medio <strong>de</strong> las corrientes por esas mismasinductancias en el mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación. Por lo tanto los símbolos que se recogen en (6.24) sonequivalentes.L/ = L12 FLFOR _ D _ FLFOR / 12 0RGHOR _ SURPHGLDGR(6.24)Una vez obtenidas las duraciones <strong>de</strong> los intervalos que se producen a lo largo <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación, se completa el proceso <strong>de</strong> promediado obteniendo los valores medios <strong>de</strong> las fuentes271


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>de</strong>pendientes. Estos valores se recogen en la tabla 6.2.Mo<strong>de</strong>lo promediadoValor <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes( G1+ G2) + 92× G3+ 934Y 6 = 9× (6.25)1×G7 ¢L '6 ²7 / ¢L '6 ²¢Y 6D ²Y / V / S ( ¢Y '66 ²7 7 & ¢Y 6 ²& 25 2Y 66 = 9× 6.26)4× G1+ 95× G2+ 96× G3+ 97G4Y 6D = 9× (6.27)L8× G + 99× G1+ 910G4,S + ,S 1= G2(6.28)2 2/ 12 ''6 1× G1+ × ,S'×1= (6.29)2L '6 2× Q2× ,S/21× G17DEOD0RGHORSURPHGLDGRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRUUHVSRQGLHQWHDOPRGRGHRSHUDFLyQ=RQD([SUHVLRQHVGHODVIXHQWHVGHSHQGLHQWHV 0RGHORSURPHGLDGRFRQMXQWREn el apartado anterior se ha <strong>de</strong>scrito <strong>con</strong> <strong>de</strong>talle el proceso <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado, aplicado al modo <strong>de</strong>operación Zona 2. A <strong>con</strong>tinuación se presentarán las expresiones <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes para elmo<strong>de</strong>lo promediado correspondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 1. Finalmente se <strong>de</strong>scribirá cómo elmo<strong>de</strong>lo discrimina promediado <strong>con</strong>junto selecciona las expresiones correspondiente a cada circuitospromediado <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red. ([SUHVLRQHVGHODVIXHQWHVGHSHQGLHQWHVFRUUHVSRQGLHQWHVDOPRGRGHRSHUDFLyQ=RQDLas formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> las corrientes por las inductancias L 12 y L 21 que presenta el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS cuando opera en el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1 se recogen en la figura 6.15.L /L /9 ( ×Q/121G,S /G D G ,S /9 2/ 129 & 1/219 2/21W7W7)LJXUD)RUPDVGHRQGDVGHODVFRUULHQWHVSRUODVLQGXFWDQFLDV/ \/ GHOFRQYHUWLGRU6,,)66FXDQGRRSHUDHQHOPRGRGHIXQFLRQDPLHQWR=RQDLas corrientes <strong>de</strong> pico que se representan enesta figura tienen la misma expresión que lacorrespondiente al modo <strong>de</strong> operación Zona 2y que se recoge en la tabla 6.1.A partir <strong>de</strong> estas formas <strong>de</strong> onda se pue<strong>de</strong>n<strong>de</strong>ducir tanto las duraciones <strong>de</strong> las etapas quese suce<strong>de</strong>n en el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación,como el valor <strong>de</strong> las expresiones <strong>de</strong> lasfuentes <strong>de</strong>pendientes que componen elmo<strong>de</strong>lo promediado. Dichas expresiones serecogen en la tabla 6.3.272


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Mo<strong>de</strong>lo promediadoValor <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes( - G )Y1-(6.30)6 = 9 × GD+ 92× 1 GD7 ¢L '6 ²7 / ¢L '6 ²¢Y 6D ²Y / V / S ( ¢Y '66 ²7 7 & ¢Y 6 ² & 25 2Y( G - G ) + 9 × ( - G )66 9 3× GD+ 9 4× 1 D 51 - G 16D= (6.31)D( - G G )Y = 96 × G + 97× G + 98× 1 - (6.32)1L ×2'61= × ,S/12GDD(6.33)1= (6.34)2L '6 2× Q2× ,S/21× G1Duraciones <strong>de</strong> las etapasG12×L/=,S21S21-G2×L(6.35)/ 12GD = - G,S12(6.36)Valor máximo <strong>de</strong> tensión en cada etapa9= (6.37)2919( +Q192 = 9 ((6.38)æ 1 1 ö93= 9( + 92×ç - - 9&1Q1Q÷(6.39)è 2 ø19 = 9 -(6.40)4( - × 929&1Q29 = 9 ( - 9(6.41)5 &19 = +(6.42)69( × Q23× Q19&197 9& 1- 92× Q23= (6.43)98 = 9(6.44)&17DEOD0RGHORSURPHGLDGRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRUUHVSRQGLHQWHDOPRGRGHRSHUDFLyQ=RQD([SUHVLRQHVGHODVIXHQWHVGHSHQGLHQWHV 'LVFULPLQDQWHGHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWREn el apartado 4.4.2.2 se <strong>de</strong>scribieron, para todas las topologías SII, las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación encada modo <strong>de</strong> funcionamiento así como el valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, frontera entre estos modos. En lafigura 6.15 se han representado las duraciones <strong>de</strong> las etapas en las que se <strong>de</strong>smagnetizan lasinductancias L 12 y L 21 <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS cuando opera en el modo <strong>de</strong> funcionamiento Zona 1.La tensión <strong>de</strong> entrada irá creciendo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> forma que la duración d a iráincrementándose hasta alcanzar el valor <strong>de</strong> la duración d 1 , instante en el cual el <strong>con</strong>vertidor pasa aoperar en el modo Zona 2.El simulador PSpice en el que se implementarán los mo<strong>de</strong>los <strong>de</strong> promediados <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII,posee una librería comportamental (ABM.lib) <strong>con</strong> la que es posible <strong>de</strong>scribir no sólo las ecuaciones <strong>de</strong>las fuentes <strong>de</strong>pendientes sino también, establecer funciones <strong>de</strong> comparación entre las tensiones <strong>de</strong> dosnodos, que a su vez se establecen según las expresiones correspondientes. Por lo tanto, para<strong>de</strong>terminar qué modo <strong>de</strong> funcionamiento es aplicable, según el valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red y quéexpresiones han <strong>de</strong> aplicarse a las fuentes <strong>de</strong>pendientes, se realizará la comparación <strong>de</strong> las duraciones273


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,d a y d 1 . Existen dos alternativas a la hora <strong>de</strong> establecer dicha comparación:• Utilizar como valores para las duraciones d a y d 1 las que se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>ducir aplicando laigualdad voltios x segundo (expresiones (6.45) y (6.46)):GDQ × 9G ×9=12((6.45)=Q × 9×2 & 1G1G92(6.46)• Deducir su valor a partir <strong>de</strong> las expresiones (6.47) y (6.48), que <strong>de</strong>terminan estas duracionesmediante la relación que existe entre las corrientes medias y <strong>de</strong> pico.G2×L=,S/ 12D -12G(6.47)G12×L=,S/ 2121-G(6.48)Se han realizado numerosas simulaciones, en las que se ha calculado el valor que proporcionan ambasalternativas, no en<strong>con</strong>trándose ninguna diferencia, y obteniéndose siempre idéntico valor para elángulo <strong>de</strong> red que <strong>de</strong>limita el funcionamiento en cada uno <strong>de</strong> los dos modos <strong>de</strong> operación. El<strong>de</strong>sarrollo, que se presenta a <strong>con</strong>tinuación, se ha realizado admitiendo la igualdad voltios x segundo.En la figura 6.16 se ha representado la implementación <strong>de</strong>l circuito selector <strong>de</strong>l modo <strong>de</strong> operación.7 ¢L '6 ²7 / ¢L '6 ²¢Y 6D ²/ /Y V S ( ¢Y '66 ²7 7 ¢Y & 6 ²& 25 2VS_Z1VS_Z2IF(V(Z) £ 5, V(VS_Z1),V(VS_Z2))Z( -G)Y -6 = 91×GD+92×1GDY 6 =91 ×( G1+G2) +92×G3+93×G4IF(V(E)< (n 1 /n 2 )*V(C 1 ) , 0, 10))LJXUD,PSOHPHQWDFLyQGHOFLUFXLWRVHOHFWRUGHOPRGRGHRSHUDFLyQEn el simulador se establecerá la tensión <strong>de</strong>l nodo Z <strong>de</strong> forma que tome un valor lógico 0 cuando secumpla la <strong>con</strong>dición recogida en (6.49), para imponer que todas las fuentes <strong>de</strong>pendientes seleccionen274


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,las expresiones correspondientes a la operación en el modo Zona 1. En caso <strong>con</strong>trario, la tensión <strong>de</strong>lnodo Z tomará el valor lógico 1 (en el simulador se ha fijado en 10 V el valor correspondiente a estenivel lógico) para imponer la operación en el modo Zona 2.Q9 ×2( ( w W)£ 9&1Q1(6.49)A partir <strong>de</strong>l valor que tome el nodo Z, 0 V para operación en Zona 1 y 10 V para operación en Zona 2,por ejemplo, la fuente <strong>de</strong>pendiente que <strong>con</strong>tiene el valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l interruptor S, áY S ñ,tomará el valor <strong>de</strong>l nodo VS_Z1 o <strong>de</strong>l nodo VS_Z2. De esta forma, el circuito que integra el mo<strong>de</strong>lopromediado no varía su topología y solamente lo hacen las expresiones <strong>de</strong> las fuentes <strong>de</strong>pendientes. 0RGHORSURPHGLDGRGHRWURVHOHPHQWRVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQLa comparación, en el dominio <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong>l circuito operando ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación (y suscorrespondientes magnitu<strong>de</strong>s promediadas) <strong>con</strong> las homónimas <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado, servirá paravalidar dicho mo<strong>de</strong>lo promediado. Por tanto, es necesario que todos los elementos, que intervienen enla operación en OD]RFHUUDGR <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, se hayan mo<strong>de</strong>lado <strong>con</strong> la mayor precisión posible.A tal efecto, en este apartado, se <strong>de</strong>scribe brevemente el mo<strong>de</strong>lado <strong>de</strong>l circuito integrado <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol<strong>con</strong> el que se implementan el regulador y el modulador PWM. Ya que el objetivo es, exclusivamente,validar el mo<strong>de</strong>lo promediado, esta <strong>de</strong>scripción se centrará sobre los bloques mínimos necesarios paraque el <strong>con</strong>vertidor funcione en bucle cerrado. Por lo tanto, no se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado el mo<strong>de</strong>lado <strong>de</strong> otrosbloques como por ejemplo el opto-acoplador y su a<strong>con</strong>dicionamiento <strong>de</strong> señal, que se utiliza paraproporcionar aislamiento galvánico entre la entrada y la salida.Para realizar las simulaciones ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación y las medidas experimentales, que se hanrealizado sobre los prototipos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, se ha utilizado un sencillo y e<strong>con</strong>ómico circuitointegrado UC 3843A [132]. Este circuito integrado, pese a ser en <strong>con</strong>cepción un <strong>con</strong>trolador en modocorriente <strong>de</strong> pico, en esta aplicación se ha empleado como <strong>con</strong>trolador en modo tensión según elesquema <strong>de</strong> la figura 6.17.En la figura 6.17 se han <strong>de</strong>stacado en gris los terminales <strong>de</strong>l circuito integrado y se pue<strong>de</strong> observarcomo la rampa <strong>de</strong>l modulador PWM se ha generado <strong>de</strong> forma externa pero utilizando el osciladorinterno que está disponible en el terminal R T /C T . La señal <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>l comparador <strong>de</strong> error (V COMP ),tras ser adaptado su nivel, se comparará <strong>con</strong> la citada rampa, para así generar el ciclo <strong>de</strong> trabajo.Varios son los requisitos que se <strong>de</strong>ben exigir al mo<strong>de</strong>lo en gran señal <strong>de</strong>l circuito integrado <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol:• El comportamiento en gran señal <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado propuesto <strong>de</strong>berá coincidir <strong>con</strong> elcorrespondiente al mo<strong>de</strong>lo, que para el circuito integrado UC 3843A, se proporciona en labiblioteca SWIT_REG.lib <strong>de</strong>l simulador PSpice.• Por otro lado el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol se <strong>de</strong>be po<strong>de</strong>r parametrizar <strong>de</strong>forma que sea posible introducir también las características que el fabricante proporcionapara este circuito integrado <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> realizar simulaciones lo más parecidas a losresultados experimentales.275


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Se <strong>de</strong>be tener en cuenta que la generación externa <strong>de</strong> la rampa proporcionará, para estaseñal, unos valores máximos y mínimos que <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>rán <strong>de</strong>l diseño <strong>con</strong>creto, y cuyosvalores han <strong>de</strong> po<strong>de</strong>r variarse en el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol.9R9LQ=Ã99)%+-&203559=9 9 &6&&5()9 && V MAX1VR TV MIN5 577 & 72XW5 7 &26&7Rcd MAX6C T10 W5 W5*QGGeneración externa<strong>de</strong> la rampa)LJXUD8WLOL]DFLyQGHOFRQWURODGRU8&HQPRGRWHQVLyQPara cumplir los requisitos anteriores, las características que se <strong>de</strong>ben mo<strong>de</strong>lar son:• *DQDQFLD HVWiWLFD \ QLYHOHV GH VDWXUDFLyQ GHO DPSOLILFDGRU GH HUURU. Estos valorestienen especial importancia, ya que <strong>de</strong>terminan, por un lado, el valor estático <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong>trabajo o valor correspondiente al punto <strong>de</strong> trabajo. Por otro tienen una notable influenciaen la tensión que adquieren los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> las impedancias Z 1 y Z 2 (<strong>con</strong> las que seimplementa la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l regulador, ver figura 6.17) cuando por ejemplo,en un transitorio <strong>de</strong> arranque el amplificador <strong>de</strong> error llega a saturarse. Si se produce estasituación <strong>de</strong> saturación y los niveles <strong>de</strong> saturación no coinci<strong>de</strong>n, los resultados <strong>de</strong> uno yotro mo<strong>de</strong>lo resultarán bastante diferentes ya que la tensión en los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> cadaregulador, evolucionará también <strong>de</strong> manera distinta.• 5HVSXHVWD HQ IUHFXHQFLD HQ EXFOH DELHUWR GHO DPSOLILFDGRU GH HUURU. En el apartado6.5.3 se <strong>de</strong>scribirán los requisitos que <strong>de</strong>be cumplir el lazo <strong>de</strong> realimentación en los<strong>con</strong>vertidores SII. Cumplir estos requisitos implica po<strong>de</strong>r diseñar <strong>de</strong> manera precisa el lazo<strong>de</strong> realimentación, para lo que es necesario <strong>con</strong>tar <strong>con</strong> una respuesta en frecuencia lo másaproximada posible a la respuesta real para cada uno <strong>de</strong> los componentes <strong>de</strong> dicho bucle <strong>de</strong>realimentación. Por tanto, se hace necesario también, tener en cuenta la respuesta enfrecuencia en bucle abierto <strong>de</strong>l amplificador <strong>de</strong> error para diseñar a<strong>de</strong>cuadamente la función<strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l regulador.En la figura 6.18 se representa un diagrama <strong>de</strong> bloques que recoge la funcionalidad en gran señal <strong>de</strong>cada uno <strong>de</strong> los bloques <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación exceptuando le etapa <strong>de</strong> potencia. Los bloques queaparecen en la figura 6.18 se caracterizan por los siguientes aspectos:276


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• *DQDQFLD: Este bloque representa la ganancia estática, en bucle abierto, <strong>de</strong>l amplificador<strong>de</strong> error y sus niveles <strong>de</strong> saturación. La pendiente, que representa el valor <strong>de</strong> la ganancia,pue<strong>de</strong> ser seleccionada según las hojas <strong>de</strong> características <strong>de</strong>l fabricante [132] o bien la quepresenta el mo<strong>de</strong>lo proporcionado en el simulador (para simulaciones ciclo a ciclo y que seincluye en la biblioteca SWIT_REG.lib). Para los niveles <strong>de</strong> saturación, existen tambiénvarias posibilida<strong>de</strong>s, escoger los que proporciona el fabricante, hacerlos coincidir <strong>con</strong> loscorrespondientes al mo<strong>de</strong>lo proporcionado por el simulador, o seleccionarlos para que <strong>con</strong>la rampa externa que se diseñe proporcionen los valores <strong>de</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo máximo (D =D MAX ) y mínimo (D = 0). Consi<strong>de</strong>rando, por ejemplo, este último criterio, los valores que<strong>de</strong>finen la característica estática <strong>de</strong> este bloque vienen dados por (6.50) a (6.52).9 * x 2y 20 dBY20×log(Y&203*)1 MHz9 2 *DQDQFLD+Ã9f Py 1 * 9 (-20 ×log(*)Y &203-1,439)%= 3:0æ 7ö1( 9(55- 90,1)ç7÷ ×è& ø( 90$;-90,1)f P9 ( 9 * Y &20393RORÃ&DPELDGRUÃ(55$PSOLIÃGHÃHUURUGHÃQLYHO= 0RGXODGRUÃd)LJXUD'LDJUDPDGHEORTXHVHQJUDQVHxDOGHORVFRPSRQHQWHVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQH[FHSWXDQGRODHWDSDGHSRWHQFLD\ = 3×90,1 1, 491+\ = 3×191, 492+(6.50)(6.51)\2- \=*1[2don<strong>de</strong> (ver figura 6.17):V MIN : Valor mínimo <strong>de</strong> la rampa.1,49: Cambiador <strong>de</strong> nivel formado por los dos diodos en serie.x 3: Relación <strong>de</strong>l divisor resistivo.(6.52)19: Nivel máximo para el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> error. Funcionalmente, éstevalor se representa <strong>con</strong> el diodo zener.• 5HVSXHVWDHQIUHFXHQFLDHQEXFOHDELHUWR: Esta respuesta en frecuencia como indica elfabricante [132] <strong>con</strong>sta <strong>de</strong> un único polo situado en una frecuencia <strong>de</strong> unos 340 Hz y <strong>con</strong>277


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,una frecuencia <strong>de</strong> cruce (frecuencia para una ganancia <strong>de</strong> 0 dB) <strong>de</strong> 1 MHz. El amplificador<strong>de</strong> error se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra lineal entre los dos niveles <strong>de</strong> saturación, por lo que esta respuesta enfrecuencia se mantienen invariante entre esos dos niveles, correspondiéndole una gananciaestática proporcionada por el bloque anterior y que según la especificación <strong>de</strong>l fabricanteresulta <strong>de</strong> aproximadamente 70 dB. 5HVXOWDGRV GH VLPXODFLyQ \ GLVHxR GH UHJXODGRUHV SDUD ORVFRQYHUWLGRUHV6,,En este apartado se van a presentar resultados <strong>de</strong> simulación <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> cumplir dos objetivos:• En primer lugar, y como principal objetivo, FRQWUDVWDUODYDOLGH]GHOPRGHORSURPHGLDGRGHVDUUROODGR.Para cumplir <strong>con</strong> el primer objetivo se presentarán, como principal argumento,simulaciones obtenidas <strong>con</strong> el circuito en <strong>con</strong>mutación y <strong>con</strong> el mo<strong>de</strong>lo promediado<strong>de</strong>sarrollado en las cuales se podrán comparar la evolución <strong>de</strong> las principales magnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong>ambos circuitos tanto en régimen estacionario como transitorio. También y <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong>aportar una verificación adicional <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado, se compararán los resultadosque éste proporciona en régimen estacionario, <strong>con</strong> los que se obtienen <strong>con</strong> la aplicación <strong>de</strong>los programas <strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong>sarrollados.• En segundo lugar GLVHxDU DGHFXDGDPHQWH HO UHJXODGRU <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII.Los resultados <strong>de</strong> simulación que se presentan como resumen <strong>de</strong> la aplicación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lopromediado, van a poner <strong>de</strong> manifiesto la potencia <strong>de</strong> estos mo<strong>de</strong>los. Entre otros seincluirán: simulaciones <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia en pequeña señal <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong>potencia, simulaciones <strong>de</strong> la operación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII ante tensión <strong>de</strong> entrada nosinusoidal. A partir <strong>de</strong> estos resultados <strong>de</strong> simulación, se propondrán unas recomendaciones<strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.Los resultados <strong>de</strong> simulación, al igual que el <strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado, se van a presentarpara el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, pudiendo hacerse extensivas las <strong>con</strong>clusiones que se obtendrán al resto<strong>de</strong> topologías SII. 9DOLGDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGRComo ya se <strong>de</strong>scribió en el apartado 6.3.1, la razón principal para implementar un mo<strong>de</strong>lo promediadoen gran señal orientado a la simulación <strong>de</strong> circuitos es que solo este tipo <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lo es el que pue<strong>de</strong>validarse <strong>con</strong> un margen <strong>de</strong> incertidumbre reducido.La <strong>con</strong>firmación <strong>de</strong> la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado se centra principalmente en comparar laevolución en el dominio <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> los resultados que proporcionan el mo<strong>de</strong>lo promediado y sucircuito original funcionando en <strong>con</strong>mutación. Esta comparación se establecerá en dos casos:• En régimen permanente• Ante escalones <strong>de</strong> carga. En este caso se pondrá <strong>de</strong> manifiesto si el mo<strong>de</strong>lo promediadorepresenta a<strong>de</strong>cuadamente la dinámica <strong>de</strong>l circuito real que opera en <strong>con</strong>mutación.278


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Como comprobación adicional, se realizará una comparación <strong>de</strong> los resultados que proporcionan elmo<strong>de</strong>lo promediado y el programa <strong>de</strong> cálculo correspondiente para las mismas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong>operación. También se analizará si el margen <strong>de</strong> fase que se pue<strong>de</strong> calcular a partir <strong>de</strong> la simulación <strong>de</strong>la respuesta en frecuencia es coherente <strong>con</strong> la sobreoscilación que se produce ante escalones <strong>de</strong> carga.En la figura 6.19 se han representado los dos circuitos que se han implementado en el simuladorPSpice y las magnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> los mismos <strong>con</strong> las que se ha establecido la comparación.a)áL E ñ'6 7 ' $8; '66 áL / L12ñ'6 & 2 5 2Y (áL L21ñY/ 7 ~ 2 7 7 6 Y~ &1& áY GS ñ¢L '6 ²L 7 E 7 b) /¢L '6 ²¢Y 6D ²L / / L12Y V S( Y O ¢Y '66 ²7 7 Y & ¢Y 6 ²C1& 25 2L L21p L L21 GExpresionesmo<strong>de</strong>lopromediado)LJXUD5HSUHVHQWDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQDVtFRPRGHODVPDJQLWXGHVGHDPERVPRGHORVFX\DHYROXFLyQSURSRUFLRQDGDSRUODVLPXODFLyQPHGLDQWH36SLFHSHUPLWLUiYDOLGDUHOPRGHORSURPHGLDGRD&LUFXLWRHQFRQPXWDFLyQE0RGHORSURPHGLDGREn la tabla 6.4 se recoge la <strong>de</strong>nominación <strong>de</strong> cada una <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s que se van a comparar. Deesta forma se presenta la <strong>de</strong>nominación <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s que aparecen en la figura 6.19 y <strong>de</strong> sushomónimas que se recogen en las figuras 6.20 a 6.28 don<strong>de</strong> se representan los resultados <strong>de</strong>simulación. En estas figuras <strong>de</strong>ben distinguirse las magnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación (que seránpromediadas mediante una función <strong>de</strong> post-procesado que proporciona el simulador) y lascorrespondientes a las <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado. Algunos aspectos a tener en cuenta son los siguientes:• El valor medio <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s correspondientes a la simulación <strong>de</strong>l circuito en<strong>con</strong>mutación se obtienen mediante la aplicación <strong>de</strong> la función AVGX(magnitud, Tp).Don<strong>de</strong> Tp es el intervalo <strong>de</strong> tiempo en el cual realizar el promediado. En alguna ocasión,como en el caso <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada se ha aplicado dos veces, para eliminar el residuo<strong>de</strong> rizado <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.279


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• La corriente L L21 no existe como tal en el mo<strong>de</strong>lo promediado, ya que esta inductancia se haseparado en dos tal y como se justificó en los apartados 6.4.3.1 y 6.4.3.2. Ahora bien, comose comprueba en las figuras 6.14.a y 6.14.b, en el mo<strong>de</strong>lo <strong>con</strong> tres inductancias e interruptor<strong>de</strong>sfasado que se utiliza como punto <strong>de</strong> partida para obtener el mo<strong>de</strong>lo promediado, lanueva corriente L L21p representa el área positiva <strong>de</strong> la L L21 original e L L21s la negativa. Portanto para efectuar la comparación <strong>de</strong> los resultados <strong>de</strong> simulación, se comparará la restaI(L21p)-I(L21s) <strong>con</strong> la correspondiente corriente media <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación.• En el circuito en <strong>con</strong>mutación, como en cualquier otro <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado, la tensión <strong>de</strong>salida presenta un rizado <strong>de</strong> frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Por tanto cuando para el circuito en<strong>con</strong>mutación se represente este rizado, la tensión <strong>de</strong> salida se distinguirá <strong>con</strong> el símbolo Y ~ 2 .Al valor medio <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida para el circuito en <strong>con</strong>mutación se indicará <strong>con</strong> el<strong>con</strong> el símbolo áY O ñ y el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida en el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>con</strong> Y O .Figura 6.19Simulación en PSpiceDescripciónCircuito en<strong>con</strong>mutaciónMo<strong>de</strong>loPromediadoCircuito en<strong>con</strong>mutaciónMo<strong>de</strong>loPromediadoCorriente <strong>de</strong> entradarectificadaáL E ñ L EAVGX(AVGX(I(DIN_c),20u),20u) I(line)Corriente inductanciaL12áL L12 ñ L L12AVGX(I(L1_c),20u) I(L12)Corriente inductanciaL21áL L21 ñ L L21AVGX(I(L2_c),20u) I(L21)-I(L21p)Tensión <strong>de</strong> salidaY ~ Y V(O_CON) V(O)2OTensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamientoY ~&1Y V(T2NP) V(C1)C1Ciclo <strong>de</strong> trabajoáY GS ñ/V GS_MAX G AVGX(V(GS),20u)/16.3 V(d)7DEOD'HQRPLQDFLyQGHODVPDJQLWXGHVFRQODVTXHVHFRPSDUDQHOPRGHORSURPHGLDGR\HOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQÕ El ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación se ha calculado como la media <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> puerta <strong>de</strong>l interruptor S 1 dividido por el valor máximo esta tensión:AVGX(V(GS),20u)/16.3. La <strong>con</strong>stante <strong>de</strong> 16.3 es el valor máximo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> puertaque proporciona el mo<strong>de</strong>lo <strong>de</strong> circuito integrado UC 3843A incluido en la bibliotecaSWIT_REG.lib. El valor <strong>de</strong> 20u hace referencia al periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Algunos otros aspectos que se <strong>de</strong>ben tener en cuenta a la hora <strong>de</strong> estudiar los resultados que serecogen en las figuras 6.20 a 6.28 son los siguientes.• Se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rará como régimen permanente la variación <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor<strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red sin que se modifiquen las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> carga. Para comparar el280


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,mo<strong>de</strong>lo promediado y el circuito en <strong>con</strong>mutación, se han representado, en la figuras 6.20 y6.21, la evolución <strong>de</strong> las principales corrientes <strong>de</strong> ambos circuitos durante dos ciclos <strong>de</strong> red.Durante estos dos ciclos <strong>de</strong> red se han intercalado dos escalones <strong>de</strong> carga, uno positivo yotro negativo, por lo tanto se está representando el comportamiento <strong>de</strong> ambos mo<strong>de</strong>los entres regímenes permanentes distintos, correspondientes cada uno <strong>de</strong> ellos a un grado <strong>de</strong>carga diferente.• Para <strong>con</strong>trastar el comportamiento dinámico <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado respecto <strong>de</strong>l circuitoen <strong>con</strong>mutación se han representado, en la figura 6.22, la corriente <strong>de</strong> carga y la tensión <strong>de</strong>salida así como el ciclo <strong>de</strong> trabajo y la corriente <strong>de</strong> entrada rectificada en una simulación <strong>de</strong>ambos circuitos durante dos ciclos <strong>de</strong> red. Las figuras 6.23 a 6.28 muestran <strong>de</strong>talles <strong>de</strong>todas las magnitu<strong>de</strong>s anteriores justamente en el instante en que se produce el escalón <strong>de</strong>carga.• En general, siempre que se comparan dos mo<strong>de</strong>los, (y el circuito en <strong>con</strong>mutación que sepue<strong>de</strong> simular en PSpice, no <strong>de</strong>ja <strong>de</strong> ser otro mo<strong>de</strong>lo más) hay que tener en cuenta el grado<strong>de</strong> precisión <strong>con</strong> el que ambos han sido <strong>de</strong>sarrollados. Carece <strong>de</strong> sentido por tanto,comparar mo<strong>de</strong>los que incluyan pérdidas <strong>de</strong> potencia <strong>con</strong> otros que <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran i<strong>de</strong>alestodos los componentes <strong>de</strong>l circuito. En los resultados que se comparan a <strong>con</strong>tinuación,ambos mo<strong>de</strong>los <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ran i<strong>de</strong>ales todos los componentes.• Tal y como ocurre en este trabajo, cuando se preten<strong>de</strong> <strong>con</strong>trastar la coinci<strong>de</strong>ncia entre dosmo<strong>de</strong>los, no <strong>de</strong> forma analítica, sino por medio <strong>de</strong> la comparación <strong>de</strong> los resultados <strong>de</strong>simulación, no sólo influye el hecho el que ambos mo<strong>de</strong>los estén bien <strong>de</strong>scritos, sinotambién la precisión que se exija al simulador durante el proceso <strong>de</strong> simulación.El compromiso entre tiempo <strong>de</strong> simulación y precisión (sobre todo precisión en lasimulación <strong>de</strong>l circuito en <strong>con</strong>mutación) pue<strong>de</strong> traer <strong>con</strong>sigo algunas discrepancias entre losresultados <strong>de</strong> simulación que proporcionan ambos mo<strong>de</strong>los. Este aspecto es mássignificativo en los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>mutados, para los que se requiere simularvarios ciclos <strong>de</strong> red, <strong>con</strong>mutación a <strong>con</strong>mutación. Tal es el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.• Por último es necesario <strong>de</strong>stacar, que los ensayos que se presentan correspon<strong>de</strong>n a un únicocaso entre los muchos que se han analizado y su elección respon<strong>de</strong> fundamentalmente, a serun caso típico <strong>de</strong> la aplicación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII (tensión <strong>de</strong> entrada eficaz 230 V,tensión <strong>de</strong> salida 56 V y potencia <strong>de</strong> carga nominal 100 W). Lo mismo se aplica a losparámetros adimensionales <strong>de</strong> diseño utilizados en estas simulaciones.281


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RPSDUDFLyQ GHO PRGHOR SURPHGLDGR \ GHO FLUFXLWR HQ FRQPXWDFLyQ HQ UpJLPHQSHUPDQHQWHDEF7HQVLyQGHHQWUDGD&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGD&LFORGHWUDEDMR)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQHQUpJLPHQSHUPDQHQWHD7HQVLyQGHHQWUDGDE&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGDF&LFORGHWUDEDMR282


