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cristalización

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CRISTALIZACIÓN: INTRODUCCIÓN<br />

La <strong>cristalización</strong> es una operación de transferencia de materia en la que se produce<br />

la formación de un sólido (cristal o precipitado) a partir de una fase homogénea (soluto<br />

en disolución o en un fundido).<br />

Destaca sobre otros procesos de separación por su potencial para combinar<br />

purificación y producción de partículas en un solo proceso. Comparado con otras<br />

operaciones de separación la <strong>cristalización</strong> en disolución presenta varias VENTAJAS:<br />

El factor de separación es elevado (producto casi sin impurezas). En bastantes ocasiones se<br />

puede recuperar un producto con una pureza mayor del 99% en una única etapa de<br />

<strong>cristalización</strong>, separación y lavado.<br />

Controlando las condiciones del proceso se obtiene un producto sólido constituido por<br />

partículas discretas de tamaño y forma adecuados para ser directamente empaquetado y<br />

vendido (el mercado actual reclama productos con propiedades específicas).<br />

Precisa menos energía para la separación que la destilación u otros métodos empleados<br />

habitualmente y puede realizarse a temperaturas relativamente bajas.<br />

Sus principales DESVENTAJAS son:<br />

En general, ni se puede purificar más de un componente ni recuperar todo el soluto en una<br />

única etapa. Es necesario equipo adicional para retirar el soluto restante de las aguas madres.<br />

La operación implica el manejo de sólidos, con los inconvenientes tecnológicos que esto<br />

conlleva. En la práctica supone una secuencia de procesado de sólidos, que incluye equipos<br />

de <strong>cristalización</strong> junto con otros de separación sólido-líquido y de secado (ver esquema<br />

general).


Esquema de un proceso completo de <strong>cristalización</strong>


DISEÑO O DE CRISTALIZADORES<br />

CÁLCULOS DE EQUILIBRIO<br />

(masa total de cristales)<br />

CINÉTICA DE NUCLEACIÓN<br />

CINÉTICA DE CRECIMIENTO<br />

CSD<br />

(tamaño, forma y número de cristales)


Cinética de<br />

crecimiento<br />

Velocidad<br />

de crecimiento<br />

Balance de<br />

Sobresaturación<br />

materia<br />

Cinética de<br />

nucleación<br />

Velocidad<br />

de nucleación<br />

Balance de<br />

población<br />

Área de los<br />

cristales<br />

Interacciones que influyen en el comportamiento de un cristalizador<br />

• La <strong>cristalización</strong> n es una operación n de transferencia de materia que depende de la<br />

superficie del cristal. En la figura se muestra la compleja interacci<br />

racción n entre la distribución n de<br />

tamaño o (CSD) y los factores que lo originan. Cada factor cinético de <strong>cristalización</strong> n está<br />

relacionado con los demás, con la velocidad de crecimiento y con el tiempo de residencia de<br />

cada partícula (balance de población). Existe una fuerte relación n entre la sobresaturación<br />

(fuerza impulsora) y el área superficial de los cristales (relacionada con la CSD). Estas<br />

interacciones cristalizador/CSD pueden influir profundamente en la operación n en estado<br />

estacionario de un cristalizador en continuo.


DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: UN COMPONENTE<br />

Clasificación de algunas sales con la solubilidad<br />

Tipo<br />

1<br />

2<br />

3<br />

Sales<br />

K 2<br />

SO 4<br />

, KNO 3<br />

, NaNO 3<br />

, NH 4<br />

NO 3<br />

,<br />

CuSO 4<br />

, sacarosa, etc.<br />

KCl, NaCl, (NH 4<br />

) 2<br />

SO 4<br />

Na 2<br />

SO 4<br />

, CaSO 4<br />

, MgSO 4<br />

H 2<br />

O,<br />

FeSO 4<br />

H 2<br />

O<br />

Solubilidad<br />

Aumenta con T<br />

Varía poco con T<br />

Disminuye con T


Ejemplos de curvas de solubilidad


Sobresaturación n y <strong>cristalización</strong>:<br />

Conc.<br />

Curva de<br />

saturación<br />

A<br />

Temperatura


Sobresaturación n y <strong>cristalización</strong>:<br />

Conc.<br />

Enfriamiento<br />

Curva de<br />

saturación<br />

B<br />

A<br />

Temperatura


Sobresaturación n y <strong>cristalización</strong>:<br />

Conc.<br />

Enfriamiento<br />

Curva de<br />

saturación<br />

C<br />

B<br />

A<br />

Temperatura


Sobresaturación n y <strong>cristalización</strong>:<br />

Conc.<br />

Enfriamiento<br />

Curva de<br />

sobresaturación<br />

Curva de<br />

saturación<br />

C<br />

B<br />

A<br />

Temperatura


Sobresaturación n y <strong>cristalización</strong>:<br />

Conc.<br />

Enfriamiento<br />

Curva de<br />

sobresaturación<br />

Curva de<br />

saturación<br />

Zona<br />

lábil<br />

Zona Zona<br />

metaestable metaestable<br />

Zona<br />

no saturada<br />

C<br />

B<br />

A<br />

Diagrama de Miers<br />

Temperatura


Conc.<br />

Sobresaturación n y <strong>cristalización</strong>:<br />

Evaporación<br />

Curva de<br />

sobresaturación<br />

C<br />

Curva de<br />

saturación<br />

Zona<br />

lábil<br />

Zona Zona<br />

metaestable metaestable<br />

Zona<br />

no saturada<br />

B<br />

A<br />

Temperatura


c<br />

RESUMEN<br />

Inestable<br />

D<br />

Metaestable<br />

C<br />

B<br />

Estable<br />

b<br />

a<br />

A<br />

Las disoluciones insaturadas y<br />

saturadas son estables. En general,<br />

las sobresaturadas son inestables.<br />

El grado de sobresaturación<br />

puede definirse como:<br />

ΔC = Csobresat - Csat<br />

ó<br />

ΔS = Csobresat / Csat<br />

El diagrama queda dividido en tres zonas:<br />

1. Zona estable (subsaturada(<br />

subsaturada), donde no es posible la <strong>cristalización</strong>.<br />

2. Zona metaestable (sobresaturada), entre las curvas de sobresaturaci<br />

turación n y<br />

solubilidad, donde la <strong>cristalización</strong> n espontánea nea es improbable. SíS<br />

