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Anexo 7: Diodos-FETs

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ANEXO TEMA 7:INTRODUCCIÓN BÁSICAA DIODOS Y <strong>FETs</strong>


INTRODUCCIÓN BÁSICA A DIODOS Y FETS- <strong>Diodos</strong>El diodo es un componente no lineal adecuado para circuitos digitales dado que presentados estados bien diferenciados: corte y conducción.a b c S0 0 0 00 0 1 0IPNa b c S0 0 0 00 0 1 10 1 0 00 1 1 01 0 0 01 0 1 0CorteIConducciónVV D ≈ 0.7V0 1 0 10 1 1 11 0 0 11 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 11 1 1 1“0”**AND (lógica positiva)+V C“1”“1”“1”abcRS=abc“1” (V DD )“0” (GND)S = V D ≈ “0”S ≈ V DD = “1”“1”**“0”“0”“0”abcOR (lógica positiva)S=a+b+cS = V DD - V D ≈ “1”RS ≈ 0 = “0”


INTRODUCCIÓN BÁSICA A DIODOS Y FETS- Transistores de efecto de campo (<strong>FETs</strong>)FET DE CANAL N:• Si V GS (NMOS) > V T (NMOS) > 0:D (drenador) Se forma canal de conducción (ON): I D > 0I D > 0IEn estas condiciones el NMOS se comportaG (puerta) DCANAL Naproximadamente como un interruptor cerrado.• Si V GS (NMOS) < V T (NMOS) :S (fuente)V GS = V G - V SNo hay canal de conducción (OFF): I D = 0I D = 0En estas condiciones el NMOS se comportaaproximadamente como un interruptor abierto.• Si V GS (PMOS) < V T (PMOS) < 0:FET DE CANAL P: Se forma canal de conducción (ON): I D > 0I D > 0DEn estas condiciones el PMOS se comportaaproximadamente como un interruptor cerrado.I DG++--V GS = V G - V SCANAL PS• Si V GS (PMOS) > V T (PMOS) :No hay canal de conducción (OFF): I D = 0En estas condiciones el PMOS se comportaaproximadamente como un interruptor abierto.I D = 0DR DS ON (NMOS) → 0SDR DS OFF (NMOS) → ∞SDR DS ON (PMOS) → 0SDR DS OFF (PMOS) → ∞S

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