Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Sommaire
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
V.A.3. Circuits disponibles........................................................................................................................................ 182
V.A.4. Prise en compte des parasites dans le back-end ............................................................................... 184
V.A.5. Définition de source de variation aléatoire des paramètres technologiques pour prise en
compte de la variabilité. ................................................................................................................................................ 185
V.A.6. Validation de la méthode par comparaison avec un modèle SPICE ......................................... 186
V.B. COMPARAISON DES PERFORMANCES AU NŒUD 20NM ..................................................................................... 187
V.B.1. Contexte .............................................................................................................................................................. 187
V.B.2. Définition des dispositifs ............................................................................................................................. 187
V.B.3. Comparaison des performances statiques........................................................................................... 196
V.B.4. Robustesse à la variabilité ......................................................................................................................... 196
V.B.5. Evaluation des capacités parasites ........................................................................................................ 198
V.B.6. Conditions de simulations : ........................................................................................................................ 199
V.B.7. Ring d’inverseur FO1 avec charge additionnelle de sortie variable ......................................... 200
V.B.8. Ring d’inverseur FO3 avec charge additionnelle de sortie variable ......................................... 204
V.B.9. Chemin critique DDR3 .................................................................................................................................. 211
V.C. CONCLUSION DU CHAPITRE .................................................................................................................................. 211
CHAPITRE VI: EVALUATION DES PERFORMANCES AU NŒUD 14-16 NM ..................................... 215
VI.A. CONTEXTE ............................................................................................................................................................. 216
VI.B. ESTIMATION DES PERFORMANCES LOGIQUES AU NŒUD 14NM ....................................................................... 216
VI.B.1. Définition des dispositifs ............................................................................................................................. 216
VI.B.2. Performance statique ................................................................................................................................... 217
VI.B.3. Evaluation des capacités parasites ........................................................................................................ 218
VI.B.4. Anneaux résonnants d’inverseur FO3 avec charge additionnelle de sortie variable ........ 220
VI.C. PERFORMANCE SRAM ........................................................................................................................................ 224
VI.C.1. Définition des dispositifs ............................................................................................................................. 224
VI.C.2. Définition des dessins de cellule SRAM.................................................................................................. 226
VI.C.3. Définition des sources de variabilité ...................................................................................................... 228
VI.C.4. Simulations de cellules SRAM, incluant la variabilité .................................................................... 229
VI.C.5. Extraction de la tension minimale d’alimentation (VMIN) ............................................................ 230
VI.D. CONCLUSION DU CHAPITRE .................................................................................................................................. 233
CONCLUSION GENERALE ................................................................................................................................ 235
BIBLIOGRAPHIE ................................................................................................................................................ 241
PUBLICATIONS DE L’AUTEUR ...................................................................................................................... 255
ANNEXE ................................................................................................................................................................ 257
10