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A<br />

B<br />

C<br />

Circuiti logici di base<br />

• Primo passo nella costruzione di circuiti<br />

complessi.<br />

• Funzione di utilità universale.<br />

• Progettazione (e descrizione) strutturata dei un<br />

circuito.<br />

• Breve rassegna dei più significativi:<br />

comportamento — implementazione — uso.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 1 / 55<br />

A<br />

A<br />

B<br />

B<br />

C<br />

C<br />

Implementazione<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 3 / 55<br />

D0<br />

D1<br />

D2<br />

D3<br />

D4<br />

D5<br />

D6<br />

D7<br />

3<br />

Decoder: decodificatore<br />

• n ingressi — 2 n uscite<br />

• l’ingresso seleziona una delle uscite<br />

• l’uscita selezionata ha valore 1 tutte le altre 0.<br />

Decoder<br />

a. A 3-bit decoder<br />

Out0<br />

Out1<br />

Out2<br />

Out3<br />

Out4<br />

Out5<br />

Out6<br />

Out7<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 2 / 55<br />

Uso<br />

Selezionare uno tra molti dispositivi,<br />

ogni dispositivo contiene un segnale di attivazione.<br />

Esempio: selezionare un chip di memoria, tra gli 2 n<br />

presenti nel calcolatore<br />

Nessuna parentela con il decoder televisivo.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 4 / 55


Due tipi di ingressi:<br />

Multiplexer<br />

• n ingressi di controllo — 2 n ingressi segnale<br />

• un unica uscita;<br />

il controllo seleziona quale segnale d’ingresso<br />

mandare in uscita<br />

A<br />

B<br />

D 0<br />

D 1<br />

D 2<br />

D3<br />

D4<br />

D 5<br />

D 6<br />

D 7<br />

0<br />

M<br />

u<br />

x<br />

1<br />

S<br />

C<br />

A<br />

B<br />

S<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 5 / 55<br />

• trasformazione parallelo ⇒ seriale<br />

• realizzare una tabella di verità<br />

A B C<br />

(a)<br />

F<br />

V CC<br />

D 0<br />

D 1<br />

D 2<br />

D3<br />

D4<br />

D 5<br />

D6<br />

D7<br />

A B C<br />

(b)<br />

C<br />

Uso<br />

Demultiplexer: un ingresso, n linee di controllo, 2 n<br />

uscite.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 7 / 55<br />

F<br />

D 0<br />

D1<br />

D 2<br />

D 3<br />

D4<br />

D5<br />

D 6<br />

D7<br />

A A B B C C<br />

A B C<br />

Implementazione<br />

F<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 6 / 55<br />

2 × n ingressi — 1 uscita<br />

controlla se i 2 ingressi sono uguali<br />

A 0<br />

B0<br />

A1<br />

B 1<br />

A2<br />

B 2<br />

A 3<br />

B 3<br />

EXCLUSIVE OR gate<br />

A = B<br />

Uso: confronto di valori<br />

Comparatore<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 8 / 55


Presenteremo i seguenti circuiti:<br />

• mezzo sommatore<br />

• sommatore completo<br />

Circuiti aritmetici<br />

• shifter<br />

• ALU<br />

premessa, come viene realizzata l’aritmetica nel<br />

calcolatore.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 9 / 55<br />

Binary<br />

Octal<br />

Decimal<br />

Hexadecimal<br />

Notazione posizionale con<br />

basi diverse<br />

1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1<br />

1 × 210 + 1 × 29 + 1 × 28 + 1 × 27 + 1 × 26 + 0 × 25 + 1 × 24 + 0 × 23 + 0 × 22 + 0 × 21 + 1 × 20 1024 + 512 + 256 + 128 + 64 + 0 + 16 + 0 + 0 + 0 + 1<br />

3 7 2 1<br />

3 × 83 + 7 × 82 + 2 × 81 + 1 × 80 1536 + 448 + 16 + 1<br />

2 0 0 1<br />

2 × 103 + 0 × 102 + 0 × 101 + 1 × 100 2000 + 0 + 0 + 1<br />

7 D 1<br />

7 × 162 + 13 × 161 + 1 × 160 1792 + 208 + 1<br />

.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 11 / 55<br />

L’aritmetica dei calcolatori<br />

• come vengono rappresentati i numeri naturali.<br />

• come vengono eseguite le o<strong>per</strong>azioni<br />

aritmetiche.<br />

Notazione posizionale: il peso di una cifra dipende<br />

dalla sua posizione:<br />

100's<br />

place<br />

10's<br />

place<br />

1's<br />

place<br />

.1's<br />

place<br />

.01's<br />

place<br />

.001's<br />

place<br />

… .<br />

…<br />

dn d2 d1 d0 d–1 d–2 d–3 d–k<br />

n<br />

Number = Σ<br />

i = –k<br />

×<br />

di 10 i<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 10 / 55<br />

Notazione binaria<br />

Il calcolatore utilizza base 2, motivi:<br />

• un segnale rappresenta una cifra;<br />

• semplificazione dell’hardware.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 12 / 55