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&LFORGHWUDEDMR&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/DEF)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQHQUpJLPHQSHUPDQHQWHD&LFORGHWUDEDMRE&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ F&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ 283


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQDQWHHVFDORQHVGHFDUJD&RUULHQWHGHVDOLGDY29DORUPHGLRGHOD7HQVLyQGHVDOLGDY2Y27HQVLyQGHVDOLGD&LFORGHWUDEDMR&RUULHQWHSRUGHHQWUDGDUHFWLILFDGDDEFGH)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQDQWHHVFDORQHVGHFDUJDD&RUULHQWHGHVDOLGDE7HQVLyQPHGLDGHVDOLGDáY 2 ñF7HQVLyQGHVDOLGD Y~ 2 G&LFORGHWUDEDMRH&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGD284


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,DEF&RUULHQWHGHVDOLGD&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGD&LFORGHWUDEDMR)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQ'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDSRVLWLYRD&RUULHQWHGHVDOLGDE&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGDF&LFORGHWUDEDMR285


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&RUULHQWHGHVDOLGDY29DORUPHGLRGHOD7HQVLyQGHVDOLGDY2Y27HQVLyQGHVDOLGDDEF)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQ'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDSRVLWLYRD&RUULHQWHGHVDOLGDE7HQVLyQPHGLDGHVDOLGDáY 2 ñF7HQVLyQGHVDOLGD286


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&RUULHQWHGHVDOLGD&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/DEF)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQ'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDSRVLWLYRD&RUULHQWHGHVDOLGDE&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ F&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ 287


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&RUULHQWHGHVDOLGD&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGDDEF&LFORGHWUDEDMR)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQ'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDQHJDWLYRD&RUULHQWHGHVDOLGDE&RUULHQWHGHHQWUDGDUHFWLILFDGDF&LFORGHWUDEDMR288


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&RUULHQWHGHVDOLGDY29DORUPHGLRGHOD7HQVLyQGHVDOLGDY2Y27HQVLyQGHVDOLGDDEF)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQ'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDQHJDWLYRD&RUULHQWHGHVDOLGDE7HQVLyQPHGLDGHVDOLGDáY 2 ñF7HQVLyQGHVDOLGD289


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,&RUULHQWHGHVDOLGD&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/DEF)LJXUD&RPSDUDFLyQGHOPRGHORSURPHGLDGR\GHOFLUFXLWRHQFRQPXWDFLyQ'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDQHJDWLYRD&RUULHQWHGHVDOLGDE&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ F&RUULHQWHSRUODLQGXFWDQFLD/ 290


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RQFOXVLRQHV GH OD FRPSDUDFLyQ HQWUH HO PRGHOR SURPHGLDGR \ HO FLUFXLWR HQFRQPXWDFLyQA tenor <strong>de</strong> las figuras 6.20 a 6.28, en las que se representa la comparación <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los en<strong>con</strong>mutación y promediado que se han realizado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>cluirse:• Los UHVXOWDGRV GH OD VLPXODFLyQ GH ORV PRGHORV FRQPXWDGR \ SURPHGLDGR GHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRLQFLGHQ, en todas las situaciones representadas. La coinci<strong>de</strong>ncia<strong>de</strong> los resultados es total en régimen permanente y en los intervalos correspondientes a lastransiciones <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga. Solamente cuando se produce un flanco negativo en lacorriente <strong>de</strong> carga, aparece una ligera discrepancia entre ambos mo<strong>de</strong>los. &RPSDUDFLyQ GH ORV UHVXOWDGRV SURSRUFLRQDGRV SRU HO PRGHOR SURPHGLDGR \ HOSURJUDPDGHFiOFXORAunque como técnica más <strong>de</strong>terminante, para <strong>con</strong>trastar la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los promediados<strong>de</strong>sarrollados, se ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado la comparación <strong>de</strong> éstos <strong>con</strong> la simulación <strong>de</strong>l circuito en<strong>con</strong>mutación, pue<strong>de</strong> realizarse también la comparación <strong>de</strong>l resultado que proporciona el mo<strong>de</strong>lopromediado <strong>con</strong> el que se obtiene como salida al ejecutar el programa <strong>de</strong> cálculo correspondiente (verAnexo A). En las figuras 6.29 y 6.30 se representa la corriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor que obtienenel mo<strong>de</strong>lo promediado y el programa <strong>de</strong> cálculo para dos diseños diferentes.1Corriente <strong>de</strong> entrada0.50Programa <strong>de</strong> cálculo0.5Mo<strong>de</strong>lo Promediado10 1.57 3.14 4.71 6.28)LJXUD&RPSDUDFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66TXHSURSRUFLRQDQHOPRGHORSURPHGLDGR\HOSURJUDPDGHFiOFXOR'LVHxRSDUD7HQVLyQ8QLYHUVDOFX\RVSDUiPHWURVVRQQ Q Q a . 7HQVLyQGHHQWUDGDHILFD]9WHQVLyQGHVDOLGD9\SRWHQFLDGHFDUJD:La figura 6.29 correspon<strong>de</strong> a un diseño <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> Rango Universal, mientras que en lafigura 6.30 la corriente <strong>de</strong> entrada correspon<strong>de</strong> a un diseño para Rango Europeo.El mo<strong>de</strong>lo promediado ha sido <strong>de</strong>sarrollado <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando la dinámica <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y el programa<strong>de</strong> cálculo se ha obtenido utilizando expresiones analíticas y un proceso <strong>de</strong> cálculo numérico para<strong>de</strong>terminar las magnitu<strong>de</strong>s principales <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en el equilibrio o régimen permanente que se291


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,produce en un semiperiodo <strong>de</strong> red (ver apartado 5.2.2 para los programas <strong>de</strong> cálculo y apartado 6.4para el mo<strong>de</strong>lo promediado). Las técnicas utilizadas para la obtención <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y <strong>de</strong>lprograma <strong>de</strong> cálculo son completamente diferentes, por tanto su coinci<strong>de</strong>ncia reforzará la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong>ambos <strong>de</strong>sarrollos.1Corriente <strong>de</strong> entrada0.500.5Programa <strong>de</strong> cálculoMo<strong>de</strong>lo Promediado10 1.57 3.14 4.71 6.28)LJXUD&RPSDUDFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66TXHSURSRUFLRQDQHOPRGHORSURPHGLDGR\HOSURJUDPDGHFiOFXOR'LVHxRSDUD7HQVLyQHQ5DQJR(XURSHRFX\RVSDUiPHWURVVRQQ Q Q a . 7HQVLyQGHHQWUDGDHILFD]9WHQVLyQGHVDOLGD9\SRWHQFLDGHFDUJD:Se comprueba en las figuras 6.29 y 6.30 como las corrientes <strong>de</strong> entrada que proporcionan ambosmo<strong>de</strong>los son prácticamente iguales. Las ligeras diferencias que también pue<strong>de</strong>n apreciarse, se <strong>de</strong>benfundamentalmente a dos aspectos:• La tensión que aparece en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediadopresenta, aunque bastante reducido, un rizado <strong>de</strong> 100 Hz, que no ha sido <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado en elprograma <strong>de</strong> cálculo.• El mo<strong>de</strong>lo promediado establece su tensión <strong>de</strong> salida y por tanto su ciclo <strong>de</strong> trabajo pormedio <strong>de</strong> un lazo <strong>de</strong> realimentación real, <strong>con</strong> una ganancia finita. 5HODFLyQHQWUHORVUHVXOWDGRVGHVLPXODFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDHQSHTXHxDVHxDO \ OD VLPXODFLyQ HQ HO GRPLQLR GHO WLHPSR REWHQLGRV PHGLDQWH HO PRGHORSURPHGLDGRGHVDUUROODGREn este apartado se analizará la relación que existe entre los resultados <strong>de</strong> simulación <strong>de</strong> la función <strong>de</strong>transferencia en pequeña señal y los resultados <strong>de</strong> la simulación en el dominio <strong>de</strong>l tiempo durantetransitorios <strong>de</strong> carga que pue<strong>de</strong>n obtenerse mediante el mo<strong>de</strong>lo promediado que se ha <strong>de</strong>sarrolladopara el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. En primer lugar, este análisis representa una manera adicional <strong>de</strong>verificar la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado y en segundo lugar servirá como introducción a la<strong>de</strong>scripción que se <strong>de</strong>sarrollará en el apartado 6.5.2 <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>con</strong>292


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,el punto <strong>de</strong> operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor.En las figura 6.31 y 6.32 se representa la evolución <strong>de</strong>l módulo y la fase <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia<strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación completo T(f) <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, <strong>con</strong> la potencia<strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red w t. La función T(f) agrupa las funciones <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa<strong>de</strong> potencia, <strong>de</strong>l regulador y <strong>de</strong>l modulador PWM; su estudio, permite analizar la estabilidad <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor y también sus prestaciones tanto estáticas como dinámicas.1009DULDFLyQÃGHÃ7I FRQÃODÃWHQVLyQÃGHÃHQWUDGDÃHILFD]7I1009DULDFLyQÃGHÃ7I FRQÃODÃSRWHQFLDÃGHÃFDUJD7I0yGXORG%)DVHž25500.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 55050)75502500501007I5HJXODGRU265 V EF.230 V EF.187 V EF.100 V EF.IÃ+]265 V EF.230 V EF.5HJXODGRU187 V EF.100 V EF.0yGXORG%)DVHž755025025500.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminFrecfmax5050)0501007I100 W80 W60 W5HJXODGRU40 W20 WIÃ+]100 W80 W5HJXODGRU60 W40 W20 W1502002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminFrecfmaxIÃ+]a)1502002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5IÃ+]b))LJXUD(YROXFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)66HQIXQFLyQGHD9DORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDE3RWHQFLDGHFDUJDEn el apartado 6.5.4 se <strong>de</strong>scribirán los posibles criterios <strong>de</strong> diseño para el regulador <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII, sin embrago, el regulador que se representa en las figuras 6.31 y 6.32, ha sidodiseñado para optimizar las prestaciones <strong>de</strong>l lazo para unas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación habituales:tensión <strong>de</strong> entrada eficaz 230 V , potencia <strong>de</strong> carga 100 W y ángulo <strong>de</strong> red p /2. Por esta razón, el valormáximo <strong>de</strong> la fase <strong>de</strong> la función T(f) se sitúa siempre a una frecuencia mayor que la frecuencia <strong>de</strong>cruce correspondiente a la planta que presenta mayor ganancia. Ya que el regulador es fijo (así comola función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l modulador PWM y también la red resistiva <strong>de</strong> realimentación), cuandovaríe la tensión <strong>de</strong> entrada, la potencia <strong>de</strong> carga o el ángulo <strong>de</strong> red, la variación que muestra la funciónT(f) coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> la variación que experimenta la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia.293


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,0yGXORG%5050))DVHž))))100755025025500.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminFrecfmax0501001509DULDFLyQÃGHÃ7I FRQÃHOÃiQJXORÃGHÃUHGÃZWÃ7I7I5HJXODGRUIÃ+]90º45º30º20º10º2002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5IÃ+]90º45º30º20º10º5HJXODGRU)LJXUD(YROXFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)66HQIXQFLyQGHOiQJXORGHUHGw W5HJXODGRUILMR\RSWLPL]DGRSDUDHOSXQWRGHPi[LPDJDQDQFLDObservando las figuras 6.31 y 6.32 se pue<strong>de</strong>comprobar que la frecuencia <strong>de</strong> cruce <strong>de</strong> lafunción <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong>realimentación, T(f), se reduce cuando:• Disminuye el valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada.• Disminuye la potencia <strong>de</strong> carga.• Disminuye el ángulo <strong>de</strong> red.Por tanto, ya que el regulador es fijo y se hadiseñado para optimizar la planta <strong>de</strong> mayorganancia, <strong>de</strong>splazar hacia la izquierda lafrecuencia <strong>de</strong> cruce <strong>de</strong>l lazo, supone aumentarla fase correspondiente a esta frecuencia y en<strong>con</strong>secuencia reducir el margen <strong>de</strong> fase. Estasituación se produce, ya que para este diseño<strong>de</strong>l regulador, todas las frecuencias <strong>de</strong> cruceposibles se sitúan en la zona <strong>de</strong> pendientepositiva <strong>de</strong> la fase <strong>de</strong>l regulador y en<strong>con</strong>secuencia también en la zona <strong>de</strong> pendientepositiva <strong>de</strong> la fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.Los valores numéricos que recogen lavariación <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase, frecuencia <strong>de</strong>cruce y ganancia <strong>de</strong>l lazo a 100 Hz se recogenen la tabla 6.5.Para corroborar estos resultados, se harealizado una simulación temporal en la quese han incluido varios escalones <strong>de</strong> carga en instantes correspondientes a distintos ángulos <strong>de</strong> red ypara dos valores <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada diferentes. Los resultados <strong>de</strong> esta simulación se presentan en lafigura 6.33.100 W, w t = 90º 230 V EF., w t = 90º 230 V EF., 100WTensión <strong>de</strong> entrada(V EF. )Potencia <strong>de</strong> carga(W)Ángulo <strong>de</strong> red, w t(º)Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã Ã ÃFrecuencia <strong>de</strong> cruce (kHz) 7 5,9 4,7 2,8 5,9 5,4 4,8 4 3,1 5,9 4,5 3,6 2,9 2,47 ( 100+]) (dB) 56,3 55,4 54,3 50,7 55,8 55,6 55,5 55,4 54 55,5 53,4 51,6 50,2 49Margen <strong>de</strong> fase (º) 61,2 60,6 57,4 44 60,7 59,7 57,8 54 47 60,6 56,2 51 45,6 39,17DEOD9DULDFLyQGHODIUHFXHQFLDGHFUXFHJDQDQFLDD+]\PDUJHQGHIDVHFRQHOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDSRWHQFLDGHFDUJD\iQJXORGHUHG5HJXODGRUILMR\RSWLPL]DGRSDUDODSODQWDGHPi[LPDJDQDQFLDTeniendo en cuenta que si el lazo abierto <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor, T(f), presenta un mayor ancho <strong>de</strong> banda294


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,(manteniendo la estabilidad), el <strong>con</strong>vertidor podrá reaccionar más rápidamente <strong>de</strong> manera que el pico<strong>de</strong> sobreoscilación se reducirá. Por otro lado, si la función T(f) posee un mayor margen <strong>de</strong> fase, elcoeficiente <strong>de</strong> amortiguamiento <strong>de</strong>l correspondiente lazo cerrado aumenta, presentando el <strong>con</strong>vertidoruna respuesta más amortiguada ante, por ejemplo, una variación brusca <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.En el apartado 9.4.2 <strong>de</strong> [81] se presenta una <strong>de</strong>scripción <strong>de</strong>tallada <strong>de</strong> este fenómeno, don<strong>de</strong> a<strong>de</strong>más secuantifica esta relación entre el margen <strong>de</strong> fase y el amortiguamiento <strong>de</strong>l sistema.9 * — 9 * —&RUULHQWHGHHQWUDGD&RUULHQWHGHVDOLGD7HQVLyQGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMRP9DDP9EE7HQVLyQGHVDOLGD)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOPRGHORSURPHGLDGRGHOFRQYHUWLGRU6,,)666HLQFOX\HQHVFDORQHVGHFDUJDSDUDGLVWLQWDViQJXORVGHUHG\WHQVLRQHVGHHQWUDGDHILFDFHVEn la figura 6.33 se han <strong>de</strong>stacado algunos valores <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, para los que se <strong>de</strong>be comparar lasobreoscilación que se produce en la tensión <strong>de</strong> salida. Si la evolución que presenta la función <strong>de</strong>transferencia en pequeña señal <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, T(f), (que se ha obtenido a partir <strong>de</strong> lasimulación en pequeña señal <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>sarrollado para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS) y loscorrespondientes valores <strong>de</strong> margen <strong>de</strong> fase, frecuencia <strong>de</strong> cruce, etc, son coherentes <strong>con</strong> elcrecimiento o <strong>de</strong>crecimiento <strong>de</strong> la sobreoscilación, se reforzará la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong>l uso <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lopromediado para la obtención <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia. Varios son losaspectos que <strong>con</strong>viene <strong>de</strong>stacar:• Los ángulos <strong>de</strong> red 1a y 1b son idénticos pero correspon<strong>de</strong>n a dos valores diferentes <strong>de</strong>tensión <strong>de</strong> entrada. Se observa como la sobreoscilación es mayor para el ángulo 1b, quecorrespon<strong>de</strong> a una tensión <strong>de</strong> 187 V EF. En la figura 6.31.a y en la tabla 6.5 se compruebaque para las <strong>con</strong>diciones y el regulador escogido, el ancho <strong>de</strong> banda se reduce al disminuirla tensión <strong>de</strong> red. Por tanto es coherente el hecho <strong>de</strong> una mayor sobreoscilación para 1b quepara 1a.295


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Comparando los ángulos 1a y 2, se pue<strong>de</strong> comprobar como la sobreoscilación para elángulo 2 es significativamente inferior a la correspondiente a 1a. Este hecho también escoherente <strong>con</strong> la evolución <strong>de</strong> la función T(f) <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red que se recoge en lafigura 6.32 y que <strong>de</strong>termina que a mayor ángulo <strong>de</strong> red le correspon<strong>de</strong> un mayor ancho <strong>de</strong>banda y un mayor margen <strong>de</strong> fase, en <strong>con</strong>secuencia menos sobreoscilación y respuesta másamortiguada.• los ángulos 3a y 3b permiten la comparación <strong>de</strong> la sobreoscilación que se produce para dosescalones <strong>de</strong> carga. La transición que se produce en 3a parte <strong>de</strong> un régimen permanente <strong>de</strong>80 W <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> carga y llega a un nuevo régimen <strong>de</strong> 60W. La transición 3b parte <strong>de</strong> 40W pero llega también a un régimen permanente <strong>de</strong> 60 W. En la figura 6.33 se pue<strong>de</strong>comprobar cómo la sobreoscilación correspondiente al ángulo 3b es ligeramente mayor quela correspondiente al ángulo 3a. Este resultado <strong>con</strong>firma la ten<strong>de</strong>ncia expuesta en la figura6.31b y en la tabla 6.5 según las cuales, a menor potencia <strong>de</strong> carga le correspon<strong>de</strong> un ancho<strong>de</strong> banda ligeramente menor.Similar comparación pue<strong>de</strong> realizarse para otros ángulos <strong>de</strong> red, obteniéndose siempre resultadoscoherentes entre la evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l lazo y la simulación en régimentransitorio. 9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHO0RGHOREn el Capítulo 7 se incluye la comparación <strong>de</strong> los resultados proporcionados por el mo<strong>de</strong>lopromediado y los correspondientes resultados experimentales. 5HVXOWDGRVGHVLPXODFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDHQSHTXHxDVHxDOAsumiendo la cuasiestaticidad en las tensiones <strong>de</strong> entrada y en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, asícomo <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo durante el periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación que se produce para un valor <strong>con</strong>creto<strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, pue<strong>de</strong> extraerse la función <strong>de</strong> transferencia en pequeña señal para ese valor <strong>de</strong>lángulo <strong>de</strong> red. El simulador PSpice es capaz, aplicado sobre el mo<strong>de</strong>lo promediado, <strong>de</strong> imponer todaslas magnitu<strong>de</strong>s que <strong>de</strong>finen el punto <strong>de</strong> trabajo, y obtener la correspondiente función <strong>de</strong> transferencia.En el apartado 6.5.1.5 se ha <strong>con</strong>trastado la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong> este método, ya que las características que lafunción <strong>de</strong> transferencia, T(f), proporciona se corrobora <strong>con</strong> las que se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>ducir a partir <strong>de</strong> lasimulación en régimen transitorio.La operación <strong>con</strong> una tensión <strong>de</strong> entrada fuertemente variable, como es la tensión <strong>de</strong> red, impone enlos <strong>con</strong>vertidores SII, una función <strong>de</strong> transferencia para la etapa <strong>de</strong> potencia también bastante variable.En este apartado se presentarán los resultados <strong>de</strong> la simulación <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> laetapa <strong>de</strong> potencia teniendo en cuenta variaciones <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada y <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. El objetivo que se persigue es <strong>de</strong>terminar cuáles son las funciones<strong>de</strong> transferencia más <strong>de</strong>sfavorables y que servirán para diseñar el regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol.En la figura 6.34.a se presenta la variación <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> entrada, en la figura 6.34.b la variación <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y en la figura 6.35 lavariación <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia tensión <strong>de</strong> salida – ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red.Todas estas funciones <strong>de</strong> transferencia se han obtenido para un mismo diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, capaz <strong>de</strong> operar ante tensión <strong>de</strong> entrada universal y para una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 56V.296


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,80šY 2šG9DULDFLyQÃGHÃODÃIXQFLyQÃGHÃWUDQVIHUHQFLDÃGHÃODÃHWDSDÃGHÃSRWHQFLDÃFRQÃHOÃYDORUÃHILFD]ÃGHÃODÃWHQVLyQÃGHÃHQWUDGD80šY 2šG9DULDFLyQÃGHÃODÃIXQFLyQÃGHÃWUDQVIHUHQFLDÃGHÃODÃHWDSDÃGHÃSRWHQFLDÃFRQÃODÃSRWHQFLDÃGHÃFDUJD60600yGXORG%40200265 V EF.230 V EF.187 V EF.100 V EF.0yGXORG%40200100 W80 W60 W40 W20 W2020100 V EF. a)400.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5šY 2šGIÃ+]400.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminšFrecfmaxY 2šGIÃ+]50505050265 V EF.)DVHž))))050100150230 V EF.187 V EF.100 V EF.))DVHž))))050100150100 W80 W60 W40 W20 W2002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5IÃ+]2002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminFrecfmaxIÃ+]b))LJXUD(YROXFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDGHODHWDSDGHSRWHQFLDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66HQIXQFLyQGHD9DORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDE3RWHQFLDGHFDUJDObservando las figuras 6.34 y 6.35, cabe <strong>de</strong>stacar que ODV PD\RUHV JDQDQFLDV FRUUHVSRQGHQ DOPD\RUYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDPD\RUSRWHQFLDGHFDUJD\iQJXORVGHUHGSUy[LPRVD ž. Por tanto ante cualquier regulador que se diseñe, también a los tres casos anteriores lescorrespon<strong>de</strong>rá la mayor frecuencia <strong>de</strong> cruce. Este aspecto también pue<strong>de</strong> observarse en las figuras 6.31y 6.32.Teniendo en cuenta la evolución <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia que se extrae <strong>de</strong>las figuras 6.34 y 6.35, en la figura 6.36 se han representado las dos funciones <strong>de</strong> transferencia que sepue<strong>de</strong>n <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar como extremas. Toda variación <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> trabajo que se produce en la operación<strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII llevará asociada una función <strong>de</strong> transferencia que quedará <strong>con</strong>finada <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>lárea que estas dos funciones <strong>de</strong> transferencia extremas <strong>de</strong>terminan. Las características que lecorrespon<strong>de</strong>n son:• )XQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDGHPi[LPDJDQDQFLD: Máxima tensión eficaz <strong>de</strong> entrada (256V EF. ), máxima potencia <strong>de</strong> carga (100 W) y un ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> 90º.• )XQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDGHPtQLPDJDQDQFLD: Mínima tensión eficaz <strong>de</strong> entrada (100V EF. ), mínima potencia <strong>de</strong> carga (20 W) y un ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> 0º.297


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,80šY 2šG9DULDFLyQÃGHÃODÃIXQFLyQÃGHÃWUDQVIHUHQFLDÃGHÃODÃHWDSDÃGHÃSRWHQFLDÃÃFRQÃHOÃiQJXORÃGHÃUHGÃZW80šY 2šG60600yGXORG%4020020400.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminšFrecfmax5050Y 2šG90º45º30º20º10º3ºIÃ+]0yGXORG%4020020400.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminšFrecfmax50500i[LPDÃJDQDQFLD:V E =265 V EF. , P O = 100 W, w t=90º0tQLPDÃJDQDQFLD:V E =100 V EF. , P O = 20 W, w t=0ºY 2šGIÃ+]00))DVHž))))5010015090º45º30º20º10º3º2002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminFrecfmaxIÃ+])LJXUD(YROXFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDGHODHWDSDGHSRWHQFLDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66HQIXQFLyQGHOiQJXORGHUHG)DVHž)501001500i[LPDÃJDQDQFLD:V E =265 V EF. , P O = 100 W, w t=90º0tQLPDÃJDQDQFLD:V E =100 V EF. , P O = 20 W, w t=0º2002000.1 1 10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5fminFrecfmaxIÃ+])LJXUD)XQFLRQHVGHWUDQVIHUHQFLDH[WUHPDVSDUDODRSHUDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)66HQXQDPSOLRUDQJRGHWHQVLyQGHHQWUDGDComo se tratará en el apartado 6.5.4, las funciones <strong>de</strong> máxima y mínima ganancia se utilizarán paradiseñar el regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, intentando optimizarcaracterísticas como ganancia, frecuencia <strong>de</strong> cruce o ancho <strong>de</strong> banda y margen <strong>de</strong> fase. Estascaracterísticas, tendrán una importante influencia sobre el comportamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor tanto enrégimen estacionario como en régimen transitorio. 5HVXOWDGRV GH VLPXODFLyQ HQ HO GRPLQLR GHO WLHPSR ,QIOXHQFLD GH ODJDQDQFLDDQFKRGHEDQGD\PDUJHQGHIDVHGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQUna vez <strong>con</strong>ocidas las funciones <strong>de</strong> transferencia extremas, que <strong>de</strong>limitan la zona <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> la cualqueda incluida la función <strong>de</strong> transferencia correspondiente a cualquier punto <strong>de</strong> operación <strong>de</strong> los quese pue<strong>de</strong>n llegar a producir en la operación <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII, se podrá diseñar el reguladorcorrespondiente, al objeto <strong>de</strong> asegurar la estabilidad en todas las <strong>con</strong>diciones.Sin embargo, aún siendo la estabilidad una <strong>con</strong>dición indispensable, no es la única que se le <strong>de</strong>beexigir al lazo <strong>de</strong> realimentación T(f) y por ello el regulador tendrá que <strong>con</strong>seguir proporcionar al lazootras prestaciones. En los resultados <strong>de</strong> simulación en el dominio <strong>de</strong>l tiempo que se presentan a298


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>tinuación en las figuras 6.37 y 6.38 se va a poner <strong>de</strong> manifiesto cómo afecta cada una <strong>de</strong> lascaracterísticas <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, al comportamiento en el dominio <strong>de</strong>l tiempo, ya sea enrégimen estacionario o transitorio.Estos resultados <strong>de</strong> simulación correspon<strong>de</strong>n a un <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS alimentado a 230 V EF. queproporciona una tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 56 V y una potencia <strong>de</strong> carga <strong>de</strong> 100 W. Los parámetros <strong>de</strong>diseño adimensionales son:• n 1 =1,2• n 23 = 1,2• n 2 = 1• a =3,7• K = 0,28 (IHFWRGHODQFKRGHEDQGDGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQPara <strong>de</strong>terminar el efecto que sobre el comportamiento <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII tiene el ancho <strong>de</strong> banda<strong>de</strong> su lazo <strong>de</strong> realimentación, que se medirá <strong>con</strong> la frecuencia <strong>de</strong> cruce <strong>de</strong>l módulo <strong>de</strong> la función T(f),se han comparado los resultados <strong>de</strong> simulación que se obtienen aplicando dos reguladores, cuyascaracterísticas se recogen en la tabla 6.6:)UHFXHQFLDGHFUXFHIFN+]7 ( 100+]) (dB) Margen <strong>de</strong> fase, MF (º)Regulador A 34 31Regulador B 35 297DEOD&DUDFWHUtVWLFDVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQTXHVHREWLHQHQPHGLDQWHODDSOLFDFLyQGHORVGRVUHJXODGRUHV$\%FRQORVTXHVHHVWXGLDUiHOHIHFWRGHODQFKRGHEDQGDGHOOD]RDELHUWRHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,Las características presentadas en las tablas 6.6 a 6.8 correspon<strong>de</strong>n a una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> 230V EF. , una potencia <strong>de</strong> carga <strong>de</strong> 100 W y un ángulo <strong>de</strong> red <strong>de</strong> 90º. En la figura 6.37 se representan lasprincipales magnitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, para varios periodos <strong>de</strong> red, cuando se utilizan losreguladores A y B <strong>de</strong> la tabla 6.6.Comparando los resultados obtenidos <strong>con</strong> los reguladores A y B <strong>de</strong> la figura 6.37, se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir,que el reducido ancho <strong>de</strong> banda que presenta el lazo obtenido <strong>con</strong> el regulador B, impi<strong>de</strong> que elcircuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol sea lo suficientemente rápido como para hacer frente a las variaciones que seproducen en la componente alterna <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, <strong>de</strong> forma que el ciclo <strong>de</strong> trabajo se retrasarespecto <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada provocando una cresta en la corriente <strong>de</strong> entrada.Como se <strong>de</strong>duce <strong>de</strong>l apartado 6.5.2, la frecuencia <strong>de</strong> cruce y por tanto el ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong><strong>con</strong>trol se reduce <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red. Para que el circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol sea capaz <strong>de</strong> seguir lasvariaciones <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, y dado que la frecuenciafundamental <strong>de</strong> este rizado es <strong>de</strong> 100 Hz, un ancho <strong>de</strong> banda mínimo, que permitiría no interferir sobrearmónicos <strong>de</strong> or<strong>de</strong>n 20, sería 2 kHz (para la planta <strong>de</strong> menor ganancia).299


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,7HQVLyQGHHQWUDGDD&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD'Y 2 97HQVLyQGHHQWUDGDE&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQWURODGRVPHGLDQWHORVUHJXODGRUHV$\%HVSHFLILFDGRVHQODWDEODD5HJXODGRU$I & N+]ô 7ô G%0) žE5HJXODGRU%I & N+]ô 7ô G%0) žEn <strong>con</strong>clusión, XQDQFKRGHEDQGDLQVXILFLHQWHSURGXFHXQDFUHVWDHQODFRUULHQWHGHHQWUDGD ypor tanto, el regulador <strong>de</strong>be <strong>con</strong>ferir al lazo <strong>de</strong> realimentación un ancho <strong>de</strong> banda mínimo <strong>de</strong> al menos1,5 kHz para cualquiera <strong>de</strong> las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. (IHFWRGHODJDQDQFLDGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQEn la comparativa realizada en el apartado 6.5.3.1 la ganancia que proporcionaban ambos reguladoresera prácticamente idéntica, unos 30 dB a una frecuencia <strong>de</strong> 100 Hz y por tanto, se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir que300


