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cristalli fotonici: principi di funzionamento ed applicazioni

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Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

Dipartimento <strong>di</strong> Elettrotecnica <strong>ed</strong> Elettronica, Laboratorio <strong>di</strong> Dispositivi Elettronici, Politecnico <strong>di</strong> Bari<br />

Via E. Orabona 4, 70125, Bari, Italy<br />

Phone: +39-80-5963314/5963427 Fax: +39-80-5963410 E-mail: perri@poliba.it<br />

NOTE<br />

CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI<br />

FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

- SECONDA PARTE -<br />

(la prima parte dell’articolo è stata pubblicata sul numero Unico 2003 de LA COMUNICAZIONE vol.LII)<br />

Sommario: l'avvento <strong>di</strong> Internet ha condotto ad<br />

una richiesta senza prec<strong>ed</strong>enti <strong>di</strong> larghezza <strong>di</strong><br />

banda nelle reti <strong>di</strong> telecomunicazioni. Di qui è nata la<br />

necessità <strong>di</strong> sviluppare nuove tecnologie avanzate che<br />

consentano <strong>di</strong> processare dati ad alta velocità. E'<br />

ampiamente riconosciuto, peraltro, che solo i circuiti<br />

<strong>fotonici</strong> possono assolvere a questo ruolo.Uno dei limiti<br />

maggiori per conseguire questo obiettivo è il livello <strong>di</strong><br />

integrazione attualmente raggiungibile con i circuiti<br />

<strong>fotonici</strong> che possono svolgere solo poche funzioni sullo<br />

stesso chip. La ragione principale è la <strong>di</strong>mensione dei<br />

componenti <strong>fotonici</strong>, che si estende tipicamente in alcuni<br />

mm.<br />

I <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> (Photonic Crystals, PC o Photonic<br />

Band-Gap, PBG) possono essere impiegati per superare<br />

questo limite.<br />

In questo articolo <strong>di</strong> rassegna abbiamo descritto i<br />

<strong>principi</strong> <strong>di</strong> <strong>funzionamento</strong> dei <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> con particolare<br />

riferimento alle <strong>applicazioni</strong> più recenti.<br />

Abstract: the advent of Internet and of emergent<br />

applications what, for instance,TV to high definition,<br />

transmission and elaboration to <strong>di</strong>stance of images,<br />

above all for applications in me<strong>di</strong>cal field, ultrafast<br />

connections between supercomputers, require an<br />

unprec<strong>ed</strong>ent<strong>ed</strong> bandwidth in the networks of telecommunications.<br />

A new very promising technology for these applications<br />

is the Photonic Crystals with forbidden bandgap<br />

(Photonic Band-Gap, PBG), which are perio<strong>di</strong>c structures<br />

having an interval of wavelengths to inside of which<br />

the electromagnetic propagation is forbidden.<br />

In this review we have analyz<strong>ed</strong> the photonic<br />

crystals using the approach of the leaky mode propagation<br />

(LMP) and we have describ<strong>ed</strong> the principal<br />

applications of these structures on PBG.<br />

5. Difetti e <strong>di</strong>spositivi su PBG<br />

Introducendo opportune irregolarità nella<br />

struttura perio<strong>di</strong>ca <strong>di</strong> un cristallo fotonico, e, quin<strong>di</strong>,<br />

perturbandone la perio<strong>di</strong>cità, si possono creare<br />

facilmente stati <strong>fotonici</strong> localizzati nel gap, me<strong>di</strong>ante<br />

cui realizzare <strong>di</strong>spositivi ottici <strong>di</strong> nuova concezione.<br />

Tali perturbazioni sono meglio note come<br />

<strong>di</strong>fetti.<br />

Un <strong>di</strong>fetto singolo nella struttura agisce come<br />

un microrisonatore ottico, mentre un'intera regione<br />

<strong>di</strong>fettiva agisce come una guida d'onda con la<br />

quale è possibile realizzare curvature con per<strong>di</strong>te<br />

trascurabili in quanto il meccanismo guidante non<br />

è più la TIR ma si basa sulla presenza del BG.<br />

Nei paragrafi successivi si approfon<strong>di</strong>rà il comportamento<br />

dei PBG in presenza <strong>di</strong> <strong>di</strong>fetti; anche in<br />

questo caso è possibile sottolineare l'analogia esistente<br />

tra un cristallo fotonico e un cristallo or<strong>di</strong>nario,<br />

tanto che un PBG in cui siano presenti <strong>di</strong>fetti<br />

è spesso definito come drogato.<br />

È noto, infatti, che drogando un semiconduttore<br />

con atomi <strong>di</strong> tipo donore o <strong>di</strong> tipo accettore si<br />

introducono stati permessi, per gli elettroni, all'interno<br />

dell'intervallo <strong>di</strong> banda proibita in prossimità<br />

della banda <strong>di</strong> conduzione o della banda <strong>di</strong><br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

165


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

valenza, rispettivamente; si mo<strong>di</strong>ficano, così, le<br />

caratteristiche <strong>di</strong> conducibilità del cristallo alla<br />

base del <strong>funzionamento</strong> dei <strong>di</strong>spositivi elettronici.<br />

Osservato che il drogaggio <strong>di</strong> un semiconduttore<br />

consiste in realtà in una perturbazione della<br />

perio<strong>di</strong>cità del reticolo <strong>cristalli</strong>no e ricordando l'equivalenza<br />

esistente tra la banda <strong>di</strong> conduzione<br />

(banda <strong>di</strong> valenza) con la banda d'aria (banda <strong>di</strong>elettrica)<br />

<strong>di</strong> un PBG, è possibile estendere l'analogia<br />

tra PBG e semiconduttori e parlare <strong>di</strong> <strong>cristalli</strong><br />

<strong>fotonici</strong> drogati.<br />

Esaminiamo la struttura dei <strong>di</strong>fetti e le conseguenze<br />

dovute alla loro presenza, nei casi <strong>di</strong> PBG<br />

1-D, 2-D e 3-D.<br />

5.1 Difetti nei PBG 1-D<br />

In questo caso il <strong>di</strong>fetto è formato da un piano<br />

Ne segue che il numero <strong>di</strong> stati permessi è<br />

quantizzato e le corrispondenti frequenze <strong>di</strong> risonanza<br />

decrescono all'aumentare dell'estensione<br />

del <strong>di</strong>fetto.<br />

Si realizzano in questo modo cavità risonanti<br />

alle frequenze ottiche con un fattore <strong>di</strong> qualità Q<br />

più elevato rispetto alle cavità con pareti metalliche,<br />

che in tale intervallo hanno notevoli per<strong>di</strong>te<br />

per assorbimento del materiale [20].<br />

La presenza <strong>di</strong> uno stato localizzato all'interno<br />

del BG mo<strong>di</strong>fica anche la curva <strong>di</strong> trasmittività del<br />

cristallo (Fig.18).<br />

Strutture realizzate su PBG 1-D con <strong>di</strong>fetto<br />

possono essere vantaggiosamente utilizzate per<br />

realizzare filtri passa banda noti come filtri <strong>di</strong>elettrici<br />

Fabry-Perot.<br />

Fig.17 - Difetto in un PBG 1-D costituito da un'alternanza <strong>di</strong> piani ad alto e basso in<strong>di</strong>ce. Il <strong>di</strong>fetto si ottiene mo<strong>di</strong>ficando lo spessore<br />

<strong>di</strong> uno <strong>di</strong> tali piani. Si osservi che questo può essere considerato come l'interfaccia tra due specchi <strong>di</strong> materiale <strong>di</strong>elettrico realizzati con<br />

un reticolo <strong>di</strong> Bragg. In figura è mostrato anche l'andamento del campo D.<br />

del PBG con spessore <strong>di</strong>verso dagli altri (Fig.17).<br />

Il <strong>di</strong>fetto, se opportunamente <strong>di</strong>mensionato,<br />

determina uno stato permesso all'interno del BG<br />

e, quin<strong>di</strong>, la localizzazione della luce; si osserva,<br />

infatti, la localizzazione <strong>di</strong> un modo con frequenza<br />

interna all'intervallo <strong>di</strong> banda oscurata.<br />

Il modo oscillerà, in avanti e in<strong>di</strong>etro, all'interno<br />

della regione <strong>di</strong>fettiva, mentre decadrà esponenzialmente<br />

nelle due regioni perio<strong>di</strong>che (che, pertanto,<br />

si comportano come specchi); infatti, essendo<br />

interna al bandgap, il relativo campo non può<br />

propagarsi nel PC e sarà, quin<strong>di</strong>, un modo leaky.<br />

Tale comportamento è identico a quello osservato<br />

nelle cavità risonanti.<br />

Pertanto, affinché si possa avere uno stato localizzato<br />

all'interno del BG, il <strong>di</strong>fetto deve avere un'estensione<br />

tale da produrre uno sfasamento del<br />

campo, per una oscillazione completa (in avanti e<br />

in<strong>di</strong>etro), multiplo <strong>di</strong>spari <strong>di</strong> π (<strong>di</strong>fetto a λ /4) [19].<br />