O<strong>per</strong>azione aritmetiche:<br />

Gli algoritmi <strong>per</strong> base dieci, possono essere utilizzati<br />

anche <strong>per</strong> base 2.<br />

Algoritmo <strong>per</strong> la somma:<br />

• si sommano le cifre di pari peso,<br />

• a partire dalle meno significative,<br />

• eventualmente si generano un riporti.<br />

Per motivi di efficienza, l’hardware usa algoritmi più<br />

sofisticati di quelli classici.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 13 / 55<br />

A<br />

0<br />

0<br />

0<br />

B<br />

Carry<br />

in<br />

Sum<br />

Carry<br />

out<br />

0 0 0 0<br />

0 1 1 0<br />

1 0 1 0<br />

0 1 1 0 1<br />

1<br />

1<br />

1<br />

0 0 1 0<br />

0 1 0 1<br />

1 0 0 1<br />

1 1 1 1 1<br />

Sommatore completo<br />

A<br />

B<br />

Carry out<br />

(a) (b)<br />

Carry in<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 15 / 55<br />

Sum<br />

Mezzo sommatore<br />

C<br />

A<br />

B Sum<br />

Carry<br />

0 0 0 0<br />

0 1 1 0<br />

1 0 1 0<br />

1 1 0 1<br />

A<br />

B<br />

Circuiti aritmetici<br />

Carry<br />

Exclusive OR gate<br />

Sum<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 14 / 55<br />

Shifter<br />

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7<br />

S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7<br />

O<strong>per</strong>azione di traslazione delle cifre.<br />

Significato aritmetico: moltiplicazione (divisione) <strong>per</strong><br />

una potenza di 2.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 16 / 55


Memorie<br />

Dispositivi con stato: ricordano gli ingressi passati,<br />

la storia dell’input.<br />

Il più semplice circuito con memoria:<br />

Latch S–R, (Set–Reset) usa la retroazione.<br />

S<br />

R<br />

0<br />

0<br />

1<br />

0<br />

1 Q<br />

0<br />

Q<br />

S<br />

R<br />

0<br />

1<br />

0<br />

0<br />

0 Q<br />

1<br />

Q<br />

A B NOR<br />

0 0 1<br />

0 1 0<br />

1 0 0<br />

1 1 0<br />

(a) (b) (c)<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 17 / 55<br />

Differisce <strong>per</strong> i segnali di controllo<br />

D<br />

ricorda il segnale D.<br />

Latch di tipo D<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 19 / 55<br />

Q<br />

Q<br />

Latch sincronizzato<br />

Segnale di clock (enable, strobe) <strong>per</strong> l’abilitazione<br />

alla scrittura.<br />

Clock<br />

S<br />

R<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 18 / 55<br />

Flip-flop<br />

Diversi dai latch <strong>per</strong> il comportamento rispetto al<br />

clock:<br />

cambiano stato nell’istante in cui il clock cambia<br />

valore.<br />

Esempio di comportamento:<br />

D<br />

C<br />

Q<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 20 / 55<br />

Q<br />

Q


Possibile implementazione<br />

Si sfruttano i ritardi delle porte logiche si genera un<br />

segnale brevissimo:<br />

a b<br />

(a)<br />

c<br />

d<br />

d<br />

b AND c<br />

c<br />

b<br />

a<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie (b)<br />

21 / 55<br />

D<br />

C<br />

D<br />

D<br />

Q<br />

latch<br />

C<br />

Δ<br />

Time<br />

Flip-flop Master-Slave<br />

D<br />

D<br />

Q<br />

latch _<br />

C Q<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 23 / 55<br />

Q<br />

_<br />

Q<br />

D<br />

Flip-flop completo<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 22 / 55<br />