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,no es la ganancia <strong>de</strong>l lazo quien provoca la cresta <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.En la figura 6.38 se presentan los resultados <strong>de</strong> simulación <strong>de</strong> un regulador C, cuyas características secomparan <strong>con</strong> las <strong>de</strong>l regulador B en la tabla 6.7.Frecuencia <strong>de</strong> cruce, fc (kHz) ~7+]~G% Margen <strong>de</strong> fase, MF (º)Regulador B 4.89 29Regulador C 4.8 287DEOD&DUDFWHUtVWLFDVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQTXHVHREWLHQHQPHGLDQWHODDSOLFDFLyQGHORVGRVUHJXODGRUHV%\&FRQORVTXHVHHVWXGLDUiHOHIHFWRGHODJDQDQFLDGHOOD]RDELHUWRHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,Comparando los resultados <strong>de</strong> la figura 6.38 <strong>con</strong> los <strong>de</strong> la figura 6.37.a, se comprueba cómomanteniendo las características <strong>de</strong>l ancho <strong>de</strong> banda y margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l lazo, XQLQFUHPHQWRGHODJDQDQFLDFRQOOHYDXQDUHGXFFLyQLPSRUWDQWHGHOUL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD.7HQVLyQGHHQWUDGD&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD'Y 2 9)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQWURODGRPHGLDQWHHOUHJXODGRU&HVSHFLILFDGRHQODWDEOD5HJXODGRU&I &Ã N+]7 G%0) žEs importante hacer notar, que el valor <strong>de</strong> la ganancia <strong>de</strong>l lazo se ha especificado para una frecuencia<strong>con</strong>creta <strong>de</strong> 100 Hz, que es significativa en este tipo <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores. La ganancia a otras frecuenciastendrá otro valor, pero siempre presentarán la misma ten<strong>de</strong>ncia que el valor para 100 Hz, creciendo sieste valor crece y viceversa.También es importante tener en cuenta, que la ganancia para un ángulo red <strong>de</strong> 90º, cuyo valor es elque se presenta en la tabla 6.7, es bastante superior al que para el mismo regulador se obtiene para unángulo <strong>de</strong> red próximo a cero. En la figura 6.39 se ha incluido, respecto <strong>de</strong> las magnitu<strong>de</strong>srepresentadas en la figura 6.38, el rizado <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento y se han<strong>de</strong>stacado dos zonas.301


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,7HQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD%$7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQWURODGRPHGLDQWHHOUHJXODGRU&HVSHFLILFDGRHQODWDEOD,QIOXHQFLDGHOUL]DGRGHODWHQVLyQGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\GHODPHQRUJDQDQFLDSDUDORViQJXORVGHUHGUHGXFLGRVVREUHHOUL]DGRTXHDSDUHFHHQODWHQVLyQGHVDOLGDEn la zona B que pue<strong>de</strong> exten<strong>de</strong>rse entre ángulos <strong>de</strong> red <strong>de</strong> 30º a 150º, la elevada ganancia <strong>de</strong>l lazo,<strong>con</strong>sigue que, a pesar <strong>de</strong> las gran<strong>de</strong>s variaciones que se producen en la tensión <strong>de</strong> entrada, el rizado <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> salida no aumente <strong>de</strong>masiado. Sin embargo, en la zona A (próxima al paso por cero <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada), una baja variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, que en estazona es la fuente principal <strong>de</strong> energía, supone una mayor variación <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida<strong>de</strong>bido a la menor ganancia siempre asociada a los bajos valores <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red. (IHFWRGHOPDUJHQGHIDVHGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQPara estudiar el efecto que tiene el margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación sobre el comportamiento<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, se ha realizado una nueva simulación temporal, utilizando para ello un nuevoregulador que proporcione un margen <strong>de</strong> fase elevado, pero manteniendo prácticamente los mismosvalores en el resto <strong>de</strong> características, que las correspondientes al regulador C que se especificaba en latabla 6.7. Las características <strong>de</strong> ambos reguladores se especifican en la tabla 6.8.Frecuencia <strong>de</strong> cruce, fc (kHz) ½ 7+]½ (dB) 0DUJHQGHIDVH0)žRegulador C 4.8 58 Regulador D 4.9 60 7DEOD&DUDFWHUtVWLFDVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQTXHVHREWLHQHQPHGLDQWHODDSOLFDFLyQGHORVGRVUHJXODGRUHV&\'FRQORVTXHVHHVWXGLDUiHOHIHFWRGHOPDUJHQGHIDVHGHOOD]RDELHUWRHQORVFRQYHUWLGRUHV6,,Comparando los resultados que se presentan en las figuras 6.38 y 6.40, no se observa ninguna302


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,diferencia ni en la corriente <strong>de</strong> entrada ni en el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida. Por lo tanto pue<strong>de</strong><strong>con</strong>cluirse que HO PDUJHQ GH IDVH WLHQH XQD LQIOXHQFLD GHVSUHFLDEOH VREUH OD RSHUDFLyQ GH ORVFRQYHUWLGRUHV6,,HQUpJLPHQSHUPDQHQWH.Sin embargo, tal y como se <strong>de</strong>terminó en el apartado 6.5.1.5, el margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong>realimentación modifica el valor <strong>de</strong> la sobreoscilación que se produce ante un cambio brusco <strong>de</strong> lacarga o <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.7HQVLyQGHHQWUDGD&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQWURODGRPHGLDQWHHOUHJXODGRU&HVSHFLILFDGRHQODWDEOD5HJXODGRU'I & N+]7 G%0) ž 6LPXODFLRQHVFRQWHQVLyQGHHQWUDGDUHDOUna última aplicación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado en gran señal es la realización <strong>de</strong> simulaciones <strong>con</strong> latensión <strong>de</strong> red real <strong>de</strong> la cual se dispone y <strong>con</strong> la que se realizarán las medidas experimentales sobrelos prototipos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Este ejercicio <strong>de</strong> simulación posee como principal ventaja, lafuerte reducción en el tiempo <strong>de</strong> simulación a la hora <strong>de</strong> verificar la influencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red realsobre varios aspectos:• Comportamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Modificación que sufre la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada, la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo, etc.• Necesidad <strong>de</strong> imponer al lazo <strong>de</strong> realimentación, y por tanto al regulador, algunos requisitosadicionales para asegurar la estabilidad y las características dinámicas.Para verificar la influencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red real, se han realizado varias simulaciones <strong>con</strong> elmo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS <strong>con</strong> el mismo diseño y los mismos tres reguladores quese han utilizado en los apartados 6.5.3.1 a 6.5.3.3, (ver tabla 6.9).303


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,Frecuencia <strong>de</strong> cruce, fc(kHz)**7 ( 100+]) (dB)** Margen <strong>de</strong> fase, MF (º)**Regulador A 1.32 34 31Regulador B 4.89 35 29Regulador D 4.9 60 68** Valores <strong>de</strong> frecuencia <strong>de</strong> cruce, ganancia a 100 Hz y margen <strong>de</strong> fase obtenidos para la función <strong>de</strong> transferencia correspondiente a una tensión <strong>de</strong>entrada <strong>de</strong> 230 V EF., potencia <strong>de</strong> carga <strong>de</strong> 100 W y w t = 90º.7DEOD&DUDFWHUtVWLFDVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQTXHVHREWLHQHQPHGLDQWHODDSOLFDFLyQGHORVWUHVUHJXODGRUHV$%\&FRQORVTXHVHHVWXGLDUiHOHIHFWRGHODWHQVLyQGHUHGUHDOVREUHHOFRPSRUWDPLHQWRGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Comparando los resultados <strong>de</strong> las figuras 6.37.a y 6.41 se pue<strong>de</strong> observar como la tensión <strong>de</strong> red realprovoca, <strong>de</strong>bido a su distorsión, una asimetría en la corriente <strong>de</strong> entrada.Sin embargo, operando <strong>con</strong> el mismo regulador, que en este caso presenta una baja ganancia, el valormáximo <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida permanece en los mismos valores, unos 3 V. Por tanto el<strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red no exige una mayor ganancia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.7HQVLyQGHHQWUDGD&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD'Y 2 9304)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQWURODGRPHGLDQWHHOUHJXODGRU%HVSHFLILFDGRHQODWDEOD,QIOXHQFLDGHODJDQDQFLDLQVXILFLHQWHEl efecto <strong>de</strong> un lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>con</strong> un ancho <strong>de</strong> banda reducido se recoge en la figura 6.42.a.En la figura 6.42.b se presenta el comportamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS ante tensión <strong>de</strong> red real,<strong>con</strong>trolado <strong>con</strong> el Regulador D <strong>de</strong> la tabla 6.9 <strong>de</strong> mejores prestaciones.Si se comparan las figuras 6.37.b y 6.42.a, se pue<strong>de</strong> observar cómo el efecto <strong>de</strong>l ancho <strong>de</strong> bandareducido, que se obtiene al aplicar el Regulador A especificado en la tabla 6.9, se incrementa muyligeramente por efecto <strong>de</strong> la distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. La aparente oscilación que se pue<strong>de</strong>


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,observar tanto en el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida como en el ciclo <strong>de</strong> trabajo se <strong>de</strong>be a los cambios <strong>de</strong><strong>con</strong>cavidad y <strong>con</strong>vexidad que sufre la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada en su flanco <strong>de</strong> subida,pero no a una <strong>de</strong>ficiencia <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.7HQVLyQGHHQWUDGDD&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD7HQVLyQGHHQWUDGDE&RUULHQWHGHHQWUDGD&LFORGHWUDEDMR7HQVLyQGHVDOLGD'Y 2 9)LJXUD6LPXODFLyQWHPSRUDOGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQWURODGRPHGLDQWHD5HJXODGRU$HVSHFLILFDGRHQODWDEOD,QIOXHQFLDGHODJDQDQFLDLQVXILFLHQWHE5HJXODGRU&HVSHFLILFDGRHQODWDEODCuando se utiliza un regulador <strong>de</strong> mejores prestaciones tal como el regulador D, se observa que aligual que en el caso <strong>de</strong> la figura 6.38, el ciclo <strong>de</strong> trabajo se sincroniza <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada y quese reduce el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida.Teniendo en cuenta los resultados recogidos en este apartado, se pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>cluir que, ODRSHUDFLyQFRQ305


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,WHQVLyQGHHQWUDGDUHDO, <strong>con</strong> un cierto grado <strong>de</strong> distorsión, QRUHTXLHUHXQGLVHxRPiVDMXVWDGRGHOUHJXODGRUGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ.Por otro lado, las simulaciones presentadas en las figuras 6.41 y 6.42 han puesto <strong>de</strong> manifiesto cómoel <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada modifica tanto la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada <strong>con</strong> la <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo. Estos aspectos, podrían haber sido <strong>de</strong>ducidos realizandosimulaciones <strong>con</strong> el circuito en <strong>con</strong>mutación, pero <strong>con</strong> un coste en tiempo <strong>de</strong> simulación muy elevado.No se <strong>de</strong>be olvidar, que la generación en el simulador PSpice <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada real supone,para cada valor <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red, sumar las tensiones que proporcionan los generadores que se hanrequerido utilizar para reproducir cada uno <strong>de</strong> los armónicos <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red real. Este aspectoralentiza aún más, una simulación ya <strong>de</strong> por si lenta como la correspondiente a cualquier circuito<strong>con</strong>mutado. &RQVLGHUDFLRQHVGHGLVHxRGHOUHJXODGRUGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,Un <strong>con</strong>vertidor <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>mutado opera <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada variable en un cierto rango, ydistintas potencias <strong>de</strong> carga. Un regulador bien diseñado para este <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong>berá proporcionarunas características dinámicas a<strong>de</strong>cuadas para las <strong>con</strong>diciones que proporcionen las funciones <strong>de</strong>transferencia más dispares <strong>de</strong> entre todas las posibles.En el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> <strong>con</strong>mutados, la planta a <strong>con</strong>trolar, es <strong>de</strong>cir la función <strong>de</strong>transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia presenta una variabilidad mucho mayor que en el caso <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores <strong>CC</strong> / <strong>CC</strong>, sobre todo si se requiere que operen <strong>con</strong> tensión <strong>de</strong> entrada variable en rangouniversal. Esta amplia variación <strong>de</strong> la planta se ha recogido en el apartado 6.5.2 para el <strong>con</strong>vertidorSII-F1-SS.A<strong>de</strong>más, en los <strong>con</strong>vertidores <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> ya que el instante en el que se produce el escalón <strong>de</strong> cargatiene una naturaleza totalmente aleatoria, <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> reducir la sobreoscilación, se hace necesariomaximizar el margen <strong>de</strong> fase, sea cual sea el ángulo <strong>de</strong> red en el que se produzca dicho escalón <strong>de</strong>carga. Por tanto se hace patente la necesidad <strong>de</strong> realizar un diseño que optimice en <strong>con</strong>junto lasprestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, que tenga en cuenta todos los valores <strong>de</strong>l ángulo <strong>de</strong> red,tensiones eficaces <strong>de</strong> entrada y potencias <strong>de</strong> carga.Como una primera posibilidad <strong>de</strong> criterio <strong>de</strong> diseño, en la figura 6.32 se representaba la función <strong>de</strong>transferencia <strong>de</strong> un regulador diseñado para optimizar las prestaciones <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor para un ángulo<strong>de</strong> red próximo a 90º. Ya que el regulador sitúa el máximo <strong>de</strong> su fase en el entorno <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong>cruce que se haya seleccionado para el lazo <strong>de</strong> realimentación, al escoger como <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ración <strong>de</strong>diseño optimizar el lazo para la planta que presenta mayor ganancia, el resto <strong>de</strong> las funciones <strong>de</strong>transferencia (menores ángulos <strong>de</strong> red o menores tensiones eficaces <strong>de</strong> entrada o potencias <strong>de</strong> carga)presentarán una frecuencia <strong>de</strong> cruce inferior. Esta posibilidad <strong>de</strong> diseño se representa en la figura6.43.a y <strong>de</strong>bido a que en este caso las frecuencias <strong>de</strong> cruce son siempre inferiores a la máxima, suscorrespondientes valores <strong>de</strong> fase estarán más próximos a –180º y por tanto sus márgenes <strong>de</strong> faseresultarán inferiores.Como posibilidad opuesta a la anterior, se pue<strong>de</strong> diseñar el regulador <strong>de</strong> manera que el margen <strong>de</strong> fasese maximice para la función <strong>de</strong> transferencia que presente la menor ganancia. Tal caso se harepresentado en la figura 6.43.b.306


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,100757ID 2SWLPL]DFLyQÃSDUDÃPi[LPDÃJDQDQFLD7IÃGHÃ0i[LPDÃJDQDQFLD7IÃGHÃ0tQLPDÃJDQDQFLD0yGXORG%502502510 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5Fase_max07I50)DVHž))1001500) %2000) $250Fase_min10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 510 FrecfmaxI+])LJXUD5HSUHVHQWDFLyQGHOPyGXOR\ODIDVHGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ7ISDUDGRVFULWHULRVGLIHUHQWHVGHGLVHxRGHOUHJXODGRUD2SWLPL]DFLyQGHOFRPSRUWDPLHQWRGHOFRQYHUWLGRUSDUDXQSXQWRGHRSHUDFLyQSUy[LPRDOGHPi[LPDJDQDQFLDE2SWLPL]DFLyQGHOFRPSRUWDPLHQWRGHOFRQYHUWLGRUSDUDXQSXQWRGHRSHUDFLyQSUy[LPRDOGHPtQLPDJDQDQFLDEn la tabla 6.10 se recogen los valores numéricos <strong>de</strong> las prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentaciónobtenido atendiendo a las <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones <strong>de</strong> diseño anteriores, que se reflejan en las figuras 6.43.a y6.43.b. También aparecen las prestaciones correspondiente a un criterio que se <strong>de</strong>nominará <strong>de</strong>optimización <strong>con</strong>junta y que se representa gráficamente en la figura 6.44.Si se diseña <strong>con</strong> el criterio <strong>de</strong> la figura 6.43.a, no es difícil <strong>con</strong>seguir la estabilidad <strong>de</strong>l sistema entodas las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación. Sin embargo, para los casos próximos a la situación <strong>de</strong> mínimaganancia, (menores ángulos <strong>de</strong> red o menor potencia <strong>de</strong> carga...) el sistema pue<strong>de</strong> presentar unaspobres características. En la tabla 6.10 pue<strong>de</strong> observarse como cuando el regulador se ha optimizadopara 265 V EF. , 100 W y w t = 90º, al pasar a 100 V EF. la frecuencia <strong>de</strong> cruce se ha reducido a 858 Hz yel margen <strong>de</strong> fase a 21º.En el caso opuesto, diseñar intentando optimizar la respuesta, para unas <strong>con</strong>diciones próximas a las <strong>de</strong>mínima ganancia, tal y como se representa en la figura 6.43.b, supone en la mayoría <strong>de</strong> los casos queel sistema llegue a ser inestable cuando el <strong>con</strong>vertidor pase a operar en las <strong>con</strong>diciones opuestas, las <strong>de</strong>307


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,máxima ganancia.Regulador optimizado para las<strong>con</strong>diciones:Operación en <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> PtQLPDgananciaOperación en <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> Pi[LPDgananciaFiguraTensiónentrada(V EF.)Potencia<strong>de</strong> carga(W)Ángulo <strong>de</strong>red (º)Margen <strong>de</strong>Fase (º)Frecuencia<strong>de</strong> cruce(kHz)½ 7Ã+]½ (dB)Margen <strong>de</strong>Fase (º)Frecuencia<strong>de</strong> cruce(kHz)½ 7Ã+]½ (dB)6.43.a 100 20 0 59 5 59 -1631,4 74,4INESTABLE6.43.b 265 100 90 21,4 0,858 36,7 69 5,46 51,816.44 Criterio optimización <strong>con</strong>junta 38 1,160 40,3 39.6 10 55,47DEOD3UHVWDFLRQHVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQREWHQLGDVFRQORVFULWHULRVTXHVHSUHVHQWDQHQODVILJXUDV\FXDQGRHOFRQYHUWLGRURSHUDHQODVFRQGLFLRQHVGHPtQLPD\Pi[LPDJDQDQFLDÃPor lo tanto, se requiere <strong>de</strong>sarrollar un criterio <strong>de</strong> diseño que no utilice exclusivamente una <strong>de</strong> las100funciones <strong>de</strong> transferencia extremas y7I7IÃGHÃ0i[LPDÃJDQDQFLD7IÃGHÃ0tQLPDÃJDQDQFLDoptimice el regulador para esa función <strong>de</strong>transferencia.0yGXORG%Fase_max)DVHž))Fase_min75502502510 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 510 Frecfmax0501001502002507I5IÃ5HJXODGRU0) %0) $10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5I+])LJXUD5HSUHVHQWDFLyQGHOPyGXOR\ODIDVHGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQ7ISDUDXQFULWHULRGHGLVHxRGHOUHJXODGRUTXHRSWLPL]DODVSUHVWDFLRQHVGHOOD]RHQFRQMXQWRLa alternativa que se propone en este trabajoes diseñar el regulador, no teniendo en cuentauna única función <strong>de</strong> transferencia<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rada como la más <strong>de</strong>sfavorable, sinoFRQVLGHUDQGR DO PLVPR WLHPSR ODV GRVIXQFLRQHV GH WUDQVIHUHQFLD H[WUHPDV yexigiendo al lazo <strong>de</strong> realimentación, quecumpla una serie <strong>de</strong> requisitos cualesquieraque sean las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación.En la figura 6.44 se han representado elregulador y la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> lazopara las <strong>con</strong>diciones extremas utilizandocomo <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ración <strong>de</strong> diseño el que se<strong>de</strong>nominará <strong>de</strong> “criterio <strong>de</strong> optimización<strong>con</strong>junta”. La i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> optimización <strong>de</strong> lasprestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando al mismotiempo las funciones <strong>de</strong> transferenciaextremas es aplicable a cualquier otro<strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado, aunque quizás es enla aplicación <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> don<strong>de</strong> presentamayores ventajas. Los requisitos <strong>con</strong>cretosque supone este criterio son los siguientes:308


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,• Imposición <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> cruce para la planta <strong>de</strong> mínima ganancia.• Imposición <strong>de</strong> la frecuencia <strong>de</strong> cruce para la planta <strong>de</strong> máxima ganancia.• Imposición <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase para la planta <strong>de</strong> mínima ganancia.• Imposición <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase para la planta <strong>de</strong> máxima ganancia.• Imposición <strong>de</strong> la ganancia <strong>de</strong>l lazo a una <strong>de</strong>terminada frecuencia, para la planta <strong>de</strong> mínimaganancia.Estas cinco <strong>con</strong>diciones requieren utilizar un regulador que posea cinco grados <strong>de</strong> libertad en sudiseño. A tal efecto se ha utilizado (ver figura 6.44) un regulador PID cuya función <strong>de</strong> transferenciaposee un polo en el origen, dos ceros y dos polos adicionales. Por otro lado, este tipo <strong>de</strong> regulador escapaz <strong>de</strong> sumar fase a la planta, posibilitando así la obtención <strong>de</strong>l margen <strong>de</strong> fase requerido. A<strong>con</strong>tinuación se particularizan los cinco criterios anteriores aplicados sobre los <strong>con</strong>vertidores SII:• )UHFXHQFLDGHFUXFHpara elOD]RGHPtQLPDJDQDQFLDVXSHULRUDyN+] para evitarla sobreoscilación que se produce por un ancho <strong>de</strong> banda insuficiente tal y como semostraba en la figura 6.37.b.• Al igual que en cualquier otro <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado, la IUHFXHQFLDGHFUXFH para HOOD]RGH Pi[LPD JDQDQFLD KD GH VHU LQIHULRU DO PHQRV D GH OD IUHFXHQFLD GHFRQPXWDFLyQ.• Obtención <strong>de</strong> un margen <strong>de</strong> fase aproximadamente igual para los dos lazos extremos, tal ycomo se pue<strong>de</strong> observar en la figura 6.44. Se <strong>de</strong>be perseguir a<strong>de</strong>más, que el valor <strong>de</strong>lmargen <strong>de</strong> fase sea lo más elevado posible.• Asegurar una ganancia <strong>de</strong>l lazo para 100 Hz lo suficientemente elevada como para que elrizado en la tensión <strong>de</strong> salida resulte lo menor posible. La aplicación <strong>de</strong> este criterio suponeobtener al menos unos 40 dB para el caso <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong>potencia que presenta la mínima ganancia.En la aplicación <strong>de</strong> este criterio <strong>de</strong> diseño a otros tipos <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores, la i<strong>de</strong>a principal es lautilización <strong>de</strong> las dos funciones <strong>de</strong> transferencia extremas. Ahora bien, los cinco requisitos <strong>de</strong>scritosanteriormente, que finalmente se materializan como ecuaciones o inecuaciones en un programa <strong>de</strong>resolución numérica, se pue<strong>de</strong>n cambiar según los objetivos <strong>de</strong> optimización que requiera laaplicación <strong>con</strong>creta. De esta manera, se pue<strong>de</strong> cambiar por ejemplo la <strong>con</strong>dición <strong>de</strong> una <strong>de</strong> lasfrecuencia <strong>de</strong> cruce por la imposición <strong>de</strong> la ganancia a alguna otra frecuencia o alguna otra <strong>con</strong>diciónsimilar.309


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,, &RQFOXVLRQHVEn el presente capítulo se ha abordado el mo<strong>de</strong>lado dinámico <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII para cumplir elobjetivo <strong>de</strong> obtener una herramienta, que permita no solo estabilizar <strong>con</strong> éxito estos <strong>con</strong>vertidores sinoobtener las mejores prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.Este Capítulo comienza <strong>de</strong>scribiendo como la inclusión <strong>de</strong> la “Estructura SII” permite transformar un<strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>con</strong>trolado por un lazo <strong>de</strong> banda ancha en un <strong>con</strong>vertidor corrector <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong>potencia <strong>con</strong> una tensión <strong>de</strong> salida que presenta respuesta dinámica rápida./DUHVSXHVWDGLQiPLFDUiSLGDVHORJUDJUDFLDVDXQOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQGHEDQGDDQFKDTXHREOLJDDTXHHOFLFORGHWUDEDMRYDUtHFRQHOiQJXORGHUHG. Por esta razón no existe ningún punto <strong>de</strong>trabajo estable, es <strong>de</strong>cir, que sea equivalente a un <strong>con</strong>vertidor que se alimente <strong>con</strong> tensión <strong>con</strong>tinua yque <strong>con</strong>trolado <strong>con</strong> ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante proporcione idéntica tensión <strong>de</strong> salida y en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. (VWH DVSHFWR impi<strong>de</strong> la medida mediante un analizador <strong>de</strong>impedancias <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia real <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y en <strong>con</strong>secuencia LPSLGH ODYDOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHFXDOTXLHUPRGHORHQSHTXHxDVHxDOSDUDHVWRVFRQYHUWLGRUHV.&RPR DOWHUQDWLYD al mo<strong>de</strong>lado en pequeña señal, VH KD HOHJLGR XQ PRGHODGR GLQiPLFR HQ JUDQVHxDORULHQWDGRDODVLPXODFLyQGHFLUFXLWRVTXHSRGUiYDOLGDUVHHQHOGRPLQLRGHOWLHPSR, tantoen régimen permanente como en régimen transitorio. Tras un estudio <strong>de</strong> las diferentes técnicas se haoptado por implementar un mo<strong>de</strong>lo promediado siguiendo la metodología <strong>de</strong>scrita en [109] <strong>de</strong>bido asu versatilidad y a que no requiere que en el circuito a mo<strong>de</strong>lar estén presentes unas <strong>de</strong>terminadasestructuras fijas.En este Capítulo VHKDQGHVFULWRWRGDVODVSDUWLFXODULGDGHVTXHUHTXLHUHHOPpWRGRSURSXHVWRHQ>2OLYHU@ aplicado sobre los <strong>con</strong>vertidores SII. Entre ellas <strong>de</strong>stacan:• 2EWHQFLyQ GH XQ PRGHOR HQ FRQPXWDFLyQ HTXLYDOHQWH al circuito en <strong>con</strong>mutación, quesepara la inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 en dos inductancias y aña<strong>de</strong> uninterruptor adicional y que ha permitido calcular las duraciones <strong>de</strong> las diferentes etapas <strong>de</strong>lperiodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. Sin este nuevo mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación, no habría sido posible<strong>de</strong>ducir las duraciones <strong>de</strong> las diferentes etapas, haciendo inviable la aplicación <strong>de</strong> estametodología <strong>de</strong> mo<strong>de</strong>lado.• 2EWHQFLyQGHXQFLUFXLWRXQLILFDGR cuyas fuentes <strong>de</strong>pendientes utilizan las expresionesque rigen el comportamiento promediado HQFDGDXQRGHORVPRGRVGHIXQFLRQDPLHQWR=RQD\=RQD así como <strong>de</strong>l circuito discriminante <strong>de</strong> la operación en ambos modos. Seha <strong>de</strong>scrito en <strong>de</strong>talle el correspondiente al modo Zona 2.• 0RGHODGR GH RWURV HOHPHQWRV GHO EXFOH GH UHDOLPHQWDFLyQ <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> que lacomparación <strong>de</strong> los resultados <strong>de</strong> simulación <strong>de</strong>penda exclusivamente <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lopromediado <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia.A partir <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los promediados <strong>de</strong>sarrollados, aplicando el correspondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS se han obtenido unos resultados <strong>de</strong> simulación que respon<strong>de</strong>n a tres objetivos diferentes:• 9DOLGDFLyQGHOPRGHOR. Se ha realizado la FRPSDUDFLyQGHORVUHVXOWDGRV <strong>de</strong> simulaciónque proporcionan el mo<strong>de</strong>lo promediado y el circuito correspondiente funcionando en310


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,<strong>con</strong>mutación, REWHQLpQGRVHXQDPX\EXHQDFRLQFLGHQFLDWDQWRHQUpJLPHQSHUPDQHQWHFRPRDQWHHVFDORQHVGHFDUJD.Se han comparado a<strong>de</strong>más los resultados en régimen permanente proporcionados por elmo<strong>de</strong>lo promediado y por el correspondiente programa <strong>de</strong> cálculo. Ambas metodologíasson diferentes por lo que la coinci<strong>de</strong>ncia obtenida <strong>con</strong> sus correspondientes resultados,refuerza la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong> estos dos procedimientos <strong>de</strong> estudio que se han <strong>de</strong>sarrollado para los<strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la <strong>Familia</strong> SII.Por último, se ha obtenido mediante simulaciones en pequeña señal <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediadola función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS para varias<strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> tensión eficaz <strong>de</strong> entrada, potencia <strong>de</strong> carga y ángulo <strong>de</strong> red. A partir <strong>de</strong>éstas se ha podido calcular el correspondiente margen <strong>de</strong> fase para un regulador. Trasrealizar una simulación <strong>con</strong> escalones <strong>de</strong> carga partiendo <strong>de</strong> las distintas <strong>con</strong>dicionesmencionadas, se ha podido comprobar que el margen <strong>de</strong> fase que pre<strong>de</strong>cía la función <strong>de</strong>transferencia en pequeña señal es coherente <strong>con</strong> el amortiguamiento <strong>de</strong> la sobreoscilaciónpresentada por la simulación en el dominio <strong>de</strong>l tiempo. Este hecho también apoya la vali<strong>de</strong>z<strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>de</strong>sarrollado.• (VWXGLRGHODHYROXFLyQGHODIXQFLyQGHWUDQVIHUHQFLDHQSHTXHxDVHxDO. Las funciones<strong>de</strong> transferencia obtenidas al variar el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, la potencia <strong>de</strong>carga y el ángulo <strong>de</strong> red ha resultado clave para <strong>de</strong>tectar cuales son las plantas o funciones<strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia extremas y <strong>con</strong> las que se abordará el diseño <strong>de</strong>lregulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol. Se ha podido <strong>con</strong>cluir, TXHODVIXQFLRQHVGHWUDQVIHUHQFLDGHHVWRVFRQYHUWLGRUHVUHGXFHQVXJDQDQFLD\DQFKRGHEDQGDDOGLVPLQXLUODWHQVLyQHILFD]GHHQWUDGDODSRWHQFLDGHFDUJD\HOiQJXORGHUHG.• (VWXGLRGHODLQIOXHQFLDGHODQFKRGHEDQGDJDQDQFLD\PDUJHQGHIDVHGHOVLVWHPDHQEXFOH DELHUWR VREUH HO FRPSRUWDPLHQWR GH ORV FRQYHUWLGRUHV 6,,. El reducido tiempo <strong>de</strong>simulación que requiere el mo<strong>de</strong>lo promediado permite realizar sin esfuerzo simulaciones<strong>de</strong> varios ciclo <strong>de</strong> red. Mediante esta herramienta, ha sido posible <strong>de</strong>terminar la influencia<strong>de</strong> las prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación sobre el comportamiento <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores. Las <strong>con</strong>clusiones que se han obtenido se resumen en :- Un ancho <strong>de</strong> banda insuficiente provoca una sobreoscilación en el flanco <strong>de</strong> subida<strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. También si el ancho <strong>de</strong> banda es insuficiente, alproducirse escalones <strong>de</strong> carga, la <strong>con</strong>siguiente sobreoscilación en la tensión <strong>de</strong>salida presentará una magnitud mayor. La respuesta, una vez producida estasobreoscilación, se amortigua tanto más rápidamente cuanto mayor sea el margen<strong>de</strong> fase <strong>con</strong>seguido.- Una ganancia insuficiente provoca un incremento <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> 100 Hz en latensión <strong>de</strong> salida.- La distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada se transmite a la corriente <strong>de</strong> entrada.Por último, VHKDGHVDUUROODGRXQDWpFQLFDGHGLVHxRGHUHJXODGRUHVbasada en la utilización <strong>de</strong> lasdos funciones <strong>de</strong> transferencia extremas por las que pasarán los <strong>con</strong>vertidores SII en su operaciónhabitual, y la selección <strong>de</strong> los grados <strong>de</strong> libertad <strong>de</strong>l regulador para obtener las características <strong>de</strong>311


