华润微电子 - 大街网
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0.5µm 200V SOI BCD<br />
0.5µm 18V HV<br />
Mixed-Signal/RF<br />
Power Discrete<br />
1.0µm<br />
0.13µm<br />
0.15µm<br />
0.18µm<br />
Trench<br />
Planar<br />
1.0µm 700V BCD<br />
1.0µm 25/40V HV<br />
0.13µm 1.2V/3.3V G<br />
0.13µm 1.2V/3.3V LP<br />
0.13µm 1.2V/3.3V Mixed-Signal<br />
0.13µm 1.2V/3.3V RF<br />
0.15µm 1.2V/3.3V LV<br />
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V RF<br />
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V G<br />
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V LP<br />
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V Mixed-Signal<br />
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V G<br />
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V LP<br />
0.18µm OTP<br />
0.45µm 55-100V 6" N-ch DMOS<br />
0.4µm 20-40V 6" N/P-ch DMOS<br />
0.35µm 20-40V 6" N-ch DMOS<br />
0.4µm 75V 8" N-ch DMOS<br />
0.35µm 20-30V 8" N/P-ch DMOS<br />
0.2µm 20-40V 8" N/P-ch DMOS<br />
1.0µm 3.3-36V 6" TVS<br />
900-1200V Trench NPT IGBT<br />
50-80V 6" N-ch DMOS<br />
60-100V 6" P-ch DMOS<br />
100-200V 6" N-ch DMOS<br />
400-650V 6" N-ch DMOS<br />
800-1200V 6" N-ch DMOS<br />
Category Process Available<br />
5.2 华 润 微 电 子 招 聘 面 试 工 作<br />
一 、 面 试 甄 选 指 导 原 则<br />
1、 目 的 明 确 原 则<br />
搜 集 应 聘 者 以 往 学 习 及 工 作 经 历 中 与 需 求 岗 位 职 能 切 合 的 能 力 、 素 质 等 相 关 资 料 , 了 解 应 聘 者 的 工 作 动 机 、<br />
意 愿 及 工 作 调 适 能 力 , 让 应 聘 者 对 公 司 留 下 良 好 印 象 , 以 树 立 和 推 广 企 业 形 象 。<br />
2、 准 备 充 分 原 则<br />
在 应 聘 者 求 职 申 请 表 和 简 历 的 初 步 甄 选 、 分 类 基 础 上 , 为 面 试 做 好 充 分 准 备 。<br />
3、 针 对 性 原 则<br />
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