existe crecimiento<br />

de cristales si ya están n presentes en la disolución.<br />

3.Zona inestable (sobresaturada), donde es probable la cristalizaci<br />

ación n espontánea.<br />

nea.<br />

t


Solubilidad invertida


Formas de expresar la sobresaturación<br />

Fuerza motriz termodinámica<br />

mica de la <strong>cristalización</strong><br />

Δμ = μ 1<br />

- μ 2<br />

> 0<br />

μ = μ 0<br />

+ RT ln(a)<br />

Δμ<br />

=<br />

RT<br />

ln( a / a eq )<br />

=<br />

ln( S)<br />

Expresiones prácticas<br />

‣ Relación de sobresaturación: S = C/Ceq<br />

(Aplicaciones termodinámicas; cociente de coef. actividad = 1; S debe<br />

definirse con las unidades de concentración).<br />

‣ Fuerza impulsora de concentración: ΔC = C –Ceq<br />

(Estudios cinéticos)<br />

‣ Fuerza impulsora en términos de sobreenfriamiento:<br />

ΔT = Teq - T<br />

‣ Comparación sistemas σ = ΔC/Ceq = S-1


Métodos para crear sobresaturación<br />

Conc.<br />

1) Enfriamiento<br />

2) Evaporación<br />

3) Vacío<br />

4) Reacción<br />

5) Drowning-out<br />

Zona<br />

lábil<br />

Zona<br />

metaestable<br />

Zona<br />

no saturada<br />

Temperatura


TIPOS BASICOS DE CRISTALIZACION DESDE<br />

SOLUCIONES<br />

Tipo de Cristalización<br />

Cristalización por<br />

enfriamiento<br />

Cristalización por<br />

evaporación<br />

Cristalización por<br />

reacción<br />

Cristalización por saltingout<br />

Cristalización al vacío<br />

Sobresaturación<br />

producida por:<br />

Reducción de Temperatura<br />

Evaporación de Disolvente<br />

Reacción Química<br />

Adición de otra sustancia<br />

Flashing y evaporación<br />

Métodos combinados<br />

Combinación de métodos<br />

anteriores


DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: SISTEMAS BINARIOS<br />

Diagramas en Cristalización de Fundidos: Soluciones sólidas<br />

Solid solution system:<br />

Phenanthrene and anthracene<br />

Coeficiente de distribución de impureza: k i<br />

= x i<br />

/ y i<br />

; k i<br />

< 1


Diagramas en Cristalización de Fundidos: Eutécticos<br />

Simple eutectic binary system:<br />

Phenol and naphtalene<br />

Eutécticos: ki < 1


Diagramas en Cristalización de Fundidos: Eutécticos<br />

Solubility of naphtalene in benzene


Diagramas en Cristalización en Disolución: Formación de Hidratos<br />

Phase diagram for the system Na 2<br />

SO 4<br />

-water


Diagramas en Cristalización en Disolución: Formación de Hidratos<br />

B, D, F: eutécticos<br />

C, E: puntos congruentes<br />

G: punto incongruente. Transición<br />

donde cambia la composición, el<br />

dihidrato pasa a monohidrato.<br />

Phase diagram for the system Mn(NO 3<br />

) 2<br />

-water


DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: SISTEMAS TERNARIOS<br />

Equilibrium data for System<br />

KNO 3<br />

-NaNO 3<br />

-H 2<br />

O.<br />

a. Equilateral triangular<br />

diagram at 50 ºC<br />

Diagramas muy usados para <strong>cristalización</strong> a partir de disolución. Propiedades<br />

generales de procesos de mezcla y escisión.<br />

a: solubilidad de KNO 3 en agua; c: solubilidad de NaNO 3 en agua; b: drying up point<br />

Región a-b-KNO 3 : mezclas de KNO 3 puro y disolución (ver rectas de reparto)<br />

Región c-b-NaNO 3 : mezclas de NaNO 3 puro y disolución (ver recta de reparto)<br />

Región a-b-c-H 2 O: disoluciones subsaturadas de ambas sales en agua<br />

Región KNO 3 -b-NaNO 3 : ambas sales en equilibrio con disolución de composición b


Aplicación de regla de la fases<br />

L = C - F (T y P constantes) C = 3<br />

1) Disolución n no saturada F = 1 => L = 2 Un área<br />

2) Disolución n saturada + sal F = 2 => L = 1 Una líneal<br />

3) Disoluc. Sat. . + 2 sales F = 3 => L = 0 Un punto<br />

H 2 O<br />

S 1<br />

L = 1<br />

L = 2<br />

L = 0<br />

L = 1<br />

Campo de <strong>cristalización</strong><br />

del sólido s<br />

S 2<br />

S 2


DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO: SISTEMAS TERNARIOS<br />

Equilibrium data for System<br />

KNO 3<br />

-NaNO 3<br />

-H 2<br />

O.<br />

a. Equilateral triangular<br />

diagram at 50 ºC<br />

Diagramas muy usados para <strong>cristalización</strong> a partir de disolución. Propiedades<br />

generales de procesos de mezcla y escisión.<br />

a: solubilidad de KNO 3 en agua; c: solubilidad de NaNO 3 en agua; b: drying up point<br />

Región a-b-KNO 3 : mezclas de KNO 3 puro y disolución (ver rectas de reparto)<br />

Región c-b-NaNO 3 : mezclas de NaNO 3 puro y disolución (ver recta de reparto)<br />

Región a-b-c-H 2 O: disoluciones subsaturadas de ambas sales en agua<br />

Región KNO 3 -b-NaNO 3 : ambas sales en equilibrio con disolución de composición b


Equilibrium data for System<br />

KNO 3<br />

-NaNO 3<br />

-H 2<br />

O.<br />

b. Right triangular diagram at<br />

50 ºC<br />

Eliminación de agua de F<br />

seguir la línea de dilución H 2 O-F.<br />

La evaporación hasta G produce cristales de KNO 3 puro y disolución saturada H<br />