&DStWXOR0RGHODGR'LQiPLFRGHOD)DPLOLDGH&)36,,margen <strong>de</strong> fase mínimo, frecuencia <strong>de</strong> cruce mínima y máxima y ganancia a 100 Hz, sea cual sea las<strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Se ha abandonado, por tanto, el criterio <strong>de</strong> diseño queoptimizaba una única función <strong>de</strong> transferencia <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rada la “más <strong>de</strong>sfavorable”.312


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV ,QWURGXFFLyQ 315 &RQYHUWLGRU6,,% 316)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 316)XQFLRQDPLHQWR D IUHFXHQFLD GH UHG &RQWHQLGR DUPyQLFR GH OD FRUULHQWH GH 317HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3195HQGLPLHQWR 3195HVSXHVWDGLQiPLFD 321 &RQYHUWLGRU6,,%' 323)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 323)XQFLRQDPLHQWR D IUHFXHQFLD GH UHG &RQWHQLGR DUPyQLFR GH OD FRUULHQWH GH 325HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3275HQGLPLHQWR 3285HVSXHVWDGLQiPLFD 329 &RQYHUWLGRU6,,) 331)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 332)XQFLRQDPLHQWR D IUHFXHQFLD GH UHG &RQWHQLGR DUPyQLFR GH OD FRUULHQWH GH 334HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3365HQGLPLHQWR 3375HVSXHVWDGLQiPLFD 338 &RQYHUWLGRU6,,)66 340)XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQ 341)XQFLRQDPLHQWR D IUHFXHQFLD GH UHG &RQWHQLGR DUPyQLFR GH OD FRUULHQWH GH 343HQWUDGD7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR 3455HQGLPLHQWR 3467.5.4.1 Rendimiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1 3465HVSXHVWDGLQiPLFD 348313


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV 9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGR 3489DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRHQUpJLPHQHVWiWLFR 3499DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRHQUpJLPHQGLQiPLFR 3507.6.2.1 Consi<strong>de</strong>raciones acerca <strong>de</strong> la relación entre la sobreoscilación y las 350prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.7.6.2.2 Criterio <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l regulador. 3507.6.2.3 Resultados experimentales <strong>de</strong> la operación <strong>con</strong> carga pulsante. 353 &RQFOXVLRQHV 354314


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV ,QWURGXFFLyQUna vez realizado el estudio estático y mo<strong>de</strong>lado dinámico <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, y a partir <strong>de</strong> lasherramientas <strong>de</strong>sarrolladas para automatizar el diseño, tanto <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia como <strong>de</strong>lregulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, se han diseñado y <strong>con</strong>struido varios prototipos <strong>con</strong> los que verificarexperimentalmente las predicciones realizadas sobre el comportamiento <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.A tenor <strong>de</strong> las diferentes características correspondientes a cada <strong>con</strong>vertidor SII ( que se recogen en elapartado 5.5) <strong>de</strong> las seis topologías SII <strong>de</strong>scritas en el Capítulo 3 se han <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado como másrepresentativas las SII-B2, SII-B-2D, SII-F2 y SII-F1-SS. Por lo tanto, <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores se han<strong>con</strong>struido los prototipos correspondientes y sobre ellos se han realizado las medidas experimentales.Los resultados experimentales que se presentan en este capítulo se van a agrupar por topologías. Paracada una <strong>de</strong> ellas, los principales aspectos que se van a tratar son los siguientes:• Funcionamiento a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.• Funcionamiento a frecuencia <strong>de</strong> red y análisis armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.• Evolución <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y elvalor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.• Evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada.• Respuesta dinámica.Estos resultados experimentales se completarán, en el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, <strong>con</strong> otros quepermitirán corroborar la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado que se ha <strong>de</strong>scrito para esta misma topologíaen el Capítulo 6.Los cuatro prototipos <strong>con</strong>struidos han sido diseñados para respon<strong>de</strong>r a idénticas especificaciones <strong>de</strong>tensión <strong>de</strong> entrada, salida y potencia <strong>de</strong> carga.315


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV &RQYHUWLGRU6,,%En este apartado se recogen los resultados experimentales <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 cuya etapa <strong>de</strong>potencia se muestra en la figura 7.1. Las principales especificaciones <strong>de</strong>l prototipo son:• Tensión eficaz <strong>de</strong> entrada en “Rango Europeo”: V E = 187 ¸ 265 V EF.• Tensión <strong>de</strong> salida: V O = 56 V.• Potencia <strong>de</strong> salida a plena carga: P O = 100 W.• Aislamiento galvánico entrada-salida.• Cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la &ODVH' <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.Para cumplir las especificaciones anteriores, se han utilizado los parámetros <strong>de</strong> diseño que se recogena <strong>con</strong>tinuación:• Frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación: 50 kHz.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 : L 12 = 47 µH.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 : L 21 = 12 µH.• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 1 : n 1 = 1 (1 : n 1 ).• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 2 : n 2 = 0,85 (1 : n 2 ).• Relación <strong>de</strong> inductancias: a = 3,91.• Parámetro adimensional <strong>de</strong> carga: K = 0,15.• Con<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento: C 1 = 4700 µF / 35 V.5HF7 7 ' $8;'6 '6 / / / /& 2 5 26 6 & )LJXUD(WDSDGHSRWHQFLDGHOFRQYHUWLGRU6,,%El tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado teórico que se obtiene para estas especificaciones es. 3 . Por tanto este prototipo <strong>de</strong>berá cumplir holgadamente los límites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la normaIEC 61000-3-2. )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQEn la tabla 7.1 se representan las principales formas <strong>de</strong> onda teóricas y las medidas realizadas sobre elprototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2, correspondientes a varios ciclos <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.En esta tabla se pue<strong>de</strong> observar el “intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie” en el cual las inductancias L 12 yL 21 se <strong>con</strong>ectan en serie para completar su <strong>de</strong>smagnetización. En este intervalo, la corriente que circula316


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVa través <strong>de</strong> L 12 coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> la corriente L 6(& ; por otro lado, la corriente que circula por L 21 coinci<strong>de</strong><strong>con</strong> la corriente L & cuya medida se representa en la tabla 7.1.5HF7 7 '6 L 6(& ' $8;'6 / / Y 5(&/ /& 2 5 26 6 + & Y Y +L *6*6 -& -Y *6L /Y *6Gt/T,S L / 6(& L 6(&,S &L & ,S /,S &L &,QWHUYDORGHLQGXFWDQFLDVHQVHULH7DEOD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%PHGLGDVDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQY *6 WHQVLyQSXHUWDIXHQWHGHORV026)(76 \6 9GLYL 6(& FRUULHQWHSRUHOGHYDQDGRVHFXQGDULRGH7 $GLYL & FRUULHQWHSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$GLY%DVHGHWLHPSRV—V )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDEn la figura 7.2 se representan las principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2 para varios ciclos<strong>de</strong> red. En esta figura se pue<strong>de</strong> observar cómo el ciclo <strong>de</strong> trabajo ha <strong>de</strong> ser máximo en los pasos porcero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, ya que la mayor parte <strong>de</strong> la potencia entregada a la carga proce<strong>de</strong> <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, cuya tensión es reducida (aproximadamente 35 V). Por el <strong>con</strong>trario,en los máximos <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, el ciclo <strong>de</strong> trabajo se reduce, ya que ahora la mayor parte <strong>de</strong>la potencia <strong>de</strong> salida se obtiene <strong>de</strong> la entrada, que presenta un valor <strong>de</strong> tensión elevado. El ciclo <strong>de</strong>trabajo y la tensión <strong>de</strong> entrada rectificada, Y 5(& , <strong>con</strong>forman la corriente <strong>de</strong> entrada tal y como se pue<strong>de</strong>observar en la figura 7.2. En la figura 7.2.b se presenta el rizado <strong>de</strong> 100 Hz que aparece en la tensión<strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.La corriente <strong>de</strong> entrada medida en el prototipo presenta, para plena carga (100W) y una tensión <strong>de</strong>entrada <strong>de</strong> 230 V EF , una forma <strong>de</strong> onda y el <strong>con</strong>tenido armónico que se recoge en la tabla 7.2.317


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVa)Y 5(&b)Y 5(&Y &L 5('&LFORGHWUDEDMRL 5(')LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%SDUDYDULRVFLFORVGHUHG9 () \:Y 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY%DVHGHWLHPSRVPVD&LFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$EY & WHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR9GLYEn la tabla 7.2, se pue<strong>de</strong> comprobar cómo el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, diseñado <strong>con</strong> un valor <strong>de</strong> K P = 0,66,cumple los límites <strong>de</strong> la Clase-D <strong>de</strong> la norma IEC-61000-3-2 <strong>con</strong> un margen suficientemente amplio.Es importante hacer notar que el ensayo ha sido realizado <strong>con</strong> una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> un cierto<strong>con</strong>tenido armónico (ver figura 7.2), que se transmitirá a la corriente <strong>de</strong> entrada. Debido a estacircunstancia y a que la ganancia y el ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación son limitados,/tPLWH&ODVH'(mA EF / W)0HGLGD(mA EF / W)0HGLGD(mA EF )Armónicofundamental 491HÃÃGWH$QDÃ$ULHGDÃR& HQWUD10.50-0.5Programa <strong>de</strong> cálculoMedidaArmónico 3 3,4 1,51 18610 0.005 0.01 0.015 0.027LHPSRÃVArmónico 5 1,9 0,70 86Armónico 7 1 0,36 44Armónico 9 0,5 0,20 25Armónico 11 0,35 0,11 14Armónico 13 0,296 0,07 8,45Armónico 15 0,256 ---- ----43.532.5ÃÃ:$P21.510.50&ODVHÃ'Ã,(&Ã0HGLGD3 5 7 9 11 13 151~PHURÃGHOÃ$UPyQLFR7DEOD&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDDOFRQYHUWLGRU6,,%GLVHxDGRFRQ. 3 \RSHUDQGRFRQ9 () GHWHQVLyQGHHQWUDGD\DSOHQDFDUJD:318


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVaparece una ligera asimetría en la corriente <strong>de</strong> entrada experimental; <strong>de</strong> ahí la discrepancia respecto ala corriente teórica obtenida mediante el programa <strong>de</strong> cálculo. 7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRUn aspecto muy importante que <strong>de</strong>be <strong>con</strong>trastarse experimentalmente es la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, tanto <strong>con</strong> la potencia entregada a la carga como <strong>con</strong> el valor eficaz<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. La tabla 7.3 proporciona la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento medida sobre el prototipo. También se ha representado, en esta figura, la tensiónteórica, calculada <strong>con</strong> el correspondiente programa <strong>de</strong> cálculo.Se pue<strong>de</strong> comprobar como la discrepancia entre el cálculo teórico y la medida experimental resultamuy pequeña. También pue<strong>de</strong> observarse en la tabla 7.3 cómo el resultado experimental corrobora lanula variación <strong>de</strong> tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, tal y comocorrespon<strong>de</strong> a la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en MCD.Tensión <strong>de</strong>EntradaTensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (V)(V EF ) Experimental Teórico18722025526.7 26.7 26.8 26.8 26.8 26.6928.9 29.1 29.2 29.2 29.2 29.0930.2 30.3 30.4 30.4 30.4 30.373130.530H29.52928.5RQGHQVDGRUÃG Ã9QWRLH28QÃ&DFHQDP27.57HQVLyOPÃ$2726.5187 V220 V240 V187 V teórica220 V teórica240 V teóricaPotencia <strong>de</strong>salida (W)25 50 75 85 100No<strong>de</strong>pen<strong>de</strong><strong>de</strong> P O2615 25 50 75 85 1003RWHQFLDÃGHÃ6DOLGDÃ:7DEOD(YROXFLyQGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGD0HGLGDVREUHHOSURWRWLSR\YDORUHVWHyULFRV 5HQGLPLHQWRSi se preten<strong>de</strong> analizar la forma <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento, resulta útil <strong>de</strong>terminar, en primerlugar <strong>de</strong> forma teórica, cómo varía el rendimiento <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN que opera en modo <strong>de</strong><strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo. Para obtener este mo<strong>de</strong>lo teórico, se van a <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar cuatro términos <strong>de</strong>pérdidas <strong>de</strong> potencia diferentes:• Pérdidas <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción en la resistencia en <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l MOSFET, R DS(on) . Este valor <strong>de</strong>resistencia no es <strong>con</strong>stante sino <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la temperatura. Dado que el disipador al queva unido el MOSFET tiene un tamaño fijo, pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse, <strong>de</strong> manera aproximada, queel incremento <strong>de</strong> temperatura que sufre este interruptor, al pasar <strong>de</strong> carga mínima a plenacarga, provoca que el valor <strong>de</strong> su resistencia en <strong>con</strong>ducción se duplique.• Pérdidas <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l diodo <strong>de</strong> salida. Se <strong>de</strong>ben principalmente a la corriente media<strong>de</strong> salida.• Pérdidas <strong>de</strong> apagado <strong>de</strong>l MOSFET. Depen<strong>de</strong>rán <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> pico que circula por el<strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong>l transformador y <strong>de</strong> la tensión que <strong>de</strong>be bloquear el MOSFET. Eneste caso, la tensión <strong>de</strong> entrada más la <strong>de</strong> salida referida al <strong>de</strong>vanado primario.319


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV• Pérdidas <strong>de</strong> encendido. Se <strong>de</strong>ben a la <strong>de</strong>scarga <strong>de</strong> la capacidad parásita <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>lMOSFET, C OSS . Depen<strong>de</strong>rán <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada (tensión a la que está cargada estacapacidad en el momento <strong>de</strong> la puesta en <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong>l MOSFET en un <strong>con</strong>vertidor)O\EDFN operando en MCD).Teniendo en cuanta estos cuatro términos <strong>de</strong> pérdidas, en la figura 7.3.a se ha representado lavariación teórica <strong>de</strong>l rendimiento <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>con</strong> un diseño similar al <strong>con</strong>vertidorinterno 2 <strong>de</strong>l diagrama <strong>de</strong> bloques <strong>de</strong> la topología SII-B2.La figura 7.3.b representa la medida, sobre el prototipo <strong>con</strong>struido, <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-B2 <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Elrendimiento medido, no <strong>de</strong>be compararse numéricamente <strong>con</strong> el representado en la figura 7.3.a, ya queeste último correspon<strong>de</strong> a un único <strong>con</strong>vertidor Flyback y no al <strong>con</strong>vertidor SII completo. Sinembargo, lo que interesa es la similitud <strong>de</strong> la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> ambos rendimientos.0.950.8150.940.815HQGLPLHQWR0.930.920.910.90.899 ()9 ()9 ()9 ()0.7855HQGLPLHQWR0.8050.80.7950.799 ()9 ()9 ()0.880 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2003RWHQFLDGHVDOLGD:0.7850 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDGHVDOLGD:)LJXUDD(YROXFLyQWHyULFDGHOUHQGLPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDSDUDXQFRQYHUWLGRUFlybackRSHUDQGRHQ0&'E0HGLGDVREUHHOSURWRWLSRFRQVWUXLGRGHOFRQYHUWLGRU6,,%GHODHYROXFLyQGHOUHQGLPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDObservando la figura 7.3.a se pue<strong>de</strong>n comentar varios aspectos:• Para valores bajos <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, las pérdidas que <strong>de</strong>terminan el rendimiento sonlas <strong>de</strong>bidas a la tensión. Estas pérdidas, al ser in<strong>de</strong>pendientes <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> salida, sesuman como una <strong>con</strong>stante a la propia potencia <strong>de</strong> salida en la expresión <strong>de</strong>l rendimiento.Este hecho supone que en el tramo inicial el rendimiento crecerá al aumentar la potencia <strong>de</strong>carga, y será mayor para la tensión <strong>de</strong> entrada más baja <strong>de</strong> las analizadas.• Para valores próximos a la plena carga, el incremento <strong>de</strong> la resistencia en <strong>con</strong>ducción por elaumento <strong>de</strong> la temperatura, llega a tener más peso que la ten<strong>de</strong>ncia anterior, llegando adisminuir el rendimiento al aumentar la potencia <strong>de</strong> salida. Para estos valores <strong>de</strong> potencia<strong>de</strong> carga, el mayor rendimiento correspon<strong>de</strong>rá a la tensión <strong>de</strong> entrada más alta.• Dependiendo <strong>de</strong>l diseño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y <strong>de</strong> los valores <strong>de</strong> los elementos parásitos <strong>de</strong> lossemi<strong>con</strong>ductores (resistencia <strong>de</strong> los <strong>de</strong>vanados <strong>de</strong>l transformador, etc.), el rendimiento másalto se <strong>de</strong>splaza hacia valores más altos o más reducidos <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> salida.Comparando las figuras 7.3.a y 7.3.b se pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>cluir que la forma en la que se distribuyen las320


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVpérdidas en el <strong>con</strong>vertidor interno 2, que posee topología )O\EDFN, posee un peso <strong>de</strong>terminante en laevolución <strong>de</strong> las pérdidas en el <strong>con</strong>vertidor completo.El <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD está presente en la entrada <strong>de</strong> todas las topologías SII. Portanto, la evolución <strong>de</strong>l rendimiento será semejante en todas las topologías. Los distintos diseños, asícomo los elementos parásitos <strong>de</strong> los componentes <strong>de</strong>terminarán dón<strong>de</strong> se sitúan los valores óptimos<strong>de</strong>l rendimiento. El peso que puedan llegar a tener las pérdidas en <strong>con</strong>mutación influirá sobre quévalor <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada presenta los mejores resultados. 5HVSXHVWDGLQiPLFDLa figura 7.4 muestra las principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor ante una carga pulsante <strong>de</strong> un60% <strong>de</strong> amplitud, para dos frecuencias distintas, 25 Hz y 100 Hz. Debido a que el <strong>con</strong>vertidor SII-B2está <strong>con</strong>trolado por medio <strong>de</strong> un lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> banda ancha, el incremento <strong>de</strong> la corriente<strong>de</strong> carga se refleja <strong>de</strong> forma inmediata en la corriente <strong>de</strong> entrada. También pue<strong>de</strong> apreciarse que latensión <strong>de</strong> salida permanece <strong>con</strong>stante, modificándose únicamente el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (»600 mV pico a pico, o 1%). En las figuras 7.4.a y 7.4.b se pue<strong>de</strong> observar también cómo el<strong>con</strong>vertidor es capaz <strong>de</strong> hacer frente a escalones <strong>de</strong> carga tanto positivos como negativos. En amboscasos, la corriente <strong>de</strong> entrada sufre también los correspondientes cambios bruscos para adaptarse a lasnuevas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> carga.Las figuras 7.5.a y 7.5.b muestran un <strong>de</strong>talle <strong>de</strong> las formas <strong>de</strong> onda para el instante en que se produceel flanco <strong>de</strong> subida <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga. En estas figuras se ha <strong>de</strong>stacado la sobreoscilación <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> salida en el instante en que se produce el flanco <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga.a)Y 5(&b)L 5(''Y 2, 2, 2Y 5(&L 5(''Y 2, 2)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%DQWHHVFDORQHVGHFDUJDY 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLYEDVHGHWLHPSRVPVD)UHFXHQFLDGHODFDUJDSXOVDQWH+]E)UHFXHQFLDGHODFDUJDSXOVDQWH+]El regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación que se ha implementado en el prototipo, se ha optimizado paralas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> 230 V EF y plena carga, que son las <strong>con</strong>diciones en la que se comprobará elcumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. A<strong>de</strong>más se ha asegurado laestabilidad para la planta <strong>de</strong> mayor ganancia, que correspon<strong>de</strong>rá al ángulo <strong>de</strong> red p /2. Cuando los321


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVpuntos <strong>de</strong> trabajo, por los que pasa un <strong>con</strong>vertidor SII, evolucionan hacia situaciones <strong>de</strong> menorganancia (tal y como se <strong>de</strong>scribe en el capítulo 6, menor tensión eficaz <strong>de</strong> entrada, menor potencia <strong>de</strong>carga o menor ángulo <strong>de</strong> red) el correspondiente lazo <strong>de</strong> realimentación presenta un menor ancho <strong>de</strong>banda y también un menor margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>bido al diseño que se ha elegido para el regulador. Enestas <strong>con</strong>diciones la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, <strong>de</strong>bida a un escalón <strong>de</strong> carga que seproduzca en las proximida<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l paso por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada será <strong>de</strong> una magnitud mayorque si el escalón se produce para un ángulo <strong>de</strong> red próximo a p /2 (punto para el que se ha optimizadoel regulador).La figura 7.5.a recoge la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida cuando el escalón <strong>de</strong> carga se producepara un ángulo <strong>de</strong> red w t = p /2. En la figura 7.5.b se <strong>de</strong>staca la sobreoscilación correspondiente alescalón <strong>de</strong> carga, cuando este se produce en el paso por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Se pue<strong>de</strong>comprobar que la sobreoscilación para w t = 0 es bastante mayor que la correspondiente a w t = p /2.Por tanto esta ten<strong>de</strong>ncia, que en el Capítulo 6 se <strong>de</strong>dujo <strong>de</strong> forma teórica a partir <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lopromediado, se <strong>con</strong>firma ahora también <strong>de</strong> forma experimental.a)Y 5(&L 5('Y 5(&L 5(''Y 2'Y 2, 2, 2b)Y 5(&, 2)LJXUD:&RQYHUWLGRU6,,%'HWDOOHGHOIODQFRGHVXELGDGHODFRUULHQWHGHFDUJDY 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLYEDVHGHWLHPSRVPVD(OIODQFRGHVXELGDVHSURGXFHDSUR[LPDGDPHQWHHQw W p E(OIODQFRGHVXELGDVHSURGXFHHQw W 322


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV &RQYHUWLGRU6,,%'En este apartado se recogen los resultados experimentales <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D cuya etapa <strong>de</strong>potencia se muestra en la figura 7.6. Las especificaciones <strong>de</strong>l prototipo son:• Tensión eficaz <strong>de</strong> entrada en “Rango Europeo”: V E = 187 ¸ 265 V EF.• Tensión <strong>de</strong> salida: V O = 56 V.• Potencia <strong>de</strong> salida a plena carga: P O = 100 W.• Aislamiento galvánico entrada-salida.• Cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la &ODVH' <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.'6 $8;5HF 7 / / / & 2 5 26 '6 6 & )LJXUD(WDSDGHSRWHQFLDGHOFRQYHUWLGRU6,,%'Para cumplir las especificaciones anteriores, se han utilizado los parámetros <strong>de</strong> diseño que se recogena <strong>con</strong>tinuación:• Frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación: 50 kHz.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 : L 12 = 47 µH.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 : L 2 = 9 µH.• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 1 : n 1 = 1 (1 : n 1 ).• Relación <strong>de</strong> inductancias: a = 5.2.• Parámetro adimensional <strong>de</strong> carga: K = 0,15.• Con<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento: C 1 = 4700 µF / 35 V.El tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado teórico que se obtiene para estas especificaciones es. 3 . Por tanto este prototipo <strong>de</strong>berá cumplir holgadamente los límites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la normaIEC 61000-3-2. )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQEn la tabla 7.4 se representan las principales formas <strong>de</strong> onda teóricas y las medidas realizadas sobre elprototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, correspondientes a varios ciclos <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. En esta tabla sepue<strong>de</strong> observar el “intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie” en el cual las inductancias L 12 y L 2 se <strong>con</strong>ectanen serie para completar su <strong>de</strong>smagnetización. Se ha <strong>de</strong>stacado mediante una elipse la corriente en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento correspondiente a los intervalos <strong>de</strong> duraciones d 1 y d 2 .323


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV'6 5HF L $8;'6 6 7 L '6$8;L '6Y / / 5(&/ +& 2 5 26 Y -Y '6B6-L 6 &Y +&Y +*6 -*6 -,S / Y 1*6Y *6Y '6B6 dGt/TL L '6$8;/,S /L & ,S &,S &L '6L &,QWHUYDORÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃHQÃVHULHL '6$8;,S /L ',S &,S / ,S /Y *6L 6L 6,S /L '6$8;c,S / G G G G Y '6B6G7DEOD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%'PHGLGDVDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQY *6 WHQVLyQSXHUWDIXHQWHGHORV026)(76 \6 9GLYL '6$8; FRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 $8; $GLYL '6 FRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 $GLYL & FRUULHQWHSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$GLYY '6B6 WHQVLyQGUHQDGRUIXHQWHGHO026)(769GLY%DVHGHWLHPSRV—V324


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVAl <strong>con</strong>trario que en el <strong>con</strong>vertidor SII-B2, en este caso la corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento no varía su pendiente (en ela)paso <strong>de</strong> la etapas <strong>de</strong> duración d 1 a la <strong>de</strong>duración d 2 ), ya que el transformador T 2 <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-B2 ha sido sustituido por laY 5(&Ã 9GLYinductancia L 2 , presentando un único<strong>de</strong>vanado. En la tensión drenador-fuente <strong>de</strong>lL 5('MOSFET S 2 se pue<strong>de</strong>n observar lasoscilaciones que se producen sobre los nivelesc y d (ver <strong>de</strong>talle en la tabla 7.4). Estas'Y 2oscilaciones se establecen, por el divisorinductivo que forman las inductancias L 12 yL 2 sobre la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento durante el intervalo <strong>de</strong>b)Y 5(&inductancias en serie y sobre la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento durante eltiempo muerto. Las oscilaciones, como encualquier <strong>con</strong>vertidor operando en MCD, se<strong>de</strong>ben a la capacidad <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>l MOSFETL 5('C OSS y en este caso a la inductancia L 2 .c)&LFORGHWUDEDMRY 5(&L 5(''Y &)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%SDUDYDULRVFLFORVGHUHG9 () \:Y 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLYD'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYEFLFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$F'Y & UL]DGRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR9GLY )XQFLRQDPLHQWR D IUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDEn la figura 7.7 se representan las principalesformas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D paravarios ciclos <strong>de</strong> red.En la figura 7.7.a se pue<strong>de</strong> observar el rizado<strong>de</strong> baja frecuencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida ,unos 400 mV pico a pico , lo que supone unrizado <strong>de</strong> un 0,7%. Por otro lado, se recoge laforma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, queen este caso presenta una asimetría <strong>de</strong>bido a lanotable distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Lafigura 7.7.b representa la corriente <strong>de</strong> entraday el ciclo <strong>de</strong> trabajo (tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong>lcomparador <strong>de</strong> error). Este último pier<strong>de</strong>también su forma simétrica <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong>red, para adaptarse a los cambios <strong>de</strong> pendienteque presenta la tensión <strong>de</strong> entrada. Nótese lasdiferencias entre los flancos <strong>de</strong> subida ybajada, y también cómo su zona plana imponeun ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong>stante para ángulos <strong>de</strong>325


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVred próximos a p /2.En la figura 7.7.c se pue<strong>de</strong> apreciar el rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, 2 Vpico a pico sobre 30 V <strong>de</strong> valor medio.Comparando los resultados presentados en las figuras 7.2 y 7.7, se pue<strong>de</strong> observar cómo en el primercaso, una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> unos flancos <strong>de</strong> subida y bajada prácticamente iguales, provoca unaasimetría en la corriente <strong>de</strong> entrada sensiblemente inferior. Los dos casos comparados, correspon<strong>de</strong>n ados diseños semejantes en cuanto a la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, ya que presentan dosvalores <strong>de</strong> K P teóricos similares, 0,66 para el <strong>con</strong>vertidor SII-B2 (figura 7.2) y 0, 64 para el caso <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-B-2D (figura 7.7). Sin embargo, la forma <strong>de</strong> onda resulta diferente. La principal causapara estas diferencias es la distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, sin embargo, también existendiferencias en cuanto al diseño <strong>de</strong>l regulador utilizado en ambos casos.En el caso <strong>de</strong>l prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B2, el regulador fue diseñado para optimizar lasprestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación para las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> 230 V EF y plena carga (en estas<strong>con</strong>diciones se <strong>de</strong>be comprobar el cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2). Sinembargo en el caso <strong>de</strong>l prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, el regulador ha sido diseñado, no paraoptimizar las prestaciones para un valor <strong>con</strong>creto <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada, sino que persigue obtener unancho <strong>de</strong> banda y un margen <strong>de</strong> fase mínimos en todo el rango <strong>de</strong> operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, lo queredunda en un peor ancho <strong>de</strong> banda y ganancia para el punto <strong>de</strong> operación particular correspondiente ala tensión <strong>de</strong> 230 V EF .En la figura 7.8 se recoge la corriente <strong>de</strong> entrada medida en el prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, y suhomóloga teórica obtenida mediante el programa <strong>de</strong> cálculo, para las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> plena carga(100W) y una tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> 230 V EF . En esta figura también se muestra el <strong>con</strong>tenido armónico<strong>de</strong> la corriente experimental y teórica.HÃÃGWH$Q DÃ$ULHWUDGDÃ R& HQ10.50-0.5Programa <strong>de</strong> cálculoMedidaÃ$ ()WHQULHR&0.60.40.2+ Programa <strong>de</strong> cálculoMedida10 0.005 0.01 0.015 0.027LHPSRÃV0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111~PHURÃGHOÃDUPyQLFR326)LJXUD&RPSDUDFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDPHGLGDHQHOSURWRWLSR\ODREWHQLGDWHyULFDPHQWHPHGLDQWHHOSURJUDPDGHFiOFXORFRUUHVSRQGLHQWHDOFRQYHUWLGRU6,,%'DIRUPDGHRQGDEFRQWHQLGRDUPyQLFRComo se pue<strong>de</strong> observar en la figura 7.8, el efecto <strong>de</strong> una ganancia y un ancho <strong>de</strong> banda que no sonlos mejores para este caso, (no por que regulador esté diseñado <strong>de</strong> forma ina<strong>de</strong>cuada, sino por que harepartido las prestaciones <strong>de</strong>l lazo entre los puntos <strong>de</strong> operación posibles), provoca un incremento <strong>de</strong>l<strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. Este aspecto también se ha visto incrementado por laelevada distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. En la figura 7.7.b, se pue<strong>de</strong>n observar los cambios <strong>de</strong> curvaturaque presenta esta tensión en su flancos. El cambio <strong>de</strong> curvatura que se produce en el flanco <strong>de</strong> subidaprovoca un abultamiento <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente, y el que se produce en el flanco <strong>de</strong>bajada, una muesca en esta forma <strong>de</strong> onda.


