Uitwerking exameneisen examen Zendamateur N/F
Uitwerking exameneisen examen Zendamateur N/F
Uitwerking exameneisen examen Zendamateur N/F
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
<strong>Uitwerking</strong> <strong><strong>examen</strong>eisen</strong> <strong>examen</strong> <strong>Zendamateur</strong> N/F<br />
Er zijn in het algemeen drie aansluitingen: B aan de basis wordt het te<br />
versterken signaal toegevoerd, C aan de collector kan het versterkte<br />
signaal worden onttrokken, E de emitter is voor beide signalen<br />
gemeenschappelijk. Wordt dus aan de basis een spanning aangeboden,<br />
dan zal er stroom vloeien tussen collector en emitter, in de richting van de<br />
pijl (dat deel van een transistor is gewoon een diode).<br />
Ezelsbruggetje: Pijl Naar Plaat is een PNP, en van de NPN staat het pijltje<br />
niet naar de plaat.<br />
Verder geldt volgens de wet van Kirchof: IE=IC+IB. En de spanningsval over<br />
het diodegedeelte is hetzelfde als bij een echte diode.<br />
Stroomsturing<br />
De basisstroom IB heft een grote invloed op de collectorstroom IC. Om een variatie in IB te krijgen is<br />
een heel kleine spanningsvariatie UBE nodig. Daarom noemen we dit stroomsturing.<br />
Stroomversterking<br />
De stroomversterking wordt aangeduid met hFE (van Forward en gemeenschappelijk Emitter) of de<br />
letter β. FE staat in hoofdlettters, omdat het om de gelijkstroom versterking gaat. Voor<br />
wisselstroomversterking gebruiken we de kleine letters fe: hfe.<br />
Veldeffecttransistor<br />
Een FET (field-effect-transitor) veldeffecttransistor, meestal<br />
aangeduid als FET, is een unipolaire transistor met gewoonlijk drie<br />
aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een<br />
MOSFET is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk)<br />
die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden<br />
met de source. Speciale typen zoals de "dual gate" MOSFET met twee gates, hebben extra<br />
aansluitingen. Een veldeffecttransistor bestaat uit een geleidingskanaal tussen de aansluitingen<br />
source (S) en drain (D), waarvan de geleiding beïnvloed kan worden door het elektrische veld van de<br />
spanning op de gate (G).<br />
Het belangrijkste verschil met een gewone transistor is de wijze van aansturing, dit gebeurt namelijk<br />
met een spanning in plaats van een stroom. Eenvoudig gezegd komt het er op neer dat de ingang van<br />
een transistor op een vaste spanning staat en de ingangsstroom gemoduleerd wordt, terwijl bij een<br />
FET er geen ingangsstroom loopt (alleen een virtuele) en het potentiaal van de ingang gemoduleerd<br />
wordt met een spanning.<br />
Spanningsturing<br />
Een FET wordt door spanning aangestuurd, terwijl de diode tussen G en S in sper is. De ingang van de<br />
FET is hoogohmig, waardoor er geen vermogen nodig is voor de ruststroom en ook niet voor het<br />
stuursignaal.<br />
Pagina 26