La evaporación hasta la línea KNO 3 -b produce cristales de KNO 3 puro y disolución de<br />

composición b.<br />

La evaporación hasta más allá de la línea KNO 3 -b produce mezcla de ambos<br />

cristales en equilibrio con disolución de composición b.<br />

En la región b-c-NaNO 3 el comportamiento es similar, produciéndose cristales de<br />

NaNO 3 puro al evaporar agua


Equilibrium data for System<br />

KNO 3<br />

-NaNO 3<br />

-H 2<br />

O.<br />

c. Data at 25 ºC and 100 ºC<br />

Al disminuir T disminuye la solubilidad de ambas sales y de sus mezclas en agua<br />

La sobresaturación puede conseguirse mediante enfriamiento. También por<br />

evaporación y por salting.out<br />

La variación de la solubilidad con la temperatura se usa para el fraccionamiento de las<br />

dos sales, usando ciclos de temperatura.


Sistemas Ternarios con Formación de Sales Dobles e Hidratos<br />

Three-dimensional plot for equilibrium for the system Na 2<br />

SO 4<br />

-MgSO 4<br />

-H 2<br />

O (Fitch, 1970)


Sistemas Ternarios con Formación de Sales Dobles e Hidratos<br />

Projections for system Na 2<br />

SO 4<br />

-MgSO 4<br />

-water (Fitch 1970. Ind. Eng. Chem., 62, (12), 6 (1970).<br />

a. 50 ºC isotherm. b. 20 ºC, 10 ºC and 0 ºC isotherms<br />

Fases sólidas a 50 ºC: MgSO 4·6H 2 O; Na 2 SO 4·MgSO 4·4H 2 O (astrakanite); Na 2 SO 4<br />

Fases sólidas a 20 ºC: MgSO 4·7H 2 O; Na 2 SO 4·MgSO 4·4H 2 O (astrakanite); Na 2 SO 4·10H 2 O<br />

Fases sólidas a 10 ºC: MgSO 4·7H 2 O; Na 2 SO 4·10H 2 O


CRISTALIZACIÓN FRACCIONAL<br />

Batch fractional crystallization for ternary<br />

systems without double salts or solid solution.<br />

a. Schematic of basic process.<br />

Se parte de disolución de composición b(T ! ) a T 1 . El objetivo es obtener las dos sales por<br />

separado. Se realiza una <strong>cristalización</strong> fraccional cambiando T en alguna parte del ciclo.<br />

Obtención de una sal a una temperatura: Se añade agua hasta punto a. Al cambiar la<br />

temperatura hasta T 2 se producen cristales del hidrato en equilibrio con disolución de<br />

composición b(T 2 ). Se separan los cristales.<br />

Obtención de la otra sal a otra temperatura: Se evapora agua de la disolución b(T 2 ) hasta<br />

punto c. Al cambiar la temperatura hasta T 1 se producen cristales de la sal B pura en<br />

equilibrio con disolución de composición b(T 1 ). Se separan los cristales y se reanuda el ciclo.


Batch fractional crystallization for ternary<br />

systems without double salts or solid solution.<br />

b. Application to system KNO 3<br />

-NaNO 3<br />

-water<br />

El esquema general anterior es básicamente el mismo que se emplea para fraccionar<br />

NaNO 3 y KNO 3 .<br />

Se parte de disolución b(100 ºC), se añade agua hasta alcanzar el punto a, se enfría hasta<br />

25 ºC y se recoge la primera cosecha de cristales (en este caso KNO 3 ).<br />

Se evapora agua de la disolución b(25 ºC) hasta punto c, se calienta la mezcla hasta 100<br />

ºC y se separa una cosecha de cristales de NaNO 3 en equilibrio con disolución b(100 ºC).<br />

El proceso puede hacerse continuo añadiendo alimentación F a b(100 ºC) o a b(25 ºC).