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVPor otro lado, el aumento <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada asociado al incremento <strong>de</strong>l<strong>con</strong>tenido armónico, provoca una disminución <strong>de</strong>l rendimiento, ya que el valor eficaz extra quesuponen estos armónicos, provocará unas corrientes más elevadas en el MOSFET S 1 y por tanto unaspérdidas <strong>de</strong> potencia adicionales.En la tabla 7.5 se presenta la comparación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente experimental <strong>con</strong> loslímites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. A pesar <strong>de</strong> la asimetría que presenta la corriente <strong>de</strong>entrada, se pue<strong>de</strong> comprobar, en la tabla 7.5, cómo el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D diseñado <strong>con</strong> un valor <strong>de</strong>K P = 0,64 cumple los límites <strong>de</strong> la Clase-D <strong>de</strong> la norma IEC-61000-3-2 <strong>con</strong> un margen, todavía,suficientemente amplio.Armónicofundamental/tPLWH&ODVH'(mA EF / W)0HGLGD(mA EF / W)0HGLGD(mA EF )550Armónico 3 3,4 1,86 231Armónico 5 1,9 1,01 125Armónico 7 1 0,51 63Armónico 9 0,5 0,28 35Armónico 11 0,35 0,25 31Armónico 13 0,296 0,14 17Armónico 15 0,256 0,08 9,8P$:43.532.521.510.50,(&ÃÃ&ODVHÃ'0HGLGD3 5 7 9 11 13 151~PHURGHODUPyQLFR7DEOD&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDDOFRQYHUWLGRU6,,%'GLVHxDGRFRQ. 3 \RSHUDQGRFRQ9 () GHWHQVLyQGHHQWUDGD\DSOHQDFDUJD: 7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRLos resultados experimentales se han obtenido para el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D utilizando comointerruptor principal dos MOSFET distintos, el IRFPC50 [131] y el CoolMOS SPW20N60S5 [130],cuyas principales características se muestran en la tabla 7.6.9 '6PD[Ã9, 'PD[ $5 '6RQ #&:5 '6RQ #&:& 266 S)IRFPC50 600 11 0.6 1.1 300SPW20N60S5 650 20 0.19 0.4 11707DEOD&RPSDUDFLyQGHFDUDFWHUtVWLFDVGHORV026)(7HPSOHDGRVHQORVSURWRWLSRVGHORVFRQYHUWLGRUHV6,,En la tabla 7.6 se muestra la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento medida sobreel prototipo, así como la variación teórica, calculada <strong>con</strong> el correspondiente programa <strong>de</strong> cálculo.Los resultados mostrados en la tabla 7.6 permiten comprobar, cómo la discrepancia entre el cálculoteórico y la medida experimental resulta, también en el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, bastantereducida (< 6%) para los seis casos representados. Las ligeras diferencias existentes entre el valor327


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVexperimental y el valor teórico pue<strong>de</strong>n tener relación, <strong>con</strong> las pérdidas <strong>de</strong> potencia, ya que se hanobtenido valores ligeramente diferentes para los dos MOSFET utilizados.Tensión <strong>de</strong>EntradaMOSFET IRFPC50Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>35almacenamiento (V)(V EF ) Experimental Teórico187 28,0 27,8 27,7 27,4 27,4 27,6220 30,8 30,5 30,4 30,3 30,2 30255 33,2 32,8 32,6 32,4 32,4 32,2Potencia <strong>de</strong>salida (W)Tensión <strong>de</strong>Entrada20 40 50 80 100Tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (V)No<strong>de</strong>pen<strong>de</strong><strong>de</strong> P OHÃUÃG RVDG Ã9WRQHQ LHG PQRÃ&QVLyHQ733312927CoolMOS SPW20N60S5(V EF ) Experimental Teórico187 29,1 28,7 28,6 28,2 28,0 27,6220 31,8 31,1 31,0 30,,7 30,5 30255 34,3 33,4 33,2 33,0 32,9 32,2Potencia <strong>de</strong>salida (W)20 40 50 80 100No<strong>de</strong>pen<strong>de</strong><strong>de</strong> P OHÃUÃGRVDG Ã9WRQHQLHGQ DPRÃ&Q DFHQVLyOPHQ $7 9 H QWRÃ D25187 V23DFHQ220 V255 VOPDFHQDPL 21187 V Teórico220 V Teórico$19255 V Teórico17150 20 40 60 80 100 1203533312927253RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:23187 V21220 V255 V19187 V Teórico17220 V Teórico255 V Teórico150 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:7DEOD&RQYHUWLGRU6,,%'(YROXFLyQGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGD0HGLGDVREUHHOSURWRWLSRXWLOL]DQGRGRV026)(7GLIHUHQWHVFRPRLQWHUUXSWRU6 \YDORUHVWHyULFRVFinalmente, pue<strong>de</strong> observarse en la tabla 7.7 cómo los resultados experimentales corroboran, tambiénpara el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, la predicción teórica <strong>de</strong> una variación nula <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, ya que en la medida experimental estavariación ha resultado muy reducida. 5HQGLPLHQWRLa figura 7.9 representa la medida, sobre el prototipo <strong>con</strong>struido, <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-B-2D <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.Se han recogido valores experimentales utilizando como interruptor S 1 dos MOSFET distintos, elIRFPC50 [131] (figura 7.9.a) y el CoolMOS SPW20N60S5 [130] (figura 7.9.b).En las figuras 7.9.a y 7.9.b se pone <strong>de</strong> manifiesto una ten<strong>de</strong>ncia muy similar a la que se obtenía para el<strong>con</strong>vertidor SII-B2 y <strong>de</strong> forma teórica para el <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD (ver en amboscasos la figura 7.3). También en este <strong>con</strong>vertidor, y <strong>de</strong> forma semejante a lo que ocurre en un<strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD, las pérdidas <strong>con</strong> mayor peso sobre el valor <strong>de</strong>l rendimientoglobal son las que se producen por <strong>con</strong>ducción en el MOSFET S 1 , interruptor <strong>con</strong>trolado <strong>de</strong>l328


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV<strong>con</strong>vertidor interno 2, <strong>con</strong>ectado a la entrada. En <strong>con</strong>secuencia, el uso <strong>de</strong> un MOSFET <strong>de</strong> mejoresprestaciones en <strong>con</strong>ducción (ver tabla 7.7) ha permitido, en este caso, el aumento <strong>de</strong>l rendimiento aplena carga en más <strong>de</strong> un 1%, a pesar <strong>de</strong> que el MOSFET SPWN2060S5 presentará mayores pérdidas<strong>de</strong> apagado <strong>de</strong>bido al mayor valor <strong>de</strong> su capacidad <strong>de</strong> salida, C OSS .0.81a)026)(7,5)3&0.83b)&RRO026 63:16WRQLHLPGHQ50.8050.80.7950.790.7859 ()9 ()9 ()0.780 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:WRQLHLPGHQ50.8250.820.8150.810.8059 ()9 ()9 ()0.80 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,%'0HGLGDVREUHHOSURWRWLSRGHODHYROXFLyQGHOUHQGLPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDD026)(7,5)3&E&RRO02663:16 5HVSXHVWDGLQiPLFDLa figura 7.10 muestra las principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D ante escalones <strong>de</strong>carga <strong>de</strong> un 60%.El <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D está <strong>con</strong>trolado por medio <strong>de</strong> un lazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> banda ancha, portanto el incremento <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga se refleja <strong>de</strong> forma inmediata en la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>lciclo <strong>de</strong> trabajo y en <strong>con</strong>secuencia en laY 5(&corriente <strong>de</strong> entrada.L 5('&LFORGHWUDEDMR, 2)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%'DQWHHVFDORQHVGHFDUJDY 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY&LFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLYEDVHGHWLHPSRVPVEn la figura 7.11.a se recoge un <strong>de</strong>talle <strong>de</strong> unescalón <strong>de</strong> carga positivo y la variación <strong>de</strong>lciclo <strong>de</strong> trabajo y <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada. Lafigura 7.11.b muestra el <strong>de</strong>talle <strong>de</strong> un escalón<strong>de</strong> carga negativo.En estas figuras, se pue<strong>de</strong> observar cómo latensión <strong>de</strong> salida permanece prácticamente<strong>con</strong>stante, y únicamente se modifica el valor<strong>de</strong> su rizado (< 500 mV pico a pico para plenacarga).Se pue<strong>de</strong> comprobar, por ejemplo, tal y comose <strong>de</strong>staca mediante un círculo en la figura7.11.b, el hecho <strong>de</strong> que la sobreoscilación queaparece en la tensión <strong>de</strong> salida cuando seproduce un escalón <strong>de</strong> carga, resulta inferior alrizado <strong>de</strong> 100 Hz presente en la tensión <strong>de</strong>329


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVsalida. Aunque en este caso es bastante reducido, el rizado <strong>de</strong> 100 Hz se <strong>de</strong>be a que el lazo <strong>de</strong>realimentación posee una ganancia limitada.a)Y 5(&b)Y 5(&L 5('L 5('&LFORGHWUDEDMR 'Y 2, 2, 2)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,%'DQWHHVFDORQHVGHFDUJDY 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLYEDVHGHWLHPSRVPVD'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDSRVLWLYR&LFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$E'HWDOOHGHXQHVFDOyQGHFDUJDQHJDWLYR'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$De manera general, para todos los <strong>con</strong>vertidores SII, el hecho <strong>de</strong> optimizar el lazo <strong>de</strong> forma que seobtengan al menos un ancho <strong>de</strong> banda y margen <strong>de</strong> fase mínimos, para cualesquiera <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong>operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor, implica no obtener los máximos valores <strong>de</strong> ganancia ni <strong>de</strong> ancho <strong>de</strong> banda,para puntos <strong>de</strong> operación <strong>con</strong>cretos.En el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, se ha obtenido una ancho <strong>de</strong> banda a<strong>de</strong>cuado para cualquierpunto <strong>de</strong> operación (lo que ha propiciado una baja sobreoscilación ante escalones <strong>de</strong> carga), pero sinembargo, se han reducido las prestaciones <strong>de</strong>l lazo para el punto en el que se comprobarán los límites<strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 (230 V EF y plena carga). Este aspecto se ha puesto <strong>de</strong> manifiesto en lacorriente <strong>de</strong> entrada que se presenta en la figura 7.8. Dicha corriente presenta una asimetría apreciable<strong>de</strong>bido al diseño <strong>de</strong>l lazo, aunque también ha influido la distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.330


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV &RQYHUWLGRU6,,)En este apartado se recogen los resultados experimentales <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 cuya etapa <strong>de</strong>potencia se muestra en la figura 7.12. Las principales especificaciones <strong>de</strong>l prototipo son:• Tensión eficaz <strong>de</strong> entrada en “Rango Europeo”: V E = 187 ¸ 265 V EF.• Tensión <strong>de</strong> salida: V O = 56 V.• Potencia <strong>de</strong> salida a plena carga: P O = 100 W.• Aislamiento galvánico entrada-salida.• Cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.• 7LHPSRGHPDQWHQLPLHQWR: Superior a 10 ms.5HF'6 ' $8;6 / / 6 & 2 5 2& )LJXUD(WDSDGHSRWHQFLDGHOFRQYHUWLGRU6,,)Para cumplir las especificaciones anteriores, se han utilizado los parámetros <strong>de</strong> diseño que se recogena <strong>con</strong>tinuación:• Frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación: 50 kHz.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 : L 12 = 70 µH.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 : L 21 = 30 µH.• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 1 : n 1 = 1 (1 : n 1 ).• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 2 : n 2 = 1 (1 : n 2 ).• Relación <strong>de</strong> inductancias: a = 2,3.• Parámetro adimensional <strong>de</strong> carga: K = 0,22.• Con<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento: C 1 : 3 x 680 µF / 50V <strong>con</strong>ectados en paralelo.El tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado teórico que se obtiene para estas especificaciones es. 3 . Por tanto, la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> este prototipo <strong>de</strong>berá cumplir holgadamente los límites<strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, sin embargo, posiblemente no cumplirá los límites <strong>de</strong> laClase D, ya que supera el límite teórico <strong>de</strong> K p =0,78.En la figura 7.13 se presenta una fotografía <strong>de</strong>l prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2. En ella <strong>de</strong>staca el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, C 1 , <strong>con</strong>stituido por tres <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 680 µF / 50 V (<strong>con</strong>ectados331


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVen paralelo) así como los núcleos magnéticos <strong>de</strong> los transformadores T 1 (RM12) y T 2 (RM10), losMOSFET S 1 y S 2 y los diodos D S1 y D S2 que están unidos al mismo disipador.)LJXUD)RWRJUDItDGHOSURWRWLSR6,,) )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQEn la tabla 7.8 se representan las principales formas <strong>de</strong> onda teóricas y las medidas realizadas sobre elprototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2, correspondientes a varios ciclos <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.En primer lugar, en las formas <strong>de</strong> onda experimentales correspondientes al <strong>con</strong>vertidor SII-F2 tambiénse observa el “intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie” en las corrientes por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y en la corriente por el secundario <strong>de</strong> T 1 , L 6(& .A parte <strong>de</strong> este aspecto, común a todos los <strong>con</strong>vertidores SII, el rasgo más diferenciador, en lo que serefiere a las formas <strong>de</strong> onda a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación, <strong>de</strong> esta topología respecto a las yaestudiadas SII-B2 y SII-B-2D es la corriente que circula a través <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Esta corriente se ha <strong>de</strong>stacado en la tabla 7.8 mediante un círculo, <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong>l cual se pue<strong>de</strong> comprobarcómo la corriente <strong>de</strong> la primera <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> la inductancia L 21 (la que se produce <strong>con</strong> latensión <strong>de</strong> salida), no circula a través <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, sino que lo hace por elsecundario <strong>de</strong> T 2 a través <strong>de</strong>l diodo D S2 .En los <strong>con</strong>vertidores SII-B, la corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento presenta todos losintervalos <strong>de</strong> magnetización y <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1,T 2 a L 2 (ver tablas 7.1 y 7.4).332


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV5HFL 6(&'6 L 7 6(& L '6 7 ' $8;L '6 '6/ /Y 5(&/ / & 2 5 26 L 6 &Y +& Y +*6 -*6 -Y *6Y *6L &Gt/TL /L ,S 6(& /,QWHUYDORÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃHQÃVHULH,S & L 6(&,S L & & L '6,S / L ,S /'6Y *6,S 'L &,S &L '6,S /,S /L 'DX[ G G G G GL '67DEOD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)PHGLGDVDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQY *6 WHQVLyQSXHUWDIXHQWHGHORV026)(76 \6 9GLYL & FRUULHQWHSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$GLYL 6(& FRUULHQWHSRUHOGHYDQDGRVHFXQGDULRGH7 $GLYL '6 FRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 $GLYL '6 FRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 $GLY%DVHGHWLHPSRV—V333


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDa)b)c)Y 5(&L 5(''Y 2Y 5(&L 5('&LFORGHWUDEDMRY 5(&L 5(''Y &)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)SDUDYDULRVFLFORVGHUHG9 () :Y 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLYD'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYEFLFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$F'Y & UL]DGRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR9GLYEn la figura 7.14 se representan lasprincipales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidorSII-F2 para varios ciclos <strong>de</strong> red.En la figura 7.14.a se pue<strong>de</strong> observar el rizado<strong>de</strong> baja frecuencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida ,unos 800 mV pico a pico , lo que supone unrizado <strong>de</strong> un 1,4 %. A<strong>de</strong>más, se recoge laforma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.La figura 7.14.b representa la corriente <strong>de</strong>entrada y el ciclo <strong>de</strong> trabajo, que como sepue<strong>de</strong> observar también presenta una ciertaasimetría provocada por las distorsión <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada. El rizado <strong>de</strong> la tensión enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se muestraen la figura 7.14.c y presenta un valor inferiora los 2 V pico a pico.La corriente <strong>de</strong> entrada, como en el caso <strong>de</strong>los <strong>con</strong>vertidores analizados en los apartadosprevios, sufre también el efecto <strong>de</strong> ladistorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. En la tabla 7.9se ha representado la forma <strong>de</strong> onda y el<strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> ésta para el caso <strong>de</strong>plena carga y tensión <strong>de</strong> entrada 230 V EF .A<strong>de</strong>más se compara la medida experimental<strong>con</strong> la forma <strong>de</strong> onda teórica obtenida <strong>con</strong> elprograma <strong>de</strong> cálculo. Como se pue<strong>de</strong> apreciar,no existen gran<strong>de</strong>s diferencias, a pesar <strong>de</strong> quela medida experimental se ha realizado <strong>con</strong>tensión <strong>de</strong> entrada distorsionada y teniendo encuenta que la ganancia y ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>llazo <strong>de</strong> realimentación son finitos para el casoreal.El <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada al prototipo se muestra en la tabla 7.9,don<strong>de</strong> se pue<strong>de</strong> verificar que los armónicos 9al 13 superan sus correspondientes límites <strong>de</strong>la Clase D. Este resultado es coherente <strong>con</strong> eldiseño que se había realizado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidory <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong>procesado simple que para este diseño se334


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVhabía <strong>de</strong>terminado <strong>de</strong> forma teórica, K P = 0,79.Armónicofundamental/tPLWH&ODVH'(mA EF / W)0HGLGD(mA EF / W)0HGLGD(mA EF )5322HÃÃGWH$QDÃ$ULHGDÃR& HQWUD101Programa <strong>de</strong> cálculoMedidaArmónico 3 3,4 2,61 32320 0.005 0.01 0.015 0.027LHPSRÃVArmónico 5 1,9 1,68 208Armónico 7 1 0,95 118Armónico 9 0,5 79Armónico 11 0,35 66Armónico 13 0,296 45Armónico 15 0,256 0,23 2943.532.5ÃÃ:$P21.510.50,(&ÃÃ&ODVHÃ'0HGLGD3 5 7 9 11 13 151~PHURÃGHOÃDUPyQLFR7DEOD&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDDOFRQYHUWLGRU6,,)GLVHxDGRFRQ. 3 \RSHUDQGRFRQ9 () GHWHQVLyQGHHQWUDGD\DSOHQDFDUJD:En la tabla 7.10 se recoge la comparación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> loslímites <strong>de</strong> la Clase A <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2. De manera complementaria, se presenta comoparámetro para medir la calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada el parámetro “número <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores”.Este valor hace referencia al número <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores, que <strong>con</strong>sumiendo idéntica corriente <strong>de</strong> entrada,podrían <strong>con</strong>ectarse en paralelo entre ellos y a la red a través <strong>de</strong> un <strong>con</strong>ductor común, cumpliendo el<strong>con</strong>junto <strong>con</strong> los límites <strong>de</strong> la Clase A. Este parámetro proporciona una i<strong>de</strong>a <strong>de</strong> lo lejos o cerca que seestá <strong>de</strong>l correspondiente límite <strong>de</strong> la Clase A, ya que estos límites son absolutos.Como se pue<strong>de</strong> observar en la tabla 7.10, el armónico más restrictivo ha resultado el armónico <strong>de</strong>or<strong>de</strong>n 11, pudiéndose <strong>con</strong>ectar 5 <strong>con</strong>vertidores en paralelo, lo que supondría un total <strong>de</strong> 500 W <strong>de</strong>potencia <strong>de</strong> salida cumpliendo los límites <strong>de</strong> la norma. También se muestra en la tabla 7.10 laaplicación <strong>de</strong> la máscara <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la antigua norma IEC 1000-3-2 sobre la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada al <strong>con</strong>vertidor. Como se pue<strong>de</strong> observar en la figura <strong>de</strong> la tabla 7.10, la corriente<strong>de</strong> entrada permanece bastante más <strong>de</strong> un 5 % <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red fuera <strong>de</strong> esta máscara, por lo quequedaría clasificada como Clase A.Si la norma IEC 61000-3-2 no hubiera cambiado la forma <strong>de</strong> clasificar los equipos, los <strong>con</strong>vertidoresSII estarían siempre clasificados como Clase A. Esto permitiría acudir a diseños <strong>con</strong> un valor <strong>de</strong> K Psuperior a 0,78 <strong>con</strong> el <strong>con</strong>siguiente aumento <strong>de</strong>l rendimiento y reducción <strong>de</strong>l tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador<strong>de</strong> almacenamiento.335


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV/tPLWH&ODVH$(A EF )Armónicofundamental ----0HGLGD(A EF )0,5321~PHUR&RQYHUWLGRUHVArmónico 3 3,4 0,323 7,2Armónico 5 1,9 0,208 5,5Armónico 7 1 0,118 6,5Armónico 9 0,5 0,079 5,1Armónico 11 0,35 0,066 Armónico 13 0,296 0,045 4,6&RUULHQWHQRUPDOL]DGD10.90.80.70.60.50.40.30.20.10p /2w tpArmónico 15 0,256 0,029 5,17DEOD&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDDOFRQYHUWLGRU6,,)GLVHxDGRFRQ. 3 \RSHUDQGRFRQ9 () GHWHQVLyQGHHQWUDGD\DSOHQDFDUJD:&RPSDUDFLyQFRQORVOtPLWHVGHOD&ODVH$GHODQRUPD,(&\DSOLFDFLyQDODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHODPiVFDUDGHOD&ODVH'GHODDQWLJXDQRUPD,(& 7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRLa tabla 7.11 muestra la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento medida sobre elprototipo, y obtenida teóricamente <strong>con</strong> el programa <strong>de</strong> cálculo.Se pue<strong>de</strong> comprobar cómo la discrepancia entre el cálculo teórico y la medida experimental resultabastante reducida así como el hecho <strong>de</strong> que las medidas experimentales corroboran el <strong>de</strong>sarrolloteórico acerca <strong>de</strong> la nula variación <strong>de</strong> tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong>carga, tal y como correspon<strong>de</strong> a la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en MCD.Tensión <strong>de</strong>EntradaTensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento (V)(V EF ) Experimental Teórico187220255Potencia <strong>de</strong>salida (W)41,3 41,2 40,8 40,3 40 40,645 44,5 44 43,3 43 43,247,1 46,9 46,38 46,1 45,8 46,120 40 50 80 100No<strong>de</strong>pen<strong>de</strong><strong>de</strong> P O50HÃUÃG RVDG Ã9WRQHQ LHGQ DPRÃ&Q DFHQVLyOPHQ $74540353025187 Vef220 Vef254 Vef187 V Teórico220 V Teórico255 V Teórico200 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:7DEOD&RQYHUWLGRU6,,)(YROXFLyQGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGD0HGLGDVREUHHOSURWRWLSR\YDORUHVWHyULFRVEn la figura 7.15 se muestra la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 durante el tiempo <strong>de</strong> mantenimientoque sigue a un fallo <strong>de</strong> red. A<strong>de</strong>más <strong>de</strong> los valores <strong>de</strong> diseño que se han recogido en el comienzo <strong>de</strong>apartado 7.4, otro parámetro que interviene en el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento es el ciclo <strong>de</strong> trabajomáximo que se ha seleccionado en el circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol. En el caso <strong>de</strong>l prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2, este valor se fijó aproximadamente en un 65 % <strong>con</strong> objeto <strong>de</strong> verificar su efecto.336


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVEl valor final <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, V F , viene dado por la expresión(7.1) y el tiempo <strong>de</strong> mantenimiento, T M , por (7.2). La particularización <strong>de</strong> estas expresiones <strong>con</strong> losvalores <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>l prototipo supone un tensión final teórica <strong>de</strong> 23 V y un tiempo <strong>de</strong> mantenimiento<strong>de</strong> 11 ms.1 52× 7&9 ) = 92× ×' 2×/700$;212( 9 - 9 )1 × &21× 120 ) ×=2132(7.1)(7.2)Y 5(&L 5('Don<strong>de</strong>:• R O : Resistencia <strong>de</strong> carga. 31 W para unapotencia <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> 100 W.• T C : Periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación.Y &Y 2• V NOM : tensión nominal en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, eneste caso 40 V (para 187 V EF <strong>de</strong> tensión<strong>de</strong> entrada).En la figura 7.15 se pue<strong>de</strong> comprobar cómo lapredicción tanto <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong> mantenimientocomo <strong>de</strong> la tensión final que se alcanza en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento ha resultadobastante precisa.Merece la pena <strong>de</strong>stacar la importancia <strong>de</strong>lciclo <strong>de</strong> trabajo máximo efectivo que se puedautilizar en el <strong>con</strong>vertidor. En el caso <strong>de</strong> lafigura 7.15, se fijó este ciclo <strong>de</strong> trabajomáximo en 0,65. Aumentarlo hasta el 90% supondría obtener una tensión final en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento 16,8 V <strong>con</strong> lo que el valor necesario para C 1 se reduciría <strong>de</strong> 2 mF a 1,5mF <strong>con</strong> el<strong>con</strong>siguiente ahorro <strong>de</strong> tamaño y coste <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. 5HQGLPLHQWR7 0 | PV9 ) | 9)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)&RPSUREDFLyQGHOWLHPSRGHPDQWHQLPLHQWRY 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLYY & WHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR9GLYY 2 WHQVLyQGHVDOLGD9GLYLa figura 7.16 representa la medida, sobre el prototipo <strong>con</strong>struido, <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-F2 <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. También, eneste caso, se han recogido valores experimentales utilizando como interruptor S1 (interruptor <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno <strong>de</strong> entrada) los dos MOSFET que se emplearon en el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, elIRFPC50 [131] (figura 7.16.a) y el CoolMOS SPW20N60S5 [130] (figura 7.16.b).En las figuras 7.16.a y 7.16.b se pone <strong>de</strong> manifiesto una ten<strong>de</strong>ncia muy similar a la ten<strong>de</strong>ncia teóricaque se obtenía para el <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN operando en MCD (ver figura 7.4). Por tanto, también eneste <strong>con</strong>vertidor las pérdidas que imponen el valor <strong>de</strong>l rendimiento global son fundamentalmente laspérdidas <strong>de</strong>bidas al MOSFET S 1 .337


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV0.83a)026)(7Ã,5)3&0.85b)&RRO026 63:160.825WRQLHLPGHQ50.820.8150.810.805Ã9 ()Ã9 ()Ã9 ()Ã9 ()0.790.84WRQLHLPGHQ50.830.820.810.8Ã9 ()Ã9 ()Ã9 ()0.80 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃ6DOLGDÃ:Ã0.790 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃ6DOLGDÃ:Ã)LJXUD&RQYHUWLGRU6,,)0HGLGDVREUHHOSURWRWLSRGHODHYROXFLyQGHOUHQGLPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDD026)(7,5)3&E&RRO02663:16El primer aspecto que cabe <strong>de</strong>stacar, teniendo en cuenta los resultados experimentales obtenidos, esque el diseño que se ha realizado para el <strong>con</strong>vertidor SII-F2 ha permitido que el rendimiento <strong>de</strong> este<strong>con</strong>vertidor sea superior al rendimiento experimental obtenido para los <strong>con</strong>vertidores SII-B2 y SII-B-2D. Este hecho se <strong>de</strong>be a que el valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado se haaumentado <strong>de</strong>s<strong>de</strong> K P » 0,65, para los <strong>con</strong>vertidores SII-B2 y SII-B2-D, hasta K P = 0,79 para el<strong>con</strong>vertidor SII-F2.Como segundo aspecto importante cabe resaltar, que la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>scrita por el rendimiento para el<strong>con</strong>vertidor SII-F2 <strong>con</strong> el diseño seleccionado operando en rango europeo <strong>con</strong> el CoolMOSSPW20N60S5 apunta a po<strong>de</strong>r exten<strong>de</strong>r el uso <strong>de</strong> este <strong>con</strong>vertidor hasta unos 150 W obteniendo unrendimiento superior al 80%. 5HVSXHVWDGLQiPLFDLa figura 7.17 muestra las principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 ante escalones <strong>de</strong> carga<strong>de</strong> un 60%. En esta figura se presenta la operación <strong>con</strong> una carga pulsante <strong>de</strong> 10 Hz así como <strong>de</strong>talles<strong>de</strong> los escalones <strong>de</strong> carga positivo y negativo.Al igual que el resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, la topología SII-F2 está <strong>con</strong>trolada por medio <strong>de</strong> un lazo<strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> banda ancha. Por tanto el incremento <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga se refleja <strong>de</strong> formainmediata en la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo y en <strong>con</strong>secuencia en la corriente <strong>de</strong> entrada.La figura 7.17.c muestra el <strong>de</strong>talle <strong>de</strong> un escalón <strong>de</strong> carga positivo. En esta figura pue<strong>de</strong> observarse,cómo la tensión <strong>de</strong> salida permanece prácticamente <strong>con</strong>stante, y que únicamente se modifica el valor<strong>de</strong> su rizado (< 500 mV pico a pico para plena carga, o < 1%).338


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVa)Y 5(&b)Y 5(&L 5('L 5('&LFORGHWUDEDMR&LFORGHWUDEDMR, 2, 2c)Y 5(&L 5('Y 5(&L 5('&LFORGHWUDEDMR'Y 2, 2, 2, 2d)Y 5(&)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)DQWHHVFDORQHVGHFDUJDY 5(& WHQVLyQGHHQWUDGDUHFWLILFDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY&LFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLY'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$339


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV &RQYHUWLGRU6,,)66En este apartado se recogen los resultados experimentales <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS cuya etapa <strong>de</strong>potencia se muestra en la figura 7.18. Las principales especificaciones <strong>de</strong>l prototipo son:• Tensión eficaz <strong>de</strong> entrada en “Rango Europeo”: V E = 187 ¸ 265 V EF.• Tensión <strong>de</strong> salida: V O = 56 V.• Potencia <strong>de</strong> salida a plena carga: P O = 100 W.• Aislamiento galvánico entrada-salida.• Cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> la &ODVH' <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.5HF'6 '6 7 ' $8; 7 / 7 7 6 / / / / ' 66& 25 2& )LJXUD(WDSDGHSRWHQFLDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66Para cumplir las especificaciones anteriores, se han utilizado los parámetros <strong>de</strong> diseño que se recogena <strong>con</strong>tinuación:• Frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación: 50 kHz.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 1 : L 12 = 87 µH.• Inductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador T 2 : L 21 = 23 µH.• Relación <strong>de</strong> transformación primario-secundario <strong>de</strong>l transformador T 1 : n 1 = 1,1 (1 : n 1 ).• Relación <strong>de</strong> transformación secundario-terciario <strong>de</strong>l transformador T 1 : n 23 = 1,1 (1 : n 23 ).• Relación <strong>de</strong> transformación <strong>de</strong>l transformador T 2 : n 2 = 1 (1 : n 2 ).• Relación <strong>de</strong> inductancias: a = 3,7.• Parámetro adimensional <strong>de</strong> carga: K = 0,28.• Con<strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento: C 1 : 3 x 330 µF / 63V, <strong>con</strong>ectados en paralelo.El tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado teórico que se obtiene para estas especificaciones es. 3 . Por tanto, la corriente <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong> este prototipo <strong>de</strong>berá cumplir holgadamente los límites<strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.En la figura 7.19 se presenta una fotografía <strong>de</strong>l prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. En ella <strong>de</strong>staca el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, C 1 , <strong>con</strong>stituido por tres <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores <strong>de</strong> 330 µF / 63 V (<strong>con</strong>ectados340


