ATTIVITA' SCIENTIFICA DEL PROF - Dipartimento di Fisica
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<strong>ATTIVITA'</strong> <strong>SCIENTIFICA</strong> <strong>DEL</strong> <strong>PROF</strong>. VINCENZO AUGELLI.<br />
I. Fondamenti della Meccanica Quantistica.<br />
Teoria della misura in meccanica quantistica. [I].<br />
II. Proprietà <strong>di</strong> trasporto <strong>di</strong> semiconduttori composti.<br />
Stu<strong>di</strong>o delle proprietà elettriche e fotoelettroniche <strong>di</strong> semiconduttori composti, lamellari e<br />
non. Tale attività ha riguardato, soprattutto, i semiconduttori lamellari delle famiglie III-VI<br />
(seleniuro <strong>di</strong> gallio, GaSe, solfuro <strong>di</strong> gallio, GaS, tellururo <strong>di</strong> gallio, GaTe). Lo stu<strong>di</strong>o delle<br />
proprietà elettriche è stato condotto tramite misure <strong>di</strong> resistività elettrica e mobilità Hall. I<br />
dati sperimentali ottenuti per il GaSe e per il GaS vengono interpretati sulla base della<br />
formulazione teorica <strong>di</strong> Shklovskii e Pollak-Geballe per la conducibilità <strong>di</strong> tipo hopping (Intern.<br />
Conf. on Layered Semiconductors and Metals, Riva dei Tessali, 6-10/9/1976) . Misure <strong>di</strong><br />
mobilità ed effetto Hall sul GaTe e sul GaSe hanno permesso <strong>di</strong> stabilire la natura dei<br />
meccanismi <strong>di</strong> scattering operanti nei materiali; l'anisotropia della mobilità dei portatori è<br />
stata misurata per la prima volta nel GaSe. Misure <strong>di</strong> effetto PEM e <strong>di</strong> fotocorrente<br />
permettono <strong>di</strong> determinare il tempo <strong>di</strong> vita dei portatori nel GaSe e altri parametri importanti<br />
per la caratterizzazione fotoelettronica del materiale. Viene misurata l'anisotropia della<br />
resistività nel GaSe <strong>di</strong> tipo p e l'influenza del drogaggio con io<strong>di</strong>o sulle proprietà elettriche.<br />
Stu<strong>di</strong>a l'influenza dei processi <strong>di</strong> ricombinazione dei portatori sull'andamento spettrale della<br />
corrente <strong>di</strong> PEM e della fotoconducibilità (Int. Conf. on Layered Materials and Intercalates,<br />
(Nijmegen, 28-31/8/1979) e la <strong>di</strong>pendenza dal livello <strong>di</strong> iniezione dei portatori (Yamada Conf.<br />
IV on Physics and Chemistry of Layered Materials, Sendai, Japan, sett.1980). [II]<br />
III. Fotoeffetti nei semiconduttori.<br />
Stu<strong>di</strong>o dell'effetto PEM tenendo conto degli effetti <strong>di</strong> intrappolamento dei portatori. Stu<strong>di</strong>o<br />
della <strong>di</strong>pendenza della fotoconducibilità e della corrente <strong>di</strong> PEM dalla intensità luminosa e<br />
dalla lunghezza d'onda nel caso <strong>di</strong> ricombinazione quadratica tra i portatori. La <strong>di</strong>pendenza<br />
dalla intensità luminosa dell'effetto PEM, per un qualunque livello d'iniezione, viene stu<strong>di</strong>ata<br />
con meto<strong>di</strong> numerici. Il modello teorico elaborato spiega le deviazioni dalla linearità della<br />
risposta spettrale <strong>di</strong> celle a concentrazione in funzione della intensità luminosa. La teoria<br />
