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Bestimmung von Segregationspro len in InxGa1-x As ...

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(hkl) S(ghkl)

(hkl) S(ghkl) S(ghkl, x) = ∂ ∂x F(ghkl, x) F(ghkl, 0) T = 0 u(t) V (r, t) = V (r + u(t))

u u 〈V (r, t)〉t = V (r) + 〈u2 〉t d 2! 2V dr2 u=0 〈f (q)〉t = f (q) exp(−2π 2 〈u 2 〉tq 2 ) = f 2 q (q) exp −B(T ) 2 B B g(ω) B(T ) = 4π2 ω g(ω) coth dω m 2kT ω ω I(ghkl) ∝ |F (ghkl)| 2 g000 V Ψ(r) = Ψ0 exp(−iσV (r))

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