Latch e Flip-flop<br />

• Latch level triggered (azionato dal livello)<br />

• Flip-Flop edge triggered (azionato dal fronte)<br />

Vari tipi di flip-flop:<br />

• D<br />

• S-R: Set Reset<br />

• J-K: (come S-R ma cambia stato con J=1, K=1)<br />

• T: (un solo ingresso, cambia stato con T = 1)<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 24 / 55<br />

Q<br />

Q


D Q<br />

CK<br />

(a)<br />

Rappresentazione grafica<br />

D Q<br />

CK<br />

(b)<br />

D Q<br />

CK<br />

(c)<br />

D Q<br />

• (a) (b) latch: con diversa risposta al segnale di<br />

clock<br />

• (c) (d) flip-flop:<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 25 / 55<br />

CK<br />

(d)<br />

Circuiti sequenziali<br />

Il comportamento dipende dalla storia passata.<br />

Struttura tipica di un semplice circuito sequenziale:<br />

Combinational logic<br />

Inputs<br />

State register<br />

Outputs<br />

Next state<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 27 / 55<br />

Registri<br />

elementi di memoria <strong>per</strong> sequenze di cifre binarie<br />

(bit — binary digit)<br />

implementazione: una sequenza di n flip-flop, (con il<br />

segnale di clock in comune)<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 26 / 55<br />

Funzionamento<br />

• una serie di passaggi da uno stato a quello<br />

successivo,<br />

• passaggi determinati dall’impulso di clock: forza<br />

la scrittura nel registro,<br />

• il segnale di clock è <strong>per</strong>iodico,<br />

• il passaggio di stato può avvenire solo quando il<br />

circuito si è stabilizzato (ritardi).<br />

• variazioni dell’input sincronizzate con il segnale<br />

di clock<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 28 / 55


Segnale di clock<br />

Segnale <strong>per</strong>iodico che cadenza il funzionamento dei<br />

circuiti.<br />

Clock <strong>per</strong>iod Rising edge<br />

Falling edge<br />

Periodico: cambia stato a in intervalli costanti.<br />

Frequenza di clock = 1/ <strong>per</strong>iodo.<br />

In un calcolatore vari segnali di clock clock:<br />

processore, scheda grafica, bus di sistema, . . .<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 29 / 55<br />

Tecnologia dei circuiti<br />

integrati<br />

Circuiti integrati ( Integrated Circuit, IC, chip): unità<br />

contenenti insiemi di porte logiche: transistor e<br />

resistenze.<br />

• Piastrina quadrata di cristallo di silicio, lato ∼ 1<br />

cm.<br />

• Sulla su<strong>per</strong>ficie vengono creati: transistor,<br />

resistenze, collegamenti.<br />

Due esigenze contrapposte:<br />

Periodo di clock<br />

• <strong>per</strong> migliori prestazioni: <strong>per</strong>iodo di clock più<br />

breve possibile;<br />

• ogni circuito ha un tempo di commutazione: il<br />

<strong>per</strong>iodo di clock deve essere su<strong>per</strong>iore.<br />

Ordini di grandezza del <strong>per</strong>iodo: ∼ 1 – 10 ns,<br />

frequenza: ∼ 100MHz – 1GHz.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 30 / 55<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 31 / 55 (Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 32 / 55


Lavorazioni sul silicio<br />

• transistor ottenuti drogando: inserendo atomi<br />

estranei (boro, arsenico, fosforo), nella struttura<br />

cristallina del silicio,<br />

si espone il silicio, in forno, ai vapori di altre<br />

sostanze;<br />

• collegamenti tra le componenti del chip ottenuti<br />

depositando uno strato di materiale conduttore<br />

(rame o alluminio);<br />

• isolamenti elettrici ottenuti ossidando in silicio:<br />

esponendo, in forno, all’ossigeno.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 33 / 55<br />

Wafer<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 35 / 55<br />

Tecniche di fotolitografia<br />

• si copre il silicio con uno strato di materiale<br />

fotosensibile,<br />

• che viene illuminato in maniera differenziata,<br />

• la parte illuminata solidifica, la parte in ombra<br />

viene rimossa, si espone parte del chip ad una<br />

lavorazioni selettiva,<br />

• anche 50 diverse lavorazioni <strong>per</strong> singolo chip.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 34 / 55<br />

