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PRACTICA 1 “CARACTERIZACION DE LOS SEMICONDUCTORES ...

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OBJETIVOS:<br />

Universidad de San Carlos<br />

Facultad de Ingeniería<br />

Escuela de Mecánica Eléctrica<br />

Laboratorio de Electrónica<br />

Electrónica 4<br />

<strong>PRACTICA</strong><br />

1<br />

<strong>“CARACTERIZACION</strong> <strong>DE</strong> <strong>LOS</strong> <strong>SEMICONDUCTORES</strong> <strong>DE</strong><br />

POTENCIA”<br />

1. Determinar las características Voltaje y corriente de los siguientes<br />

semiconductores de potencia:<br />

a. Díodo<br />

b. Rectificador de silicio controlado SCR<br />

c. Tiristor bidireccional TRIAC<br />

d. Transistor de potencia de unión bipolar NPN<br />

e. Transistor de potencia de efecto de campo canal n MOSFET<br />

f. Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT<br />

2. Determinar las características de control en CD y en CA de:<br />

a. Rectificador de silicio<br />

controlado b. Tiristor<br />

bidireccional<br />

c. Transistor de efecto de campo<br />

ANÁLISIS PRELIMINAR:<br />

Estudiar los siguientes temas:<br />

1. Características de los dispositivos semiconductores de potencia<br />

(Datasheet, identificación de terminales, interpretación de valores nominales)<br />

2. Características de control de los dispositivos semiconductores de potencia.<br />

3. Circuitos básicos de control del SCR, TRIAC y MOSFET canal n.<br />

4. Tiempo de recuperación inversa del díodo.


PLANIFICACIÓN:<br />

1. Hacer el análisis de cada uno de los dispositivos descritos anteriormente<br />

(SCR,TRIAC, BJT (NPN),MOSFET, Diodo, IGBT) respecto a los componentes<br />

que se conseguirían comúnmente en su electrónica favorita, indicando que numero<br />

de dispositivo trabajo y su análisis los valores nominales.<br />

2. Interpretar el data-sheet de cada semiconductor<br />

3. Diseñar los circuitos en CC para determinar las características V-I de<br />

los siguientes semiconductores.<br />

a. SCR<br />

b. TRIAC<br />

c. BJT (NPN)<br />

d. MOSFET canal n<br />

4. Diseñar los circuitos para determinar las características de control de<br />

los siguientes semiconductores:<br />

a. SCR<br />

b. TRIAC<br />

c. BJT (NPN)<br />

d. MOSFET canal n<br />

Para determinar las características en corriente alterna utilizar el<br />

transformador de 120/12 V en su analisis<br />

5. Diseñar un circuito para medir el tiempo de recuperación inversa de un<br />

díodo 1N5408. Utilizar un generador de funciones, con una tensión de<br />

alimentación de +10/0V y +10/-2V.<br />

EJECUCIÓN:<br />

1. Simular los circuitos diseñados para determinar las características v-i de<br />

los semiconductores especificados y realizar las mediciones requeridas por el<br />

procedimiento seleccionado.<br />

2. Simular los circuitos diseñados para determinar las características de control<br />

de los semiconductores especificados y realizar las mediciones requeridas<br />

por el procedimiento seleccionado.


EVALUACIÓN:<br />

1. Representar para cada uno de los semiconductores el voltaje de control<br />

vs tiempo y el voltaje controlado vs t.<br />

2. ¿Cómo identificar los terminales de un SCR si no se consigue el data-<br />

sheet?¿Cómo determinar si un SCR está o no dañado?<br />

3. Comparar el tiempo de recuperación inversa determinado experimentalmente<br />

y el especificado en el data-sheet. ¿Cómo influye en el experimento del<br />

tiempo de recuperación inversa el que la señal de la fuente tenga una<br />

componente negativa?¿Como afecta el desempeño del díodo el fenómeno de<br />

recuperación inversa?<br />

CONCLUSIONES<br />

1. 5 conclusiones generales de su practica<br />

REPORTE<br />

Deberá contener lo siguiente:<br />

Documento en PDF con:<br />

• Carátula<br />

• Nombre de los integrantes y grupo.<br />

• Objetivos<br />

• Desarrollo de la práctica (Graficas obtenidas, cálculos, etc.)<br />

• Respuestas a las preguntas de la práctica<br />

• Conclusiones<br />

Video demostrativo<br />

• Video de su desarrollo en Proteus de los diferentes procedimientos que uso,<br />