Fig.18 - Trasmittività <strong>di</strong> un PBG 1-D con un <strong>di</strong>fetto a λ/4. È evidente<br />

la presenza <strong>di</strong> un picco <strong>di</strong> trasmittività in corrispondenza<br />

della lunghezza d'onda <strong>di</strong> risonanza.<br />

166 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

5.2 Difetti nei PBG 2-D<br />

Nei <strong>cristalli</strong> 2-D un singolo <strong>di</strong>fetto è ottenibile<br />

eliminando una colonna dal reticolo (Fig.19) oppure<br />

sostituendo una colonna con un'altra <strong>di</strong> materiale<br />

a <strong>di</strong>verso in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> rifrazione (Fig.20).<br />

La presenza <strong>di</strong> un <strong>di</strong>fetto si manifesta come un<br />

picco <strong>di</strong> trasmittività all'interno della banda oscurata<br />

e produce una concentrazione <strong>di</strong> campo nella<br />

regione <strong>di</strong>fettiva (cavità risonante) [21].<br />

Fig.19 - Cristallo fotonico 2 D con <strong>di</strong>fetto ottenuto me<strong>di</strong>ante la rimozione <strong>di</strong> una colonna <strong>di</strong> <strong>di</strong>elettrico. La figura a destra<br />

mostra il corrispondente spettro <strong>di</strong> trasmittività.<br />

Fig.20 -<br />

Cristallo fotonico 2<br />

D con <strong>di</strong>fetto ottenuto<br />

sostituendo<br />

una colonna <strong>di</strong><br />

aria con una<br />

colonna <strong>di</strong> materiale<br />

ad alto in<strong>di</strong>ce<br />

<strong>di</strong> rifrazione.<br />

Fig.21 - Ampiezza del vettore spostamendo <strong>di</strong> Maxwell <strong>di</strong> uno stato localizzato intorno ad un<br />

<strong>di</strong>fetto in un reticolo a simmetria quadrata <strong>di</strong> colonne <strong>di</strong> alluminio. I colori in<strong>di</strong>cano l'ampiezza<br />

del campo, che è orientato in <strong>di</strong>rezione z.<br />

La Fig.21 mostra l'ampiezza del campo D nella<br />

regione <strong>di</strong>fettiva ottenuta rimovendo una colonna<br />

<strong>di</strong> <strong>di</strong>elettrico.<br />

Si può osservare da tale figura che il campo è<br />

localizzato nel <strong>di</strong>fetto decadendo esponenzialmente<br />

al <strong>di</strong> fuori <strong>di</strong> esso.<br />

Si crea così una cavità bi<strong>di</strong>mensionale (nel piano<br />

xy del cristallo) circondata da pareti riflettenti<br />

adatta a supportare uno stato permesso all'interno<br />

del BG.<br />

In un PBG 2-D, a <strong>di</strong>fferenza <strong>di</strong> un cristallo<br />

mono<strong>di</strong>mensionale, si possono realizzare <strong>di</strong>fetti <strong>di</strong><br />

linea ottenuti rimuovendo un insieme <strong>di</strong> colonne<br />

<strong>di</strong> materiale <strong>di</strong>elettrico.<br />

Fabbricando un intero<br />

percorso <strong>di</strong>fettivo si determina<br />

una guida d'onda,<br />

ovvero un percorso permesso<br />

per la luce, che risulta<br />

molto ben confinata<br />

nella regione <strong>di</strong>fettiva<br />

essendone proibita la propagazione<br />

nel cristallo circostante.<br />

Si tratta <strong>di</strong> un nuovo<br />

meccanismo guidante, <strong>di</strong>fferente<br />

dalla tra<strong>di</strong>zionale TIR<br />

e molto promettente perché<br />

risultano molto ridotte<br />

le per<strong>di</strong>te.<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

167


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

Le Figg.22 e 23 sono alcuni esempi <strong>di</strong> <strong>di</strong>spositivi<br />

su PBG fabbricati secondo questo nuovo <strong>principi</strong>o<br />

[22, 23].<br />

curvature aventi per<strong>di</strong>te molto basse, a beneficio <strong>di</strong><br />

un maggiore livello <strong>di</strong> integrazione ottenibile<br />

(Fig.24).<br />

Fig.22 - Strutture <strong>di</strong>fferenti realizzate con <strong>di</strong>fetti <strong>di</strong> linea. a)guida d'onda rettilinea e curva; b)Y-branch; c) microrisonatore.<br />

Le stutture sono realizzate con silicio macroporoso.<br />

Fig.23 - Immagine al microscopio elettronico <strong>di</strong> un risonatore in guida d'onda. La figura <strong>di</strong> destra mostra la <strong>di</strong>stribuzione<br />

del campo all'interno della struttura; è evidente la localizzazione del campo nel <strong>di</strong>fetto.<br />

La capacità <strong>di</strong> confinare la luce con per<strong>di</strong>te trascurabili<br />

in una guida su PBG può essere vantaggiosamente<br />

sfruttata per realizzare guide con forti<br />

La Fig.25 mostra la <strong>di</strong>stribuzione <strong>di</strong> campo<br />

all'interno della guida.<br />

Fig.24 - Fotografia SEM <strong>di</strong> una guida d'onda<br />

curva su PBG.<br />

168 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

Fig.25 - Distribuzione <strong>di</strong> campo all'interno <strong>di</strong> una guida curva.<br />

E' evidente il buon confinamento del campo <strong>ed</strong> in particolare le<br />

per<strong>di</strong>te trascurabili in corrispondenza della curvatura.<br />

5.3 Difetti nei PBG 3-D<br />

E' possibile introdurre delle irregolarità nel<br />

reticolo <strong>di</strong> un cristallo 3-D in due maniere:<br />

1. aggiungendo un materiale con <strong>di</strong>versa<br />

costante <strong>di</strong>elettrica nella cella unitaria (<strong>di</strong>electrict<br />

defect);<br />

2. rimuovendo parte del materiale <strong>di</strong>elettrico<br />

dalla cella unitaria (air defect).<br />

Nel primo caso il <strong>di</strong>fetto si comporta analogamente<br />

ad un atomo donore in un cristallo or<strong>di</strong>nario.<br />

Si ottiene uno stato permesso (modo donore)<br />

all'interno del gap in prossimità del bordo inferiore<br />

della banda d'aria (Fig.26).<br />

Nel secondo caso il <strong>di</strong>fetto si comporta similmente<br />

ad un atomo accettore. Il modo accettore<br />

associato si localizza in prossimità del bordo superiore<br />

della banda <strong>di</strong>elettrica.<br />

I <strong>di</strong>fetti <strong>di</strong> questo tipo sono particolarmente<br />

adatti a realizzare microcavità risonanti con elevato<br />

Q.<br />

La frequenza del modo accettore cresce all'aumentare<br />

del volume <strong>di</strong> materiale rimosso. Un piccolo<br />

volume rimosso comporta un livello poco<br />

profondo e quin<strong>di</strong> vicino al bordo superiore della<br />

banda <strong>di</strong>elettrica.<br />

La Fig.26 evidenzia l'esistenza <strong>di</strong> un volume <strong>di</strong><br />

soglia al <strong>di</strong> sotto del quale non si hanno mo<strong>di</strong> <strong>di</strong><br />

tipo accettore.<br />

I <strong>di</strong>fetti <strong>di</strong> tipo donore, invece, danno origine a<br />

livelli multipli che tendono a fondersi in un unico<br />

livello doppiamente degenere quando il <strong>di</strong>fetto è al<br />

centro della cella unitaria.<br />

La frequenza del modo donore <strong>di</strong>minusce<br />

all'aumentare del volume del <strong>di</strong>fetto.<br />

Come nel caso degli accettori esiste un volume<br />

<strong>di</strong> soglia richiesto per poter sostenere degli stati<br />

Fig.26 - Frequenze dei<br />

mo<strong>di</strong> donore e accettore<br />

in funzione del volume<br />

normalizzato del<br />

<strong>di</strong>fetto. I punti in<strong>di</strong>cano<br />

risultati sperimentali le<br />

curve sono calcolate.<br />

è la lunghezza d'onda<br />

nel vuoto <strong>di</strong> centro<br />

banda, n è l'in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong><br />

rifrazione. La banda <strong>di</strong><br />

valenza coincide con la<br />

banda <strong>di</strong>elettrica, la<br />

banda <strong>di</strong> conduzione<br />

con la banda d'aria.<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

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NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