dell'effetto PEM viene stu<strong>di</strong>ata nel caso <strong>di</strong> ricombinazione tra i portatori per i quali la<br />
concentrazione <strong>di</strong> lacune risulti proporzionale alla ra<strong>di</strong>ce quadrata della concentrazione <strong>di</strong><br />
elettroni. [III]<br />
IV. Proprietà <strong>di</strong> trasporto <strong>di</strong> semiconduttori non cristallini<br />
Stu<strong>di</strong>o e caratterizzazione fisica <strong>di</strong> film <strong>di</strong> silicio amorfo in vista <strong>di</strong> applicazioni per la<br />
conversione fotovoltaica. I primi risultati mettono in evidenza la notevole <strong>di</strong>pendenza delle<br />
proprietà elettriche ed ottiche dei film dalle con<strong>di</strong>zioni <strong>di</strong> deposizione. Si eseguono misure <strong>di</strong><br />
assorbimento ottico, conducibilità elettrica, mobilità Hall, fotoconducibilità e<br />
fotoluminescenza. Vengono stu<strong>di</strong>ate le proprietà ottiche (coefficiente <strong>di</strong> assorbimento, in<strong>di</strong>ce
<strong>di</strong> rifrazione e gap ottica) in funzione <strong>di</strong> alcuni parametri <strong>di</strong> deposizione e lo stesso tipo <strong>di</strong><br />
indagine viene effettuata per la conducibilità elettrica e la fotoconducibilità. Misure <strong>di</strong><br />
mobilità Hall nei film non drogati permettono <strong>di</strong> chiarire meglio quali sono i meccanismi <strong>di</strong><br />
conduzione all'interno <strong>di</strong> un materiale amorfo. Vengono successivamente stu<strong>di</strong>ate le proprietà<br />
<strong>di</strong> film drogati sia <strong>di</strong> tipo p, ottenuti aggiungendo <strong>di</strong>borano alla miscela, che <strong>di</strong> tipo n, ottenuti<br />
con l'aggiunta <strong>di</strong> fosfina. Nel 1983 lavora presso i Laboratori RCA <strong>di</strong> Zurigo collaborando con<br />
Günter Harbeke e Helmut Kiess. Misura la fotocorrente transiente nel silicio amorfo e in<br />
polimeri coniugati (poliacetilene e polipirrolo). Misure <strong>di</strong> effetto <strong>di</strong> campo hanno permesso <strong>di</strong><br />
ottenere informazioni sulla <strong>di</strong>stribuzione degli stati nella gap del materiale. La risoluzione<br />
analitica dell'equazione integrale che lega la densità <strong>di</strong> carica indotta nell'effetto <strong>di</strong> campo e<br />
la densità <strong>di</strong> stati nella gap del materiale permette l'interpretazione <strong>di</strong> misure effettuate su<br />
films <strong>di</strong> silicio amorfo prodotti con la tecnica 'laser-induced chemical vapor deposition'. La<br />
densità degli stati nella gap del silicio amorfo depositato per glow <strong>di</strong>scharge è stata anche<br />
investigata con misure <strong>di</strong> corrente limitata da carica spaziale. Il ruolo del cloro nel silicio<br />
amorfo depositato a partire da tetracloruro <strong>di</strong> silicio, viene analizzato con misure <strong>di</strong><br />
efficienza su celle solari a barriera Schottky. Misure <strong>di</strong> fotoconducibilità ed effetto<br />
fotoelettromagnetico vengono effettuate su campioni <strong>di</strong> silicio amorfo depositati utilizzando<br />
una miscela <strong>di</strong> tetrafluoruro <strong>di</strong> silicio e idrogeno. Su invito dell'e<strong>di</strong>tore <strong>di</strong> 'The Institution of<br />
