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Mejora de la Eficiencia en los Generadores Empleados en Parques ...

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Tesis Doctoral: <strong>Mejora</strong> <strong>de</strong> <strong>la</strong> <strong>Efici<strong>en</strong>cia</strong> <strong>en</strong> <strong>los</strong> G<strong>en</strong>eradores <strong>Empleados</strong> <strong>en</strong> <strong>Parques</strong> Eólicos<br />

Utilizando Contro<strong>la</strong>dores “Fuzzy” Adaptativos<br />

Pérdidas <strong>en</strong> Conducción: La pot<strong>en</strong>cia disipada <strong>en</strong> <strong>los</strong> IGBTs es dada por <strong>la</strong><br />

ecuación (2.20).<br />

( V −V<br />

)<br />

⎛ m<br />

⎛ 1 m ⎞<br />

Cr = ⎜ +<br />

+ ⎜ + ⋅ cosφ⎟<br />

⋅VCEO<br />

⋅ I<br />

⎝<br />

⎝ 2π<br />

8 ⎠<br />

1 ⎞ CEN CEO 2<br />

⎟ ⋅<br />

⋅ I CM<br />

8 3π<br />

⎠ I CN<br />

Página 24 <strong>de</strong> 195 Durval <strong>de</strong> Almeida Souza<br />

CM<br />

(2.21)<br />

Don<strong>de</strong> VCEN es <strong>la</strong> t<strong>en</strong>sión nominal <strong>de</strong> saturación, ICN es <strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te nominal <strong>de</strong>l<br />

colector, m es el índice <strong>de</strong> modu<strong>la</strong>ción, VCEO es <strong>la</strong> t<strong>en</strong>sión <strong>de</strong> frontera <strong>en</strong>tre el<br />

colector y emisor, ICM es <strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te máxima <strong>en</strong> <strong>la</strong> carga y ϕ es el ángulo <strong>de</strong><br />

<strong>de</strong>sp<strong>la</strong>zami<strong>en</strong>to.<br />

La figura 2.8 muestra <strong>la</strong>s características <strong>de</strong> t<strong>en</strong>sión/corri<strong>en</strong>te <strong>de</strong> conducción <strong>de</strong>l IGBT<br />

y <strong>de</strong>l diodo para una temperatura <strong>de</strong> unión, Tj, <strong>de</strong> 125 ºC.<br />

Ic [%]<br />

100<br />

V<br />

50<br />

0<br />

Diodo IGBT<br />

TJ = 125 o C<br />

VFO 1 2 3 4<br />

VCE<br />

T<strong>en</strong>sión [V]<br />

Fig. 2.8 – Características <strong>de</strong> t<strong>en</strong>sión/corri<strong>en</strong>te <strong>de</strong> conducción <strong>de</strong>l IGBT y <strong>de</strong>l diodo.<br />

Pérdidas por Conmutación: Las pérdidas por conmutación son <strong>de</strong>bidas a <strong>la</strong>s<br />

condiciones <strong>de</strong> <strong>en</strong>trada <strong>en</strong> conducción (“turn-on”) y <strong>de</strong> bloqueo (“turn-off”). Las<br />

ecuaciones (2.22) y (2.23) repres<strong>en</strong>tan <strong>la</strong>s pérdidas <strong>de</strong> conmutación “turn-on” y<br />

“turn-off”, respectivam<strong>en</strong>te.<br />

⎡⎛<br />

⎢⎜<br />

0,<br />

38 I<br />

0,<br />

28 + ⋅<br />

⎢⎜<br />

π I<br />

⎣⎝<br />

2<br />

2<br />

1 ICM<br />

2<br />

CM<br />

CM<br />

turn−on<br />

= VCC<br />

⋅t<br />

rn ⋅ ⋅ fc<br />

+ VCC<br />

rrn<br />

8 ICN<br />

3<br />

CN<br />

CN<br />

P<br />

⎛ 0,<br />

8 I<br />

+<br />

⎜ + 0,<br />

05⋅<br />

⎝ π I<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

⎤<br />

CM<br />

⎟<br />

ICM<br />

⋅t<br />

rrn ⎥ ⋅ fc<br />

CN<br />

⎦<br />

⎛ I<br />

+ 0,<br />

015 ⎜<br />

⎝ I<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

⎞<br />

⎟Q<br />

⎟<br />

⎠<br />

+<br />

(2.22)

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