localizzati.Tale soglia è, tuttavia, <strong>di</strong>eci volte maggiore<br />

rispetto alla soglia relativa ad un <strong>di</strong>fetto donore.<br />

In un cristallo 3-D è possibile localizzare la luce<br />

in una singola regione introducendo un <strong>di</strong>fetto<br />

puntuale.<br />

Questo si comporta come una cavità risonante<br />

con pareti perfettamente riflettenti all'interno<br />

della quale è confinato il campo elettromagnetico.<br />

Esternamente al <strong>di</strong>fetto il campo decadrà esponenzialmente<br />

lungo le tre <strong>di</strong>mensioni del cristallo.<br />

Oltre a <strong>di</strong>fetti <strong>di</strong> tipo puntuale si possono realizzare<br />

anche <strong>di</strong>fetti <strong>di</strong> tipo lineare.<br />

Si tratta <strong>di</strong> una intera regione <strong>di</strong>fettiva che si<br />

estende nel cristallo rispettando o meno la simmetria<br />

traslazionale dello stesso [24].<br />

Si ottiene in questo modo un comportamento<br />

molto simle ad una guida metallica, quin<strong>di</strong>, con<br />

un'elevata capacità <strong>di</strong> confinare la luce ma, al contrario,<br />

con per<strong>di</strong>te trascurabili anche alle frequenze<br />

ottiche.<br />

5.4 Conclusioni<br />

L'introduzione <strong>di</strong> irregolarità che interrompono<br />

la simmetria traslazionale <strong>di</strong> un reticolo perio<strong>di</strong>co,<br />

in presenza <strong>di</strong> opportune con<strong>di</strong>zioni, determina<br />

uno stato permesso, all'interno della regione spettrale<br />

proibita, caratterizzato da un elevato confinamento<br />

del campo nel <strong>di</strong>fetto.<br />

Tale caratteristica consente la realizzazione <strong>di</strong><br />

<strong>di</strong>spositivi dalle prestazioni migliori rispetto a quelli<br />

tra<strong>di</strong>zionali e soprattutto con <strong>di</strong>mensioni <strong>di</strong><br />

<strong>di</strong>versi or<strong>di</strong>ni <strong>di</strong> grandezza inferiori.<br />

Quest'ultimo aspetto, insieme con la concreta<br />

possibilità <strong>di</strong> realizzare interconnessioni ottiche<br />

con forti curvature e basse per<strong>di</strong>te, promette il<br />

raggiungimento <strong>di</strong> livelli <strong>di</strong> integrazione paragonabili<br />

alla VLSI in elettronica anche nel campo dell'optoelettronica<br />

e spiega il sempre maggiore interesse<br />

che i PBG hanno suscitato negli ultimi anni.<br />

In particolare la ricerca è orientata verso la<br />

messa a punto <strong>di</strong> metodologie <strong>di</strong> progetto affidabili<br />

che consentano <strong>di</strong> prev<strong>ed</strong>ere il comportamento<br />

<strong>di</strong> un <strong>di</strong>spositivo su PBG in laboratorio prima<br />

ancora che questo sia effettivamente fabbricato.<br />

Nel paragrafo successivo passeremo in rassegna<br />

le <strong>applicazioni</strong>, con particolare riferimento ai<br />

meto<strong>di</strong> <strong>di</strong> analisi maggiormente <strong>di</strong>ffusi, sottolinaendone<br />

i <strong>principi</strong> fondamentali, i vantaggi e gli svantaggi.<br />

6.Applicazioni<br />

Il primo PBG fu fabbricato nel 1989 da<br />

Yablonovitch presso i Bell Communications<br />

Research in New Jersey, e presentava un BG solo<br />

alle microonde a causa <strong>di</strong> limitazioni tecnologiche<br />

(per spostarsi a lunghezze d'onda più piccole<br />

occorre ridurre le <strong>di</strong>mensioni) <strong>ed</strong> era del tipo 2-D<br />

Bulk ottenuto perforando un blocco <strong>di</strong> Si secondo<br />

una geometria reticolare del tipo FCC perché gli<br />

stu<strong>di</strong> teorici suggerivano che fosse questa la più<br />

semplice struttura che presentasse un BG completo<br />

(in tutte le <strong>di</strong>rezioni e per tutte le con<strong>di</strong>zioni <strong>di</strong><br />

polarizzazione).<br />

Attualmente, a frequenze ottiche, stu<strong>di</strong> intensivi<br />

vengono condotti sulle strutture 2-D, importanti<br />

per realizzare guide d'onda e circuiti integrati<br />

ottici monolitici.<br />

Tuttavia, queste strutture vanno progettate con<br />

molta cura se si vuole ottenere un BG completo.<br />

Le <strong>applicazioni</strong> maggiori sono:<br />

- Guide d'onda, <strong>di</strong>visori <strong>di</strong> potenza, switch con<br />

basse per<strong>di</strong>te su lunghe <strong>di</strong>stanze <strong>ed</strong> in presenza <strong>di</strong><br />

forti curvature.<br />

- Fibre ottiche monomodali in un ampio intervallo<br />

<strong>di</strong> λ , con basso in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> rifrazione del core.<br />

Si propaga solo il modo che sod<strong>di</strong>sfa la con<strong>di</strong>zione<br />

<strong>di</strong> Bragg<br />

- Specchi perfettamente riflettenti, in particolare<br />

per le pareti <strong>di</strong> cavità LASER<br />

- Dio<strong>di</strong> LED con altissima efficienza esterna (4%<br />

senza PBG) perché avviene l'emissione dei soli<br />

mo<strong>di</strong> che possono essere trasmessi.Tutta l'energia<br />

emessa viene così trasmessa.<br />

- Dio<strong>di</strong> LASER con bassa soglia (< 100 µ A): in<br />

forza della soppressione della emissione spontanea<br />

(non vengono emessi fotoni con energia all'interno<br />

del BG) si riducono le per<strong>di</strong>te per emissione spontanea,<br />

aumenta l'efficienza e si riduce la potenza<br />

<strong>di</strong>ssipata <strong>ed</strong> il relativo riscaldamento.<br />

- Filtri con banda passante molto stretta, per<br />

sistemi DWDM.<br />

- Cavità risonanti con fattore <strong>di</strong> qualità Q estremamente<br />

elevato.<br />

- Circuiti Integrati Fotonici: i PBG permettono<br />

<strong>di</strong> ridurre le <strong>di</strong>mensioni dei circuiti <strong>fotonici</strong><br />

(attualmente alcuni mm) perché<br />

- il fascio LASER si può propagare attraverso<br />

guide fortemente incurvate con per<strong>di</strong>te molto<br />

basse;<br />

- l'alta efficienza dei LED e dei LASER permette<br />

una minore <strong>di</strong>ssipazione <strong>di</strong> potenza e, quin<strong>di</strong>,<br />

170 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

l'integrazione in spazi molto ridotti;<br />

- risulta molto ridotto l'accoppiamento parassita<br />

fra guide a<strong>di</strong>acenti;<br />

- può essere sfruttato l'effetto del superprisma.<br />

- Applicazioni biome<strong>di</strong>cali con silicio poroso<br />

per la realizzazione <strong>di</strong> sensori.<br />

- Applicazioni nella fisica delle particelle per<br />

realizzare acceleratori con elevata purezza spettrale.<br />

6.1 Guide d'onda su PBG<br />

L'obiettivo è <strong>di</strong> produrre guide con bassa <strong>di</strong>spersione<br />

e basse per<strong>di</strong>te anche su lunghe <strong>di</strong>stanze<br />

e con geometrie non rettilinee. Il percorso guidante<br />

è ottenuto creando una regione <strong>di</strong>fettiva.<br />

Uno dei vantaggi essenziali in questo tipo <strong>di</strong><br />

guide è la possibilità <strong>di</strong> guidare su geometrie non<br />

rettilinee con basse per<strong>di</strong>te.<br />

I meccanismi <strong>di</strong> per<strong>di</strong>ta nelle guide su PBG<br />

sono sostanzialmente 3:<br />

I) scattering dovuto ad imperfezioni:<br />

teoricamente le guide in PBG non dovrebbero<br />

soffrire <strong>di</strong> alcuna per<strong>di</strong>ta nel piano in quanto le<br />

regioni perio<strong>di</strong>che entro cui è creata la regione<br />

guidante non permettono che si propaghi alcun<br />

modo alla frequenza <strong>di</strong> interesse.<br />

Pertanto anche i mo<strong>di</strong> eccitabili potenzialmente<br />

da imperfezioni non volute dovrebbero avere<br />

una influenza trascurabile (i mo<strong>di</strong> eventualmente<br />

eccitabili si riducono a code evanescenti <strong>di</strong> campo)<br />

rispetto a quella che hanno nelle guide ridge tra<strong>di</strong>zionali.<br />

L'impatto è maggiore se le guide su PBG sono<br />

multimodali perché i centri <strong>di</strong> scattering possono<br />

eccitare mo<strong>di</strong> <strong>di</strong> or<strong>di</strong>ne superiore.<br />