Electrical Engineers, INSPEC Publ., London', ha contribuito, con la stesura <strong>di</strong> alcuni paragrafi,<br />
alla pubblicazione del libro 'Properties of amorphous silicon'.<br />
Campioni non omogenei <strong>di</strong> silicio amorfo sono stati otticamente investigati con misure <strong>di</strong><br />
spettri <strong>di</strong> estinzione effettuati con ra<strong>di</strong>azione <strong>di</strong> luce <strong>di</strong> sincrotrone presso i Laboratori<br />
Nazionali <strong>di</strong> Frascati. Tali spettri permettono <strong>di</strong> evidenziare effetti <strong>di</strong> localizzazione ottica<br />
considerando il campione come un sistema con in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> rifrazione fluttuante.<br />
Nell'ambito del Network "Nanoaggregati e fulleriti: produzione e caratterizzazione", stu<strong>di</strong>a le<br />
proprietà elettriche <strong>di</strong> film <strong>di</strong> fullerene C60. Tramite misure <strong>di</strong> conducibilità elettrica in<br />
funzione della temperatura sono stati evidenziati fenomeni d'isteresi; si è visto, inoltre, che<br />
l'annealing termico influenza sia la fotoconducibilità che la sua <strong>di</strong>pendenza dall'intensità<br />
luminosa. Le proprietà elettriche <strong>di</strong> film <strong>di</strong> polimeri teflon-like drogati con oro sono state<br />
stu<strong>di</strong>ate. La conducibilità elettrica in funzione della temperatura evidenzia interessanti<br />
proprietà e complessi meccanismi <strong>di</strong> trasporto.<br />
Di notevole interesse è lo stu<strong>di</strong>o <strong>di</strong> film <strong>di</strong> fosfuro <strong>di</strong> in<strong>di</strong>o, InP, cresciuti per MOCVD, <strong>di</strong> GaAs<br />
passivato e <strong>di</strong> CdS cresciuto con la tecnica <strong>di</strong> „laser ablation‟. I campioni policristallini <strong>di</strong> InP e<br />
<strong>di</strong> CdS sono stati caratterizzati da un punto <strong>di</strong> vista ottico, elettrico e strutturale.<br />
E' stato stu<strong>di</strong>ato il processo <strong>di</strong> passivazione <strong>di</strong> GaAs cristallino per migliorare le sue proprietà<br />
elettriche. Un trattamento con plasma <strong>di</strong> idrogeno e azoto ne <strong>di</strong>minuisce la densità <strong>di</strong> <strong>di</strong>fetti<br />
superficiali. I campioni così trattati sono stati caratterizzati sia da un punto <strong>di</strong> vista ottico<br />
ed elettrico. [IV]<br />
V. Proprietà <strong>di</strong> trasporto <strong>di</strong> nanostrutture <strong>di</strong> materiali II-VI e III-V.<br />
In collaborazione con il Politecnico <strong>di</strong> Losanna sono state investigate strutture multistrati <strong>di</strong><br />
GaAs/GaAlAs realizzate con tecnica MBE. Misure <strong>di</strong> assorbimento ottico su tali superreticoli
hanno evidenziato effetti eccitonici legati ad eccitoni <strong>di</strong> punto sella (Int. Conf. on Optics of<br />
Excitons in Confined Systems, Giar<strong>di</strong>ni Naxos, Italy, 1991). Sulle stesse strutture vengono<br />
effettuate misure <strong>di</strong> fotocorrente in funzione della temperatura in regime <strong>di</strong> bassi campi<br />