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVen paralelo), así como los núcleos magnéticos <strong>de</strong> los transformadores T 1 (RM12) y T 2 (RM10), elMOSFET S 1 y los grupos <strong>de</strong> diodos D S1 - D S2 , y D AUX - D SS que están unidos al mismo disipador.También se muestra un <strong>de</strong>talle <strong>de</strong> la serigrafía <strong>de</strong> la placa <strong>de</strong> circuito impreso.)LJXUD)RWRJUDItDGHOSURWRWLSR6,,)66 )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQEn la tabla 7.12 y en la figura 7.20 se presentan las principales formas <strong>de</strong> onda teóricas y las medidasrealizadas sobre el prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, correspondientes a varios ciclos <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación.Para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, al igual que en el resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, en las formas <strong>de</strong> ondaexperimentales, también se observa el “intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie” en las corrientes por el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, L & , y en la corriente por el diodo D AUX , L '$8; (ver figura 7.20.a).En la topología SII-F1-SS, al igual que el <strong>con</strong>vertidor SII-F2, la corriente que circula a través <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento presenta una forma diferente a la que toma en los <strong>con</strong>vertidores SII-B. En este caso, la corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento presenta un primer triángulo quese <strong>de</strong>be a la magnetización <strong>de</strong> L 21 <strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. A esta etapa lesigue un intervalo <strong>de</strong> corriente nula, ya que al igual que en cualquier <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN, lainductancia magnetizante <strong>de</strong>l transformador (en este caso L 21 ) se <strong>de</strong>smagnetiza a través <strong>de</strong>l diodo <strong>de</strong>salida, cuando el MOSFET ha <strong>de</strong>jado <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducir. La <strong>de</strong>smagnetización <strong>de</strong> la inductancia L 21 pue<strong>de</strong>observarse en la corriente L '6 que se muestra en la figura 7.20.b.341


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV5HFL (L '6'6 '6 L '67 L ' $8; '$8; / / Y ' 665(&L '66/ 7 /7 7 / 6 & Y+*6 L 6L '$8;L '665 2L Y+*6 & -& 25 2Y *6Y *6L /G,S /13,S & ×12L & ,S /t/TL (L 6 L '66,S & ,S /L '6,S & L 'DX[ L '6,S 'Y *6L '66 Ã$GLYL 6,S / ,S /L '66,S /L &,QWHUYDORÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃHQÃVHULHL '6GG G G G 7DEOD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66PHGLGDVDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQY *6 WHQVLyQSXHUWDIXHQWHGHORV026)(76 9GLYL ( FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLYL 6 FRUULHQWHSRUHO026)(7$GLYL '66 FRUULHQWHSRUHOGLRGR' 66 $GLYL '6 FRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 $GLYL & FRUULHQWHSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$GLY%DVHGHWLHPSRV—VEn el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, la corriente <strong>de</strong> magnetización <strong>de</strong> la inductancia L 21 (<strong>con</strong> la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento) y la corriente <strong>de</strong> magnetización <strong>de</strong> la inductancia L 11 (<strong>con</strong> la tensión<strong>de</strong> entrada) circulan, ambas, a través <strong>de</strong>l MOSFET S 1 . Si se invierte la corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>342


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHValmacenamiento, y se superpone a la corriente que circula por el MOSFET S 1 , se pue<strong>de</strong>n observar lasdos componentes que presenta esta última.Y *6L '$8;,QWHUYDORÃGHÃLQGXFWDQFLDVÃHQÃVHULHa)L '$8;Y *6b)L '6L '6L &L &)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66PHGLGDVDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQY *6 WHQVLyQSXHUWDIXHQWHGHORV026)(76 9GLY%DVHGHWLHPSRV—VDL '$8; FRUULHQWHSRUHOGLRGR' $8; $GLYL & FRUULHQWHSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$GLYEL '6 FRUULHQWHSRUHOGLRGR'6 $GLYLa primera <strong>de</strong> ellas es la propia i DSS y la segunda proce<strong>de</strong> <strong>de</strong> la magnetización <strong>de</strong> L 11 y se suma a laanterior, obteniéndose una corriente <strong>de</strong> pico a través <strong>de</strong> S1 igual a , S/ + , S/ (ver tabla 7.12).En la figura 7.20.a se pue<strong>de</strong> observar la corriente a través <strong>de</strong>l diodo D AUX , que comienza a circular apartir <strong>de</strong> que DS 2 se polariza inversamente. Esta corriente recarga el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento,ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación. )XQFLRQDPLHQWRDIUHFXHQFLDGHUHG&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDEn la figura 7.21 se muestran las principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS durante variosciclos <strong>de</strong> red, para unas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación <strong>de</strong> 230 V EF <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada y una potencia <strong>de</strong>carga <strong>de</strong> 100 W (plena carga).En la figura 7.21.a se pue<strong>de</strong> observar el rizado <strong>de</strong> baja frecuencia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida , unos 900mV pico a pico , lo que supone un rizado <strong>de</strong> un 1,6 %. A<strong>de</strong>más, se recoge la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada. En la figura 7.21.b se muestran la corriente <strong>de</strong> entrada y el ciclo <strong>de</strong> trabajo. Comose pue<strong>de</strong> observar, ambas formas <strong>de</strong> onda presentan una cierta asimetría provocada por la distorsión <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> entrada, así como por las características, no i<strong>de</strong>ales, <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación. El rizado<strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento se muestra en la figura 7.21.c y presenta un valorinferior a los 0,5 V pico a pico.La corriente <strong>de</strong> entrada, como en el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores analizados en los apartados previos,sufre también el efecto <strong>de</strong> la distorsión <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> red. En la tabla 7.13 se ha representado laforma <strong>de</strong> onda experimental y su <strong>con</strong>tenido armónico para el caso <strong>de</strong> plena carga y tensión <strong>de</strong> entrada230 V EF . También para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS se ha comparado la corriente experimental <strong>con</strong> laforma <strong>de</strong> onda teórica, obtenida <strong>con</strong> el programa <strong>de</strong> cálculo. Como se pue<strong>de</strong> observar en la tabla 7.13,existe una apreciable similitud entre las corrientes teórica y experimental, a pesar <strong>de</strong> la distorsión <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada y a pesar <strong>de</strong> que la ganancia y el ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación343


&DStWXORa)b)Y 5('L 5(''Y 2Y 5('L 5('c) Y 5('&LFORGHWUDEDMRL 5(''Y &)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66SDUDYDULRVFLFORVGHUHG9 () :Y 5(' WHQVLyQGHHQWUDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLYD'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGDP9GLYE&LFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURUP9GLYF'Y & UL]DGRGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR9GLY%DVHGHWLHPSRVPV'Y 2 \'Y &Ã DFRSODPLHQWRHQ&$5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVobtenidos en el prototipo experimental sonfinitos.En este caso el regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong>realimentación también se ha <strong>de</strong>dicado aobtener un ancho <strong>de</strong> banda y un margen <strong>de</strong>fase mínimos para reducir la sobreoscilación<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, <strong>con</strong> in<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong>la <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación en las que seproduzca la variación <strong>de</strong> la carga. Como se ha<strong>de</strong>scrito en apartados anteriores, estacircunstancia limita el ancho <strong>de</strong> banda y laganancia <strong>de</strong> lazo para las <strong>con</strong>diciones<strong>con</strong>cretas en las que va ser verificada lanorma IEC 61000-3-2 (230V EF y plena carga).Sin embargo, la distorsión adicional queprovocan el ancho <strong>de</strong> banda y ganancia noóptimos, no incrementa en exceso el<strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.Solamente un diseño <strong>con</strong> un valor <strong>de</strong>l tantopor uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, muypróximo al límite <strong>de</strong> K P = 0,78 requeriría unlazo <strong>de</strong> realimentación mucho más ajustado,para este especial punto <strong>de</strong> operación.El <strong>con</strong>tenido armónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>entrada al prototipo se muestra en la tabla7.13, don<strong>de</strong> se pue<strong>de</strong> comprobar que secumplen los límites <strong>de</strong> la Clase D. Esteresultado es coherente <strong>con</strong> el diseño que sehabía realizado <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor y <strong>con</strong> el valor<strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> procesadosimple que para este diseño se había<strong>de</strong>terminado <strong>de</strong> forma teórica, K P = 0,72.También se pue<strong>de</strong> comprobar como losarmónicos que están más próximos a sucorrespondiente límite son los <strong>de</strong> or<strong>de</strong>n 9 y11, aspecto éste, que también se habíapredicho <strong>de</strong> forma teórica en el apartado5.4.1.4.344


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVArmónicofundamental/tPLWH&ODVH'(mA EF / W)0HGLGD(mA EF /W)0HGLGD(mA EF )468HÃÃGWHQ DÃ$GULHWUDR& HQ10.500.5Programa <strong>de</strong> cálculoMedidaArmónico 3 3,4 1,90 23510 0.005 0.01 0.015 0.027LHPSRÃVArmónico 5 1,9 1,10 136Armónico 7 1 0,53 066Armónico 9 0,5 0,32 40Armónico 11 0,35 0,20 25Armónico 13 0,296 0,09 11Armónico 15 0,256 0,09 1143.532.5ÃÃ:$P21.510.50,(&ÃÃ&ODVHÃ'0HGLGD3 5 7 9 11 13 151~PHURÃGHOÃDUPyQLFR7DEOD&RQWHQLGRDUPyQLFRGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDDOFRQYHUWLGRU6,,)66GLVHxDGRFRQ. 3 \RSHUDQGRFRQ9 () GHWHQVLyQGHHQWUDGD\SOHQDFDUJD: 7HQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRLa tabla 7.14 muestra la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento medida sobre elprototipo, y la obtenida teóricamente <strong>con</strong> el programa <strong>de</strong> cálculo.Se pue<strong>de</strong> comprobar como la discrepancia entre el cálculo teórico y la medida experimental resultabastante reducida, así como el hecho <strong>de</strong> que las medidas experimentales corroboran el <strong>de</strong>sarrolloteórico acerca <strong>de</strong> la nula variación <strong>de</strong> tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong>carga, tal y como correspon<strong>de</strong> a la operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor en MCD.TensiónTensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (V)Entrada(V EF ) Experimental Teórico187 46,8 46,5 46,6 46,3 46,2 46,1 46,1 46 46 46 46,8220 51,9 51,5 51,3 51,1 51 50,9 50,9 50,9 50,8 50,7 51,3255 53,4 53,6 53,3 53,1 53 52,9 52,9 52,8 52,7 52,6 53Potencia<strong>de</strong> salida(W)15 20 30 40 50 60 70 80 90 100No<strong>de</strong>pen<strong>de</strong><strong>de</strong> P O55HÃ53UÃG 9 51RH QWRÃ 49VDG Ã9WR47HQ LHGQ DP45RÃ&P DFHQDPL 43QFHQ187 V230 V41257 VVLy OP187 V Teórico39HQ $230 V Teórico257 V Teórico737350 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃ6DOLGDÃ:7DEOD&RQYHUWLGRU6,,)66(YROXFLyQGHODWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGD0HGLGDVREUHHOSURWRWLSR\YDORUHVWHyULFRV345


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV 5HQGLPLHQWRLa tabla 7.15 muestra los valores numéricos y presenta <strong>de</strong> forma gráfica la evolución <strong>con</strong> la potencia<strong>de</strong> carga y <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada <strong>de</strong>l rendimiento, medida sobre el prototipo<strong>con</strong>struido <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. Los resultados experimentales se han obtenido utilizando comointerruptor S 1 el MOSFET <strong>con</strong> tecnología CoolMOS SPW20N60S5 [130], utilizado también en losprototipos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII-B-2D y SII-F2.TensiónEntrada(V EF )Rendimiento(Tanto por mil)187 811 823 827 831 832 832 827 815 810 808220 801 833 841 842 843 839 831 821 814 813255 809 830 843 851 853 852 849 831 820 816Potencia<strong>de</strong> salida(W)15 20 30 40 50 60 70 80 90 1000.860.85WRQLHLPGHQ50.840.830.820.810.8Ã9 ()Ã9 ()Ã9 ()0.790 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:7DEOD&RQYHUWLGRU6,,)66XWLOL]DQGRHO026)(7,5)3&0HGLGDVREUHHOSURWRWLSRGHODHYROXFLyQGHOUHQGLPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDLa apariencia <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong>l rendimiento <strong>de</strong>nota, también en este caso, la influencia <strong>de</strong> laoperación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN en MCD, común a todas las topologías SII. Sin embargo, en estecaso, la influencia <strong>de</strong> las pérdidas en <strong>con</strong>ducción en el MOSFET se hace más patente, por dos aspectosque se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>stacar al observar la figura <strong>de</strong> la tabla 7.15. Estos son:• El rendimiento cae <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga <strong>de</strong> una forma más brusca que en el resto <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores SII ensayados.• Las trazas correspondientes a cada tensión <strong>de</strong> entrada están más separadas que en los otros<strong>con</strong>vertidores, y <strong>de</strong> una forma más <strong>de</strong>finida y para un rango mayor <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga.El mejor rendimiento correspon<strong>de</strong> a la tensión <strong>de</strong> entrada más elevada.Estos aspectos se justifican fácilmente teniendo en cuenta que en la topología SII-F1-SS, las corrientes<strong>de</strong> ambos <strong>con</strong>vertidores internos circulan a través <strong>de</strong>l MOSFET S 1 provocando mayores pérdidas y uncalentamiento adicional en un elemento <strong>de</strong> carácter resistivo.Se pue<strong>de</strong> comprobar, como a plena carga, el rendimiento medido en el prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2 resulta superior al <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. Este aspecto tiene relación, <strong>con</strong> el diseñoseleccionado para cada uno <strong>de</strong> los prototipos (K P = 0,79 para el <strong>con</strong>vertidor SII-F2 y K P = 0,72 para el<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS), que favorece el rendimiento <strong>de</strong>l primero y también <strong>con</strong> las mayores corrienteseficaces que circulan por el MOSFET <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. 5HQGLPLHQWRGHOFRQYHUWLGRU6,,)El <strong>con</strong>vertidor SII-F1 presenta un comportamiento prácticamente idéntico al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS.La única diferencia estriba en que, en el <strong>con</strong>vertidor SII-F1, la corriente <strong>de</strong> magnetización <strong>de</strong>l<strong>de</strong>vanado primario <strong>de</strong> T 2 (L 21 ) circula, durante el intervalo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>de</strong> los transistores, a través<strong>de</strong>l MOSFET S 2 en vez <strong>de</strong> hacerlo a través <strong>de</strong>l MOSFET S 1 en serie <strong>con</strong> el diodo D SS .346


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVEsta característica, a pesar <strong>de</strong> requerir un nuevo MOSFET, ha <strong>de</strong> proporcionar a priori un mejorrendimiento. Para <strong>con</strong>trastar este aspecto, se ha modificado el prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SSpara obtener un prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1, simplemente cambiando las <strong>con</strong>exiones, peromanteniendo el circuito <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, las inductancias y el resto <strong>de</strong> componentes.Sobre este nuevo prototipo se ha realizado la medida <strong>de</strong>l rendimiento en las mismas <strong>con</strong>diciones quepara el prototipo anterior. Los resultados obtenidos se recogen en la tabla 7.16.TensiónEntrada(V EF )187220255Rendimiento(Tanto por mil)783 781 807 816 824 843 847 854 858 859780 794 803 833 835 853 855 867 870 874798 816 816 835 845 856 861 872 875 8780,90,880,86WRQLHLPGHQ50,840,820,80,78Ã9 ()Ã9 ()Ã9 ()Potencia<strong>de</strong> salida(W)15 20 30 40 50 60 70 80 90 1000,760 20 40 60 80 100 1203RWHQFLDÃGHÃVDOLGDÃ:7DEOD&RQYHUWLGRU6,,)66XWLOL]DQGRHO&RRO02663:160HGLGDVREUHHOSURWRWLSRGHODHYROXFLyQGHOUHQGLPLHQWRFRQODSRWHQFLDGHFDUJD\HOYDORUHILFD]GHODWHQVLyQGHHQWUDGDComo se pue<strong>de</strong> comprobar en la tabla 7.16, el rendimiento <strong>de</strong> la topología SII-F1 essignificativamente superior al obtenido en idénticas <strong>con</strong>diciones por la topología SII-F1-SS. En el<strong>con</strong>vertidor SII-F1, la corriente <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1 se hace circular a través <strong>de</strong> un MOSFET <strong>de</strong>baja tensión, que presenta muy buenas características en <strong>con</strong>ducción. A<strong>de</strong>más el MOSFET S 1 tendráque <strong>con</strong>ducir unas corrientes eficaces inferiores.Al <strong>con</strong>trario que en el caso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, el rendimiento obtenido para el <strong>con</strong>vertidor SII-F1 ha resultado superior al que presentaba el <strong>con</strong>vertidor SII-F2. Los prototipos <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidoresSII-F1 y SII-F1-SS se han beneficiado, respecto <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F2, <strong>de</strong> un diseño más cuidado <strong>de</strong>los componentes magnéticos, (para los que se ha buscado reducir en lo posible su resistencia en <strong>CA</strong>)así como <strong>de</strong>l uso <strong>de</strong> diodos <strong>de</strong> mejores características. Al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS estas mejoras no lehan servido para aumentar su rendimiento respecto a <strong>de</strong>l prototipo SII-F2, sin embargo si se ha<strong>con</strong>seguido el objetivo <strong>con</strong> el <strong>con</strong>vertidor SII-F1. Este último <strong>con</strong>vertidor, a<strong>de</strong>más, se ha vistofavorecido por una tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento más alta que en el caso <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII –F2 (lo que ayuda a reducir las corrientes) y también por un MOSFET S 2 <strong>con</strong> menorresistencia en <strong>con</strong>ducción que el que se utilizó en la topología SII-F2.Otro aspecto que cabe <strong>de</strong>stacar, es que la curva <strong>de</strong> rendimiento obtenida en el prototipo <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-F1. En el rango <strong>de</strong> potencia ensayado, todavía no ha sufrido el cambio <strong>de</strong> curvatura<strong>de</strong>bido a la variación <strong>de</strong> la resistencia <strong>con</strong> la temperatura, en <strong>con</strong>secuencia estos resultadosexperimentales apuntan a po<strong>de</strong>r utilizar esta solución para un mayor rango <strong>de</strong> potencia. Posiblemente,esta topología, operando en rango <strong>de</strong> tensión europeo, podría alcanzar (<strong>con</strong> la tecnología actual y undiseño optimizado) una potencia hasta los 300W.Este aspecto <strong>con</strong>vierte a la topología SII-F1 posiblemente en la más atractiva <strong>de</strong> la familia propuesta.El in<strong>con</strong>veniente <strong>de</strong>l MOSFET adicional no lo es tanto si se tiene en cuenta que ambos transistores (S 1347


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVy S 2 ) se disparan <strong>con</strong> la misma tensión <strong>de</strong> puerta y están referidos a una masa común. 5HVSXHVWDGLQiPLFDLa figura 7.22 muestra las principales formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS ante escalones <strong>de</strong>carga <strong>de</strong> un 60%. En esta figura se presenta la operación <strong>con</strong> una carga pulsante <strong>de</strong> 10 Hz y pue<strong>de</strong>napreciarse escalones <strong>de</strong> carga positivos y negativos.Al igual que el resto <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, la topología SII-F1-SS está <strong>con</strong>trolada por medio <strong>de</strong> unlazo <strong>de</strong> realimentación <strong>de</strong> banda ancha, por tanto el incremento <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> carga se refleja <strong>de</strong>forma inmediata en la ley <strong>de</strong> variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo y en <strong>con</strong>secuencia en la corriente <strong>de</strong>entrada. La figura 7.22.a muestra la variación <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida (< 900 mV pico a picopara plena carga, 1,6%) y la figura 7.22.b presenta la variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo.a)Y 5('b)Y 5('L 5(' Ã$GLYL 5(', 2, 2'Y 2&LFORGHWUDEDMR)LJXUD3ULQFLSDOHVIRUPDVGHRQGDGHOFRQYHUWLGRU6,,)66DQWHHVFDORQHVGHFDUJDY 5(' WHQVLyQGHHQWUDGD9GLYEDVHGHWLHPSRVPVDL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLY'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$EL 5(' $GLY, 2 $GLY&LFORGHWUDEDMRWHQVLyQGHVDOLGDFRPSDUDGRUGHHUURU9GLYDFRSODPLHQWRHQ&$ 9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRUn ultimo objetivo, que se persigue <strong>con</strong> la obtención <strong>de</strong> las medidas experimentales, es <strong>con</strong>trastar lavali<strong>de</strong>z <strong>de</strong> los mo<strong>de</strong>los promediados realizados. En el Capítulo 6 se presentó el mo<strong>de</strong>lo promediadocorrespondiente al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, por tanto, éste será el que se verificará experimentalmente.El objetivo <strong>de</strong> este apartado queda marcado <strong>de</strong> antemano por la dificultad que entraña la comparación<strong>de</strong> un mo<strong>de</strong>lo obtenido <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando todos los componentes i<strong>de</strong>ales (mo<strong>de</strong>lo promediado) <strong>con</strong> laoperación real <strong>de</strong>l prototipo y las medidas realizadas sobre éste.En el <strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado, no se han tenido en cuenta, entre otros, la resistencia <strong>de</strong>lMOSFET o el equivalente <strong>de</strong> resistencia serie <strong>de</strong> los <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores. Para que la inclusión <strong>de</strong> loselementos parásitos aproxime los resultados simulación a los resultados experimentales, ésta <strong>de</strong>berealizarse en las ecuaciones que cuantifican las magnitu<strong>de</strong>s promediadas. La adición <strong>de</strong> elementosparásitos al circuito que <strong>con</strong>stituye el mo<strong>de</strong>lo promediado, sin incluirlos en las ecuacionescorrespondientes, pue<strong>de</strong> suponer una solución tanto más alejada <strong>de</strong>l comportamiento real como lasolución que proporciona un mo<strong>de</strong>lo promediado que <strong>con</strong>si<strong>de</strong>re i<strong>de</strong>ales los distintos componentes.348


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVÉsta última estrategia requiere una implementación <strong>de</strong> las ecuaciones mucho más sencilla, que en elcaso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII llega a ser crítica <strong>de</strong>bido a la complejidad <strong>de</strong> estos. Por tanto, se pue<strong>de</strong>plantear como trabajos futuro la búsqueda <strong>de</strong> un método que permita incluir <strong>de</strong> forma sencilla yprecisa los elementos parásitos en los mo<strong>de</strong>los promediados <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII.Una vez asumida la dificultad que supone la comparación mo<strong>de</strong>lo promediado – prototipoexperimental, dos van a ser los regímenes en los que se va a establecer dicha comparación.• Régimen estático, a través <strong>de</strong> la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada.• Régimen dinámico, a través <strong>de</strong> la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida ante escalones <strong>de</strong>carga. 9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRHQUpJLPHQHVWiWLFREn el apartado 6.5.1.4 se compararon los resultados que proporcionaban el programa <strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS y el mo<strong>de</strong>lo promediado correspondiente. Esta comparación se estableció enrégimen estático, <strong>de</strong> forma que se comparaban las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> corriente <strong>de</strong> entrada para unperiodo <strong>de</strong> red. En este apartado se va a realizar una comparación similar, sin embargo en este caso secomparará los resultados que proporciona el mo<strong>de</strong>lo promediado <strong>con</strong> la digitalización que se harealizado <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada al prototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS. Los resultados se muestranen la figura 7.23Respecto a la forma <strong>de</strong> onda que se presenta en la figura 7.21 y en la tabla 7.13, la corrienteexperimental mostrada en la figura 7.23 ha sido obtenida <strong>con</strong> una tensión <strong>de</strong> entrada tomada <strong>de</strong> unnodo <strong>de</strong> la red <strong>con</strong> menor distorsión.2DÃ$GWUDQHÃHÃGWHQULHR&10Mo<strong>de</strong>lo PromediadoMedida120 0.005 0.010.015 0.027LHPSRÃV)LJXUD&RPSDUDFLyQGHODFRUULHQWHGHHQWUDGDGHOSURWRWLSRGHOFRQYHUWLGRU6,,)66\ODTXHSURSRUFLRQDHOPRGHORSURPHGLDGR7HQVLyQGHHQWUDGDHILFD]9\SRWHQFLDGHFDUJD:La corriente experimental, que en la figura 7.23 se representa <strong>con</strong> trazo negro, presenta una oscilación,que se <strong>de</strong>be a un número insuficiente <strong>de</strong> muestras para digitalizar el residuo <strong>de</strong> frecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación que queda en la corriente media <strong>de</strong> entrada. Teniendo en cuenta este aspecto, a la vista<strong>de</strong> la figura 7.23, se pue<strong>de</strong> <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar que ambas corrientes resultan bastante semejantes, y que por349


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVtanto, HQUpJLPHQHVWiWLFRHOPRGHORSURPHGLDGRSUHGLFHGHPDQHUDEDVWDQWHDSUR[LPDGDHOFRPSRUWDPLHQWRGHOFRQYHUWLGRUH[SHULPHQWDO. 9DOLGDFLyQH[SHULPHQWDOGHOPRGHORSURPHGLDGRHQUpJLPHQGLQiPLFRLa validación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado en régimen dinámico podría realizarse comparando unasimulación, <strong>de</strong> las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> carga pulsante, igual a la que se impone en el prototipoexperimental. Sin embargo, <strong>de</strong> antemano se <strong>con</strong>oce que ambos resultados diferirán notablemente<strong>de</strong>bido a las no i<strong>de</strong>alida<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l circuito real. Por tanto, como camino alternativo se propone (<strong>de</strong> formasimilar a como se hizo en el apartado 6.5.1.5), comparar la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida anteescalones <strong>de</strong> carga <strong>con</strong> la predicción que <strong>de</strong> ésta pue<strong>de</strong> hacerse a partir <strong>de</strong> las prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong>realimentación correspondientes al punto <strong>de</strong> operación para el que se produce dicho escalón. Serealizará la comparación, para distintos valores <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, y para escalones <strong>de</strong> carga quese produzcan en diferentes ángulos <strong>de</strong> red. &RQVLGHUDFLRQHVDFHUFDGHODUHODFLyQHQWUHODVREUHRVFLODFLyQ\ODVSUHVWDFLRQHVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQAl igual que se <strong>de</strong>scribió en el apartado 6.5.1.5 la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida <strong>de</strong> un<strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>mutado es un fenómeno <strong>de</strong> gran señal, que pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>scribirse, pero solo <strong>de</strong> maneraaproximada, en términos <strong>de</strong> las prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación, ya que estas últimaspertenecen al ámbito <strong>de</strong> la pequeña señal.En este trabajo, se ha podido <strong>con</strong>trastar <strong>de</strong> manera experimental, que la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> salida, no está relacionada exclusivamente <strong>con</strong> el coeficiente <strong>de</strong> amortiguamiento <strong>de</strong>l lazo cerrado(y en <strong>con</strong>secuencia <strong>con</strong> el margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong>l bucle abierto), sino que es necesario <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rar tambiénla velocidad <strong>de</strong> respuesta <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Esta velocidad <strong>de</strong> respuesta se relaciona <strong>con</strong> el ancho <strong>de</strong>banda <strong>de</strong>l lazo abierto, resultando este último un parámetro <strong>de</strong> la respuesta en frecuencia en pequeñaseñal, que pue<strong>de</strong> calcularse a partir <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado.Se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rará, que si el sistema es más rápido, <strong>de</strong>bido a que posea un mayor ancho <strong>de</strong> banda,asumiendo la estabilidad <strong>de</strong>l sistema, la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida, <strong>de</strong>berá ser másreducida ya que en este caso, el ciclo <strong>de</strong> trabajo es capaz <strong>de</strong> adaptarse más rápidamente a las nuevas<strong>con</strong>diciones. Por otro lado, si el sistema en lazo abierto posee un margen <strong>de</strong> fase más elevado, elsistema estará más amortiguado y en <strong>con</strong>secuencia, a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> reducirse el pico <strong>de</strong> sobreoscilación, laforma en la que el ciclo <strong>de</strong> trabajo evoluciona hacia su nuevo régimen permanente presentará unasoscilaciones menores. Teniendo en cuenta estos aspectos (un tanto “cualitativos”, pero más próximosa los resultados experimentales), se propone comparar la sobreoscilación experimental <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>salida <strong>con</strong> la predicción que <strong>de</strong> ésta permite obtener el mo<strong>de</strong>lo promediado. &ULWHULRGHGLVHxRGHOUHJXODGRUEn primer lugar es necesario presentar el criterio <strong>de</strong> diseño utilizado para fijar el regulador <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong>realimentación. El regulador que se ha utilizado para obtener los resultados experimentalescorrespondientes al <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS ha sido seleccionado para obtener:• Un margen <strong>de</strong> fase mínimo <strong>de</strong> 45º para cualquier punto <strong>de</strong> operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor.350


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV• Frecuencias <strong>de</strong> cruce entre 1 y 10 kHz para las plantas <strong>de</strong> mínima y máxima gananciarespectivamente.• Valor mínimo <strong>de</strong> 40 dB para la ganancia a 100 Hz <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación para cualquierpunto <strong>de</strong> operación.El regulador diseñado para cumplir estos requisitos permite obtener los diagramas <strong>de</strong> Bo<strong>de</strong> que semuestran en la figura 7.24.0yGXORG%1007550257Ia)7IÃGHÃ0tQLPDÃJDQDQFLD7IÃGHÃ0i[LPDÃJDQDQFLD5IÃ5HJXODGRU7IÃÃ9 () ÃÃ:ÃÃā h0yGXORG%1007550257Ib)7IÃGHÃ0tQLPDÃJDQDQFLD7IÃGHÃ0i[LPDÃJDQDQFLD5IÃ5HJXODGRU7IÃÃ9 () ÃÃ:ÃÃā g02510 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 5Fase_max07IFase_max0)DVHž)))50100150))501001507IÃÃ9 () ÃÃ:ÃÃā h10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 502510 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 57I)DVHž2000)PtQLPR2000)PtQLPR250Fase_min10 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 510 FrecfmaxI+]25010 100 1 . 10 3 1 . 10 4 1 . 10 510 FrecfmaxI+])LJXUD)XQFLRQHVGHWUDQVIHUHQFLDGHODVSODQWDVGHPi[LPD\PtQLPDJDQDQFLDUHJXODGRUXWLOL]DGRHQHOFRQYHUWLGRU6,,)66\IXQFLRQHVGHWUDQVIHUHQFLDFRUUHVSRQGLHQWHVDGRVSXQWRVGHRSHUDFLyQGHORVTXHVHVXFHGHQHQHOIXQFLRQDPLHQWRFRQFDUJDSXOVDQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,)66D7HQVLyQGHHQWUDGD9 () 3RWHQFLDGHFDUJD:iQJXORGHUHGžE7HQVLyQGHHQWUDGD9 () 3RWHQFLDGHFDUJD:iQJXORGHUHGžSe ha <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado que la variación <strong>de</strong>l punto <strong>de</strong> operación proporciona funciones <strong>de</strong> transferencia queestán <strong>con</strong>tenidas entre las correspondientes a las <strong>de</strong>nominadas planta <strong>de</strong> mínima y máxima ganancia,que se han <strong>de</strong>finido para las siguientes <strong>con</strong>diciones:• Planta <strong>de</strong> mínima ganancia: tensión <strong>de</strong> entrada 180 V EF , potencia <strong>de</strong> salida 10 W, ángulo <strong>de</strong>red 0º.351


