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Aula 1- Propriedades Elétricas - Sistemas

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<strong>Propriedades</strong> Elétricas


Lei de Ohm<br />

V RI<br />

J E<br />

V - voltagem entre<br />

terminais separados por<br />

distância l<br />

R - resistência elétrica<br />

I - corrente elétrica que<br />

atravessa uma seção<br />

transversal de área A<br />

R<br />

onde<br />

l<br />

<br />

A<br />

<br />

1<br />

<br />

E=V/l – campo elétrico<br />

- resistividade elétrica<br />

J=I/A – densidade de<br />

corrente<br />

- condutividade elétrica


Condução Eletrônica e Iônica<br />

• A corrente elétrica é conseqüência da<br />

movimentação de cargas elétricas na presença<br />

de campo elétrico;<br />

• Movimento de elétrons e buracos (metais e<br />

semicondutores) condução eletrônica<br />

• Movimento de íons (materiais iônicos – isolantes)<br />

condução iônica


Bandas em Sólidos<br />

Origem


Energia<br />

Bandas em Sólidos<br />

Esquema<br />

• Átomos isolados têm níveis<br />

de energia discretos.<br />

• Aproxima-se os átomos <br />

superposição dos níveis de<br />

energia de cada um.<br />

Banda<br />

permitida<br />

GAP<br />

Banda<br />

permitida<br />

GAP<br />

• Existirão faixas de energia<br />

possíveis aos elétrons -<br />

BANDAS PERMITIDAS<br />

• Também existirão faixas de<br />

energia que não são<br />

possíveis de ocupação por<br />

elétrons – GAP = Bandas<br />

Proibidas<br />

Banda<br />

permitida<br />

GAP<br />

Banda<br />

permitida<br />

GAP


Estrutura de Bandas em Sólidos<br />

Energia<br />

dos<br />

elétrons<br />

Banda de<br />

Condução<br />

gap<br />

Banda de<br />

Condução<br />

Nivel de Fermi<br />

Isolantes - gap muito<br />

grande; em temperaturas<br />

“normais” nenhum elétron<br />

consegue passar da banda<br />

de valência para de<br />

condução.<br />

Banda de<br />

Valência<br />

isolantes<br />

Banda de<br />

Valência<br />

semicondutores<br />

Nível de Fermi (E F ) é o valor de energia<br />

máximo de ocupação de estados<br />

eletrônicos na temperatura zero absoluto<br />

(0 K)<br />

Semicondutores – o<br />

gap não é tão grande; uma<br />

fração de elétrons pode<br />

passar para a banda de<br />

condução por ativação<br />

térmica.


Condução em termos do modelo de<br />

bandas<br />

• Somente elétrons E >E F participam da condução – são<br />

chamados de elétrons livres.<br />

• Há também o buraco, que tem carga elétrica positiva e é<br />

encontrado em semicondutores e isolantes. Os buracos<br />

têm energia menor que a energia de Fermi e também<br />

participam da condução.<br />

• A condutividade elétrica é uma função direta do número<br />

de elétrons livres e buracos e este número é que<br />

permite diferenciar um condutor de um não-condutor.


Condução em Condutores<br />

Nivel de Fermi<br />

Estados<br />

vazios<br />

Estados<br />

preenchidos<br />

Não há gap<br />

em condutores<br />

Mar de Fermi<br />

• Estatística de Fermi<br />

Bandas cheias e gaps (abaixo)


Transporte de cargas<br />

Cálculo da Condutividade Elétrica<br />

• Campo elétrico (E) causa a aceleração<br />

de elétrons na direção oposta a E e de<br />

buracos na direção de E. A velocidade<br />

das cargas é a velocidade de arraste v d<br />

(drift) :<br />

v d<br />

E<br />

• é a mobilidade; na<br />

banda de condução –<br />

elétrons ( n ); na banda<br />

de valência - buracos<br />

( p ).<br />

• A densidade de corrente J devido a E é:<br />

J n<br />

J n<br />

n<br />

n<br />

e v<br />

e <br />

n<br />

d<br />

n<br />

n<br />

p<br />

E n<br />

p<br />

e v<br />

p<br />

d<br />

e <br />

p<br />

E<br />

<br />

n<br />

<br />

J E<br />

p<br />

n<br />

n<br />

e <br />

n<br />

n<br />

p<br />

e <br />

p


Condutores


Condutividade Elétrica em Metais<br />

(CONDUTORES)<br />

• Em metais a condutividade elétrica é dada por :<br />

<br />

n<br />

n e <br />

n<br />

n<br />

onde n n é o número de elétrons livres por unidade de<br />

volume, e = 1,6 10 -19 C.<br />

Espalhamento (choque) dos elétrons<br />

Mobilidade dos elétrons A condutividade elétrica <br />

Fontes de espalhamento:<br />

- defeitos da rede: impurezas, intersticiais, composição;<br />

- vibrações térmicas (fônons);<br />

- deformação plástica (discordâncias).


