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5. Le transistor à effet de champ - microLab

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<strong>Le</strong> MOSFET correspond à un interrupteur très efficace qui peut travailler à <strong>de</strong>s vitesses beaucoup plusélevées que le <strong>transistor</strong> bipolaire.Exemple d’application : l’interrupteur MOSFETDans le circuit ci-<strong>de</strong>ssous le MOSFET à canal N est utilisé pour allumer ou éteindre une lampe (LED)Fig. 25 MOSFET utilisé comme interrupteurSupposons que la lampe peut travailler à V=6V, P=24W. La résistance drain source du MOSFET ensaturation, R DS(on) est <strong>de</strong> 0.1ohms. Calculez la puissance dissipée dans l’interrupteur :<strong>Le</strong> courant qui traverse la lampe est <strong>de</strong> :P = V ⋅ I⇒ IP 24= =V 6D D=4ALa puissance dissipée dans le MOSFET est donnée par:P22D= ID⋅ RDS= 4 ⋅ 0.1 =1.6WIl est ainsi important dans les applications <strong>de</strong> puissance <strong>de</strong> choisir un MOSFET avec une résistance <strong>de</strong>canal R DS(on) aussi faible que possible. La perte et l’échauffement correspondant sont ainsi minimisés. <strong>Le</strong>risque que le MOSFET <strong>de</strong>vienne trop chaud et soit détruit est ainsi minimisé. <strong>Le</strong>s MOSFETs <strong>de</strong> puissanceont <strong>de</strong>s valeurs <strong>de</strong> R DS(on)

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