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV• Planta <strong>de</strong> máxima ganancia: tensión <strong>de</strong> entrada 265 V EF , potencia <strong>de</strong> salida 100 W, ángulo<strong>de</strong> red 90º.A modo <strong>de</strong> ejemplo, en la figura 7.24 se ha representado también la función <strong>de</strong> transferencia <strong>de</strong>l lazo<strong>de</strong> realimentación T(f), para dos puntos <strong>de</strong> operación <strong>de</strong> los que se suce<strong>de</strong>rán en el funcionamiento<strong>con</strong> carga pulsante <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS.En la figura 7.24 se pue<strong>de</strong> observar, cómo <strong>de</strong>bido al diseño <strong>de</strong>l regulador, que se ha realizado, se haobtenido un margen <strong>de</strong> fase mínimo <strong>de</strong> unos 45º para todos los puntos <strong>de</strong> operación intermedios. Lafunción <strong>de</strong> transferencia representada en la figura 7.24.a se sitúa en la zona intermedia entre lasfrecuencias <strong>de</strong> cruce <strong>de</strong> las plantas <strong>de</strong> mínima y máxima ganancia, y por tanto posee un margen <strong>de</strong>fase próximo al máximo que se pue<strong>de</strong> obtener <strong>con</strong> el regulador implementado. Sin embargo la función<strong>de</strong> transferencia mostrada en la figura 7.24.b posee un elevado ancho <strong>de</strong> banda o frecuencia <strong>de</strong> cruce,pero sin embargo su margen <strong>de</strong> fase se ha reducido por situarse en la zona <strong>de</strong> pendiente negativa <strong>de</strong> lafase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación.En el estudio que se va llevar a cabo, se asumirá que la función <strong>de</strong> transferencia que <strong>con</strong>diciona <strong>de</strong>forma más notoria la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida es la correspondiente al punto <strong>de</strong> trabajoprevio al escalón <strong>de</strong> carga. De forma estricta, la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión real es un proceso <strong>de</strong>gran señal, que no está directamente relacionado <strong>con</strong> un solo punto <strong>de</strong> operación sino <strong>con</strong> los que sevan sucediendo a lo largo <strong>de</strong> la propia sobreoscilación. Sin embargo, para simplificar el proceso <strong>de</strong>comparación, se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rará el lazo <strong>de</strong> realimentación correspondiente a las <strong>con</strong>diciones previas a lavariación <strong>de</strong> la carga. En el apartado 6.5.1.5. se utilizó idéntico criterio.En la tabla 7.17 se recogen, numéricamente, las prestaciones <strong>de</strong> lazo <strong>de</strong> realimentacióncorrespondiente a los puntos <strong>de</strong> operación inmediatamente anteriores a los flancos <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong>carga. Estos puntos se <strong>de</strong>stacan en la figura 7.25.Punto <strong>de</strong>operaciónTensión <strong>de</strong> entradaValoreficaz(VEF)Valorinstantáneo(V)Ángulo<strong>de</strong> red(º)Potencia<strong>de</strong> carga(W)Prestaciones <strong>de</strong>l lazo<strong>de</strong> realimentaciónFrec.cruce,(kHz)Gananciaa 100 Hz(dB)Margen<strong>de</strong> fase(º)c 187 211 53 33 2,6 48 72d 187 214 126 100 5,4 49 71e 230 252 52 100 6.8 50 64f 230 255 127 33 3.4 49 76g 255 270 43 100 7.4 50 60h 255 363 129 33 5.2 52 74807570DVHÃā65HÃ)60ÃGHQ55DUJ0504540cfhd2.632 3.36 5.23 5.442 6.782 7.382)UHFXHQFLDÃGHÃFUXFHÃN+]7DEOD3UHVWDFLRQHVGHOOD]RGHUHDOLPHQWDFLyQSDUDVHLVSXQWRVGHRSHUDFLyQTXHDSDUHFHQGXUDQWHODRSHUDFLyQFRQFDUJDSXOVDQWHGHOFRQYHUWLGRU6,,)66Los puntos <strong>de</strong> operación se diferencian por el valor instantáneo <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada y <strong>de</strong> lapotencia <strong>de</strong> carga. Dependiendo <strong>de</strong> estas <strong>con</strong>diciones, cada uno <strong>de</strong> estos puntos presentará una función<strong>de</strong> transferencia que, al multiplicarse por la <strong>de</strong>l regulador implementado, proporciona la respuesta enfrecuencia <strong>de</strong>l correspondiente lazo <strong>de</strong> realimentación (las correspondientes a los puntos <strong>de</strong> operacióng y h se representan en la figura 7.24). Ya que las funciones <strong>de</strong> la fase <strong>de</strong> los diferentes lazos <strong>de</strong>realimentación se superponen, el margen <strong>de</strong> fase se establece básicamente <strong>de</strong>pendiendo <strong>de</strong> lafrecuencia <strong>de</strong> cruce correspondiente. Los puntos <strong>de</strong> operación que se recogen en la tabla 7.17<strong>con</strong>forman <strong>de</strong> manera aproximada la función <strong>de</strong> la fase <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación que se pue<strong>de</strong>observar en la figura 7.24. De esta forma, el óptimo en cuanto al margen <strong>de</strong> fase correspon<strong>de</strong>ría a unaeg352


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVfrecuencia <strong>de</strong> cruce <strong>de</strong> unos 3 kHz aproximadamente para <strong>de</strong>spués ir reduciéndose según se aumentaesta frecuencia.c da) 187 V EFY 5('L 5(', 2'Y 2 5HVXOWDGRV H[SHULPHQWDOHV GH ODRSHUDFLyQFRQFDUJDSXOVDQWHEn la figura 7.25 se muestran los resultadosexperimentales <strong>de</strong> la operación <strong>con</strong> cargapulsante <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS para tresvalores <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada: 187 V EF , 230V EF , 255 V EF . En esta figura se han <strong>de</strong>stacadolos puntos <strong>de</strong> operación c a hcorrespondientes a los instantes en los que seproduce el flanco en la corriente <strong>de</strong> carga ycuyos datos se recogen en la tabla 7.17.eb) 230 V EFY 5('L 5(', 2fPara llevar a cabo la comparación <strong>de</strong> lasobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida <strong>con</strong> lapredicción que <strong>de</strong> ésta proporcionan lascapacida<strong>de</strong>s <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentacióncorrespondiente a los puntos <strong>de</strong> operación quese recogen en la tabla 7.17, se han<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado dos situaciones diferentes:, 2c) 255 V EF'Y 2• Comparación para puntos <strong>con</strong>similar margen <strong>de</strong> fase y distintoancho <strong>de</strong> banda.gc) 255 V EFY 5('L 5(', 2, 2'Y 2h)LJXUD2SHUDFLyQGHOFRQYHUWLGRU6,,)66FRQFDUJDSXOVDQWHY 5(' WHQVLyQGHHQWUDGD9GLYL 5(' FRUULHQWHGHHQWUDGD$GLY, 2 FRUULHQWHGHVDOLGD$GLY'Y 2 UL]DGRGHODWHQVLyQGHVDOLGD9GLY• Comparación para puntos <strong>con</strong>similar ancho <strong>de</strong> banda y distintomargen <strong>de</strong> fase.&RPSDUDFLyQ SDUD SXQWRV FRQ VLPLODUPDUJHQGHIDVH\GLVWLQWRDQFKRGHEDQGDComparando las prestaciones <strong>de</strong> los puntos cy d, pue<strong>de</strong> comprobarse (según los datos <strong>de</strong>la tabla 7.17) que el punto d posee un mayorancho <strong>de</strong> banda que el punto c. Sin embargoambos poseen un margen <strong>de</strong> fase y, por lotanto, un amortiguamiento muy similar.Teniendo en cuenta, a<strong>de</strong>más, las<strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones realizadas en el apartado7.6.2.1. la predicción, que se pue<strong>de</strong> hacer,supone que la sobreoscilación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>salida para el punto d ha <strong>de</strong> ser menor que lacorrespondiente al punto c. Observando la353


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHVfigura 7.25.a, se comprueba que la oscilación para el punto d es <strong>de</strong> aproximadamente 0,4 V mientrasque la correspondiente al punto c es <strong>de</strong> 0,5 V.Si se comparan las prestaciones <strong>de</strong> los puntos f y h, se comprueba que el ancho <strong>de</strong> banda <strong>de</strong>l puntoh es mayor que el <strong>de</strong>l punto f. Por tanto la sobreoscilación correspondiente a h <strong>de</strong>berá ser menorque la que se produzca para el punto f. En la figura 7.25.b se pue<strong>de</strong> comprobar como lasobreoscilación <strong>de</strong>l punto f es <strong>de</strong> unos 0,5 V mientras que en la figura 7.25.c se muestra que lacorrespondiente al punto h es <strong>de</strong> apenas 0,2 V.&RPSDUDFLyQSDUDSXQWRVFRQVLPLODUDQFKRGHEDQGD\GLVWLQWRPDUJHQGHIDVHLos puntos e y g presentan una frecuencia <strong>de</strong> cruce bastante próxima, pero el margen <strong>de</strong> fase <strong>de</strong> ees mayor que el <strong>de</strong> g. Por tanto la predicción, que es posible realizar, supondría que lasobreoscilación <strong>de</strong> ambos puntos no <strong>de</strong>be ser muy diferente, pero que la correspondiente a e <strong>de</strong>beestar más amortiguada que la <strong>de</strong> g. En la figura 5.25.b, en la traza correspondiente a D Y 2 , se pue<strong>de</strong>observar como a la sobreoscilación principal le sigue apenas una ligera cresta adicional, mientras queen la figura 7.25.c son claramente visibles dos oscilaciones tras la sobreoscilación principal.Se han realizado experimentos similares al anterior, cambiando el <strong>de</strong>sfase entre la tensión <strong>de</strong> red y lacorriente <strong>de</strong> carga pulsante, <strong>con</strong> lo que los flancos <strong>de</strong> esta corriente se producen en otros ángulos <strong>de</strong>red. También en estos casos, la predicción realizada mediante el mo<strong>de</strong>lo promediado casa bastantebien <strong>con</strong> el resultado experimental obtenido.En <strong>con</strong>clusión, <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> lo razonable, también HQUpJLPHQGLQiPLFR, ORVUHVXOWDGRVH[SHULPHQWDOHVFRUURERUDQODYDOLGH]GHOPRGHORSURPHGLDGRGHVDUUROODGR. &RQFOXVLRQHVEn este capítulo, se ha verificado <strong>de</strong> forma experimental el funcionamiento y la respuesta <strong>de</strong> la familia<strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores SII, que se ha <strong>de</strong>scrito y analizado en los capítulos 3, 4, 5 y 6.Para ello se han diseñado y <strong>con</strong>struido prototipos <strong>de</strong> FXDWUR WRSRORJtDV, <strong>de</strong> las seis que se hanoriginado en este trabajo, por <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarlas más relevantes para verificar experimentalmente elfuncionamiento teórico <strong>de</strong>scrito en los capítulos anteriores. Las topologías ensayadas son: 6,,%6,,%'6,,)\6,,)66.Se han obtenido las formas <strong>de</strong> onda principales que presentan los <strong>con</strong>vertidores a frecuencia <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación, <strong>de</strong>stacándose aquellas que distinguen la operación <strong>de</strong> cada <strong>con</strong>vertidor y <strong>con</strong> especialhincapié el “intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie”, etapa <strong>de</strong>l periodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación <strong>de</strong>l que ha tomadoel nombre la familia <strong>de</strong> <strong>con</strong>vertidores propuesta. En todos los casos, ODVPHGLGDVH[SHULPHQWDOHVGHODVIRUPDVGHRQGDDIUHFXHQFLDGHFRQPXWDFLyQKDQUHVXOWDGRPX\SUy[LPDVDODVTXHIRUPDVGHRQGDWHyULFDV que se habían presentado en el capítulo 4.7DPELpQVHKDFRPSUREDGRODSUR[LPLGDGHQWUHODVIRUPDVGHRQGDH[SHULPHQWDOHV\WHyULFDVREWHQLGDV D IUHFXHQFLD GH UHG. Cabe <strong>de</strong>stacar que la predicción teórica acerca <strong>de</strong>l <strong>con</strong>tenidoarmónico <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada asociado al valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simpleprocesado, K P , ha sido corroborada en los cuatro <strong>con</strong>vertidores ensayados. Por tanto, GH IRUPDH[SHULPHQWDO VH KD SRGLGR FRPSUREDU FRPR HO YDORU GH . 3 HV UHDOPHQWH OD IURQWHUDUHVSHFWRGHOFXPSOLPLHQWRGHORVOtPLWHVGHOD&ODVH'GHODQRUPD,(&.354


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV/DPHGLGDH[SHULPHQWDO <strong>de</strong> la evolución <strong>de</strong> la WHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR, haGHPRVWUDGRODSUiFWLFDPHQWHQXODYDULDFLyQ <strong>de</strong> esta tensión FRQODSRWHQFLDGHFDUJD, tal y comose había predicho <strong>de</strong> forma teórica para todos los <strong>con</strong>vertidores SII. Por otro lado, ORVYDORUHVWHyULFRV\H[SHULPHQWDOHV que toma la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento al variar el valor eficaz <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> entrada también KDQUHVXOWDGRPX\SUy[LPRV.La medida, realizada sobre los cuatro prototipos, <strong>de</strong> la evolución que el rendimiento presenta al variarla potencia <strong>de</strong> carga y la tensión eficaz <strong>de</strong> entrada, <strong>de</strong>nota que, en los <strong>con</strong>vertidores SII, elUHQGLPLHQWRHVWiIXHUWHPHQWHLQIOXHQFLDGRSRUODVSpUGLGDVHQFRQGXFFLyQ, fundamentalmente HQHOLQWHUUXSWRU6 (MOSFET <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 2). Por tanto, el empleo <strong>de</strong> MOSFET <strong>con</strong> buenascaracterísticas en <strong>con</strong>ducción (como el CoolMOS SPW20N60S5) mejora notablemente el rendimiento<strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos. También es importante <strong>de</strong>stacar, que H[SHULPHQWDOPHQWH VH KDGHPRVWUDGRODUHODFLyQWHyULFDTXHOLJDEDHOYDORUGH. 3 \HOUHQGLPLHQWR, ya que el <strong>con</strong>vertidorque ha sido diseñado <strong>con</strong> el mayor valor <strong>de</strong> este parámetro, ha presentado también el mejorrendimiento experimental.(O UHQGLPLHQWR PHGLGR HQ ORV SURWRWLSRV VH SXHGH FRQVLGHUDU EDVWDQWH DFHSWDEOH, ya que haresultado siempre VXSHULRUDO <strong>con</strong>siguiéndose para unas <strong>con</strong>diciones bastante restrictivas comoson: tensión <strong>de</strong> entrada en UDQJR HXURSHR FXPSOLPLHQWR GH ORV OtPLWHV GH OD &ODVH ' y WDPDxRUHGXFLGR GHO FRQGHQVDGRU GH DOPDFHQDPLHQWR, para cumplir la especificación <strong>de</strong>l tiempo <strong>de</strong>mantenimiento. Sin embargo, sí es el rendimiento el aspecto que más pue<strong>de</strong> limitar el campo <strong>de</strong>aplicación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, ya que en todos ellos, este parámetro tien<strong>de</strong> a reducirse a medidaque aumenta la potencia <strong>de</strong> carga. Por tanto, HOFDPSRGHDSOLFDFLyQ, <strong>con</strong> la tecnología actual, QRVHH[WLHQGHPiVDOOiGHORV: sobre todo cuando se requiere WHQVLyQGHHQWUDGDXQLYHUVDO. Portanto la extensión <strong>de</strong>l estudio realizado a la operación en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo <strong>de</strong> los<strong>con</strong>vertidores propuestos, es quizás el aspecto fundamental que se propone como trabajo futuro, <strong>con</strong> elfin <strong>de</strong> mejorar el rendimiento sin per<strong>de</strong>r prestaciones./RV UHVXOWDGRV H[SHULPHQWDOHV, tanto en régimen estático como dinámico, correspondientes alprototipo <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-F1-SS, KDQDSR\DGRODYDOLGH]GHOPRGHORSURPHGLDGR realizado paraeste <strong>con</strong>vertidor y en <strong>con</strong>secuencia, han <strong>con</strong>firmado como a<strong>de</strong>cuada la elección <strong>de</strong> la técnica <strong>de</strong>mo<strong>de</strong>lado y su aplicación a los <strong>con</strong>vertidores SII.Como <strong>con</strong>clusión general, ORV UHVXOWDGRV H[SHULPHQWDOHV KDQ FRUURERUDGR ORV HVWXGLRV WHyULFRVSUHVHQWDGRVHQORVFDStWXORVDQWHULRUHV.355


&DStWXOR5HVXOWDGRV([SHULPHQWDOHV356


&DStWXOR&RQFOXVLRQHV&DStWXOR&RQFOXVLRQHV $SRUWDFLRQHVGHOSUHVHQWHWUDEDMR 359$SRUWDFLRQHVGHVGHHOSXQWRGHYLVWDGHORVFRQYHUWLGRUHVDOWHUQD±FRQWLQXD 360$SRUWDFLRQHVGHVGHHOSXQWRGHYLVWDGHODQiOLVLV\GLVHxRGHORVFRQYHUWLGRUHV 362SURSXHVWRV$SRUWDFLRQHV GHVGH HO SXQWR GH YLVWD GHO PRGHODGR \ FRQWURO GH ORV 362FRQYHUWLGRUHVSURSXHVWRV 6XJHUHQFLDVSDUDIXWXURVWUDEDMRV 363357


&DStWXOR&RQFOXVLRQHV358


&DStWXOR&RQFOXVLRQHV $SRUWDFLRQHVGHOSUHVHQWHWUDEDMRLas aportaciones <strong>de</strong> este trabajo <strong>de</strong> investigación se centran en el campo <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores alterna –<strong>con</strong>tinua <strong>con</strong>mutados que se pue<strong>de</strong>n emplear en fuentes <strong>de</strong> alimentación monofásicas. En particular,las soluciones propuestas son <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> baja potencia que implementan técnicas para reducir <strong>de</strong>forma activa los armónicos <strong>de</strong> corriente inyectados en la red, también <strong>de</strong>nominados <strong>con</strong>vertidorescorrectores <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia.Éste es un campo <strong>de</strong> gran interés <strong>de</strong>bido a que la <strong>con</strong>versión alterna – <strong>con</strong>tinua es una <strong>de</strong> las técnicas,pertenecientes a la electrónica <strong>de</strong> potencia, que posee un volumen <strong>de</strong> mercado mayor. Por otro lado, la<strong>con</strong>exión a la red, entendida como un medio compartido por muchos usuarios para obtener energía,requiere que la operación <strong>de</strong> cada <strong>con</strong>sumo individual no perjudique el funcionamiento <strong>de</strong> otrosequipos, y que no limite la capacidad <strong>de</strong> la propia red o perjudique al medio ambiente. Todas estas<strong>con</strong>secuencias van <strong>de</strong> la mano <strong>de</strong> la inyección <strong>de</strong> armónicos <strong>de</strong> corriente en las re<strong>de</strong>s <strong>de</strong> alimentación<strong>de</strong> energía eléctrica.Para minimizar los efectos negativos <strong>de</strong> los armónicos <strong>de</strong> corriente, la Unión Europea ha impuesto elcumplimiento <strong>de</strong> la Directiva comunitaria 89/336/CEE sobre CEM para po<strong>de</strong>r comercializarlibremente un producto en su entorno e<strong>con</strong>ómico. Cumplir los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2resulta el método más eficaz para verificar lo exigido por la directiva. Aunque las soluciones parareducir los armónicos <strong>de</strong> corriente llevan <strong>de</strong>sarrollándose más <strong>de</strong> una década, la evolución <strong>de</strong> la citadanorma ha ido haciendo variar el campo <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> las soluciones aportadas para corregir elfactor <strong>de</strong> potencia.Dentro <strong>de</strong> este ámbito, se han estudiado y analizado las soluciones existentes, tanto aquellas que<strong>con</strong>siguen una corriente <strong>de</strong> entrada perfectamente sinusoidal, como aquellas que presentan unacorriente <strong>de</strong> entrada <strong>con</strong> <strong>con</strong>tenido armónico por <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong> los límites impuestos por dicha norma.Como alternativa se han propuesto, GH IRUPD RULJLQDO VHLV FRQYHUWLGRUHV que se agrupan en unamisma familia que logra cumplir los límites <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 proporcionando a<strong>de</strong>más unatensión <strong>de</strong> salida bien regulada.Los <strong>con</strong>vertidores objeto <strong>de</strong>l presente trabajo <strong>de</strong> investigación se han propuesto para mejorar algunosaspectos <strong>de</strong> las soluciones existentes hasta la actualidad para realizar la <strong>con</strong>versión alterna – <strong>con</strong>tinua.Frente a las soluciones clásicas en dos etapas se ha buscado reducir el coste y tamaño <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor.Frente a las soluciones ya existentes pertenecientes al mismo grupo en el que se encuadran los<strong>con</strong>vertidores propuestos, <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong> corriente <strong>de</strong> entrada no sinusoidal, se ha perseguido po<strong>de</strong>rcumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2 manteniendo las premisas <strong>de</strong> un costereducido y un tamaño reducido. Para ello se han centrado los esfuerzos en reducir el tamaño <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, uno <strong>de</strong> los componentes clave en estos <strong>con</strong>vertidores, y que provocaante <strong>de</strong>terminadas especificaciones que no se cumplan los objetivos asociados a los <strong>con</strong>vertidores <strong>con</strong>corriente <strong>de</strong> entrada no sinusoidal, reducido coste y tamaño.Se ha realizado un estudio exhaustivo <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos, que ha permitido finalmenteautomatizar los procesos <strong>de</strong> diseño tanto <strong>de</strong> la etapa <strong>de</strong> potencia como <strong>de</strong>l regulador <strong>de</strong> su lazo <strong>de</strong><strong>con</strong>trol. Los resultados obtenidos en el estudio teórico han sido <strong>con</strong>trastados experimentalmentemediante la realización <strong>de</strong> cinco prototipos, que han sido diseñados, <strong>con</strong>struidos y probados en ellaboratorio.359


&DStWXOR&RQFOXVLRQHVLas aportaciones <strong>de</strong> este trabajo <strong>de</strong> investigación se pue<strong>de</strong>n agrupar <strong>de</strong>s<strong>de</strong> tres puntos <strong>de</strong> vistadiferentes:• Des<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores alterna – <strong>con</strong>tinua.• Des<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista <strong>de</strong>l análisis y diseño <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong>sarrollados.• Des<strong>de</strong> el punto <strong>de</strong> vista <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lado y <strong>con</strong>trol.Estos <strong>con</strong>juntos <strong>de</strong> aportaciones se <strong>de</strong>sarrollan y <strong>de</strong>tallan a <strong>con</strong>tinuación. $SRUWDFLRQHV GHVGH HO SXQWR GH YLVWD GH ORV FRQYHUWLGRUHV DOWHUQD ±FRQWLQXDEl diagrama <strong>de</strong> bloques común a todos los <strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia propuesta <strong>con</strong>sta <strong>de</strong> dos bloques<strong>de</strong> potencia internos semejantes a los que aparecen en una <strong>con</strong>versión en dos etapas, pero que no se<strong>con</strong>ectan en cascada, ni utilizan dos lazos <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol, uno por cada <strong>con</strong>vertidor. Por el <strong>con</strong>trario serealiza una GLYLVLyQ SDUDOHOR GH OD HQHUJtD <strong>de</strong> forma que parte <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> entrada se ce<strong>de</strong>directamente a la carga y parte se transfiere al <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.A diferencia <strong>de</strong> otras técnicas para realizar la división paralelo <strong>de</strong> la energía, en la familia propuestano es necesario que el <strong>con</strong>vertidor, <strong>con</strong>ectado a la entrada, presente dos salidas para que por cada una<strong>de</strong> ellas se transfiera cierta cantidad <strong>de</strong> energía. En los <strong>con</strong>vertidores SII, el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entradatiene una única salida y la energía se divi<strong>de</strong> en dos partes mediante un FRQPXWDGRU PDJQpWLFR, o<strong>con</strong>mutador <strong>con</strong>trolado magnéticamente, que ciclo a ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación transfiere potenciadirectamente hacia la carga (potencia <strong>de</strong> simple procesado) y hacia el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Se utiliza un <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>tinua - <strong>con</strong>tinua <strong>con</strong>vencional que, <strong>con</strong>trolado poridéntico ciclo <strong>de</strong> trabajo que el <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada, alimenta a la carga a partir <strong>de</strong> la energíadisponible en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Para cualquier instante <strong>de</strong>l semiperiodo <strong>de</strong> red, lapotencia <strong>de</strong> doble procesado, que proporciona el <strong>con</strong>vertidor <strong>con</strong>tinua – <strong>con</strong>tinua, se suma <strong>de</strong> maneracomplementaria a la <strong>de</strong> simple procesado, <strong>de</strong> forma que la carga está alimentada siempre <strong>con</strong> potencia<strong>con</strong>stante. De ahí que estos <strong>con</strong>vertidores presenten una tensión <strong>de</strong> salida bien regulada, <strong>con</strong> respuestadinámica rápida.El uso <strong>de</strong>l <strong>con</strong>mutador magnético posibilita que la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento estéacotada superiormente <strong>con</strong> el valor <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> salida o <strong>con</strong> una la tensión <strong>de</strong> salida multiplicadapor la relación <strong>de</strong> transformación (secundario – terciario) <strong>de</strong>l transformador T 1 en los <strong>con</strong>vertidoresSII-F1 y SII-F1-SS. Esta cota superior <strong>con</strong>juntamente <strong>con</strong> los parámetros <strong>de</strong> diseño logra reducir <strong>de</strong>manera efectiva la variación <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada (esta variación resulta nula <strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga, <strong>de</strong>bido a que los <strong>con</strong>vertidorespropuestos operan siempre en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo). En <strong>de</strong>finitiva, esta reducida variación<strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento permite reducir <strong>de</strong> forma notable el tamaño <strong>de</strong> este<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador, respecto <strong>de</strong> otras soluciones en las cuales esta tensión cambia mucho más al modificarselas <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> línea y / o carga.El <strong>con</strong>vertidor <strong>de</strong> entrada presenta, en todos los <strong>con</strong>vertidores SII, topología )O\EDFN y opera siempreen modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo. Estas dos características ayudan a que la corriente <strong>de</strong> entradapresente un <strong>con</strong>tenido <strong>de</strong> armónicos reducido. A<strong>de</strong>más, al <strong>con</strong>trario que en otras soluciones <strong>de</strong><strong>con</strong>vertidores alterna <strong>con</strong>tinua, la técnica utilizada para reducir la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>360


&DStWXOR&RQFOXVLRQHValmacenamiento y limitar su variación, no implica la aparición <strong>de</strong> tiempos muertos en la corriente <strong>de</strong>entrada, <strong>con</strong> lo que el <strong>con</strong>tenido armónico no se ve aumentado al intentar mejorar el comportamiento<strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. En <strong>de</strong>finitiva, estos <strong>con</strong>vertidores pue<strong>de</strong>ndiseñarse para cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D sin que se perjudiquen en exceso otras prestaciones.El principal in<strong>con</strong>veniente <strong>de</strong> la familia propuesta es la operación en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo.Esta característica se traduce en unas mayores corrientes eficaces y en <strong>con</strong>secuencia mayores pérdidas<strong>de</strong> potencia y <strong>de</strong>cremento <strong>de</strong>l rendimiento. Sin embargo, en la actualidad la mejora importante que hanexperimentado en cuanto a sus prestaciones en <strong>con</strong>ducción los MOSFET <strong>de</strong> alta tensión que seutilizan en aplicaciones <strong>de</strong> red, amplía el rango <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga que pue<strong>de</strong>n proporcionar los<strong>con</strong>vertidores propuestos hasta unos 300 W, incluso ante entrada <strong>de</strong> tensión universal. El rendimientoobtenido experimentalmente, para tensión <strong>de</strong> entrada variable en rango europeo, ha alcanzado el 86% ,cumpliendo a<strong>de</strong>más los límites <strong>de</strong> la Clase D y <strong>con</strong> un tamaño reducido en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento. Adicionalmente, el modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo trae <strong>con</strong>sigo como aspectonegativo, la necesidad <strong>de</strong> utilizar un filtro <strong>de</strong> entrada o filtro EMI <strong>de</strong> un tamaño ligeramente mayorque en otras soluciones.Las características principales que <strong>de</strong>finen a todos los <strong>con</strong>vertidores SII se pue<strong>de</strong>n resumir en :9&XPSOLPLHQWRGHORVOtPLWHV <strong>de</strong> la &ODVH$ y <strong>de</strong> la &ODVH' <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2.95HGXFLGRWDPDxRGHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR. Esta ventaja se hace tanto másnotable para aplicaciones <strong>de</strong> tensión <strong>de</strong> entrada universal. Se <strong>de</strong>be a que la variación quesufre esta tensión <strong>con</strong> las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> línea y carga es muy reducida. A<strong>de</strong>más, la tensiónen el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento resulta bastante más reducida que el valor <strong>de</strong> pico <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> entrada, pudiendo utilizarse <strong>con</strong><strong>de</strong>nsadores comerciales <strong>con</strong>vencionales.9$EDUDWDPLHQWR GHO FRVWH. Adicionalmente a la reducción <strong>de</strong>l precio <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, se elimina un lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol respecto <strong>de</strong> la solución en dos etapas. Elúnico lazo <strong>de</strong> <strong>con</strong>trol requerido en estos <strong>con</strong>vertidores utiliza un circuito integrado <strong>de</strong><strong>con</strong>trol comercial <strong>de</strong> bajo coste.96LPSOLFLGDGGHODVROXFLyQ. Aunque se han <strong>de</strong>scrito dos bloques <strong>de</strong> potencia internos, lastopologías SII-F1 y SII-F1-SS, las más interesantes <strong>de</strong> las planteadas en este trabajo, apenasaña<strong>de</strong>n unos componentes a un <strong>con</strong>vertidor )O\EDFN <strong>con</strong>vencional y no requieren a<strong>de</strong>más eluso <strong>de</strong> un transformador complicado.8La operación en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción dis<strong>con</strong>tinuo provoca una OLPLWDFLyQ GHO UDQJR GHSRWHQFLDHIHFWLYR y requiere un filtro EMI mayor.En general, el campo <strong>de</strong> aplicación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores pertenecientes a esta familia <strong>con</strong>tiene aquellasaplicaciones que precisen <strong>de</strong>l cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> clase D (receptores <strong>de</strong> televisión,or<strong>de</strong>nadores personales y monitores <strong>de</strong> or<strong>de</strong>nadores) siempre y cuando la potencia requerida no superelos 300W. Los <strong>con</strong>vertidores SII pue<strong>de</strong>n también ser empleados para alimentar otros equipos cuyopropósito los clasifique como Clase A. Los límites <strong>de</strong> esta clase posibilitan diseñar los <strong>con</strong>vertidoresSII <strong>con</strong> un valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, K P , superior a 0,78 <strong>de</strong> forma quese obtiene un incremento en el rendimiento.361