II) Out-of-plane losses:<br />

le per<strong>di</strong>te fuori dal piano della guida costituiscono<br />

il meccanismo <strong>di</strong> per<strong>di</strong>ta dominante. Esse<br />

sono causate:<br />

a) dal fatto che le regioni etchate non guidano,<br />

per cui l'onda quando le attraversa per passare<br />

da una regione all'altra <strong>di</strong> semiconduttore ad alto<br />

in<strong>di</strong>ce, tende a <strong>di</strong>ffrangersi e <strong>di</strong>sperdersi nel cover<br />

e substrato, cioè fuori dal piano guidante;<br />

b) dalla eventuale, insufficiente profon<strong>di</strong>tà <strong>di</strong><br />

etching per cui non tutto il modo è sottoposto alla<br />

stessa perio<strong>di</strong>cità e la coda evanescente fuori dal<br />

core tende ad essere significativa (Fig.27).<br />

Queste per<strong>di</strong>te possono essere minimizzate<br />

aumentando il rapporto d'aspetto delle buche nei<br />

<strong>cristalli</strong> 2-D o, in ogni caso, delle regioni etchate.<br />

III) Accoppiamento tra mo<strong>di</strong> TE e TM:<br />

può avvenire se il PBG che deve provv<strong>ed</strong>ere al<br />

meccanismo <strong>di</strong> confinamento del campo nella<br />

regione <strong>di</strong>fettiva presenta un BG per i mo<strong>di</strong> TE ma<br />

non per i TM, alla frequenza <strong>di</strong> interesse.<br />

Questo meccanismo <strong>di</strong> per<strong>di</strong>ta, tuttavia, è generalmente<br />

poco significativo e <strong>di</strong>pende dalla asimmetria<br />

verticale della guida: più forte è la asimmetria<br />

maggiore il trasferimento <strong>di</strong> potenza da modo<br />

TE a TM.<br />

Quando ciò avviene, il modo non trova più BG<br />

e si <strong>di</strong>sperde attraverso il cristallo.<br />

6.2 Guide a cavità accoppiate<br />

Un nuovo meccanismo <strong>di</strong> confinamento e guida<br />

della luce, ottenibile soltanto con l'impiego <strong>di</strong> <strong>cristalli</strong><br />

<strong>fotonici</strong>, è stato proposto recentemente e si<br />

basa sull'accoppiamento tra cavità risonanti create<br />

tramite <strong>di</strong>fetti in <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> (CCW: Coupl<strong>ed</strong><br />

Cavity Waveguides, oppure, anche, CROW: Coupl<strong>ed</strong><br />

Resonator Optical Waveguide).<br />

L'importanza <strong>di</strong> queste guide risi<strong>ed</strong>e nel più elevato<br />

numero <strong>di</strong> parametri <strong>di</strong> progetto a <strong>di</strong>sposi-<br />

Fig.27 - a)Una guida fortemente etchata progettata per una riflettività massima con i piani ad alto e basso in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> spessore λ/4n.<br />

Questa configurazione è caratterizzata da elevate per<strong>di</strong>te per <strong>di</strong>ffrazione , a causa dello scarso confinamento della luce e della <strong>di</strong>ffrazione<br />

al <strong>di</strong> fuori del piano della guida. b) Un'altra sorgente <strong>di</strong> per<strong>di</strong>ta è un'insufficiente profon<strong>di</strong>tà <strong>di</strong> etching. Se la struttura non è sufficientemente<br />

etchata i mo<strong>di</strong> guidati non interagiscono con la struttura e irra<strong>di</strong>ano. c) Se l'estensione delle cavità <strong>di</strong> aria è piccola e la guida è<br />

fortemente etchata , si ottengono per<strong>di</strong>de contenute e, quin<strong>di</strong>, un bandgap fotonico prgogettando la guida con periodo multiplo intero<br />

della semi-lunghezza d'onda (con<strong>di</strong>zione <strong>di</strong> Bragg).<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

171


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

zione per modulare a proprio piacimento le caratteristiche<br />

guidanti e la velocità <strong>di</strong> gruppo al variare<br />

della lunghezza d'onda.<br />

Infatti, variando il tipo <strong>di</strong> <strong>di</strong>fetti e la loro <strong>di</strong>stanza<br />

si <strong>di</strong>spone <strong>di</strong> un importante elemento <strong>di</strong> controllo<br />

sulla propagazione della luce da <strong>di</strong>fetto a<br />

<strong>di</strong>fetto e, cioè, sezione per sezione, quasi, della<br />

guida.<br />

I primi risultati sperimentali in<strong>di</strong>cano ottime<br />

caratteristiche <strong>di</strong> propagazione con per<strong>di</strong>te molto<br />

basse anche in presenza <strong>di</strong> forti curvature.<br />

Per questo sono guide in <strong>di</strong>retta competizione<br />

con quelle standard.<br />

6.3 Fibre ottiche su PBG<br />

Le fibre ottiche tra<strong>di</strong>zionali possono essere<br />

monomodali soltanto in un ristretto intervallo<br />

spettrale. Per frequenze più elevate la trasmissione<br />

<strong>di</strong>viene multimodale e per frequenze più basse<br />

aumentano le per<strong>di</strong>te <strong>di</strong> ra<strong>di</strong>azione.<br />

Le fibre ottiche su PBG (Fig.28) permettono <strong>di</strong><br />

espandere notevolmente l'intervallo spettrale <strong>di</strong><br />

monomodalità poiché l'in<strong>di</strong>ce effettivo del clad<strong>di</strong>ng<br />

varia con la frequenza non solo a causa della <strong>di</strong>spersione<br />

del materiale ma anche a causa della polarizzazione<br />

del campo (essendo un 2D PBG) [25]<br />

Le fibre su PBG possono essere del tipo con<br />

Fig.27 - Tipi <strong>di</strong> fibre ottiche. a) Fibra convenzionale con<br />

n clad<strong>di</strong>ng


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

trasto d'in<strong>di</strong>ce tra il semiconduttore all'interno del<br />

quale la luce viene generata <strong>ed</strong> il mezzo esterno,<br />

aria in genere, in cui viene trasmessa).<br />

Per questo l'efficienza esterna nei casi migliori<br />

non supera il 4%.<br />

Se, invece, si usa un cristallo fotonico come<br />

materiale attivo, si può proibire l'emissione spontanea<br />

<strong>di</strong> quei mo<strong>di</strong> che subirebbero TIR e far emettere<br />

solo quei mo<strong>di</strong> che possono essere trasmessi<br />

dal <strong>di</strong>spositivo.<br />

Tutta l'energia luminosa emessa viene così convogliata<br />

nei mo<strong>di</strong> trasmessi con un notevole<br />

aumento della efficienza quantica esterna.<br />

6.6 LASER su PBG<br />

Con l'impiego dei <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> si possono<br />

realizzare LASER con una soglia molto bassa. La<br />

riduzione della corrente <strong>di</strong> soglia permette ai<br />

LASER <strong>di</strong> operare in modo molto più efficiente e<br />

con forte riduzione della potenza termica da <strong>di</strong>ssipare.<br />

Questo permette anche <strong>di</strong> aumentare la densità<br />

d'integrazione perché è possibile posizionare un<br />

maggior numero <strong>di</strong> sorgenti e componenti passivi<br />

in uno spazio minore, essendo ridotta la potenza<br />

termica generata.<br />

I <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> permettono anche <strong>di</strong> sopprimere<br />

l'emissione spontanea, in altre parole l'emissione<br />

<strong>di</strong> quei fotoni che dovrebbero propagarsi<br />

con costante <strong>di</strong> propagazione all'interno del BG.<br />

Affinché avvenga l'emissione LASER, è necessario<br />

introdurre un <strong>di</strong>fetto nel materiale, che determini<br />

uno stato permesso nel BG, cioè una frequenza<br />

<strong>ed</strong> una <strong>di</strong>rezione precisa secondo cui l'onda<br />

può propagarsi.<br />

Con la creazione <strong>di</strong> un solo stato permesso<br />

all'interno del bandgap si ottiene una maggiore<br />

purezza spettrale (Fig.29) <strong>ed</strong> una riduzione delle<br />

per<strong>di</strong>te in seguito alla soppressione della emissione<br />

spontanea non desiderata [26].<br />

L'introduzione dei <strong>di</strong>fetti è paragonabile al drogaggio<br />

dei semiconduttori per il trasferimento <strong>di</strong><br />

elettroni all'interno del gap.<br />

Un LASER <strong>di</strong> questi tipo può essere realizzato<br />

con PBG 3-D: in genere sfere <strong>di</strong> SiO2 in cui gli<br />

interspazi sono riempiti da un mezzo attivo in<br />

grado <strong>di</strong> supportare l'emissione LASER.<br />

Esaminano adesso alcuni dettagli relativi ai<br />

microspecchi utilizzati per realizzare le cavità<br />

LASER.<br />

Microstrutture perio<strong>di</strong>che consistenti <strong>di</strong> strati<br />

alternati <strong>di</strong> aria e semiconduttore possono essere<br />

considerati l'evoluzione dei reticoli alla Bragg<br />

comunemente impiegati nei LASER DFB<br />

(Distribut<strong>ed</strong> Fe<strong>ed</strong>-Back) e nei LASER DBR (Distribute<br />

