Каталог продукции ОАО "ФЗМТ"

Биполярные транзисторы с приемкой «5»Основные электрические параметры.Наимен.изделияТипкорпусаМаксимально допустимые параметрыV КЭ огр,V КБО проб,I К max,I К И max,Р К мах,Основные электрическиепараметрыh 21Э, U КЭ max, t рас, t сп,B B А А Вт ед. B мкс мкс2Т812А КТ-9 350 700 10 12 50 5—30 ≤2,5 ≤3,5 ≤1,32Т812Б5002Т826A КТ-9 500 700 1,0 15 10— ≤2,5 ≤3,0 ≤1,52T826Б600120 — — —2T826В5000,1— — —2Т839А КТ-9 700 1500 10 10 50 ≥5 ≤1,5 ≤10 ≤1,52Т844А КТ-9 250 250 10 20 50 10—50 ≤2,5 ≤2,0 ≤0,32Т845А КТ-9 400 400 5,0 7,5 40 15— ≤1,5 ≤4,0 ≤0,351002Т847A КТ-9 360 650 15 25 125 ≥8 ≤1,5 ≤3,0 ≤0,82Т926А КТ-10 — 200 15 25 50 10—60 ≤2,5 — —2Т935Б КТ-97В 70 130 20 30 90 12—55 ≤1,0 ≤1,5 ≤0,22Т935Б1 КТ-19А-32Т945А КТ-9 200 200 15 25 50 10—60 ≤2,5 ≤1,1 ≤0,242Т945Б150 1501510—602Т945В150 1502510—602Т945Г150 1502512—602Т949A КТ-19A-2 35 65 20 30 60 ≥10 ≤3,0 ≤0,12 ≤0,022Т9138А КТ-19A-3 100 200 5,0 10 50 ≥30 ≤1,5 ≤0,25 ≤0,052Т998А KT-10 55 100 15,0 15,0 40 ≥10 ≤1,0 ≤0,15 ≤0,022Т993А КТ-19А-2 70 150 5,0 10,0 50 ≥10 ≤2,0 ≤0,15 ≤0,022Т8294А КТ-9 450 700 15 25 125 ≥8 ≤1,0 ≤3,0 ≤0,152Т8294Б400 6502Т8294А1 КТ-97С 450 700 15 25 125 ≥8 ≤1,0 ≤3,0 ≤0,152Т8294Б1400 6502Т8294АС2Т8294БС2Т8294ВС2Т8294ГСКТ-19A-3 — 850 484848485010050100— ≤1,2≤1,5≤1,2≤1,5≤1,0≤1,5≤1,0≤1,5≤0,1

Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона с приемкой «1»Основные электрические параметры.Наимен.изделияКТ827АКТ827БКТ827ВКТ829АКТ829БКТ829ВКТ829ГКТ829ДКТ834АКТ834БКТ834ВКТ890АКТ890А1КТ890А2ТипкорпусаКТ-9КТ-28КТ-9Максимально допустимые параметрыV КЭ огр,B1008060100806045200500450400V КБО проб,B1008060100806045200500450400I К max,АI К И max,АР К мах,ВтОсновные электрическиепараметрыh 21Э, U КЭ max, t рас, t сп,ед.Bмксмкс20 40 125 ≥750 ≤2,0 ≤4,5 ≤1,28 12 60 ≥750 ≤2,0 ≤3,0 ≤1,015 20 100 ≥150 ≤2,0 ≤6,0 ≤0,5КТ-43 350 350 20 20 60 ≥300 ≤1,6 ≤8,0 ≤0,8Мощные IGBT транзисторы с приемкой «1»Основные электрические параметры.Наимен.изделияТипкорпусаU КЭК max,I К max,I К И max,U З проб max,BAAВВтКЕ802А КТ-9 600 23 46 1,5 100КЕ802Б КТ-9 600 23 46 0,6 100КЕ802В КТ-9 600 23 46 0,3 100КЕ802Г КТ-9 600 23 46 0,15 100P К max,

