Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des ...

tel-00117263, version 2 - 29 Jan 2007
FIG. I.19 – Variation de la tension de seuil en fonction de la polarisation du Drain.
I.3.3 Réduction de la mobilité des porteurs
Chapitre I
La mobilité des porteurs dans le silicium peut être sensiblement réduite par leur environne-
ment immédiat : quantité de dopants, température [21]. Les champs électriques vertical ( � FOX)
et latéral ( � ξ) ont chacun un rôle important dans la dégradation de la mobilité des porteurs. On
attribue la réduction par FOX à trois phénomènes (figure I.20) :
• les interactions avec les phonons
• les interactions coulombiennes
• les interactions avec la rugosité de surface
F OX
SiO 2
Si
2
1
5
3
4
G
S D
1. Porteurs minoritaires
2. Charges dans l’oxyde (fixes/mobiles)
3. Impuretés ionisées
4. Etats d’interface
5. Rugosité de l’interface
FIG. I.20 – Représentation des effets responsables de la réduction de la mobilité.
a ) Collisions avec les phonons
A une température donnée, les porteurs sont en interaction avec les atomes du réseau cris-
tallin qui vibrent autour de leur position d’équilibre. Cette interaction se traduit par le gain ou
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