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Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

Ce travail

Ce travail de recherche a été réalisé dans trois laboratoires différents. Je remercie donc Monsieur Cléchet, directeur du Laboratoire de Physico-Chimie des Interfaces (LPCI de l'Ecole Centrale de Lyon) le directeur de l'équipe "Semiconducteurs Désordonnés et Interfaces" du LEPES (CNRS de Grenoble), Monsieur J.0 Bruyère et le directeur de la sàciété Soléa- Tacussel, Monsieur K.J. Kristensen qui m'ont permis d'entreprendre ce travail. Par ailleurs, je remercie tout particulièrement mes deux directeurs de thèse, Madame Jaffrezic, Directeur de recherche au LPCI et Monsieur Cros, Maître de conférence au LEPES qui ont encadré ce travail pendant trois ans avec beaucoup de compétences, de patience, de gentillesse et d'enthousiasme. J'ai trouvé en eux des interlocuteurs prêts à répondre à toutes mes questions. Je tiens à leur exprimer ma plus vive reconnaissance. Je remercie également Monsieur Fombon, Directeur de Recherche à la Société Soléa- Tacussel de Villeurbanne, pour ses nombreux conseils et pour sa contribution au suivi de ce travail. A Monsieur Vedel, Directeur de Recherche au CNRS et Monsieur Robert, Professeur à l'Université de Montpellier II, je tiens à leur témoigner ma reconnaissance pour avoir accepté d'être rapporteur pour ce travail. A Monsieur Martin, Directeur de l'Economie, de la Recherche et de l'Enseignement Supérieur à la Région Rhône-Alpes qui a accepté de participer à ce jury j'adresse mes sincères remerciements. Ma reconnaissance va aussi à Messieurs Martelet de l'Ecole Centrale de Lyon et Pedone de la Société Soléa- Tacussel, qui grâce à leurs expériences, m'ont été d'une aide précieuse pour la réalisation de ce travail. Je tiens à remercier Monsieur Christian Bianchin, ingénieur d'études au LEPES, et Mademoiselle Eymin technicienne à l'Ecole Centrale de Lyon, pour l'assistance technique qu'ils m'ont apportée durant ce travail. Qu'il me Soit également permis de souligner le plaisir que j'ai éprouvé en la compagnie de mes camarades thésards entre autre de Madame Burnichon (ex Billard) et de toutes les autres personnes des différents laboratoires, grâce à l'ambiance chaleureuse qu'ils y font régner.

Q ilFflAll11 Q INTRODUCTION GENERALE i Q cÀJPIt'1rII AIIW I1TII ll4IF YTII JII 1T lET Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) 1.1) Principe de fonctionnement 1.1 .1) Structure du MOSFET 1.1.2) Principe de fonctionnement du MOSFET 1.1.3) Principe de l'ISFET 6 1.2) Expression du potentiel de surface d'un isolant (silice) en fonction du pH 7 1.3) Principaux types de membranes sélectives 1.3.1) Les couches sensibles aux protons 1.3.2) Les membranes sensibles aux ions autres que le proton 9 1.4) Instrumentation pour l'ISFET 1.4.1) Mesure de ID 1.4.2) Mesure de VG à ID et VS constants 1.4.3) Mesure de VS à VG et ID constants ¡.4.4) Mesure d(fférentielle Electrodes conventionnelles de type ISE (Ion selective Electrode) 11.1) Principe de fonctionnement des électrodes de verre 11.2) Equations caractéristiques de la réponse au pH 11.3) Principaux types d'électrodes sélectives aux protons 11.3.1) Les électrodes à hydrogène 11.3.2) L'électrode quinhydrone 11.3.3) Les électrodes métalliques 11.3.4) Les électrodes de verre 11.4) Les électrodes à membranes sensibles aux ions autres que l'hydrogène 11.4.1) Electrodes à membranes solide 11.4.2) Electrodes à membranes de verre page 4 4 4 4 8 8 10 12 12 13 13 14 14 16 18 18 18 19 20 20 20 20

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