applicati. La <strong>di</strong>pendenza dalla temperatura della energy gap del superreticolo è investigata e il<br />
trasporto dei portatori fotogenerati negli stati estesi delle minibande viene verificato.<br />
Nell'ambito del Network "Nanostrutture <strong>di</strong> Semiconduttori per l'Optoelettronica" e in<br />
collaborazione con ricercatori del <strong>Dipartimento</strong> <strong>di</strong> Scienza dei materiali dell'Università <strong>di</strong><br />
Lecce, viene investigato il trasporto in strutture II-VI e III-V .<br />
L'interesse attuale dello stu<strong>di</strong>o delle proprietà <strong>di</strong> eterostrutture a bassa <strong>di</strong>mensionalità ha<br />
determinato un interesse verso sistemi costituiti da grani <strong>di</strong> materiale semiconduttore<br />
immersi in una matrice vetrosa. A tale scopo, sono stati investigati film <strong>di</strong> ZnOCdTe<br />
caratterizzati da un punto <strong>di</strong> vista ottico, strutturale ed elettrico. [V]<br />
VI. Danneggiamento da ra<strong>di</strong>azione <strong>di</strong> rivelatori al silicio nella fisica delle alte energie.<br />
Il danno da ra<strong>di</strong>azione dei rivelatori al silicio nella fisica delle alte energie è un problema <strong>di</strong><br />
cruciale importanza sia dal punto <strong>di</strong> vista del degradamento delle proprietà elettriche del<br />
rivelatore, che determina un progressivo deterioramento dello stesso, che dal punto <strong>di</strong> vista<br />
economico. Nell'ambito <strong>di</strong> una collaborazione con ricercatori INFN, ci si è posto il problema <strong>di</strong><br />
investigare tale problema da un punto <strong>di</strong> vista delle proprietà elettriche e fotoelettroniche<br />
del materiale usato come rivelatore. Uno dei problemi più importanti è lo stu<strong>di</strong>o dei livelli<br />
energetici introdotti nella 'energy gap' del materiale dall'introduzione <strong>di</strong> <strong>di</strong>fetti indotti da<br />
ra<strong>di</strong>azione (per esempio, neutroni, protoni, pioni). Per in<strong>di</strong>viduare la posizione dei livelli<br />
energetici nella gap <strong>di</strong> un semiconduttore è stata utilizzata la tecnica della DLTS (deep level<br />
transient spectroscopy) (Int. Conf. on Ra<strong>di</strong>ation Hardening, Firenze 1998, Hamburg 1998).<br />
[VI]<br />
VII. Proprietà fisiche <strong>di</strong> biopolimeri.<br />
In collaborazione con ricercatori del <strong>Dipartimento</strong> <strong>di</strong> Chimica dell‟Università <strong>di</strong> Bari e<br />
dell‟Istituto <strong>di</strong> Chimica dei Composti OrganoMetallici del CNR <strong>di</strong> Bari, sono stati realizzati<br />
film <strong>di</strong> melanina su substrato <strong>di</strong> quarzo e, per la prima volta, su substrato <strong>di</strong> ITO (in<strong>di</strong>umtin<br />
oxide). I film sono stati caratterizzati sia da un punto <strong>di</strong> vista strutturale e ottico che<br />
da un punto <strong>di</strong> vista elettrico e fotoelettronico. [VII]<br />
I)<br />
V.Augelli, A.Garuccio, F.Selleri<br />
'La mécanique quantique et la realité.<br />
Ann. Fond. L. de Broglie, 1 , 154 (1976).<br />
II)<br />
PUBBLICAZIONI PIU’ IMPORTANTI<br />
<strong>di</strong> Vincenzo AUGELLI.
