Mejora de la Eficiencia en los Generadores Empleados en Parques ...
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Tesis Doctoral: <strong>Mejora</strong> <strong>de</strong> <strong>la</strong> <strong>Efici<strong>en</strong>cia</strong> <strong>en</strong> <strong>los</strong> G<strong>en</strong>eradores <strong>Empleados</strong> <strong>en</strong> <strong>Parques</strong> Eólicos<br />
Utilizando Contro<strong>la</strong>dores “Fuzzy” Adaptativos<br />
Pérdidas <strong>en</strong> Conducción: La pot<strong>en</strong>cia disipada <strong>en</strong> <strong>los</strong> IGBTs es dada por <strong>la</strong><br />
ecuación (2.20).<br />
( V −V<br />
)<br />
⎛ m<br />
⎛ 1 m ⎞<br />
Cr = ⎜ +<br />
+ ⎜ + ⋅ cosφ⎟<br />
⋅VCEO<br />
⋅ I<br />
⎝<br />
⎝ 2π<br />
8 ⎠<br />
1 ⎞ CEN CEO 2<br />
⎟ ⋅<br />
⋅ I CM<br />
8 3π<br />
⎠ I CN<br />
Página 24 <strong>de</strong> 195 Durval <strong>de</strong> Almeida Souza<br />
CM<br />
(2.21)<br />
Don<strong>de</strong> VCEN es <strong>la</strong> t<strong>en</strong>sión nominal <strong>de</strong> saturación, ICN es <strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te nominal <strong>de</strong>l<br />
colector, m es el índice <strong>de</strong> modu<strong>la</strong>ción, VCEO es <strong>la</strong> t<strong>en</strong>sión <strong>de</strong> frontera <strong>en</strong>tre el<br />
colector y emisor, ICM es <strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te máxima <strong>en</strong> <strong>la</strong> carga y ϕ es el ángulo <strong>de</strong><br />
<strong>de</strong>sp<strong>la</strong>zami<strong>en</strong>to.<br />
La figura 2.8 muestra <strong>la</strong>s características <strong>de</strong> t<strong>en</strong>sión/corri<strong>en</strong>te <strong>de</strong> conducción <strong>de</strong>l IGBT<br />
y <strong>de</strong>l diodo para una temperatura <strong>de</strong> unión, Tj, <strong>de</strong> 125 ºC.<br />
Ic [%]<br />
100<br />
V<br />
50<br />
0<br />
Diodo IGBT<br />
TJ = 125 o C<br />
VFO 1 2 3 4<br />
VCE<br />
T<strong>en</strong>sión [V]<br />
Fig. 2.8 – Características <strong>de</strong> t<strong>en</strong>sión/corri<strong>en</strong>te <strong>de</strong> conducción <strong>de</strong>l IGBT y <strong>de</strong>l diodo.<br />
Pérdidas por Conmutación: Las pérdidas por conmutación son <strong>de</strong>bidas a <strong>la</strong>s<br />
condiciones <strong>de</strong> <strong>en</strong>trada <strong>en</strong> conducción (“turn-on”) y <strong>de</strong> bloqueo (“turn-off”). Las<br />
ecuaciones (2.22) y (2.23) repres<strong>en</strong>tan <strong>la</strong>s pérdidas <strong>de</strong> conmutación “turn-on” y<br />
“turn-off”, respectivam<strong>en</strong>te.<br />
⎡⎛<br />
⎢⎜<br />
0,<br />
38 I<br />
0,<br />
28 + ⋅<br />
⎢⎜<br />
π I<br />
⎣⎝<br />
2<br />
2<br />
1 ICM<br />
2<br />
CM<br />
CM<br />
turn−on<br />
= VCC<br />
⋅t<br />
rn ⋅ ⋅ fc<br />
+ VCC<br />
rrn<br />
8 ICN<br />
3<br />
CN<br />
CN<br />
P<br />
⎛ 0,<br />
8 I<br />
+<br />
⎜ + 0,<br />
05⋅<br />
⎝ π I<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
⎤<br />
CM<br />
⎟<br />
ICM<br />
⋅t<br />
rrn ⎥ ⋅ fc<br />
CN<br />
⎦<br />
⎛ I<br />
+ 0,<br />
015 ⎜<br />
⎝ I<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
⎞<br />
⎟Q<br />
⎟<br />
⎠<br />
+<br />
(2.22)