Симистор (триак) КУ614А, Б, В, А-5 АДКБ. 432160.340 ТУОАО «ФЗМТ» разработало и приступает к выпуску серии триаков (тиристоров триодных незапираемых симметричных) нанапряжения в закрытом состоянии 800В, 600В, 400В и токи 3А, 5А, 8А, 10А, 12А, 16А.Конструкция кристалла — планарная. Триаки могут поставляться в корпусах КТ-28 (ТО-220), КТ-90 (D 2 PAR) и в виде кристаллов(на общей пластине неразделенные либо разделенные). Металлизация кристалла:• рабочая сторона — Al толщиной 4—5 мкм для ультразвуковой приварки выводов из алюминиевой проволоки;• обратная сторона — Cr—Ni—Ag для пайки на мягкий припой.Поскольку кристаллы изготовлены по планарной технологии, при монтаже в гибридных схемах можно использовать автоматизированнуюсборку.В настоящее время освоено производство триаков КУ614А, A1, Б, Б1, В, В1, А-5 АДКБ. 432160.340ТУ на 800В, 600В, 400В и 8А.Если будет заинтересованность, мы готовы передать Вам образцы (бесплатно) для испытаний в Ваших изделиях и получить Вашизаме-чания и рекомендацииВ ближайшее время планируется освоение выпуска триаков с приемкой «5» в металлостеклянных (металлокерамических)корпусах КТ-97А (ТО-257), КТ-97В (ТО-254), КТ-97А -4 (D 2 PAK).

Высоковольтные планарные триакиКУ614А, Б, В (в корпусе КТ-28), КУ614А1, Б1, В1 (в корпусе КТ-90),КУ614А-5 (на общей пластине) АДКБ. 432160.340ТУУсловное обозначениеКУ614А, Б, В в корпусеКТ-28 (ТО-220)КУ614А1, Б1, В1 вкорпусе КТ-90 (D 2 PAK)Бескорпусноеисполнение 3,3 х 3,3 ммМеталлизация:1,3 - Al2 - Cr-Ni-AgПредельно допустимые значения режимов эксплуатации при t К= +(25±10) °С.Наименование параметра, единица измерения Обозначение НормаПовторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В U ЗС, ПКУ614А, А1800КУ614Б, Б1КУ614В, В1600400Действующий ток в открытом состоянии, А I ОС, Д8Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии (1 период 50 Гц), А I ОС, удр80Температура корпуса, °С T К−40 +125Тепловое сопротивление, °С/Вт R Т п-к1,6

Основные электрические параметры при t К= +(25±10) °С.Наименование параметра, единица измерения,режим измеренияПовторяющийся импульсный ток в закрытомсостоянии, мкАU ЗС= 800 В КУ614А, А1U ЗС= 600 В КУ614Б, Б1U ЗС= 400 В КУ614В, В1Импульсное напряжение в открытом состояниипри I ОС= 10 А, ВОтпирающий импульсный ток управления, мАпри U ЗС= 12 Ванод +, управляющий электрод +анод +, управляющий электрод −анод −, управляющий электрод −БуквенноеобозначениеI ЗС, П———НормаНе менее Типовое———U ОС, И — — 1,6I У от, И ———Ток удержания при U ЗС= 24 В, I ОС= 10 А, мА I уд — 30 —Критическая скорость нарастания напряжения взакрытом состоянии при U = 0,7 U ЗС, t П= +100 °С,В/мкс———Не более555303060(du ЗС/dt) кр 100 — —

