THESE_EL ABIDI.pdf - Toubkal

Chapitre II- Cadre théoriqued’accepteursConsidérons le model suivant : le semi-conducteur contient une concentrationélectrique s’écrit :N A ionisés dans tout le domaine de la température. L’équation de neutralitép = NA+ n .Dans le domaine extrinsèque et à basse températureDe l’équation (2.23) on a :H( R )HsatAp ≈ N on a la relation :Ar= (2.27)e ND’où le rapport :II.B.4 Effet Seebeck( R )( H )( R )r( b −1) 2HH= ⋅ (2.28)maxe NA4bHsat( − ) 2R b 1maxb= ( = pour b ≫ 1) (2.29)4b 4Figure II.4: Circuit de mesure du pouvoir thermoélectrique.Soit un semi-conducteur d’extrémités portées à des températures T 1 et T 2 =T 1 +dTdifférentes, il apparaît alors dans un circuit fermé un courant dit courant thermoélectrique.Si on provoque dans ce circuit une rupture (ou on insère un voltmètre), on constatequ’entre les extrémités de ce circuit il apparaît une différence de potentiel que l’on appelleforce thermoélectrique. Cette tension u est décelée par un voltmètre : c’est l’effet Seebeck[2.2].Dans ce qui suit, on va décrire les principaux résultats trouvés lors du calcul dupouvoir thermoélectrique, décrit en détail dans l’annexe (C).u =∫ εxdx; ε x : champ électrique crée par le gradient de température.On avait trouvé lors de la résolution de l’équation de Boltzmann que :46