Bragg Reflector).<br />

La <strong>di</strong>fferenza è nel contrasto d'in<strong>di</strong>ce che è tipicamente<br />

0.01 nei DFB/DBR ma dell'or<strong>di</strong>ne anche<br />

<strong>di</strong> 2.5 (3.5:1) nei PBG.<br />

Il forte contrasto d'in<strong>di</strong>ce implica una lunghezza<br />

molto ridotta per i LASER su PBG (Fig.30), dell'or<strong>di</strong>ne<br />

del micron, confrontata con le centinaia <strong>di</strong><br />

micron dei LASER DFB/DBR, aprendo le porte alla<br />

realizzazione <strong>di</strong> LASER con piccolissimo volume<br />

ottico.<br />

Le prerogative <strong>di</strong> compattezza e soglia molto<br />

bassa dei LASER su PBG sono state finora proprie<br />

solo dei LASER VCSEL (Vertical Cavity Surface<br />

Fig.29 - Spettro <strong>di</strong> emissione per un <strong>di</strong>odo LASER e un <strong>di</strong>odo LED.<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

173


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

Emitting LASER).<br />

Per questa caratteristica i LASER con microspecchi<br />

alla Bragg su PBG, estremamente corti,<br />

sono noti in letteratura come Horizontal<br />

VCSELs.<br />

Attualmente la massima riflettività misurata<br />

in LASER <strong>di</strong> questo tipo è del 95 % <strong>ed</strong> il <strong>di</strong>spositivo<br />

più corto fin ora realizzato è lungo 20µm.<br />

Ovviamente le linee guida per il progetto <strong>di</strong><br />

questi specchi su PBG sono <strong>di</strong>fferenti da quelle<br />

tipiche dei reticoli a debole contrasto d'in<strong>di</strong>ce<br />

ma sono legate alla necessità <strong>di</strong> eccitare mo<strong>di</strong> a<br />

basse per<strong>di</strong>te nei PBG (che hanno forte contrasto<br />

d'in<strong>di</strong>ce), che abbiano, quin<strong>di</strong>, la massima<br />

profon<strong>di</strong>tà <strong>di</strong> etching possibile e la più piccola<br />

lunghezza possibile, rispetto al periodo della<br />

struttura, delle regioni etchate.<br />

Inoltre, il fatto che il LASER oltre agli specchi<br />

debba avere una regione attiva comporta un<br />

ulteriore vincolo <strong>di</strong> progetto, cioè la necessità<br />

che vi sia un clad<strong>di</strong>ng per evitare per<strong>di</strong>te <strong>di</strong><br />

assorbimento ai contatti metallici.<br />

Si sono progettati con strutture <strong>di</strong> questo<br />

tipo LASER aventi correnti <strong>di</strong> soglia dell'or<strong>di</strong>ne<br />

<strong>di</strong> 100 µ A, più basse del miglior VCSEL.<br />

6.7 Circuiti Integrati <strong>fotonici</strong><br />

La maggiore spinta verso l'integrazione ottica<br />

monolitica viene dai requisiti <strong>di</strong> velocità e larghezza<br />

<strong>di</strong> banda dei moderni sistemi <strong>di</strong> trasmissione<br />

dati.<br />

Fin ora i limiti maggiori per un aumento della<br />

densità <strong>di</strong> integrazione erano posti da due fattori:<br />

le gran<strong>di</strong> <strong>di</strong>mensioni dei singoli componenti e<br />

le alte per<strong>di</strong>te nelle guide curve.<br />

Con l'impiego dei <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> entrambi<br />

Fig.30 - Esempi <strong>di</strong> LASER su PBG.<br />

questi limiti possono essere superati.<br />

Infatti sia la possibilità <strong>di</strong> impiegare guide curve<br />

con basse per<strong>di</strong>te sia la riduzione della potenza<br />

termica <strong>di</strong>ssipata dalle sorgenti LED e LASER gra-<br />

Fig.31 - Curva P-I e microfotografia <strong>di</strong> un LASER a semiconduttore.<br />

174 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

Fig.32 - Esempio <strong>di</strong> un circuito fotonico integrato. Sono evidenti i <strong>di</strong>versi componenti integrati su un unico chip.<br />

zie alla maggiore efficienza, permettono una maggiore<br />

densità <strong>di</strong> integrazione potendo ubicare i <strong>di</strong>spositivi<br />

più vicini tra loro sullo steso chip.<br />

L'isolamento tra i <strong>di</strong>spositivi è garantito anche<br />

perché, grazie ai PC, viene drasticamente ridotto<br />

l'accoppiamento fra i vari componenti che, quin<strong>di</strong>,<br />

possono essere fabbricati entro spazi più stretti.<br />

Nella Fig.32 si v<strong>ed</strong>e quale fisionomia assumano<br />

tipici circuiti ottici integrati realizzati interamente<br />

su PBG.<br />

6.8 Effetto del superprisma<br />

Gli effetti <strong>di</strong> <strong>di</strong>spersione nelle strutture perio<strong>di</strong>che<br />

sono noti da oltre un ventennio ma recentemente<br />

sono stati ripresi in considerazione per il<br />

significativo utilizzo che può esserci nelle <strong>applicazioni</strong><br />

dei <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> nella WDM (Wavelength<br />

Division Multiplexing).<br />

In particolare l'effetto del superprisma fa uso <strong>di</strong><br />

una forte asimmetria della struttura a bande vicino<br />

al punto Γ, dove il vettor d'onda varia molto più<br />

nella <strong>di</strong>rezione Γ-K che nella Γ-M variando la frequenza<br />

(Fig.33).<br />

Ne consegue una <strong>di</strong>spersione angolare in uscita<br />

al cristallo notevolissima, <strong>di</strong> circa 50° in corrispondenza<br />

<strong>di</strong> una variazione delle lunghezze d'onda<br />

in ingresso al cristallo da 990 nm a 1000 nm.<br />

Questo significa che, in un sistema WDM, alla lunghezza<br />

d'onda <strong>di</strong> 1.55 µm, per canali spaziati <strong>di</strong> 50<br />

GHz (pari a ∆λ = 0.4 nm) vi è una separazione<br />

spaziale pari ad un angolo <strong>di</strong> circa 2°; se le guide<br />

d'inda che devono incanalare i segnali demultiplati<br />

in uscita sono spaziate tra loro <strong>di</strong> 5 µm, sarà<br />

necessario un cristallo lungo appena 150 µm per<br />

Fig.33 - Illustrazione schematica del fenomeno del superprisma.<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

175


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

Fig.34 - Struttura schematica <strong>di</strong> un PC fabbricato su un substrato <strong>di</strong> Si.<br />

separare tutti i canali, che è una <strong>di</strong>mensione incre<strong>di</strong>bilmente<br />

più piccola rispetto alle attuali [27].<br />

Risulta evidente, quin<strong>di</strong>, come l'effetto del<br />

superprisma renda i <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> <strong>di</strong> cruciale<br />

importanza per operare una svolta epocale nella<br />

integrazione ottica monolitica, in termini <strong>di</strong> aumento<br />

significativo della densità d'integrazione (Fig. 34).<br />

6.9 Add/Drop multiplexer<br />

La possibilità <strong>di</strong> <strong>di</strong>sporre <strong>di</strong> funzione del tipo<br />

add/drop è una prerogativa molto desiderabile nei<br />

sistemi WDM.<br />

Si tratta <strong>di</strong> poter aggiungere o rimuovere selettivamente<br />

un particolare canale, de<strong>di</strong>cato ad una<br />

particolare lunghezza d'onda, permettendo in tal<br />

modo un utilizzo completo <strong>ed</strong> efficiente <strong>di</strong> tutti i<br />

canali.<br />

Il primo cristallo fotonico add/drop è stato<br />

recentemente proposto (1997) <strong>ed</strong> è basato sulla<br />

risonanza tra due <strong>di</strong>fetti, permettendo l'accoppiamento<br />

tra due guide d'onda a canale alla frequenza<br />

<strong>di</strong> risonanza.<br />

Mentre la base teorica del <strong>funzionamento</strong> <strong>di</strong><br />

questo <strong>di</strong>spositivo è molto convincente, ci sono<br />

notevoli <strong>di</strong>fficoltà circa la verifica sperimentale.<br />

Infatti, il problema principale è la forte <strong>di</strong>pendenza<br />

della con<strong>di</strong>zione <strong>di</strong> risonanza dalla <strong>di</strong>mensione<br />

del <strong>di</strong>fetto, come mostrato in Fig.35.<br />

Variando la <strong>di</strong>mensione del <strong>di</strong>fetto <strong>di</strong> appena 2D<br />

la risposta della cavità risonante subisce uno shift <strong>di</strong><br />

Fig.35 - Illustrazione della <strong>di</strong>pendenza della lunghezza d'onda <strong>di</strong> risonanza dall'estensione del <strong>di</strong>fettoin un cristallo fotonico.<br />