Cycle for fractional crystallization of KCl and<br />

NaCl without evaporation or dilution.<br />

Los esquemas anteriores utilizan las composiciones eutécticas [b(T 1 ) y b(T 2 )] en el ciclo.<br />

Con ello se consigue maximizar los rendimientos.<br />

Sin embargo, hay veces que económicamente es mejor prescindir del paso por alguna de<br />

esas composiciones eutécticas. Así sucede en el ejemplo que se recoge en la figura, donde,<br />

en ningún momento del ciclo se añade o se evapora agua.<br />

Se parte de disolución b(2) que se enfría hasta 20 ºC, separándose así una fracción de<br />

cristales de KCl en equilibrio con disolución de composición a.<br />

La disolución a se mezcla con la alimentación F hasta obtener el punto de composisción c.<br />

Se calienta entonces hasta 80 ºC y se separa una cosecha de cristales de NaCl en equilibrio<br />

con disolución b(2). Se reanuda el ciclo.


Process flowsheet for fractionation for Na 2<br />

SO 4<br />

and MgSO 4<br />

(Fitch 1970)


CINÉTICA DE NUCLEACIÓN<br />

ETAPAS EN CRISTALIZACIÓN<br />

1. Sobresaturar<br />

2. Formar núcleos<br />

3. Crecimiento<br />

PRIMARIA<br />

TIPOS NUCLEACIÓN<br />

SECUNDARIA<br />

No cristales en el medio<br />

1. Homogénea<br />

Se produce en el medio líquido, en ausencia<br />

de cristales y de cualquier otra partícula.<br />

Inducida por la presencia de cristales en el<br />

medio.<br />

Es siempre heterogénea<br />

2. Heterogénea<br />

Se produce sobre las partículas de polvo o las<br />

paredes del recipiente


Nucleación primaria homogénea:<br />

Ocurre en ausencia de una interfase sólida. Los átomos o moléculas se<br />

combinan en una serie de “reacciones” para producir agregados ordenados o<br />

embriones. Algunos de ellos superan un tamaño crítico, convirtiéndose en<br />

NÚCLEOS; el resto se redisuelven.<br />

Crecimiento de clusters hasta<br />

superar tamaño crítico<br />

Atomos<br />

Agregación<br />

Clusters Clusters estables<br />

Moléculas o<br />

Ión … (Δc ) Embriones Redisolución NÚCLEOS<br />

Crecimiento<br />

Hay que vencer una barrera energética para formar los núcleos. Por ello, se<br />

postula una ecuación tipo Arrhenius para expresar la velocidad de nucleación:<br />

B<br />

0<br />

homog<br />

B<br />

0<br />

dN<br />

⎛ ΔG<br />

= = Aexp⎜<br />

−<br />

dt<br />

⎝ kT<br />

nucleo<br />

⎡<br />

Aexp⎢<br />

−<br />

⎣ 3k<br />

3 2<br />

16π6 V<br />

= M<br />

3 3 2<br />

T<br />

(lnS)<br />

⎤<br />

⎥<br />

⎦<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

B 0 : velocidad de formación de núcleos<br />

B 0 [=] nº núcleos formados/tiempo·volumen<br />

N: nº de núcleos (serán cristales)/volumen<br />

ΔG: cambio de energía libre del sistema<br />

A: factor preexponencial (del orden de 10 25 )<br />

k: constante de Boltzmann = 1,3805 · 10 -23 J/K<br />

V M<br />

: volumen molar del cristal ; S: sobresaturación<br />

σ: energía superficial sólido-líquido


Hay un valor de S crítico para el cual ΔG cambia de valores + a -, momento<br />

en el que se produce nucleación espontánea. Una vez lograda la sobresaturación<br />

crítica B 0 aumenta muy rápidamente. Hace falta, por tanto, un valor alto de S para<br />

que haya nucleación homogénea.<br />

<br />

Cuando S1, ΔG(r) tiene un máximo positivo a un<br />

cierto radio crítico r*<br />

· La altura de este máximo es la<br />

energía de activación necesaria para la nucleación.<br />

<br />

Los embriones mayores que el tamaño crítico<br />

disminuirán su energía libre debido al crecimiento,<br />

dando lugar a núcleos estables que crecen para formar<br />

partículas macroscópicas.<br />

RESUMEN: La velocidad de nucleación primaria es altamente no lineal con<br />

la sobresaturación de la disolución, siendo cercana a cero para bajos<br />

valores de S (región metaestable) y aumentando rápidamente cuando se<br />

alcanza la sobresaturación crítica (región inestable). Por tanto, se espera un<br />

dominio de la nucleación primaria a elevadas sobresaturaciones.