Package<br />

Ogni chip inglobato in un supporto di plastica:<br />

package.<br />

Connessioni mediante piedini,<br />

• Chip di memoria e chip semplici: due file di<br />

piedini (dual in line package)<br />

• Chip con processori: centinaia di connessioni,<br />

due file di piedini non sufficienti, pedinatura più<br />

complessa.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 36 / 55


Circuiti di memoria<br />

Contengono un notevole numero di registri.<br />

I singoli registri non possono essere collegati<br />

all’esterno individualmente.<br />

Per accedere ai dati<br />

• si seleziona il registro su cui o<strong>per</strong>are,<br />

specificando il suo indirizzo (numero associato)<br />

• si definisce l’o<strong>per</strong>azione da eseguire (lettura –<br />

scrittura).<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 37 / 55<br />

Data in<br />

I2 I1 I0 A1 A0 CS<br />

RD<br />

OE<br />

Word 0<br />

select<br />

line<br />

Word 1<br />

select<br />

line<br />

Word 2<br />

select<br />

line<br />

CS • RD<br />

Write<br />

gate<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

D Q<br />

CK<br />

Output enable = CS • RD • OE<br />

Implementazione<br />

Word 0<br />

Word 1<br />

Word 2<br />

Word 3<br />

O1<br />

O2<br />

O3<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 39 / 55<br />

Segnali I/O:<br />

Circuiti di memoria<br />

• indirizzo (specifica il registro su cui o<strong>per</strong>are),<br />

• dati in ingresso (da scrivere nel registro),<br />

• segnali di controllo:<br />

• CS chip select (<strong>per</strong> attivare il chip di memoria),<br />

• RD read (specifica se vogliamo leggere o scrivere in<br />

memoria<br />

• OE output enable<br />

• dati in uscita<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 38 / 55<br />

Write<br />

Register number<br />

Register data<br />

Schema strutturato: input<br />

0<br />

1<br />

n-to-1<br />

decoder<br />

n – 1<br />

n<br />

C<br />

Register 0<br />

D<br />

C<br />

Register 1<br />

D<br />

C<br />

Register n – 1<br />

D<br />

C<br />

Register n<br />

D<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 40 / 55


Read register<br />

number 1<br />

Read register<br />

number 2<br />

Register 0<br />

Register 1<br />

Register n – 1<br />

Register n<br />

M<br />

u<br />

x<br />

M<br />

u<br />

x<br />

Output<br />

Read data 1<br />

Read data 2<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 41 / 55<br />

RAM Dinamiche<br />

Un singolo transistor <strong>per</strong> memorizzare un bit: si<br />

posso inserire molte più celle di memoria in un<br />

singolo chip.<br />

Word line<br />

Pass transistor<br />

Capacitor<br />

Bit line<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 43 / 55<br />

Memorie RAM<br />

I circuiti di memoria vengono chiamati RAM<br />

(Random Access Memory).<br />

Due tipi:<br />

• RAM statiche (SRAM): i singoli bit vengono<br />

memorizzati con latch, veloci e costose, sei<br />

transistor <strong>per</strong> memorizzare un bit.<br />

• RAM dinamiche (DRAM): usano un diverso<br />

meccanismo di memorizzazione, lente e<br />

capienti. Costituiscono la memoria principale<br />

del calcolatore.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 42 / 55<br />

RAM Dinamiche<br />

L’accumulo di carica rappresenta lo stato.<br />

Difetti:<br />

• più lente delle SRAM (difetto principale)<br />

• i condensatori <strong>per</strong>dono velocemente la loro<br />

carica: è necessario un meccanismo di refresh,<br />

ogni ∼ 1ms, circuiti dedicati, 10% del tempo<br />

speso nel refresh.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 44 / 55


Address[10–0]<br />

Row<br />

decoder<br />

11-to-2048<br />

2048 × 2048<br />

array<br />

Column latches<br />

Mux<br />

Dout<br />

DRAM<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 45 / 55<br />

Tecnologie <strong>per</strong> le DRAM<br />

I miglioramenti nei tempi di risposta delle DRAM<br />

sono inferiori a quelli del processore:<br />

la velocità relativa diminuisce.<br />

Nuove tecnologie <strong>per</strong> le DRAM:<br />

migliorano più la banda passante rispetto al tempo<br />

d’accesso<br />

• banda passante: quantità di dati consecutivi<br />

leggibili nell’unità di tempo.<br />

• tempo d’accesso: tempo necessario <strong>per</strong> un<br />

singola o<strong>per</strong>azione in memoria.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 47 / 55<br />