176 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

1 nm che equivale a 125 GHz @ 1.55 µm.<br />

Poiché la tolleranza associata ai processi <strong>di</strong> fabbricazione<br />

è <strong>di</strong> circa 10 nm risulta praticamente<br />

impossibile fabbricare strutture <strong>di</strong> questo tipo correttamente<br />

funzionanti.<br />

Questa osservazione se, da una parte, compromette<br />

attualmente lo stu<strong>di</strong>o sperimentale <strong>di</strong> questi<br />

<strong>di</strong>spositivi, d'altra parte suggerisce che può essere<br />

in futuro molto facile realizzare <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong><br />

accordabili per la elevatissima sensibilità della<br />

risposta in frequenza alle variazioni <strong>di</strong> <strong>di</strong>mensioni.<br />

6.10 Biosensori<br />

Vengono realizzati sfruttando le proprietà <strong>di</strong><br />

elettroluminescenza (EL) e fotoluminescenza (FL)<br />

del silicio poroso (Psi), cristallo fotonico 3-D composto<br />

da nano<strong>cristalli</strong> <strong>di</strong> Si.<br />

Inserendo uno strato <strong>di</strong> Psi fra due riflettori alla<br />

Bragg si ottiene un LED racchiuso in una microcavità<br />

risonante Fabry-Perot che emette ad una lunghezza<br />

d'onda λ <strong>di</strong> circa 750 nm con una larghezza<br />

<strong>di</strong> linea molto esigua, <strong>di</strong> circa 10 nm.<br />

In genere anche i riflettori sono realizzati con<br />

strati alternati <strong>di</strong> Psi aventi <strong>di</strong>fferente percentuale<br />

<strong>di</strong> porosità e, quin<strong>di</strong>, <strong>di</strong>fferente in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> rifrazione<br />

(da n = 1.06 a n = 2.69).<br />

In presenza <strong>di</strong> agenti chimico-fisici (DNA, virus,<br />

umi<strong>di</strong>tà,..) assorbiti dallo strato attivo, il picco <strong>di</strong><br />

emissione si sposta (Fig.36).<br />

6.11 Cavità risonanti<br />

Le tra<strong>di</strong>zionali cavità risonanti alle<br />

microonde sono costituite da scatole a pareti conduttrici<br />

che confinano al loro interno l'energia<br />

elettromagnetica. Le pareti conduttrici hanno la<br />

funzione <strong>di</strong> schermi perfetti, così che l'interno sia<br />

perfettamente schermato rispetto all'esterno e<br />

non esista ra<strong>di</strong>azione. Poiché le pareti interne della<br />

scatola servono per il passaggio <strong>di</strong> corrente, si<br />

Fig.36 - Esempi <strong>di</strong> biosensori realizzati utilizzando i PC.<br />

ottiene un'ampia area per il flusso <strong>di</strong> corrente e le<br />

per<strong>di</strong>te risultano ridotte.<br />

I risonatori ottici <strong>di</strong>fferiscono da quelli tipici<br />

per le microonde sostanzialmente per le <strong>di</strong>mensioni<br />

della lunghezza d'onda, molto più piccola alle<br />

frequenze ottiche.Tali sistemi possono essere s<strong>ed</strong>e<br />

<strong>di</strong> molti mo<strong>di</strong> e per ridurli in numero sono usualmente<br />

aperti verso l'esterno con conseguente<br />

presenza <strong>di</strong> per<strong>di</strong>te per <strong>di</strong>ffrazione, oltre che a<br />

quelle dovute a riflessioni non perfette. Sebbene<br />

esistano importanti <strong>di</strong>fferenze tra i risonatori ottici<br />

e alle microonde, alcuni parametri come il fattore<br />

<strong>di</strong> qualità Q conservano la loro pratica utilità<br />

anche per quelli ottici.<br />

La configurazione e.m. <strong>di</strong> onde stazionarie, in<br />

con<strong>di</strong>zioni <strong>di</strong> risonanza, può essere pensata come<br />

la sovrapposizione <strong>di</strong> varie onde riflesse dalle pareti<br />

del risonatore.<br />

Una cavità può essere s<strong>ed</strong>e <strong>di</strong> infiniti mo<strong>di</strong> <strong>di</strong>fferenti<br />

e per ciascun modo la frequenza <strong>di</strong> risonanza<br />

è determinata dal modo, dalle <strong>di</strong>mensioni<br />

della cavità, e dai parametri del <strong>di</strong>elettrico che la<br />

riempie.<br />

Un parametro caratteristico dei risonatori è il<br />

fattore <strong>di</strong> qualità Q, definito come:<br />

Q = ϖ o U/WL<br />

dove ϖ o in<strong>di</strong>ca la frequenza <strong>di</strong> risonanza, U l'energia<br />

e.m. accumulata nella cavità e WL la potenza<br />

<strong>di</strong>ssipata. Per<strong>di</strong>te nel <strong>di</strong>elettrico e ra<strong>di</strong>azioni da<br />

piccole fessure, se presenti, possono contribuire in<br />

modo notevole all'abbassamento <strong>di</strong> Q.Tale definizione<br />

<strong>di</strong> Q permette <strong>di</strong> valutare anche l'ampiezza<br />

<strong>di</strong> banda delle cavità. Se ∆ϖ è la <strong>di</strong>stanza tra due<br />

punti della curva <strong>di</strong> risposta in frequenza tali che<br />

l'ampiezza della risposta è 1/ V2 del suo valore<br />

massimo, si ha che ∆ϖ /0 =-1/Q .<br />

Si <strong>di</strong>mostra che il valore <strong>di</strong> Q, ad una certa frequenza,<br />

aumenta al crescere dell'or<strong>di</strong>ne dei mo<strong>di</strong>.<br />

Al crescere dell'or<strong>di</strong>ne del<br />

modo la lunghezza d'onda<br />

decresce, ossia la frequenza<br />

<strong>di</strong> risonanza aumenta e<br />

quin<strong>di</strong>, ad una certa frequenza,<br />

per ottenere la risonanza,<br />

la scatola deve avere<br />

<strong>di</strong>mensioni più elevate al<br />

crescere dell'or<strong>di</strong>ne del<br />

modo.<br />

Per accoppiare l'energia<br />

e.m. interna al risona-<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

177


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

tore con quella esterna si introduce un foro tra la<br />

cavità e la guida d'onda <strong>di</strong> pilotaggio, collocando il<br />

foro in maniera tale che qualche componente <strong>di</strong><br />

campo del modo <strong>di</strong> cavità abbia la stessa <strong>di</strong>rezione<br />

<strong>di</strong> quello relativo al modo <strong>di</strong> guida.<br />

Una cavità risonante può essere ottenuta introducendo<br />

un <strong>di</strong>fetto in un cristallo fotonico. Le proprietà<br />

<strong>di</strong> un PC possono essere mo<strong>di</strong>ficate dall'introduzione<br />

<strong>di</strong> <strong>di</strong>fetti in corrispondenza <strong>di</strong> determinate<br />

celle elementari e cioè me<strong>di</strong>ante l'aggiunta o<br />

la rimozione <strong>di</strong> materiale <strong>di</strong>elettrico.<br />

Dalle proprietà dei <strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> è noto che<br />

l'energia non può propagarsi secondo specifiche<br />

<strong>di</strong>rezioni all'interno del BG, nel quale però è possibile<br />

creare una stretta regione <strong>di</strong> frequenze permesse<br />

(passband) in seguito all'inserimento <strong>di</strong> un<br />

<strong>di</strong>fetto nella struttura perio<strong>di</strong>ca.<br />

Questo fenomeno <strong>di</strong> localizzazione degli stati<br />

viene utilizzato nel progetto <strong>di</strong> microcavità su PC<br />

caratterizzate da un alto valore <strong>di</strong> Q.Tale fattore,<br />

caratteristico del <strong>di</strong>fetto, <strong>di</strong>pende principalmente<br />

dalle <strong>di</strong>mensioni del cristallo e definisce la larghezza<br />

della regione permessa.<br />

I <strong>di</strong>fetti da introdurre nel reticolo perio<strong>di</strong>co<br />

possono avere <strong>di</strong>fferenti forme, <strong>di</strong>mensioni o<br />