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli<br />
'Anomalous impurity conductivity in n-GaSe and n-GaS.'<br />
Il Nuovo Cimento, 38b, 327 (1977)<br />
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli<br />
'Hall effect in GaTe single crystals'<br />
Solid State Comm., 21, 575 (1977)<br />
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, L.Vasanelli<br />
'Hall mobility anisotropy in GaSe.'<br />
Phys. Rev. B, 17, 3221 (1978)<br />
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli<br />
'Spectral <strong>di</strong>stribution of photomagnetoelectric and photoconductivity currents in n-GaSe<br />
single crystal: theory and experiment'<br />
Phys. Rev. B, 18, 5484 (1978)<br />
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, A.Rizzo, L.Vasanelli<br />
'Resistivity anisotropy in p-type GaSe.'<br />
Il Nuovo Cimento, 47B, 101 (1978)<br />
V.Augelli, A.M.Mancini, R.Murri, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli<br />
'Influence of io<strong>di</strong>ne doping on the electrical properties of GaSe.'<br />
Material Chemistry, 4, 429 (1979)<br />
V.Augelli, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli<br />
'Photomagnetoelectric effect in n-GaSe single crystals in presence of traps'<br />
Physica B, 99, 303 (1980)<br />
V.Augelli, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli<br />
'Study of the photomagnetoelectric and photoconductivity effects with numerical methods,<br />
for any injection level, in GaSe.'<br />
Physica B, 105, 54 (1981)<br />
III)<br />
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'A theory of photomagnetoelectric effect with injection level dependent lifetime.'<br />
Journ. Appl. Phys., 51, 2784 (1980)<br />
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'Non linear theory of photomagnetoelectric effect with a quadratic relation between carrier<br />
densities: light intensity dependence.'<br />
Phys. Rev. B, 23, 4837 (1981)<br />
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'Non linear theory of the photomagnetoelectric effect with a quadratic relation between<br />
carrier densities: spectral <strong>di</strong>stribution.'<br />
Phys. Rev. B, 23, 4844 (1981)<br />
V.Augelli, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli<br />
'A numerical approach to the study of the photomagnetoelectric effect for any injection<br />
level.'<br />
Journ. Appl. Phys. 53, 1554 (1982)<br />
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'Non linear behaviour of the short-circuit current of a solar cell with minority carrier<br />
lifetime dependent on the light intensity.'
Journ. Appl. Phys. 53, 1558 (1982)<br />
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'Non linear theory of the photomagnetoelectric effect with a square-root relationship<br />
between carrier densities.'<br />
Phys. Status. Sol. (b), 130, 767 (1985)<br />
IV)<br />
V.Augelli, R.Murri, S.Galassini, A.Tepore<br />
'Physical characterization of halogenated and hydrogenated amorphous silicon films'<br />
Thin Solid films, 69, 315 (1980)<br />
G.Fortunato, F.Evangelisti, G.Bruno, P.Capezzuto, F.Cramarossa,<br />
V.Augelli, R.Murri<br />
'Characterization and luminescence of a-Si:H,Cl films.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 46, 95 (1981)<br />
V.Augelli, R.Murri, L.Schiavulli, G.Bruno, P.Capezzuto, F.Cramarossa,<br />
F.Evangelisti, G.Fortunato<br />
'Optical constants of silicon films deposited by r.f. glow <strong>di</strong>scharge of SiCl4.'<br />
Thin Solid Films 86, 359 (1981)<br />
V.Augelli, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Optical and electrical properties of glow <strong>di</strong>scharge silicon films.'<br />
Thin Solid Films, 90, 153 (1982)<br />
V.Augelli, R.Murri, N.Alba<br />
'Photoconductivity in amorphous Si:H,Cl films.'<br />
Journ. Appl. Phys. 54, 248 (1983)<br />
V.Augelli, R.Murri<br />
'Dark conductivity in amorphous undoped silicon films.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 57, 225 (1983)<br />
