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Il diodo LED Le prove pratiche - gonellaluce.it

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neve, anche se alcune ricerche sono state fatte per cercare di sviluppare tecnologie per dissipare il<br />

calore o per il trasferimento di calore alle zone di supporto del corpo illuminante.<br />

Torna all'indice<br />

Colori, caratteristiche e materiali<br />

I <strong>LED</strong> convenzionali sono realizzati da una varieta' di materiali inorganici semiconduttori, nelle tabelle<br />

ho cercato di fornire i dati a mia disposizione.<br />

Colori e caratteristiche dei led<br />

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<strong>LED</strong> blu ed ultravioletto.<br />

<strong>Il</strong> primo <strong>LED</strong> blu ad alta luminos<strong>it</strong>a' e' stato prodotto da Shuji Nakamura della Nichia Corporation e<br />

usava GaN basandosi sugli sviluppi del GaN con nucleazione su substrati di zaffiro e la<br />

dimostrazione del doping di tipo-p di Gan, che sono stati sviluppati da Isamu Akasaki e H. Amano a<br />

Nagoya.<br />

Nel 1995, Alberto Barbieri presso l'Univers<strong>it</strong>a' di Cardiff Laboratory (GB) ha indagato l'efficienza e<br />

l'affidabil<strong>it</strong>a' dei <strong>LED</strong> ad alta luminos<strong>it</strong>a' e ha dimostrato un risultato veramente impressionante,<br />

utilizzando un contatto trasparente a base di ossido di indio e stagno (ITO) per il <strong>LED</strong> (AlGaInP /<br />

GaAs).<br />

L'esistenza di <strong>LED</strong> blu e led ad alta efficienza hanno rapidamente portato allo sviluppo dei primi <strong>LED</strong><br />

bianchi, che occupavano un Y3Al5O12: CE, o "YAG", il rivestimento al fosforo per mescolare la luce<br />

gialla (down-convert<strong>it</strong>a) con il blu per la produzione di luce che appare bianca.<br />

A Nakamura e' stato assegnato il Millennium Technology Prize 2006 per la sua invenzione.<br />

Nel febbraio 2008 l'univers<strong>it</strong>a' Bilkent in Turchia segnalato 300 lumen di luce visibile per watt di<br />

efficenza luminosa (non per watt elettrici) e la luce calda utilizzando nanocristalli.<br />

Nel 2009, ricercatori della Cambridge Univers<strong>it</strong>y ha rifer<strong>it</strong>o un processo per la coltivazione di n<strong>it</strong>ruro<br />

di gallio (GaN) <strong>LED</strong> sul silicio. I costi potrebbero essere ridotti fino al 90% utilizzando wafer di silicio<br />

da sei pollici invece di wafer di zaffiro da due pollici. La squadra e' stata guidata da Colin Humphreys.<br />

I primi <strong>LED</strong> blu sono state fatti nel 1971 da Jacques Pankove (inventore dei <strong>LED</strong> al n<strong>it</strong>ruro di gallio)<br />

presso i laboratori RCA, questi dispos<strong>it</strong>ivi avevano una usc<strong>it</strong>a troppo debole per essere di grande<br />

util<strong>it</strong>a' pratica.<br />

Tuttavia, i primi <strong>LED</strong> blu trovano impiego in alcune applicazioni a bassa intens<strong>it</strong>a', come indicatori di<br />

luci abbaglianti nelle autovetture. Alla fine del 1980 le scoperte chiave sulla cresc<strong>it</strong>a ep<strong>it</strong>assiale del<br />

GaN ed il drogaggio di tipo-p ha inaugurato l'epoca moderna dei dispos<strong>it</strong>ivi optoelettronici basati su<br />

GaN,<br />

Sulla base di questo lavoro, nel 1993, sono stati commercializzati diodi blu ad alta luminos<strong>it</strong>a', ed alla<br />

fine degli anni 1990, <strong>Il</strong> <strong>LED</strong> blu era diventato ampiamente disponibile.<br />

I <strong>LED</strong> blu ad alta intens<strong>it</strong>a' hanno una regione attiva cost<strong>it</strong>u<strong>it</strong>a da uno o piu' pozzi quantici di InGaN<br />

inser<strong>it</strong>i tra spessi strati di GaN, chiamato rivestimento di strati, variando la frazione relativa Inn-GaN<br />

in pozzi quantici di InGaN, l'emissione luminosa puo' essere variata dal viola al giallo ambrato.<br />

<strong>Il</strong> n<strong>it</strong>ruro di gallio alluminio (AlGaN) con variazioni frazionarie di AlN puo' essere usato per fabbricare<br />

il rivestimento ed il pozzo quantico a strati per i <strong>LED</strong> ultravioletti, ma questi dispos<strong>it</strong>ivi non hanno<br />

ancora raggiunto il livello di efficienza e di matur<strong>it</strong>a' tecnologica dei dispos<strong>it</strong>ivi InGaN GaN blu /<br />

verde.<br />

Se nel pozzo quantico attivo gli strati sono di GaN in opposizione alla lega InGaN o AlGaN, il<br />

dispos<strong>it</strong>ivo emette luce nel vicino-ultravioletto con lunghezze d'onda intorno a 350-370 nm.<br />

I <strong>LED</strong> verdi realizzati col sistema InGaN-Gan sono molto piu' efficienti e piu' luminosi di <strong>LED</strong> verde<br />

prodotta con i sistemi di materiale senza n<strong>it</strong>ruro, mentre con n<strong>it</strong>ruri contenenti alluminio, piu' spesso<br />

AlGaN e AlGaInN , sono realixzzabili anche le lunghezze d'onda piu' corte.<br />

<strong>LED</strong> nell'ultravioletti, in una vasta gamma di lunghezze d'onda sono sempre piu' disponibili sul<br />

mercato.<br />

I led nel vicino ultravioletto con lunghezze d'onda intorno a 375-395 nm sono gia' a buon mercato e<br />

spesso si incontrano, per esempio, come sost<strong>it</strong>uzione delle lampade a luce nera per l'ispezione anticontraffazione<br />

di filigrane e carte in alcuni documenti e monete.<br />

Diodi con lunghezza d'onda piu' corte, ache se sostanzialmente piu' costosi, sono disponibili in<br />

commercio per lunghezze d'onda fino a 247 nm. dato che la fotosensibil<strong>it</strong>a' dei microrganismi<br />

corrisponde circa allo spettro di assorbimento del DNA , con un picco a circa 260 nm, e <strong>LED</strong> che<br />

emettono a 250-270 nm sono attesi in futuro e come dispos<strong>it</strong>ivi di disinfezione e sterilizzazione,

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