Мощные полевые транзисторы с приемкой «5»ОАО «ФЗМТ» разработало и с августа 2007 г. приступило к серийному выпуску серии мощных n-канальных полевых транзисторовс изолированным затвором 2П7160А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И по техническим условиям.Мощные переключательные МОП транзисторы с n-каналом используются в различных областях электронной техники: устройствахкоммуникации многоканальных систем, вторичных источниках питания, схемах управления бесконтактными двигателями,системах терморегулирования и приводах солнечных батарей, космических аппаратах и другой специальной аппаратуре.Замена ранее используемых МОП транзисторов на вновь разработанные позволит уменьшить вес и габариты устройства в 1,2раза, существенно повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры, снизить энергопотребление.МОП транзисторы изготавливаются для монтажа в отверстия и для поверхностного монтажа в мталлостеклянных корпусах КТ-97A,КТ-97B, КТ-97C. Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5 г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.Основные электрические параметры.НаименованиеизделияТипкорпусаU СИ max,BI С max,2П7160А КТ-97C 30 46 702П7160Б КТ-97A 100 20 502П7160В КТ-97B 200 35 702П7160Г КТ-97C 400 23 462П7160Д КТ-97C 500 20 462П7160Е КТ-97B 60 35 702П7160Ж КТ-97A 100 20 502П7160И КТ-97C 200 35 70AI С(И) max,AR СИ отк,P С max,ОмВт0,006(I С= 20 А, U ЗИ= 12 В) 1250,048(I С= 15 А, U ЗИ= 10 В) 750,080(I С= 12 А, U ЗИ= 10 В) 1250,200(I С= 10 А, U ЗИ= 10 В) 1500,230(I С= 10 А, U ЗИ= 10 В) 1500,008(I С= 15 А, U ЗИ= 10 В) 1500,036(I С= 15 А, U ЗИ= 10 В) 1000,055(I С= 12 А, U ЗИ= 10 В) 150

Мощный биполярный транзистор 2Т935Б, Б1Мощные кремниевые n—p—n переключательные транзисторы типа 2Т935Б, 2Т935Б1 аА0.339.006ТУ в металлостеклянныхкорпусах типа КТ-97В и металлокерамических корпусах типа КТ-19А-3 предназначены для работы в схемах аппаратурыспециального назначения.Климатическое исполнение УХЛ и В при защиты транзистора трехслойным лаковым покрытием в составе аппара-туры.Транзистор 2Т935Б в корпусе КТ-97В(коллекторный вывод соединен с корпусом)Масса не более 7,5 гТранзистор 2Т935Б1 в корпусе КТ-19А-3(все выводы изолированы от корпуса)Масса не более 5 гПредельно допустимые значения режимов эксплуатации при t К= +(25±10) °С.Наименование параметра, единица измерения Обозначение НормаМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер(R ЭБ= 10 Ом), ВU КЭR max 130Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер(R ЭБ= 10 Ом), ВU КЭR, И max 130Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В U ЭБ max 5Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А I К max 20Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А I К, И max 30Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощностьколлектора, ВтP К max 90Максимально допустимая температура перехода, °С t K max 150Максимально допустимая температура корпуса, °С t П max 125

Основные электрические параметры при t К= +(25±10) °С.Наименование параметра, единица измерения (режимизмерения)Статистический коэффициент передачи тока(U КЭ= 5 В, I К= 15 А)Обратный ток коллектор-эмиттер, мА(R ЭБ= 10 Ом, U КЭ= 150 ВОбратный ток эмиттера, мА(U ЭБО= 4 В)Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В(I К= 7,5 А, I Б= 1,0 А)Граничное напряжение, В(I К= 1 А, L = 10 мГн, R БЭ= ∞ Ом)Время рассасывания, мкс(U КК= 50 В, I К= 7,5 А, L = 4,5 мГн, U БЭ= −4 В)Время спада, мкс(U КК= 50 В, I К= 7,5 А, I Б1= 1,0 А, L = 4,5 мГн, U БЭ огр= −4 В)Тепловое сопротивлениепереход-корпус, °С/ВтОбозначениеНормаНе менее Не болееh 21Э 12 55I КЭR — 0,2I ЭБО — 30U КЭ нас — 1,0U КЭО гр 70 —t РАС — 1,5t СП — 0,2R Т П-К — 1,4