V.Augelli, R.Murri<br />
'Transport properties of halogenated amorphous silicon.'<br />
Material Chemistry and Physics, 9, 301 (1983)<br />
V.Augelli, R.Murri, T.Ligonzo<br />
'Hall mobility of undoped microcrystalline Si:H,Cl films.'<br />
Appl. Phys. Lett., 43, 266 (1983)<br />
V.Augelli, R.Murri, N.Alba, T.Ligonzo<br />
'Hall mobility in doped and undoped amorphous Si:H,Cl films.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 59-60, 481 (1983)<br />
G.Bruno, P.Capezzuto, F.Cramarossa, V.Barbarossa, V.Augelli, R.Murri<br />
'Doping of microcrystalline Si:H,Cl films in r.f. glow <strong>di</strong>scharge.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 59-60, 815 (1983)<br />
V.Augelli, R.Murri, T.Ligonzo<br />
' Hall mobility in doped Si:H,Cl films.'<br />
Thin Solid Films, 116, 311 (1984)<br />
V.Augelli, T.Ligonzo, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Effects of the dopants on the electrical conductivity and Hall mobility in Si:H,Cl films.'<br />
Thin Solid Films, 125, 9 (1985)<br />
V.Augelli, H.Kiess, R.Murri
'On the influence of the deposition con<strong>di</strong>tions on the carrier lifetime in hydrogenated and<br />
chlorinated silicon films.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 77-78, 675 (1985)<br />
H.Kiess, V.Augelli, R.Murri<br />
'Carrier lifetime from transient photoconductivity measurements on microcrystalline silicon<br />
films.'<br />
Thin Solid Films, 141, 193 (1986)<br />
V.Augelli, G.Dilecce, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Field effects measurements in hydrogenated and chlorinated amorphous silicon films.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 77-78, 303 (1985)<br />
V.Augelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'Analytical determination of the density of state <strong>di</strong>stribution in amorphous semiconductors.'<br />
Phys. Rev. B, 33, 7392 (1986)<br />
V.Augelli, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'The density of states in the mobility gap of amorphous silicon films computed by a new<br />
analytical method.'<br />
Il Nuovo Cimento, 10D, 237 (1988)<br />
V.Augelli, T.Ligonzo, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Photoconductivity in doped microcrystalline Si:H,Cl films.'<br />
Journ. Appl. Phys., 59, 2863 (1986)<br />
V.Augelli, V.Berar<strong>di</strong>, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Evaluation of density of states <strong>di</strong>stribution in amorphous silicon films by photoconductivity<br />
measurements.'<br />
Journ. Non-Cryst. Solids, 90, 123 (1987)<br />
V.Augelli, V.Berar<strong>di</strong>, R.Murri, L.Schiavulli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani<br />
'Analytical determination of the density of gap states <strong>di</strong>stribution in amorphous<br />
semiconductors: experimental results.'<br />
Phys. Rev. B, 35, 614 (1987)<br />
V.Augelli, V.Berar<strong>di</strong>, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Photoconductivity measurements as a tool for the evaluation of the density of states in<br />
amorphous silicon.'<br />
Physica Scripta, 38, 188 (1988)<br />
V.Augelli, R.Murri and L.Schiavulli<br />
'The density of states in the mobility gap of halogenated amorphous silicon'<br />
Il Nuovo Cimento, 11D, 827 (1989).<br />
T.Ligonzo, R.Murri, V.Augelli, L.Schiavulli<br />
'Density of states in a-Si:H,Cl determined by Space-Charge-Limited Currents.'<br />
Thin Solid Films, 158, 217 (1988)<br />
V.Augelli, T.Ligonzo, R.Murri, L.Schiavulli<br />
'Photovoltaic characterization of a-Si:H,Cl films.'<br />
Thin Solid Films, 170, 163 (1989)<br />
V.Augelli, R.Murri, M.Nowak<br />
'Interference photoconductivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.'<br />
Phys. Rev. B, 39, 8336 (1989)<br />
V. Augelli and M. Nowak,<br />
'Distribution of ra<strong>di</strong>ation intensity in a thin semiconductor film on a thick substrate.'
