Föreläsning 3 – Extrinsiska Halvledare Energiband Drift/Diffusion ...
Föreläsning 3 – Extrinsiska Halvledare Energiband Drift/Diffusion ...
Föreläsning 3 – Extrinsiska Halvledare Energiband Drift/Diffusion ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Högtemperaturelektronik <strong>–</strong> svårt med Si<br />
Kisel <strong>–</strong> n i begränsar maximala T ~<br />
300°C<br />
Större bandgap <strong>–</strong> högre möjlig<br />
temperatur!<br />
Material med högre bandgap<br />
SiC <strong>–</strong> 2.86 eV<br />
GaN <strong>–</strong> 3.4 eV<br />
Diamant <strong>–</strong> 5.5 eV<br />
2013-03-13 <strong>Föreläsning</strong> 3, Komponentfysik 2013<br />
19<br />
Högre T<br />
Dyrare,<br />
Svårare
Change language