应用指南栅极驱动器与IGBT和控制器的连接AN-7002 - Semikron

应 用 指 南 AN-7002
栅 极 驱 动 器 连 接 和和 杂 散 电 感
如 果 驱 动 器 的 地 线 连 接 到 功 率 发 射 极 端 子 , 那 么
由 于 负 载 电 流 的 高 di/dt, 将 在 L ES 上 感 应 出 电
压 。 该 电 压 降 低 了 栅 极 导 通 电 压 , 且 电 压 被 加 到
栅 极 关 断 电 压 上 , 从 而 降 低 了 导 通 和和 关 断 速 度 。
基 于 这 个 原 因 , 辅 助 发 射 极 和和 功 率 发 射 极 之 间 的
杂 散 电 感 不 应 被 共 享 。
为 了 在 驱 动 器 供 电 电 压 被 关 断 且 电 压 被 供 给 功 率
电 路 下 的 情 况 , 确 保 IGBT 锁 定 , 应 集 成 一 个 电
阻 R GE 。
抑 制 二 极 管 必 须 放 在 非 常 靠 近 IGBT 模 块 的 地
方 , 能 够 在 过 电 压 情 况 下 保 护 IGBT 栅 极 , 并 且
在 发 生 短 路 时 , 限 制 短 路 电 流 。 由 于 集 电 极 和和 栅
极 间 的 存 在 密 勒 电 容 , 因 此 发 生 短 路 时 , 栅 极 发
射 极 电 压 可 能 增 大 。 短 路 期 间 的 高 dv/dt 会 产 生
一 个 流 经 密 勒 电 容 的 电 流 , 这 会 增 大 栅 极 发 射 极
电 压 。 抑 制 二 极 管 将 钳 住 此 电 压 。 此 外 , 万 一
IGBT 模 块 发 生 故 障 , 抑 制 二 极 管 可 以 保 护 栅 极
驱 动 器 免 遭 相 应 的 损 害 。
为 了 减 小 IGBT 栅 极 的 振 荡 , 栅 极 发 射 极 电 容 C GE
用 作 平 滑 电 容 , 尤 其 是 在 发 生 短 路 时 。
注 意 :
建 议 用 户 的 技 术 专 家 进 行 测 试 以 确 保 在 IGBT 的 控 制 通 道 中 不 会 有 振 荡 产 生 。
符 号 和和 术 语
符 号
CGE
LES
LGS
RG
RGE
术 语
栅 极 - 发 射 极 电 容
发 射 极 杂 散 电 感
栅 极 杂 散 电 感
栅 极 电 阻
栅 极 - 发 射 极 电 阻
参 考 文 献
[1] http://www.SEMIKRON.com
[2] Application Manual Power Modules, SEMIKRON
International
[3] M. Hermwille, "Plug and Play IGBT Driver Cores for
Converters", Power Electronics Europe Issue 2, pp.10-
12, 2006
[4] M. Hermwille, "IGBT Driver Calculation", Application
Note AN-7004, SEMIKRON
[5] M. Hermwille, "IGBT Gate Resistor – Principle and
Application", Application Note AN-7003, SEMIKRON
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2006-09-05 – Rev00
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