Thin Solid Films, 338 (1999) 188-196.<br />
G.F.Lorusso, V.Capozzi, V.Augelli, A.Minafra, G.Maggipinto, T.Ligonzo, C.Flesia, G.Bruno<br />
and P.Capezzuto<br />
'Interference effets in UV-extintion spectra of inhomogeneous amorphous silicon'<br />
Phys. Rev.B, 48, 12292 (1993)<br />
V.Augelli, G.Casamassima, T.Ligonzo, D.Loiacono, L.Schiavulli, A.Valentini<br />
'Electrical properties of C60 thin films: preliminary results'<br />
Materials Science Forum, 203, 303 (1996)<br />
V.Augelli, T.Ligonzo, L.Schiavulli and A.Valentini<br />
'Dark and photo-conductivity measurements on fullerene C60 thin films'<br />
Il Nuovo Cimento D, 20 (1998) 1377-1390.<br />
V. Augelli, T.Ligonzo, M.C.Masellis, M.F.Muscarella, L.Schiavulli, A.Valentini<br />
"Electrical properties of gold-polymer composite films."<br />
Journ. of Appl. Phys., 90 (2001) 1362-1367<br />
G.Perna, V.Capozzi, V.Augelli, T.Ligonzo, L.Schiavulli, G.Bruno, M.Losurdo,<br />
P.Capezzuto, J.L.Staehli and M.Pallara<br />
"Luminescence study of the <strong>di</strong>sorder in polycrystalline InP thin films."<br />
Semiconductor Science and Technology, 16 (2001) 377-385<br />
G. Perna , V. Capozzi , M. Ambrico, V. Augelli , T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli, M.<br />
Pallara<br />
“Structural and optical characterization of in<strong>di</strong>um doped CdS films deposited by laser ablation<br />
technique”<br />
Thin Solid Films, 453-454 (2004) 187-194<br />
G. Perna , V. Capozzi , M. Ambrico, V. Augelli , T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli, M.<br />
Pallara<br />
“ Structural and optical characterization of Zn doped CdSe films”<br />
Appl. Surface Science, 233 (2004) 366-372<br />
V. Augelli, T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli , V. Capozzi , G. Perna, M.<br />
Ambrico and M. Losurdo<br />
“Optical and electrical characterization of n-GaAs surfaces passivated by N2-H2<br />
plasma”<br />
Journ. of Luminescence, 102-103 (2003) 519-524<br />
Erlacher, M.Ambrico, V.Capozzi, V.Augelli, H.Jaeger and B. Ullrich<br />
“X-ray, absorption and photocurrent properties of thin film GaAs on glass formed by pulsedlaser<br />
deposition”<br />
Semicond. Sci. and Technol., 19 (2004) 1322-1324<br />
M. Ambrico, M.Losurdo, P.Capezzuto,, G.Bruno, T. Ligonzo, L.Schiavulli, I. Farella and<br />
V.Augelli<br />
“A study of remote plasma nitrided n-GaAs/Au Schottky barrier”<br />
Solid-State Electronics, 49/3 (2005) 413-419<br />
V)<br />
V.Capozzi, J.L.Staehli, C.Flesia, D.Martin, V.Augelli and G.F.Lorusso<br />
'Excitonic effects in the absorption spectra of GaAs/AlGaAs superlattices'<br />
Inst. Phys. Conf. Ser. No 123, 1991, p.195
T.Ligonzo, V.Augelli, A.Minafra, V.Capozzi, D.Martin, P.Favia, G.F.Lorusso<br />
'Photocurrent spectroscopy in n-i-n GaAs/Al0.3Ga0.7As short period superlattice'<br />
Solid State Comm. 94, 429 (1995)<br />
P.V. Giugno, M. De Vittorio, D.Greco, R.Rinal<strong>di</strong>, R.Cingolani, M.Lomascolo, M.Di Dio,<br />
A.Passaseo, V.Augelli , T.Ligonzo, L.Schiavulli.<br />
'Quantum-well optoelectronic modulators in high magnetic field: a technological issue for<br />
the operation in particle accelerators'<br />
Nucl. Instr. Meth., A390 (1997) 237-240.<br />
M. DeVittorio, G.Colì, R.Rinal<strong>di</strong>, G.Gigli, R.Cingolani, D.De Salvador, M.Berti, A.Drigo,<br />