explicando las gráficas y procedimientos empleados en el ejercicio.<br />

El reporte se entregará grupal (sus propios grupos de tarjetas) el día Martes 30 de<br />

abril 2013<br />

PREGUNTAS FRECUENTES<br />

1. ¿Cómo entrego el reporte, impreso o digital? El reporte debe ser enviado en forma<br />

digital, en formato PDF y no debe entregar ningún trabajo escrito.<br />

2. ¿Dónde envió mi reporte digital? Debe enviarlo a la siguiente dirección<br />

laboratoriodeelectronica@gmail.com con el asunto “Practica 1 Electronica 4 2013”


3.¿Debo crear un video explicando los procedimientos realizados en Proteus? Si, usted<br />

debe crear un video y subirlo a YouTube u otro portal de videos, teniendo en<br />

cuenta que debe enviar junto a su reporte digital el enlace.<br />

4.¿Debo poner tags y descripción a mi video? Si, se tomara una parte de los puntos<br />

por asociar bien su video por la red y que pueda ser encontrado fácilmente.<br />

5.¿Que son Tags y descripción de video? Tags, son palabras clave con las que los<br />

buscadores en internet encuentran un video, entre mas tags y más certeros sean, es<br />

decir que las palabras claves sean acordes a su video, ejemplo de Tags: “proteus”,<br />

“USAC”, “Electronica 2”, etc. Descripción: es un breve resumen de lo que se trata<br />

el video subido.<br />

6. ¿Qué pasa si no entrego mi video? Perderá el 40% de su nota Simulacion.<br />

7. ¿Si mi video es muy corto o no explico bien que sucederá? El video será revisado<br />

para ver si cumple con las expectativas de entendimiento y dedicación, si se<br />

observa deficiente o mal explicado podría tener notas bajas.<br />

10. ¿ Cuánto vale el trabajo escrito? 60% de la nota.<br />

11. No sé qué es proteus y no entiendo cómo se usa? Proteus es una compilación de<br />

programas de diseño y simulación electrónica, desarrollado por Labcenter<br />

Electronics que consta de los dos programas principales: Ares e Isis, y los módulos<br />

VSM y Electra. El Programa ISIS, Intelligent Schematic Input System (Sistema de<br />

Enrutado de Esquemas Inteligente) permite diseñar el plano eléctrico del circuito<br />

que se desea realizar con componentes muy variados, desde simples resistencias,<br />

hasta alguno que otro microprocesador o microcontrolador, incluyendo fuentes de<br />

alimentación, generadores de señales y muchos otros componentes con<br />

prestaciones diferentes. Los diseños realizados en Isis pueden ser simulados en<br />

tiempo real, mediante el módulo VSM, asociado directamente con ISIS. Un manual<br />

básico se encuentra en la red en este enlace :<br />

http://www.apuntesdeelectronica.com/diseno-simulacion/tutorial-de-isisproteus.htm


12. ¿No tengo el programa donde lo consigo? Puede descargarlo desde la red o si lo<br />

prefiere, puede acercarse al Laboratorio Electrónica con un USB o CD para que se<br />

lo proporcionemos.<br />

13. Tengo dudas sobre la practica puedo llegar a resolverlas al laboratorio? Si, usted<br />

tiene la libertad de acercarse al Laboratorio Electrónica de 8:00 a 11:30 de lunes a<br />

viernes.<br />

14. Cuando tengo que enviar mi simulación? Martes 30 de abril 2013

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