Nucleación secundaria:<br />

Ocurre por varios posibles mecanismos:<br />

En procesos con siembra de cristales: polvo del cristal que se suelta y hace de<br />

núcleos (nucleación aparente).<br />

En <strong>cristalización</strong> muy rápida se generan agujas o dendritas en los cristales en<br />

crecimiento, que se sueltan o rompen con facilidad y sirven como núcleos.<br />

Nucleación de contacto: Los cristales en crecimiento entran en contacto entre sí,<br />

con las paredes del recipiente o con el agitador. Se producen así pequeñas partículas<br />

por roturas, que sirven como núcleos.<br />

Numerosas cristalizaciones dan lugar a aglomerados de cristales que se pueden<br />

separar con facilidad generando núcleos.<br />

La nucleación secundaria depende también de la sobresaturación: los núcleos<br />

solo crecen si superan un tamaño crítico.<br />

Ecuaciones para el diseño:<br />

0<br />

B =<br />

k<br />

N<br />

Δc<br />

i<br />

MAX<br />

Ec. válida para nucleación<br />

secundaria y primaria<br />

heterogénea<br />

(Δc) MAX<br />

: sobresaturación máxima ; i: “orden” de nucleación<br />

2 < i < 9 : nucleación primaria heterogénea (disoluciones acuosas)<br />

0 < i < 3 : nucleación secundaria<br />

‣ A veces es difícil medir la sobresaturación. Por ello, la velocidad de nucleación<br />

se expresa en términos de la velocidad lineal de crecimiento cristalino G,<br />

definida como: G = dL/dt


B<br />

0<br />

=<br />

dN<br />

dt<br />

L = 0<br />

=<br />

dN<br />

dL<br />

L = 0<br />

dL<br />

dt<br />

=<br />

n<br />

0<br />

G<br />

N: nº núcleos / volumen<br />

n 0 : densidad de población de núcleos<br />

Generalmente G~sobresaturación: G = k G·Δc<br />

B 0 = k·G i ; n 0 = k·G i-1<br />

Por otra parte B 0 = k N Δc i<br />

Ecuaciones para correlacionar datos<br />

‣ Una expresión mejor para la velocidad de nucleación considera también la<br />

densidad del magma M T<br />

:<br />

B 0 = k(T, hidrodinámica, impurezas) · G i ·M T<br />

j


CRECIMIENTO CRISTALINO<br />

Formas cristalinas<br />

CUBICO<br />

HEXAGONAL<br />

TETRAGONAL TRIGONAL ORTORRÓMBICO<br />

MONOCLÍNICO<br />

TRICLÍNICO


LOS 7 SISTEMAS CRISTALINOS<br />

a = b = c<br />

α = β = y = 90º<br />

CUBICO: Tres ejes de igual longitud y perpendiculares unos de otros. Se<br />

llama también sistema isométrico o regular.<br />

Cloruro de sodio, cloruro de potasio, clorato sódico, aluminios,<br />

diamante.<br />

a = b ≠ c<br />

α = β = y = 90º<br />

TETRAGONAL: Tres ejes que intersectan en ángulos rectos. Dos de los<br />

ejes son de igual longitud. La forma más simple es un prisma.<br />

Calcopirita, pirolusita, casiterita, uraninita.<br />

a = b = c<br />

α = β = y = 90º<br />

z = 120º<br />

HEXAGONAL: Cuatro ejes, tres de los cuales son de igual longitud y<br />

están en el mismo plano. Un cristal hexagonal es la forma más simple.<br />

Apatito, grafito, mercurio, esmeralda, vanadinita, zincita,<br />

molibdenita.<br />

a<br />

= b<br />

=<br />

c<br />

TRIGONAL: Se llama también romboédrico y se define como una<br />

subdivisión del sistema hexagonal. Si no se realiza un examen<br />

cuidadoso no siempre resulta clara la distinción entre ambos.<br />

α = β =<br />

y<br />

≠<br />

90°<br />

Antimonio, arsénico, bismuto, calcita, chabazita, dolomita,<br />

hematite, magnesita, cuarzo, rubí, zafiro.