<strong>di</strong>versi valori <strong>di</strong> in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> rifrazione. La variazione <strong>di</strong><br />

uno <strong>di</strong> questi parametri nel <strong>di</strong>fetto, rispetto alla<br />

struttura circostante, può mo<strong>di</strong>ficare il numero dei<br />

mo<strong>di</strong> o la frequenza del modo o dei mo<strong>di</strong> localizzati<br />

all'interno della cavità.<br />

È <strong>di</strong>mostrato, inoltre, che la larghezza spettrale<br />

del defect mode <strong>di</strong>minuisce rapidamente all'aumentare<br />

del numero <strong>di</strong> ripetizioni <strong>di</strong> reticolo perio<strong>di</strong>co,<br />

migliorando così la selettività della frequenza <strong>di</strong><br />

risonanza all'interno del BG.<br />

Le possibili <strong>applicazioni</strong> per le cavità risonanti<br />

ottiche su PBG sono soprattutto nella realizzazione<br />

<strong>di</strong> laser single-mode, e in strutture come i sistemi<br />

WDM (Wavelength Division Multiplexing) in cui<br />

si sfrutta la possibilità <strong>di</strong> ottenere bande passanti<br />

molto strette all'interno del BG in corrispondenza<br />

delle frequenze <strong>di</strong> risonanza.<br />

Le cavità laser sono realizzate utilizzando dei<br />

microspecchi, ossia microstrutture perio<strong>di</strong>che che<br />

possono essere considerate l'evoluzione dei reticoli<br />

alla Bragg comunemente usati nei laser DFB<br />

(Distribut<strong>ed</strong> Fe<strong>ed</strong>-Back) e nei laser DBR<br />

(Distribut<strong>ed</strong> Bragg Riflector ).<br />

Le cavità possono essere realizzate su strutture<br />

a PC sia mono<strong>di</strong>mensionali che bi<strong>di</strong>mensionali.<br />

Un esempio <strong>di</strong> cavità ottica mono<strong>di</strong>mensionale<br />

non assorbente su PBG è costituito da uno spacer<br />

Fig.37 - Tipica struttura <strong>di</strong> un campione con strato <strong>di</strong> ossido.<br />

in AlxOy posto fra due DBR in AlxOy/AlGaAs. Lo<br />

strato <strong>di</strong> ossido minimizza le possibili per<strong>di</strong>te per<br />

assorbimento nella cavità. Le misure effettuate su<br />

un risonatore verticale in cui è stato inserito uno<br />

spacer <strong>di</strong> ossido dello spessore <strong>di</strong> mezza lunghezza<br />

d'onda, hanno <strong>di</strong>mostrato che la maggior parte dell'energia<br />

del modo <strong>di</strong> risonanza resta confinato<br />

nello spacer , con conseguente <strong>di</strong>minuzione delle<br />

per<strong>di</strong>te in tutta la cavità (Fig.37).<br />

Un'ulteriore applicazione delle cavità risonanti<br />

su PBG si ha nei sistemi Multichannel WDM.<br />

Un esempio <strong>di</strong> tali sistemi è costituito da una<br />

struttura che include 6 cavità, ognuna caratterizzata<br />

da una <strong>di</strong>versa <strong>di</strong>mensione del <strong>di</strong>fetto e dalla<br />

sua guida a canale ottenuta sempre sul PBG<br />

(Fig.38).<br />

Ognuna delle sei cavità ha un singolo modo<br />

localizzato all'interno del BG, il che consente un'operazione<br />

<strong>di</strong> filtraggio o <strong>di</strong> demultiplexing <strong>di</strong> lunghezza<br />

d'onda a partire da un'onda incidente caratterizzata<br />

da una banda larga.<br />

Il risultato è una sequenza <strong>di</strong> onde a stretta<br />

banda che vengono guidate dalle opportune strutture<br />

a canale realizzate rimovendo file <strong>di</strong> colonne<br />

<strong>di</strong> <strong>di</strong>elettrico. Il modo localizzato nella cavità si<br />

accoppia con il canale attraverso il campo evanescente<br />

e l'accoppiamento si realizza abbassando la<br />

costante <strong>di</strong>elettrica delle due colonne all'interfaccia<br />

cavità-canale e cavità-guida principale nella<br />

quale viene guidata l'onda a larga banda. La frequenza<br />

centrale in ogni canale è <strong>di</strong>rettamente proporzionale<br />

al raggio del <strong>di</strong>fetto, cioè aumentando il<br />

raggio si sposta tale frequenza verso valori più alti<br />

all'interno della banda dell'onda incidente. Infine la<br />

<strong>di</strong>fferenza tra le linewidths spettrali, dovuta ai <strong>di</strong>versi<br />

valori <strong>di</strong> Q nelle <strong>di</strong>verse cavità, può essere ottimizzata<br />

rendendo uguali i valori <strong>di</strong> Q.<br />

Le prestazioni eccellenti dei PBG sono state<br />

178 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

Fig.38 - Struttura <strong>di</strong> un sistema Multichannel WDM, utilizzante 6 <strong>di</strong>versi canali.<br />

utilizzate per sviluppare risonatori caratterizzati<br />

da alti valori <strong>di</strong> Q per frequenze alle microonde,<br />

me<strong>di</strong>ante l'introduzione <strong>di</strong> <strong>di</strong>fetti in strutture 3-D<br />

<strong>ed</strong> in particolar modo 2-D.<br />

Nelle cavità risonanti alle microonde, è possibile<br />

utilizzare strutture costituite da materiali <strong>di</strong>elettrici<br />

e da metallo, conservando le proprietà essenziali<br />

relative alle strutture PBG. Le strutture metalliche<br />

sono più facili e meno costose da fabbricare<br />

oltre a presentare proprietà uniche che possono<br />

risultare vantaggiose nel progetto degli acceleratori.<br />

Le strutture più interessanti, tra quelle realizzabili<br />

con tecnologie gia collaudate alle microonde su<br />

PBG 2-D e 3-D, sono la struttura bi<strong>di</strong>mensionale<br />

esagonale <strong>ed</strong> esagonale inversa e la struttura 3-D<br />

woodpile, che permettono <strong>di</strong> ottenere larghi BG.<br />

I materiali in uso per le <strong>applicazioni</strong> alle<br />

microonde sono materiali a basse per<strong>di</strong>te basate<br />

sul carbonio (Duroid,Teflon), ossido <strong>di</strong> alluminio o<br />

silicio altamente resistivo - quest'ultimo viene riferito<br />

particolarmente al range <strong>di</strong> frequenze intorno<br />

a 100 GHz.<br />

Un esempio <strong>di</strong> risonatore con alto Q, è stato<br />

realizzato rimovendo un singolo elemento nel reticolo<br />

perio<strong>di</strong>co. Sono stati analizzati sia reticoli <strong>di</strong>elettrici<br />

che metallo-<strong>di</strong>elettrici, ottenendo come<br />

risultati valori <strong>di</strong> Q pari a 700 e superiore a 983<br />

rispettivamente.<br />

Nei PC <strong>di</strong>elettrici, la risonanza nel <strong>di</strong>fetto è<br />

causata dalla riflessione dal reticolo PBG. Essendo<br />

proibita la propagazione <strong>di</strong> energia all'interno del<br />

BG attraverso il reticolo, tutta l'energia incidente<br />

viene riflessa. Quando la fase della riflessione, causata<br />

dal BG ai contorni del <strong>di</strong>fetto aggancia la fase<br />

del modo che può propagarsi nel <strong>di</strong>fetto, allora si<br />

verifica la risonanza. Nel range <strong>di</strong> frequenze del<br />

BG, invece, le riflessioni multiple sulle pareti delle<br />

colonne interferiscono <strong>di</strong>struttivamente imp<strong>ed</strong>endo<br />

la propagazione del campo attraverso il reticolo<br />

del PC.<br />

Stu<strong>di</strong> riguardo una cavità risonante su PBG<br />

operante ad una frequenza <strong>di</strong> 17 GHz (Fig.39), proposta<br />

per l'utilizzo in un acceleratore sono stati<br />

condotti dal Massachusetts Institute of Technology.<br />

Il vantaggio nell'utilizzo <strong>di</strong> una cavità accelerante<br />

su PBG risi<strong>ed</strong>e nella efficiente soppressione dei<br />

mo<strong>di</strong> dei campi <strong>di</strong> scia a più alte frequenze e <strong>di</strong> più<br />

alto or<strong>di</strong>ne, senza interferire con il modo operante.<br />

La cavità risulta eccitata attraverso le aperture<br />

<strong>di</strong> una guida rettangolare. Nel testing dei campioni<br />

realizzati, particolare interesse è stato rivolto al<br />

problema dell'accoppiamento con la cavità in<br />

quanto esso rappresenta una questione critica per<br />

le <strong>applicazioni</strong> negli acceleratori. Nelle tra<strong>di</strong>zionali<br />

Fig.39 - Cavità risonante su PBG operante a 17GHz, realizzata<br />

per le prove a fr<strong>ed</strong>do.<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