Accesso alla memoria in due fasi,<br />

DRAM<br />

• nella prima fase il contenuta di un intera riga<br />

viene copiato in un registro (latch),<br />

• nella seconda vengono letti i bit selezionati della<br />

riga.<br />

Accesso veloce a locazioni consecutive: non si<br />

ripete la prima fase, si usa il registro.<br />

.<br />

• RAS (Row Access Strobe)<br />

• CAS (Column Access Strobe)<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 46 / 55<br />

Diverse tecnologie di<br />

DRAM<br />

• FPM RAM (Fast page mode)<br />

• EDO RAM (Extended data output)<br />

• SDRAM (Synchronous DRAM)<br />

• DDR3 SDRAM (Double Data Rate SDRAM)<br />

• RDRAM (Rirect Rambus DRAM)<br />

• GDDR4 (Graphic Double Data Rate, schede<br />

grafiche)<br />

• . . .<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 48 / 55


Chip di memoria<br />

Circuiti integrati contenenti un dispositivo di memoria<br />

A0<br />

A1<br />

A2<br />

A3<br />

A4<br />

A5<br />

A6<br />

A7<br />

A8<br />

A9<br />

A10<br />

A11<br />

A12<br />

A13<br />

A14<br />

A15<br />

A16<br />

A17<br />

A18<br />

• Capacità: 4 n , la crescita segue la legge di<br />

Moore,<br />

• le memorie più capienti sono più costose (<strong>per</strong><br />

unità di memoria),<br />

• una stessa quantità di memoria può essere<br />

distribuita su un numero variabile di locazioni<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 49 / 55<br />

512K 3 8<br />

Memory<br />

chip<br />

(4 Mbit)<br />

CS WE OE<br />

(a)<br />

D0<br />

D1<br />

D2<br />

D3<br />

D4<br />

D5<br />

D6<br />

D7<br />

A0<br />

A1<br />

A2<br />

A3<br />

A4<br />

A5<br />

A6<br />

A7<br />

A8<br />

A9<br />

A10<br />

RAS<br />

CAS<br />

Esempi<br />

4096K 3 1<br />

Memory<br />

chip<br />

(4 Mbit)<br />

CS WE OE<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 51 / 55<br />

(b)<br />

D<br />

Esempio<br />

Un memoria da 1 Gbit.<br />

• 1 G di locazioni di 1 bit<br />

• 512 M di locazioni da 2 bit<br />

• 256 M di locazioni da 4 bit<br />

• 128 M di locazioni da 8 bit<br />

Distribuzioni diverse portano a diversi numeri di<br />

piedini.<br />

Capacità = 2 indirizzi × dati.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 50 / 55<br />

Moduli di memoria<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 52 / 55


Schede di memoria:<br />

Moduli di memoria<br />

• circuito stampato contenente la RAM dinamica,<br />

• distribuita su più chip,<br />

• si innesta in appositi slot (prese) sulla scheda<br />

madre:<br />

<strong>per</strong> maggiore flessibilità,<br />

• diversi tipi di connessioni (moduli):<br />

• DIMM Double Inline Memory Module<br />

• SO-DIMM Small Outline DIMM<br />

Diverse, incompatibili, versioni <strong>per</strong> ogni tipo.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 53 / 55<br />

Memorie <strong>per</strong>manenti<br />

• ROM (Read Only Memory) di sola lettura<br />

• PROM (Programmable ROM) scrivibili un unica<br />

volta — fusibili, scrittura distruttiva,<br />

• EPROM (Erasable PROM) cancellabili,<br />

mediante esposizione a raggi ultravioletti. Bit —<br />

carica elettrica.<br />

• EEPROM (Electrically EPROM) cancellabili<br />

elettricamente (singolo bit)<br />

• Memoria flash: particolari EEPROM cancellabili<br />

a banchi.<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 55 / 55<br />

Memorie <strong>per</strong>manenti<br />

Le RAM <strong>per</strong>dono i dati se non alimentate.<br />

Memorie <strong>per</strong>manenti necessarie <strong>per</strong>:<br />

• calcolatori embedded che eseguono sempre lo<br />

stesso codice, non memorizzano dati in modo<br />

<strong>per</strong>manente,<br />

• calcolatori embedded a sostituzione del disco<br />

magnetico: palmari, telefonini,<br />

• calcolatori: memorizzare il programma di avvio<br />

del calcolatore (bios).<br />

(Architettura degli Elaboratori) Circuiti combinatori, memorie 54 / 55

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