&DStWXOR&RQFOXVLRQHV $SRUWDFLRQHV GHVGH HO SXQWR GH YLVWD GHO DQiOLVLV \ GLVHxR GH ORVFRQYHUWLGRUHVSURSXHVWRVSe han estudiado en <strong>de</strong>talle todas las topologías <strong>de</strong>sarrolladas, tanto a frecuencia <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutacióncomo a frecuencia <strong>de</strong> red. Cabe <strong>de</strong>stacar aspectos como:• La aparición <strong>de</strong> diferentes modos <strong>de</strong> operación.• El intervalo <strong>de</strong> inductancias en serie (que se produce durante el ciclo <strong>de</strong> <strong>con</strong>mutación entodos estos <strong>con</strong>vertidores y que ha dado nombre a la familia).• Las <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones funcionales <strong>de</strong> diseño, entre las que <strong>de</strong>staca el hecho <strong>de</strong> que laimplementación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>mutador magnético, <strong>con</strong> el que se divi<strong>de</strong> la energía, impone por sutopología que la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento esté acotada.El estudio estático <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores ha permitido obtener un <strong>con</strong>ocimiento preciso <strong>de</strong> cómoafectan por un lado las especificaciones y por otro los parámetros <strong>de</strong> diseño a los valorescaracterísticos <strong>de</strong> estos <strong>con</strong>vertidores (calidad <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada, tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado, rendimiento), también <strong>de</strong> lasinterrelaciones que entre éstos existe. Entre los aspectos anteriores, cabe <strong>de</strong>stacar:• La obtención <strong>de</strong> una expresión analítica para el ciclo <strong>de</strong> trabajo, que se <strong>de</strong>scompone comoproducto <strong>de</strong> dos factores, uno <strong>de</strong>pendiente <strong>de</strong> la potencia <strong>de</strong> carga y otro <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>entrada y parámetros <strong>de</strong> diseño.• Necesidad <strong>de</strong>l método <strong>de</strong> cálculo numérico para la obtención <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.• El valor <strong>de</strong> K P = 0,78 que supone el límite superior al tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simpleprocesado para cumplir los límites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, y que es elmismo para todos los <strong>con</strong>vertidores SII.A partir <strong>de</strong> este estudio, se ha podido automatizar el procedimiento <strong>de</strong> diseño, utilizando unosprogramas <strong>de</strong> cálculo específicos para cada topología. Dicho procedimiento <strong>de</strong> diseño se basa en eluso <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> inductancias, a , para establecer el valor <strong>de</strong> K P y <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> transformación(o relaciones en el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII-F1 y SII-F1-SS) <strong>de</strong>l transformador T 1 , para establecerel valor <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento.Adicionalmente, se ha realizado un estudio <strong>de</strong>tallado <strong>de</strong> los factores que afectan al tamaño <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, entre los que <strong>de</strong>stacan la variación <strong>de</strong> su tensión <strong>con</strong> las <strong>con</strong>diciones<strong>de</strong> línea y carga, y el aprovechamiento <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador. Se ha justificado también que una tensión enel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento a partir <strong>de</strong> los 35 V obtiene un tamaño semejante alcorrespondiente a un valor más extendido como es el <strong>de</strong> 400 V. $SRUWDFLRQHV GHVGH HO SXQWR GH YLVWD GHO PRGHODGR \ FRQWURO GH ORVFRQYHUWLGRUHVSURSXHVWRVAnte la imposibilidad <strong>de</strong> realizar una medida experimental <strong>de</strong> la función <strong>de</strong> transferencia en pequeñaseñal, <strong>de</strong>bido a que la variación <strong>de</strong>l ciclo <strong>de</strong> trabajo <strong>con</strong> el ángulo <strong>de</strong> red elimina la existencia <strong>de</strong> unpunto <strong>de</strong> trabajo estable, se ha realizado un mo<strong>de</strong>lo promediado en gran señal orientado a lasimulación <strong>de</strong> circuitos. Partiendo <strong>de</strong>l método <strong>de</strong> promediado <strong>de</strong>scrito en [Oliver, 101], se ha adaptado362


&DStWXOR&RQFOXVLRQHVéste a los requisitos que impone la operación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII. Las aportaciones a dichométodo se resumen en :• Desarrollo <strong>de</strong> un mo<strong>de</strong>lo en <strong>con</strong>mutación como paso previo e imprescindible para po<strong>de</strong>raplicar la técnica <strong>de</strong> promediado. Este mo<strong>de</strong>lo sustituye el componente magnético <strong>de</strong>l<strong>con</strong>vertidor interno 1 (T 2 o L 2 en el <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D) por dos inductanciasin<strong>de</strong>pendientes cuya operación secuencial coinci<strong>de</strong> <strong>con</strong> el funcionamiento <strong>de</strong> dichocomponente magnético.• Implementación <strong>de</strong> un circuito, que recoge el funcionamiento promediado <strong>de</strong> los distintosmodos <strong>de</strong> operación discriminando qué modo está activo en función <strong>de</strong>l valor instantáneo<strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada.La aplicación <strong>de</strong>l mo<strong>de</strong>lo promediado en gran señal a la obtención <strong>de</strong> funciones <strong>de</strong> transferencia enpequeña señal ha permitido <strong>de</strong>terminar que la etapa <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, presenta unarespuesta en frecuencia que reduce su ancho <strong>de</strong> banda y ganancia cuando disminuye el valor eficaz <strong>de</strong>la tensión <strong>de</strong> entrada, la potencia <strong>de</strong> carga y el ángulo <strong>de</strong> red. Esta información se ha utilizado paradiseñar a<strong>de</strong>cuadamente el lazo <strong>de</strong> realimentación. Por otro lado, el reducido tiempo <strong>de</strong> simulación <strong>de</strong>lmo<strong>de</strong>lo promediado ha permitido realizar numerosas simulaciones <strong>de</strong> varios ciclos <strong>de</strong> red, que hapuesto <strong>de</strong> manifiesto cómo influyen las prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación sobre elcomportamiento final <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Cabe <strong>de</strong>stacar:• Un ancho <strong>de</strong> banda insuficiente provoca una sobreoscilación en el flanco <strong>de</strong> subida <strong>de</strong> lacorriente <strong>de</strong> entrada. A<strong>de</strong>más, ante escalones <strong>de</strong> carga, un ancho <strong>de</strong> banda insuficiente llevatambién asociada una mayor sobreoscilación en la tensión <strong>de</strong> salida. La respuesta, una vezproducida esta sobreoscilación, se amortigua tanto más rápidamente cuanto mayor sea elmargen <strong>de</strong> fase <strong>con</strong>seguido.• Una ganancia insuficiente provoca un incremento <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> 100 Hz en la tensión <strong>de</strong>salida.En cuanto al <strong>con</strong>trol, la principal aportación ha sido <strong>de</strong>sarrollar un sencillo método <strong>de</strong> diseño <strong>de</strong>reguladoresbasada en la utilización <strong>de</strong> las dos funciones <strong>de</strong> transferencia extremas por las que pasaránlos <strong>con</strong>vertidores SII en su operación habitual. La selección <strong>de</strong> los grados <strong>de</strong> libertad <strong>de</strong>l reguladorpersigue repartir las prestaciones <strong>de</strong>l lazo <strong>de</strong> realimentación entre las funciones <strong>de</strong> transferenciaextremas, <strong>de</strong> manera que se obtengan unas características mínimas <strong>de</strong> ancho <strong>de</strong> banda, margen <strong>de</strong> fasemínimo, y ganancia a 100 Hz, sean cuales sean las <strong>con</strong>diciones <strong>de</strong> operación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor. Se haabandonado por tanto el criterio <strong>de</strong> diseño que optimizaba una única función <strong>de</strong> transferencia<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rada la “más <strong>de</strong>sfavorable”. 6XJHUHQFLDVSDUDIXWXURVWUDEDMRVDurante el <strong>de</strong>sarrollo <strong>de</strong> este trabajo se han ido i<strong>de</strong>ntificando nuevas líneas <strong>de</strong> trabajo, encaminadas amejorar, ampliar y profundizar en algunos aspectos <strong>de</strong> los estudios <strong>de</strong>sarrollados.Estas sugerencias se resumen a <strong>con</strong>tinuación.• Estudio y comprobación experimental <strong>de</strong> la operación <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores propuestos enmodo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo. Con el objetivo <strong>de</strong> mejorar el rendimiento obtenido en los363


&DStWXOR&RQFOXVLRQHV<strong>con</strong>vertidores <strong>de</strong> la familia SII, y así aumentar el rango <strong>de</strong> potencia para el que se pue<strong>de</strong>nemplear, se propone la operación en modo <strong>de</strong> <strong>con</strong>ducción <strong>con</strong>tinuo. Este modo <strong>de</strong>operación lleva asociada la <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento<strong>con</strong> la potencia <strong>de</strong> carga. Ahora bien, ya que, por la especial topología <strong>de</strong> estos<strong>con</strong>vertidores, la tensión <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador está acotada, se presume que la variación total<strong>de</strong> esta tensión no se vería muy incrementada por la operación en M<strong>CC</strong>. Adicionalmente, siel <strong>con</strong>vertidor se diseña <strong>de</strong> forma que el M<strong>CC</strong> se produce para valores elevados <strong>de</strong> latensión <strong>de</strong> entrada, la forma <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> la corriente <strong>de</strong> entrada incluso podría llegar apresentar un <strong>con</strong>tenido armónico menor al correspondiente a la operación en MCD.• Otro aspecto, susceptible <strong>de</strong> mejora y estudio adicional, se centra en buscar una estructuraque permita el disparo <strong>de</strong>l MOSFET S 2 aprovechando la tensión que aparece en el<strong>de</strong>vanado secundario <strong>de</strong>l transformador T 1 (utilizando una técnica similar a la rectificaciónsíncrona auto-excitada). De esta forma se eliminaría la necesidad <strong>de</strong>l transformador <strong>de</strong>pulsos o <strong>de</strong> otra solución <strong>de</strong> disparo <strong>con</strong> aislamiento. Conseguir esta mejora aumentaría elinterés <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor SII-B-2D, ya que las ventajas que éste posee (una reducida lista <strong>de</strong>materiales y la posibilidad <strong>de</strong> minimizar el tamaño <strong>de</strong>l componente magnético <strong>de</strong> su<strong>con</strong>vertidor interno 1) resultan un tanto enmascaradas por la necesidad <strong>de</strong> aislamiento paradisparar el MOSFET S 2 . Por otro lado, la operación en M<strong>CC</strong> también beneficiaría estaposibilidad, ya que este modo <strong>de</strong> operación lleva asociada una forma <strong>de</strong> onda en la tensión<strong>de</strong>l transformador T 1 que facilitaría el disparo <strong>de</strong>l MOSFET S 2 .• Investigar la posibilidad <strong>de</strong> implementación <strong>de</strong>l <strong>con</strong>vertidor interno 1 mediante la topologíaForward ya que la transferencia directa <strong>de</strong> energía asociada a esta topología aumentaría elrendimiento <strong>de</strong> la solución y el rango <strong>de</strong> potencia, siempre y cuando éste no se vieralimitado por el mayor <strong>con</strong>tenido armónico previsiblemente asociado a esta solución.364


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$ ,QWURGXFFLyQ$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRPara comparar entre las topologías SII y éstas <strong>con</strong> otras soluciones <strong>de</strong>l estado <strong>de</strong> la técnica, se ha<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado la tensión media en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, pero se ha prescindido <strong>de</strong>lrizado. Se persigue, <strong>con</strong> ello, simplificar el estudio y po<strong>de</strong>r comparar soluciones <strong>de</strong> las que no setiene posibilidad <strong>de</strong> calcular dicho rizado.Ahora bien, para seleccionar correctamente la tensión <strong>de</strong> ruptura <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, es necesario al menos estimar el valor <strong>de</strong>l rizado <strong>de</strong> 100 Hz presente en sutensión.1a)b)c)&LFORÃGHÃ7UDEDMRd(Št)&RUULHQWHÃGHÃHQWUDGD‡ 2‡‡&RUULHQWHÃPHGLDÃHQÃ& &ÃDOPDFHQDÃHQHUJtDv RECT (Št)&ÃFHGHÃHQHUJtD2‡2‡ŠtŠtŠtLa corriente media que circula por el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, C 1(promedia-da en un periodo <strong>de</strong><strong>con</strong>mutación) a<strong>de</strong>más <strong>de</strong> establecer elbalance <strong>de</strong> energía en los <strong>con</strong>vertidores SII(figura A.1.c), impondrá el rizado <strong>de</strong> 100Hz que aparece en la tensión <strong>de</strong> este<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador (figura A.1.d).La primera posibilidad es calcular <strong>de</strong>manera exacta dicho rizado, tal y como sehace en los programas <strong>de</strong> cálculo, a partir <strong>de</strong>la expresión (A.1):21D Y & 1= ×ò L&1( w W)× GwW& × w(A.1)1qq1d)7HQVLyQÃHQÃ& D Y C1q 1 q 2V C12‡Št)LJXUD$(YROXFLyQFRQHOiQJXORGHUHGGHDWHQVLyQGHHQWUDGD\FLFORGHWUDEDMREFRUULHQWHGHHQWUDGDFFRUULHQWH\GWHQVLyQHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRDon<strong>de</strong> w es la pulsación <strong>de</strong> red y losángulos q 1 y q 2 se representan en la figuraA.1.d.Los programas <strong>de</strong> cálculo pue<strong>de</strong>n calcular<strong>de</strong> manera exacta el valor <strong>de</strong>l rizado, D Y C1 , apartir <strong>de</strong> una función <strong>de</strong> integraciónnumérica, pero sin embargo, no se tiene unaexpresión analítica <strong>de</strong> este rizado. El375


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRobjetivo <strong>de</strong> este anexo es establecer una expresión que proporcione, aunque <strong>de</strong> forma aproximada,el valor <strong>de</strong>l rizado en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. La ventaja fundamental <strong>de</strong> estaaproximación, no es tanto la rapi<strong>de</strong>z <strong>de</strong> cálculo sino establecer el valor <strong>de</strong>l rizado en función <strong>de</strong>magnitu<strong>de</strong>s bien <strong>con</strong>ocidas, como la potencia <strong>de</strong> carga o el propio valor medio <strong>de</strong> la tensión en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, para po<strong>de</strong>r comparar <strong>con</strong> otras soluciones.$ )XQFLyQ DSUR[LPDGD D OD FRUULHQWH TXH FLUFXOD SRU HOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRLa aproximación que se va a realizar, para estimar el rizado en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento, <strong>con</strong>siste en buscar una función matemática sencilla cuya forma <strong>de</strong> onda seaproxime lo más posible a la forma <strong>de</strong> onda que presenta la corriente que circula por dicho<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador y que se representa en la figura A.1. En esta figura se pue<strong>de</strong> comprobar cómo lacorriente media por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento presenta una forma <strong>de</strong> onda muy similar aun sinusoi<strong>de</strong> rectificada.Ahora bien, ya que el régimen permanente, en los <strong>con</strong>vertidores SII, se caracteriza por elequilibrio energético en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento (a 100 Hz, la energía almacenada ycedida <strong>de</strong>be igualarse, ver figura A.1.c), la corriente media, que circula por este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador,<strong>de</strong>be ser nula. Por tanto la expresión matemática que se utilice como aproximación <strong>de</strong>berápresentar valor medio nulo, al promediar en un semiperiodo <strong>de</strong> red.Teniendo en cuenta estos aspectos se va a proponer como función matemática aproximada, unasinusoi<strong>de</strong> rectificada a la que se le sustraerá su valor medio. A <strong>con</strong>tinuación se realizará unestudio acerca <strong>de</strong> la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong> esta aproximación, en función <strong>de</strong>l diseño que presente el<strong>con</strong>vertidor SII o <strong>de</strong>l valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada y posteriormente, se proce<strong>de</strong>rá alcálculo <strong>de</strong>l rizado a partir <strong>de</strong> la corriente propuesta como aproximación.Teniendo en cuenta las <strong>con</strong>si<strong>de</strong>raciones realizadas, se elige como función matemática para<strong>de</strong>scribir <strong>de</strong> forma aproximada la corriente por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, una sinusoi<strong>de</strong>rectificada <strong>de</strong> valor medio nulo, cuya expresión se recoge en (A.2).2I ( w W)= $ × 6HQ(w W)- $ ×p(A.2)don<strong>de</strong> A es la amplitud <strong>de</strong> la sinusoi<strong>de</strong> y la expresión (A.3) recoge el valor medio, alpromediar entre 0 y p .2I PHG = $ ×p(A.3)Por tanto, como se pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>ducir <strong>de</strong> (A.2), la expresión (A.3) representa también el valor mínimoque alcanza esta función aproximada.En cualquier topología SII se verifica, que en el paso por cero <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada, toda lapotencia <strong>de</strong> carga la proporciona el <strong>con</strong>vertidor interno 1, a partir <strong>de</strong> la energía almacenada en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, por tanto para w t = 0 <strong>de</strong>be cumplirse (A.4).376


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR3L & 1(0)=92& 1(A.4)La función aproximada, <strong>de</strong>berá presentar un valor para w t = 0, que verifique la alimentación <strong>de</strong> lacarga a partir <strong>de</strong> la energía <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, <strong>de</strong> esta manera se impondrá elvalor <strong>de</strong> la <strong>con</strong>stante A, amplitud <strong>de</strong> la sinusoi<strong>de</strong>.Igualando los valores, para w t = 0, <strong>de</strong> la función aproximación y <strong>de</strong> la corriente media en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, se obtiene (A.5) y a partir <strong>de</strong> esta, la expresión <strong>de</strong>finitiva para lafunción aproximada, vendrá dada por (A.6).23 p 3$ × = L (0) = Þ $ = ×22& 1p 9&12 9(A.5)& 1p 32I ( w W)= × × 6HQ(w W)-2 9& 1392& 1(A.6)$ (VWXGLRGHODYDOLGH]GHODDSUR[LPDFLyQSURSXHVWDPara verificar la vali<strong>de</strong>z <strong>de</strong> la aproximación propuesta, se ha recurrido al programa <strong>de</strong> cálculo <strong>de</strong>la topología SII-F2, y <strong>con</strong> el se han representado la corriente media <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento y la función aproximada recogida en (A.6). La forma <strong>de</strong> onda exacta <strong>de</strong> lacorriente en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>pen<strong>de</strong> <strong>de</strong>l valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia<strong>de</strong> simple procesado, K P , como se pue<strong>de</strong> comprobar en la figura (A.2).En la figura A.2, se han representado los casos extremos que pue<strong>de</strong>n producirse en un <strong>con</strong>vertidorSII operando <strong>con</strong> tensión universal. Pue<strong>de</strong> comprobarse, en esta figura cómo, para el valorreducido <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> simple procesado (que se produce cuando la tensión <strong>de</strong>red toma el valor más bajo <strong>de</strong>ntro <strong>de</strong> su rango <strong>de</strong> variación), la función aproximada y la corrientemedia que circula por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento son prácticamente idénticas, tomandouna forma casi sinusoidal si se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra el intervalo 0 a p , (ver figura A.2.a).2101V E = 85 V EF.a) b). 3 Ãp 323I (w W) = ××6HQ(w W) -2 99L &1 W(w)&12&12101V E = 265 V EF.. 3 Ã2340 1.57 3.14 4.71 6.28w t2340 1.57 3.14 4.71 6.28w t)LJXUD$&RUULHQWHUHDOSRUHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\VXIXQFLyQDSUR[LPDGDSDUDHOFRQYHUWLGRU6,,)RSHUDQGRFRQWHQVLyQGHHQWUDGDXQLYHUVDO377


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSin embargo para valores más elevados <strong>de</strong> K P , la corriente real por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento presenta una forma más achatada y por tanto aparece una discrepancia entreambas funciones (figura A.2.b). En el apartado 5.3.2.5, se <strong>de</strong>terminó que el valor <strong>de</strong> K P aumenta<strong>con</strong> el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada. Por lo tanto, para 265 V EF. , caso para el que ha <strong>de</strong>calcularse el valor <strong>de</strong>l rizado en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, la aproximación no es <strong>de</strong>ltodo exacta.Aunque las formas <strong>de</strong> onda <strong>de</strong> ambas funciones son diferentes, no se <strong>de</strong>be per<strong>de</strong>r <strong>de</strong> vista, quequien impone el valor <strong>de</strong>l rizado en la tensión <strong>de</strong> un <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador es la integral o el área bajo lacurva <strong>de</strong> la corriente. En la figura A.2.b, se pue<strong>de</strong> observar cómo el área bajo la curva <strong>de</strong> querepresenta la función aproximada es mayor que la correspondiente a la corriente real. Por tanto, elvalor que se calcule a partir <strong>de</strong> la aproximación propuesta será una cota superior al valor <strong>de</strong>lrizado. Cabe preguntarse si la relación <strong>de</strong> áreas y por tanto la relación entre los valores que, parael rizado en la tensión <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, pue<strong>de</strong>n calcularse por cada uno <strong>de</strong> losdos métodos, se <strong>con</strong>serva o por el <strong>con</strong>trario sólo se pue<strong>de</strong> utilizar el método aproximado paraestimar al alza el valor <strong>de</strong> dicho rizado.Como se <strong>de</strong>scribió en el apartado 5.4.2.1, para que un <strong>de</strong>terminado <strong>con</strong>vertidor SII cumpla <strong>con</strong> loslímites <strong>de</strong> la Clase D <strong>de</strong> la norma IEC 61000-3-2, su diseño <strong>de</strong>berá obtener, para 230 V EF. <strong>de</strong>tensión <strong>de</strong> entrada, un valor <strong>de</strong> K P inferior a 0,78. Esto supone, que para los diseños a los que seexija: cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> Clase D y máximo rendimiento (selección <strong>de</strong>l máximo valor<strong>de</strong> K P permitido), <strong>de</strong>berán presentarán valores <strong>de</strong> K P para las tensiones extremas <strong>de</strong>l rango <strong>de</strong>tensión universal, también <strong>con</strong>ocidos, y que se han <strong>de</strong>terminado en 0,55 para 85 V EF. y 0,8aproximadamente para 265 V EF.Por tanto, para un valor fijo <strong>de</strong> K P = 0,8 para 265 V EF. la relación entre las áreas bajo la curva <strong>de</strong>la función aproximada, y la curva <strong>de</strong> la corriente media, será <strong>con</strong>stante, ya que la forma <strong>de</strong> lacorriente real también lo será, <strong>de</strong>bido a que tanto el valor <strong>de</strong> K P como el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión<strong>de</strong> entrada, han sido impuestos. A partir <strong>de</strong> los programas <strong>de</strong> cálculo, se ha <strong>de</strong>terminado el valor<strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> áreas, que se recoge en (A.7).L &1 (wW)I(w W)q 1 q 2 j 1 j 2w t)LJXUD$ÈUHDVEDMRODFRUULHQWHUHDOHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR\EDMRODIXQFLyQDSUR[LPDGDqq2òj1j2ò1LI ( w W)× GwW& 1( w W)× GwW»1,5(A.7)Don<strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> integración, y las áreasque se calculan, se representan el la figuraA.3.Por tanto, a partir <strong>de</strong> la relación recogida en(A.7) y una vez <strong>de</strong>terminada el área bajo lacurva aproximación, podrá estimarse elvalor <strong>de</strong>l rizado en <strong>de</strong>l <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento.378


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$ ([SUHVLyQ DSUR[LPDGD SDUD HO UL]DGR HQ OD WHQVLyQ GHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWREl valor <strong>de</strong>l rizado, <strong>con</strong>si<strong>de</strong>rando que la corriente que circula por el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento correspon<strong>de</strong> a la función Iw W, viene dada por la expresión (A.8):1&2[ D Y ] = × ò ( $ . 6HQ(w W)- $ × ) ×& 1 0$;1WW12pGW(A.8)El valor <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> integración se recoge en (A.9) y (A.10):WW12- 1( 2 p )= 6HQw7= -2- 16HQ (w2p )y resolviendo la integral que aparece en (A.8), se obtiene:(A.9)(A.10)2 × $ é2& 1 × êp2& w ëpp(A.11)- 1- 1 ù[ D ] = × &RV(6HQ (2)) - 1+× 6HQ ( )ú ûY0$;1En la expresión (A.11), la <strong>con</strong>stante A toma el valor que se <strong>de</strong>dujo en la expresión (A.5) y eltérmino entre corchetes resulta también <strong>con</strong>stante y <strong>de</strong> valor 0,2105. Por tanto, sustituyendo estosresultados en (A.11), se obtiene:Y 2 32& 1 0$;=3×& × w × 95L]DGRPi[LPR (A.12)[ D ]1& 1Teniendo en cuenta la relación <strong>de</strong> la áreas bajo la corriente real y la función aproximada, que serecoge en (A.7), en (A.13) se obtiene el valor aproximado <strong>de</strong>l rizado en la tensión <strong>de</strong>l<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento, cuyo valor máximo viene dado por (A.12).[ D Y ]& 1 $34= ×9 &132× w × 95L]DGRDSUR[LPDGR (A.13)& 1Cualquiera <strong>de</strong> estos valores, (A.12) y (A.13), respon<strong>de</strong> a una expresión más general (A.14), en laque se <strong>de</strong>staca el valor eficaz <strong>de</strong> la tensión <strong>de</strong> entrada para la que ha <strong>de</strong>bido ser calculado eltérmino correspondiente. De esta forma, el valor medio <strong>de</strong> la tensión en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong>almacenamiento correspon<strong>de</strong>rá a los 265 V EF. mientras que el valor <strong>de</strong> capacidad <strong>de</strong>berá habersido diseñado para 85 V EF. .[ D Y ]& 1 ;= N;×&1@8532× w × 9(A.14)& 1@ 265Don<strong>de</strong> k X es una <strong>con</strong>stante que toma el valor 2/3 o 4/9 según se esté calculando el valormáximo, o aproximado, <strong>de</strong>l rizado.379


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR$ &RQFOXVLRQHVLa ventaja <strong>de</strong> obtener una solución analítica, aunque aproximada, para el valor <strong>de</strong>l rizado en el<strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento radica en que ésta permite <strong>de</strong>terminar la ten<strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> este rizado<strong>con</strong> el diseño que se seleccione y también comparar <strong>con</strong> otras soluciones <strong>de</strong>l Estado <strong>de</strong> la Técnica.El rizado que aparece en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong> un <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> en dosetapas, que se sitúa a la salida <strong>de</strong>l pre - regulador <strong>de</strong>l factor <strong>de</strong> potencia, si se <strong>con</strong>si<strong>de</strong>ra a<strong>de</strong>másque esta solución <strong>con</strong>sume <strong>de</strong> la red una corriente sinusoidal pura, viene dado por la expresión(A.15).[ D Y ]& 1 2(32=& × w × 9(A.15)1& 1Si se toma el valor anterior, y <strong>con</strong> él se normalizan los valores <strong>de</strong>l rizado máximo y aproximadoque se han calculado para los <strong>con</strong>vertidores SII en las expresiones (A.12) y (A.13), se pue<strong>de</strong> trazarel gráfico <strong>de</strong> la figura A.4. En esta figura, se ha representado el valor <strong>de</strong>l rizado normalizadofrente al valor <strong>de</strong>l tanto por uno <strong>de</strong> simple procesado que presenta un <strong>con</strong>vertidor SII a 265 V EF. ,K P@265 , y a partir <strong>de</strong> su observación se pue<strong>de</strong>n <strong>de</strong>stacar algunos aspectos interesantes:1.2& X P S O H & O D V H ' 1 R R S W L P L ]D K1 R F X P S O H & O D V H '5L ]D GR QR UP D O L ]D GR2 ETAPASMÁXIMOAPROX.0.80.60.40.2[ D]&×w×91&1Y &1×32= F(K P@265 )00.4 0.5 0.6 0.7 0.9 1.1K P@265Máximo h+ Clase D)LJXUD$5L]DGRQRUPDOL]DGRUHVSHFWRGHOFRUUHVSRQGLHQWHDXQFRQYHUWLGRUHQGRVHWDSDVFRQFRUULHQWHGHHQWUDGDVLQXVRLGDOIUHQWHDOYDORUGHO. 3 SDUD9 () El valor 0,8 para K P@265 , correspon<strong>de</strong> al mejor diseño (cumplimiento <strong>de</strong> los límites <strong>de</strong> Clase D yoptimización <strong>de</strong>l rendimiento) que pue<strong>de</strong> realizarse <strong>con</strong> un <strong>con</strong>vertidor SII y por tanto para él seha <strong>de</strong>finido el valor aproximado <strong>de</strong>l rizado, a partir <strong>de</strong> la relación <strong>de</strong> áreas que se <strong>de</strong>terminaba en(A.7). El valor normalizado para el rizado aproximado se sitúa en 4/9 (44%) <strong>de</strong>l valorcorrespondiente al <strong>con</strong>vertidor <strong>CA</strong> / <strong>CC</strong> en dos etapas <strong>con</strong> corriente sinusoidal.380


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWRSi se escoge un diseño <strong>de</strong> manera que a 265 V EF. se obtenga un valor <strong>de</strong> K P inferior a 0,8, secumplirán los límites <strong>de</strong> la Clase D, pero el rendimiento será inferior, ya que entonces, el<strong>con</strong>vertidor interno 1 ha <strong>de</strong> transferir una mayor cantidad <strong>de</strong> energía, bajando el rendimiento (verapartado 5.3.2.2). También, <strong>de</strong>bido al aumento <strong>de</strong> la energía que ha <strong>de</strong> transferirse por la vía <strong>de</strong>procesado doble, aumentará el rizado en el <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento. Ahora bien, el límitesuperior a este rizado, en el caso <strong>de</strong> los <strong>con</strong>vertidores SII, se sitúa en 2/3 (67%) <strong>de</strong>lcorrespondiente al <strong>con</strong>vertidor en dos etapas.Si se <strong>de</strong>termina un valor para K P@265 mayor a 0,8, se obtendrá un valor inferior al que se ha<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rado como correspondiente a los <strong>con</strong>vertidores SII y que se ha <strong>de</strong>finido como valoraproximado. Esto se <strong>de</strong>be a que la relación <strong>de</strong> áreas = 1,5 se fijó para el diseño <strong>de</strong> K P = 0,8, por<strong>con</strong>si<strong>de</strong>rarse éste el más interesante. Por otro lado, aumentar el valor <strong>de</strong> K P supone no cumplir loslímites <strong>de</strong> Clase D y, ya que se transfiere menos energía por la vía <strong>de</strong> procesado doble y por tantoel <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador <strong>de</strong> almacenamiento <strong>de</strong>be almacenar y ce<strong>de</strong>r una cantidad <strong>de</strong> energía menor, elvalor <strong>de</strong>l rizado en la tensión <strong>de</strong> este <strong>con</strong><strong>de</strong>nsador se reducirá también.381


$QH[R$(VWLPDFLyQGHOUL]DGRHQHOFRQGHQVDGRUGHDOPDFHQDPLHQWR382

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