Parque de estacionamento automatizado

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IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse • Typische Peakwellenlänge 950nm • Hohe Zuverlässigkeit • Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar • Variante mit “stand-off” lieferbar • TTW Löten geeignet Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Sensorik • Diskrete Lichtschranken Features • GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3 / 4 ) • Typical peak wavelength 950nm • High reliability • Available with two different lead lengths • Version with stand-off available • Suitable for TTW soldering Applications • IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers • Remote control for steady and varying intensity • Sensor technology • Discrete interrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100mA, t p = 20 ms) Radiant intensity grouping 1) I e (mW/sr) LD 271 Q62703Q0148 15 (>10) LD 271 L Q62703Q0833 LD 271 H Q62703Q0256 >16 LD 271 LH Q62703Q0838 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr 2007-04-04 1
LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = 10 μs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value T op ; T stg – 40 … + 100 °C V R 5 V I F 130 mA I FSM 3.5 A Einheit Unit P tot 220 mW R thJA 330 K/W Kennwerte (T A = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 100 mA, t p = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von I max Spectral bandwidth at 50% of I max I F = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Schaltzeiten, I e von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei I F = 100 mA, R L = 50 Ω Switching times, I e from 10% to 90% and from 90% to 10%, I F = 100 mA, R L = 50 Ω Symbol Symbol Wert Value λ peak 950 nm Δλ 55 nm Einheit Unit ϕ ± 25 Grad deg. A 0.25 mm 2 L × B L × W 0.5 × 0.5 mm² H 4.0 … 4.6 mm t r , t f 1 μs 2007-04-04 2
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