LOS 7 SISTEMAS CRISTALINOS<br />

a ≠ b ≠ c<br />

α = β = y = 90º<br />

RÓMBICO: Tres ejes perpendiculares entre si, cada uno de<br />

diferente longitud. Máximo planos de simetría 3.<br />

Alexandrita, anhidrita, aragonita, barita, celestina,<br />

olivino, azufre, topacio.<br />

a ≠b<br />

≠ c<br />

α = β = 90º ≠<br />

y<br />

MONOCLÍNICO<br />

NICO: Tres ejes de diferente longitud, dos de ellos<br />

perpendiculares entre sí y el tercero inclinado. Máximo<br />

planos de simetría 1.<br />

Azurita, yeso, malaquita, tiosulfato sódico, azúcar.<br />

a ≠ b ≠ c<br />

α ≠ β ≠ y<br />

TRICLÍNICO<br />

NICO: Tres ejes de distinta longitud y ninguno<br />

perpendicular entre ellos. Por ello, Maximo planos de<br />

simetría igual a 0.<br />

Albita, amazonita, labradorita, sulfato de cobre.


HÁBITO CRISTALINO<br />

Cada sustancia tiene una única forma cristalina correspondiente a alguno de los 7 sistemas<br />

cristalográficos. El aspecto único de un compuesto es que los ángulos entre caras adyacentes son<br />

constantes. Los ángulos no cambian (son característicos de cada sustancia), lo que puede<br />

cambiar es el tamaño de las caras.<br />

Con ángulos constantes y caras de diferente tamaño la forma de un cristal puede variar<br />

mucho: HÁBITOS DIFERENTES<br />

En la figura se muestran 3 modificaciones del hábito de un cristal perteneciente al sistema<br />

hexagonal.<br />

Hábito cristalino en un cristal hexagonal<br />

La modificación del hábito depende de numerosos factores ligados a las condiciones en las<br />

que tiene lugar el crecimiento del cristal: sobresaturación -enfriamiento brusco, siembra, …-,<br />

agitación, presencia de impurezas, tipo de disolvente, etc.


HÁBITO CRISTALINO<br />

Hábitos cristalinos frecuentes en cristales de sulfato<br />

potásico crecidos a partir de disolución acuosa


IMPERFECCIONES EN EL CRECIMIENTO<br />

Dendritas: Se producen por una rápida <strong>cristalización</strong> a partir de disoluciones<br />

sobresaturadas o de fundidos sobreenfriados o de vapores.<br />

Crecimiento dendrítico<br />

Cristales compuestos (agregados)<br />

• Crecimiento paralelo<br />

Crecimiento paralelo sobre un cristal de sulfato de<br />

potasio y aluminio (K 2 SO 4·Al 2 (SO 4 ) 3·24H 2 O<br />

• Maclas<br />

Intercrecimiento simétrico de 2<br />

cubos (fluorespato)<br />

Interpenetración parcial (cuarzo)


CRECIMIENTO CRISTALINO<br />

Para cumplir la ley de Haüy los sucesivos desplazamientos de las caras al crecer han de ser<br />

paralelos entre sí. s . Ello implica un desarrollo diferente de las caras individuales, e.g., ., la<br />

velocidad de crecimiento G es diferente para cada cara.<br />

La Figura (a) muestra el caso ideal de un cristal que mantiene su geometría a original mientras<br />

crece (cristal invariante). Las 3 caras A crecen a igual G, lo mismo m<br />

sucede con las 2 caras B,<br />

aunque su velocidad de crecimiento es mayor, y la cara C es la que q<br />

crece más m s rápido. r<br />

En la práctica, un cristal no siempre mantiene su geometría a similar durante su crecimiento.<br />

Por ejemplo, en la figura (b) se observa la progresiva desaparición n de las caras menores (B),<br />

que son las que crecen más m s rápido r<br />

que las A.<br />

(a)<br />

(b)<br />

Velocidades de crecimiento de las caras de los cristales: (a) cristal invariante; (b) solapante.