F.Fucilli, T.Ligonzo, V.Augelli, A.Rizzi, R.Lantier, D.Freundt, H.Luth, B.Neubauer,<br />
'Photocurrent spectroscopy of GaN and AlGaN epilayers grown on 6H (0001) Silicon<br />
Carbide',<br />
Sol. State Electronics, 44 (2000) 465-470<br />
V.Augelli, T.Ligonzo, A.Pizzichetti, F.Quaranta, L.Schiavulli, A.Valentini<br />
'Optical and electrical properties of ZnOCdTe thin films'<br />
Materials Science Forum, 203, 267 (1996)<br />
VI)<br />
V.Augelli, G.Contento, T.Ligonzo, M.F.Muscarella, L.Schiavulli, M.Angarano,<br />
D.Creanza, M.de Palma<br />
'Electrical characterization of standard and oxygenated irra<strong>di</strong>ated ROSE <strong>di</strong>odes'<br />
NIM A, 426 (1999) 81-86.<br />
The RD48 Collaboration (G.Lindström et al.)<br />
Ra<strong>di</strong>ation Hard Silicon Detectors- Developments by the RD48 (ROSE) Collaboration<br />
Nucl. Instr. & Meth. in Phys.Res. A, 466 (2001) 308-326<br />
The RD48 Collaboration (G.Lindström et al.)<br />
Developments for Ra<strong>di</strong>ation Hard Silicon Detectors by Defect Engineering- Results<br />
by the CERN RD48 (ROSE) Collaboration.<br />
Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A, 465 (2001) 60-69.<br />
VII)<br />
V. Capozzi, G. Perna, P.Carmone, A.Gallone, M.Lastella, E. Mezzenga, G.Quartucci,<br />
M.Ambrico, V.Augelli, P.F.Biagi, T.Ligonzo, A.Minafra, L.Schiavulli, M.Pallara, R.Cicero<br />
“Optical and photoelectronic properties of melanin”<br />
Thin Solid Films, 511-512 (2006) 362-366<br />
T. Ligonzo, M. Ambrico, V. Augelli, G. Perna, L. Schiavulli, M.A. Tamma, P.F.<br />
Biagi, A. Minafra and V. Capozzi<br />
“Electrical and optical properties of natural and synthetic melanin biopolymer.”<br />
J. Non Cryst. Solids, 355 (2009) 1221-1226<br />
M. Ambrico, A. Cardone, T. Ligonzo, V. Augelli, P. F. Ambrico, S. Cicco, G. M.<br />
Farinola, M. Filannino, G. Perna, V. Capozzi<br />
“Hysteresis-type current-voltage characteristics in Au/eumelanin/ITO/glass<br />
structure: Towards melanin based memory devices.”<br />
Organic Electronics, 11 (2010) 1809-1814
Libri<br />
L1) V. Augelli e B. Ghi<strong>di</strong>ni<br />
'Problemi <strong>di</strong> <strong>Fisica</strong> I.',<br />
Adriatica E<strong>di</strong>trice, Bari 1987<br />
L2) V. Augelli e B. Ghi<strong>di</strong>ni<br />
„Prove scritte <strong>di</strong> <strong>Fisica</strong> I‟ – Meccanica<br />
E<strong>di</strong>Ses, Napoli 2000<br />
L3) V. Augelli e B. Ghi<strong>di</strong>ni<br />
„Prove scritte <strong>di</strong> <strong>Fisica</strong> I‟ – Termo<strong>di</strong>namica<br />
E<strong>di</strong>Ses, Napoli 2000<br />
L4) V. Augelli e V. Angiuli<br />
Proc. Int. Conf. on “Measure and the Infinite. Science Faith Experience”<br />
Laterza, Bari 2003<br />
L5) V. Augelli e V. Angiuli<br />
Proc. Int. Conf. on “Tempo della natura, tempo dell‟uomo, tempo <strong>di</strong> Dio”<br />
Arti Grafiche Favia, Bari 2006<br />
Scritti su Scienza e Fede<br />
a. Proc. Int. Conf. on “Measure and the Infinite. Science Faith Experience”, 2002,<br />
Introduzione, pagg. 9-11<br />
b. L‟Odegitria, Bollettino Diocesano, Anno LXXVIII, n. 3, pagg. 389-391,<br />
c. Proc. Int. Conf. on “Tempo della natura, tempo dell‟uomo, tempo <strong>di</strong> Dio”, 2005,<br />
Introduzione, pagg. 8-11<br />
d. Oasi San Martino, Anno XX, Marzo 2007, pagg.17-18