Resistividade Elétrica em Metais<br />

= 1/<br />

Regra de Matthiessen :<br />

total<br />

<br />

t<br />

<br />

i<br />

<br />

<br />

d<br />

Contribuições<br />

t – térmica (fónons)<br />

i – impurezas (ligas e intersticiais)<br />

d –deformação (discordâncias)<br />

Influência da Temperatura (1 )<br />

0 e a – constantes específicas de cada metal<br />

t<br />

0<br />

aT


Influência de Impurezas<br />

<br />

i<br />

<br />

<br />

V<br />

<br />

<br />

<br />

<br />

V<br />

´s e V´s - resistividades e<br />

frações volumétricas das<br />

fases e <br />

<br />

<br />

i<br />

<br />

A.C .(1<br />

i<br />

C )<br />

i<br />

C i - concentração da<br />

impureza em sol. sólidas;<br />

A - constante<br />

Influência de<br />

Deformação<br />

Neste caso a presença de<br />

discordâncias causaria um aumento em<br />

total independente da temperatura


Resistividade elétrica em cobre; ligas de<br />

cobre e o efeito da deformação


Resistividade elétrica de liga cobre e<br />

zinco, em função da quantidade de Zn


Tabela 19.1 Condutividades Elétricas à<br />

Temperatura Ambiente para Nove Metais e<br />

Ligas Comuns


Resistividade e Coeficiente de Temperatura em<br />

20 o C<br />

<br />

t<br />

0(1<br />

aT)


Termopares - Funcionamento


Termopares<br />

Tipo Nome Usual Elemento<br />

positivo<br />

B Platina-Rodium /<br />

Platina-Rodium<br />

E Cromel /<br />

Constantan<br />

Elemento<br />

negativo<br />

Temperatura<br />

Máxima (C)<br />

70 Pt –30 Rh 94Pt-6Rh 1700<br />

90 Ni -9 Cr 44Ni-55Cu 870<br />

J Ferro / Constantan Fe 44Ni-55Cu 760<br />

K Cromel / Alumel 90 N i-9 Cr 94 Ni -Al 1260<br />

R<br />

S<br />

Platina / Platina-<br />

Rodium<br />

Platina / Platina-<br />

Rodium<br />

87 Pt –13 Rh Pt 1480<br />

90 Pt –10 Rh Pt 1480<br />

T Cobre / Constantan Cu 44Ni-55Cu 370<br />

Limitações de uso:<br />

- Temperatura - ponto de fusão - oxidação


Efeito Hall


Corrente (i)<br />

+<br />

Campo<br />

Magnético (B)<br />

O que é?<br />

z<br />

y<br />

x<br />

F m<br />

<br />

F m<br />

<br />

<br />

qv<br />

<br />

B<br />

A separação das cargas na lateral produzirá<br />

um campo elétrico (uma força entre elas F e )<br />

e consequentemente uma voltagem<br />

mensurável entre os dois lados do condutor<br />

(reação ao campo magnético).<br />

Esta voltagem mensurável é chamada de<br />

Efeito Hall, descoberta por Edwin H. Hall em<br />

1879.


Balanço de Forças<br />

A força magnética sobre as cargas provoca a separação<br />

destas estabelecendo uma corrente perpendicular a<br />

direção de propagação da corrente inicial.<br />

Esta corrente cessará quando o balanço de cargas,<br />

positivas e negativas crie uma força elétrica que anule a<br />

força magnética sobre as cargas.<br />

<br />

F<br />

e<br />

<br />

F<br />

m<br />

ou<br />

<br />

qE<br />

<br />

qv B


Voltagem (tensão) Hall - V H<br />

Seja:<br />

c = espessura do condutor<br />

A = a área da seção transversal<br />

do condutor<br />

n = densidade de portadores<br />

(no./vol.)<br />

F e <br />

qE<br />

F m <br />

Fe F m<br />

V<br />

q<br />

c<br />

<br />

nqV <br />

c<br />

qvB<br />

nqvB<br />

qvB<br />

V<br />

E <br />

c<br />

c<br />

nqV <br />

c<br />

I<br />

B<br />

A<br />

V<br />

<br />

V<br />

H <br />

IBc<br />

nqA


O que se pode determinar<br />

medindo a tensão Hall?<br />

V<br />

H<br />

<br />

IBc<br />

nqA<br />

<br />

R<br />

H<br />

IBc<br />

A<br />

com<br />

Coeficiente Hall<br />

R H<br />

<br />

R H é constante para um dado material<br />

Em metais a condução é feita por elétrons:<br />

1<br />

nq<br />

R H<br />

<br />

1<br />

n e<br />

<br />

e<br />

<br />

<br />

n e<br />

Medindo-se V H e pode-se obter n e e , ou<br />

seja, a densidade de portadores e a mobilidade<br />

destes.

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