Мощный IGBT транзистор 2Е802А, А1Кремниевые биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802А, 2Е802А1 АЕЯР.4321140.283ТУ в металлостеклянныхкорпусах КТ-9, КТ-97В предназначены для применения в качестве силового ключа в аппаратуре специального назначения.Климатическое исполнение УХЛ, категория размещения 3.1, 5.1600 В — 23 АТранзистор 2Е802А в корпусе КТ-9 (аналог TO-3)Масса не более 20 г.Транзистор 2Е802А1 в корпусе КТ-97В (аналогTO-254)Масса не более 7,5 г.Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при t К= +(25 ±10) °СНаименование параметра, единица измерения Обозначение НормаМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В U КЭ мах600Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В U КЭ, И мах600Максимально допустимое напряжение затвора, В U З проб мах±20Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А I К мах23Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А I К, И мах46Максимально допустимая постоянная рассеивающая мощностьколлектора, ВтP К мах100

Основные электрические параметры при t К= +(25±10) °СНаименование параметра, единица измерения (режимизмерения)Обратный ток коллектор-эмиттер, мА(R ЗЭ= 0 Ом, U КЭК= 600 В)Ток утечки затвора, нА(U ЗЭ= ±20 В)Пороговое напряжение затвора, В(U КЭ= U ЗЭ, I К= 1 мА)Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В(I К= 12 А, U ЗЭ= 15 В, R З= 15 Ом)Время спада, мкс(U ЗЭ= 15 В, R З= 15 Ом, L К= 4,5 мГн, I К= 10 А, U КЭ= 100 В)Время рассасывания, мкс(U ЗЭ= 15 В, R З= 15 Ом, L К= 4,5 мГн, I К= 10 А, U КЭ= 100 В)Тепловое сопротивление перехода-корпус, °С/ВтОбозначениеНормаНе менее Не болееI КЭК — 0,25I З ут — 100U ЗЭ пор 3 6U КЭ нас — 2,7t сп — 0,15t рас — 0,5R Т п-к — 1,25

Мощный IGBT транзистор 2Е802БКремниевые биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802Б АЕЯР.4321140.283ТУ в металлостеклянных корпусахКТ-97С предназначены для применения в качестве силового ключа в аппаратуре специального назначения. Климатическоеисполнение УХЛ, категория размещения 3.1, 5.1600 В — 45 АТранзистор 2Е802Б в корпусе КТ-97C (аналог TO-258)Масса не более 10 г.Предельно допустимые значения режимов эксплуатации при t К= +(25±10) °СНаименование параметра, единица измерения Обозначение НормаМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В U КЭ мах 600Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В U КЭ И мах 600Максимально допустимое напряжение затвора, В U З проб мах ±20Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А I К мах 45Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А I К И мах 67Максимально допустимая постоянная рассеивающая мощностьколлектора, ВтP К мах 140

Основные электрические параметры при t К= +(25±10) °СНаименование параметра, единица измерения (режимизмерения)Обратный ток коллектор-эмиттер, мА(R ЗЭ= 0 Ом, U КЭК= 600 В)Ток утечки затвора, нА(U ЗЭ= ±20 В)Пороговое напряжение затвора, В(U КЭ= U ЗЭ, I К= 1 мА)Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В(I К= 24 А, U ЗЭ= 15 В, R З= 15 Ом)Время спада, мкс(U ЗЭ= 15 В, R З= 15 Ом, L К= 4,5 мГн, I К= 20 А, U КЭ= 300 В)Время рассасывания, мкс(U ЗЭ= 15 В, R З= 15 Ом, L К= 4,5 мГн, I К= 20 А, U КЭ= 300 В)Тепловое сопротивление перехода-корпус, °С/ВтОбозначениеНормаНе менее Не болееI КЭК — 0,4I З ут — 150U ЗЭ. пор 3 6U КЭ нас — 2,7t сп — 0,225t рас — 0,5R Т п-к — 0,89