CRECIMIENTO CRISTALINO<br />

Los cristales crecen en el seno de una disolución sobresaturada a través de dos<br />

etapas en serie: 1) difusión en la fase líquida de las unidades de soluto hasta<br />

alcanzar la superficie del cristal (teoría de difusión o de TM) + 2) integración del<br />

soluto y organización dentro de la red (teoría de adsorción o “reacción”)<br />

c eq<br />

c k<br />

c<br />

c, c k<br />

, c eq<br />

: concentraciones de soluto en disolución:<br />

global (sobresaturada), en la superficie de contacto<br />

(desconocida) y en el equilibrio (saturada).<br />

La etapa de reacción no es infinitamente rápida y<br />

requiere una FI igual a (c k<br />

-c eq<br />

) -sobresaturación real-.<br />

Por ello, la FI para la difusión externa se reduce<br />

desde un valor de la sobresaturación aparente (c-c eq<br />

)<br />

hasta un valor (c-c k<br />

).<br />

Integración<br />

superficie<br />

(capa adsorbida)<br />

Capa de<br />

difusión<br />

Teoría a de difusión-reacci<br />

reacción<br />

Difusión<br />

dm<br />

dt<br />

=<br />

k<br />

d<br />

⋅<br />

A<br />

c<br />

⋅<br />

( c − c<br />

k<br />

Integración superficie<br />

dm<br />

dt<br />

=<br />

k<br />

i<br />

⋅<br />

A<br />

c<br />

⋅ ( c −<br />

k<br />

c<br />

eq<br />

)<br />

)<br />

i


Si i = 1 (“orden” de reacción superficial igual a 1)<br />

dm Ac(c−ceq)<br />

= = KGAc(c−ceq)<br />

m: masa de soluto transferida = masa de sólido depositado<br />

dt 1 1<br />

+<br />

k k<br />

d<br />

Simplificando:<br />

i<br />

Para cristales donde sus caras crecen a la misma velocidad: m = k v L 3 ρ s ; A c = k A L 2<br />

Sustituyendo: dL ⎛ k (c − c eq )<br />

A<br />

⎞<br />

=<br />

dt<br />

⎜<br />

⎟<br />

⎝ 3ρ ⎠ 1 1<br />

s k V<br />

+<br />

k k<br />

dL<br />

dt<br />

≡ G = k(<br />

c − c ) = kΔc<br />

d<br />

eq<br />

i<br />

Si la sobresaturación Δc es constante: ΔL = G Δt Ley (ΔL) de Mc Cabe<br />

Si todos los cristales del magma, similares geométricamente y del mismo<br />

material, crecen en las mismas condiciones ambientales (idéntica T y campo<br />

de sobresaturación uniforme) entonces todos ellos no sólo serán invariantes<br />

sino que también crecen a la misma velocidad lineal, independientemente<br />

de su tamaño


La ley de Mc Cabe es una importante simplificación que conlleva<br />

numerosas suposiciones: orden de reacción superficial igual a 1, crecimiento de<br />

todas las caras a igual velocidad, coeficientes constantes y sobresaturación<br />

constante en todas las partes del cristalizador. A pesar de ello, tal vez por<br />

cancelación de errores, es suficientemente precisa para muchos procesos<br />

industriales.<br />

En ocasiones se observa que cristales del mismo tamaño bajo idénticas<br />

condiciones aparentes crecen a distinta G (fenómeno conocido como growth rate<br />

dispersion). En estas circunstancias, y también en otros casos donde no se ajusta<br />

la ley (ΔL), se proponen en la bibliografía ecuaciones para crecimiento<br />

dependiente del tamaño: G = f(L)<br />

Si i ≠ 1 (“orden” de reacción superficial distinto de 1)<br />

dm<br />

dt<br />

=<br />

K<br />

n<br />

G A c (c − c eq )<br />

Ecuación empírica para correlación de datos<br />

n: “orden” global de crecimiento<br />

1,5 < n < 2 para muchas sales inorgánicas

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