179


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

cavità pillbox tale problema poteva essere migliorato<br />

solo mo<strong>di</strong>ficando le <strong>di</strong>mensioni del foro <strong>di</strong><br />

accoppiamento; nelle strutture PBG, invece è possibile<br />

intervenire sul reticolo del cristallo rimovendo<br />

parzialmente le colonne metalliche, proprietà<br />

unica dei PBG.<br />

La struttura base per questa cavità è costituita<br />

da un reticolo triangolare <strong>di</strong> colonne metalliche nel<br />

quale è stato creato un <strong>di</strong>fetto (è stata rimossa una<br />

colonna al centro del reticolo) che costituisce<br />

appunto la cavità risonante (Fig.40).<br />

Nel caso in esame sono utilizzati solo tre anelli<br />

<strong>di</strong> colonne, sufficienti per localizzare il modo.<br />

L'insieme delle colonne metalliche è contenuto in<br />

un cilindro metallico chiuso ad entrambe le estremità.<br />

La guida posta sulla destra della cavità è usata<br />

per accoppiare la potenza RF nella cavità, mentre<br />

quella simile posta sul lato sinistro è usata per rendere<br />

simmetrico il sistema. Due colonne sono<br />

state rimosse da ogni lato della cavità contiguo alle<br />

aperture delle guide.<br />

La <strong>di</strong>fferenza con le cavità tra<strong>di</strong>zionali è l'assenza,<br />

nelle cavità su PBG, <strong>di</strong> fori <strong>di</strong> accoppiamento in<br />

corrispondenza dell'apertura delle guide. Nelle<br />

cavità tra<strong>di</strong>zionali l'accoppiamento con le guide<br />

causa un down-shift <strong>di</strong> frequenza del 2%: tale effetto<br />

è assente nelle cavità su PBG a causa del fenomeno<br />

dell'accoppiamento <strong>di</strong>stribuito nella cavità.<br />

Infatti i campi sono confinati dai primi anelli <strong>di</strong><br />

colonne più vicini al <strong>di</strong>fetto e tali colonne non sono<br />

<strong>di</strong>sturbate allo scopo <strong>di</strong> ottenere l'accoppiamento;<br />

quin<strong>di</strong>, quest'ultimo non causa variazioni nella <strong>di</strong>stribuzione<br />

<strong>di</strong> campo che conserva il suo andamento<br />

originale.<br />

Riassumiamo i passi fondamentali nel progetto<br />

<strong>di</strong> una cavità risonante:<br />

- progetto <strong>di</strong> un reticolo del PC corrispondente<br />

ad un BG attorno alla frequenza operante che si<br />

desidera ottenere;<br />

- creazione <strong>di</strong> un <strong>di</strong>fetto nel reticolo in modo<br />

tale da ottenere un defect mode che possa essere<br />

utilizzato come modo operante della struttura;<br />

- tale modo, essendo interno al BG, risulta confinato<br />

nella <strong>di</strong>rezione trasversale;<br />

- i mo<strong>di</strong> <strong>di</strong> alto or<strong>di</strong>ne che rientrano nella passband<br />

del cristallo non vengono confinati, potendo<br />

così essere <strong>di</strong>ssipati su rivestimenti assorbenti pre<strong>di</strong>sposti<br />

sui contorni della struttura;<br />

- al fine <strong>di</strong> permettere la propagazione del<br />

fascio accelerato fuori dal <strong>di</strong>spositivo, deve essere<br />

praticato un foro nei piatti nella regione centrale.<br />

6.11.a Applicazioni:<br />

Fig.40 - Cross-section della geometria della cavità PBG. La<br />

cavità è formata da un reticolo <strong>di</strong> colonne metalliche con un<br />

<strong>di</strong>fetto nel centro <strong>ed</strong> è circondata da una parete<br />

metallica.Sono tracciati i contorni del campo elettrico costante.<br />

Acceleratori <strong>di</strong> particelle<br />

Come si è accennato in prec<strong>ed</strong>enza, le cavità<br />

risonanti su PBG sono utilizzate come cavità acceleranti<br />

negli acceleratori <strong>di</strong> particelle, nei quali con<br />

l'impiego dei PBG è possibile migliorare drasticamente<br />

costi e prestazioni.<br />

I tra<strong>di</strong>zionali acceleratori <strong>di</strong> particelle possono<br />

essere considerati come guide d'onda metalliche<br />

che trasportano il modo TM01, che produce il più<br />

elevato gra<strong>di</strong>ente <strong>di</strong> accelerazione per una fissata<br />

potenza operativa, e presentano i limiti dovuti alla<br />

eccitazione <strong>di</strong> mo<strong>di</strong> <strong>di</strong> or<strong>di</strong>ne superiore (HOM),<br />

presenti particolarmente alle alte frequenze, <strong>ed</strong> i<br />

limiti legati all'impiego <strong>di</strong> pareti metalliche per confinare<br />

l'onda elettromagnetica, pareti che provocano<br />

per<strong>di</strong>te per assorbimento sempre più significative<br />

all'aumentare della frequenza operativa [28].<br />

Con l'impiego dei PBG è possibile migliorare<br />

drasticamente costi e prestazioni degli acceleratori<br />

<strong>di</strong> particelle (Fig.41).<br />

Infatti:<br />

1) i PBG possono sostituire le pareti metalliche<br />

per realizzare superfici perfettamente riflettenti,<br />

teoricamente prive <strong>di</strong> per<strong>di</strong>te per assorbimento;<br />

2) i PBG permettono la soppressione dei mo<strong>di</strong><br />

<strong>di</strong> or<strong>di</strong>ne superiore nella cavità risonante dell'acceleratore;<br />

3) poiché il campo nella cavità a PBG è fortemente<br />

localizzato in una regione molto piccola,<br />

<strong>di</strong>vengono accettabili più ampie tolleranze sulla<br />

qualità dei materiali, che deve essere molto elevata<br />

in corrispondenza della parte centrale della cavi-<br />

180 La Comunicazione - numero unico 2004


CRISTALLI FOTONICI: PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO ED APPLICAZIONI<br />

(PHOTONIC CRYSTALS: OPERATION PRINCIPLES AND APPLICATIONS)<br />

NOTE<br />

In ogni caso, le specifiche <strong>di</strong> progetto sono strettamente<br />

dettate dall'applicazione a cui sono destinate<br />

tali cavità acceleranti.<br />

Fig.41 - Vista schematica <strong>di</strong> un acceleratore <strong>di</strong> particelle<br />

realizzato con PBG. La struttura è costituita da tre<br />

reticoli con cella triangolare separati da piani <strong>di</strong> materiale<br />

superconduttore. Ogni reticolo ha un <strong>di</strong>fetto ottenuto<br />

rimuovendo un cilindro. Il foro realizzato al centro dei piani<br />

conduttori consente l'emissione del fascio <strong>di</strong> particelle<br />

accelerato attraverso la struttura.<br />

tà (dove, appunto, si concentra il campo) ma che<br />

può essere non altrettanto elevata verso la regione<br />

più esterna. Questo è un grado <strong>di</strong> libertà molto<br />

importante soprattutto quando si impiegano<br />

materiali superconduttori che molto <strong>di</strong>fficilmente<br />

presentano una qualità elevata in modo omogeneo<br />

su gran<strong>di</strong> superfici.<br />

4) Si possono realizzare strutture rettilinee <strong>ed</strong><br />

ottenere alti gra<strong>di</strong>enti e forti accelerazioni.<br />

5) E' possibile ottimizzare l'accoppiamento tra<br />

la cavità risonante e la guida d'onda in ingresso,<br />

riducendo lo shift della frequenza <strong>di</strong> risonanza, problema<br />

<strong>di</strong> rilevante importanza nelle cavità standard<br />

<strong>di</strong> tipo pill-box.<br />

La presenza <strong>di</strong> una regione <strong>di</strong>fettiva (in cui la<br />

perio<strong>di</strong>cità non è più regolare, per esempio rimuovendo<br />

una o più colonne), implica una forte localizzazione<br />

<strong>di</strong> campo elettromagnetico ad una precisa<br />

frequenza, <strong>di</strong>pendente dalle caratteristiche del<br />

<strong>di</strong>fetto. Il Q del <strong>di</strong>fetto è <strong>di</strong>rettamente correlato<br />

alla larghezza della banda passante.<br />

Risulta possibile, quin<strong>di</strong>, realizzare risonatori<br />

per acceleratori ad alto Q su PBG, in cui siano<br />

soppressi i mo<strong>di</strong> <strong>di</strong> or<strong>di</strong>ne superiore, tipicamente<br />

presenti negli acceleratori standard <strong>di</strong> tipo pill-box.<br />

I parametri <strong>di</strong> progetto fondamentali sono:<br />

altezza, <strong>di</strong>ametro e numero dei cilindri <strong>di</strong>ffusori;<br />

<strong>di</strong>stanza tra i centri dei cilindri <strong>di</strong>ffusori; geometria<br />

e spessore dei piatti; <strong>di</strong>mensioni del foro centrale.<br />

7. Conclusioni<br />

Si può ritenere che la chiave del successo dei<br />

<strong>cristalli</strong> <strong>fotonici</strong> sia la possibilità <strong>di</strong> eccitare in<br />

strutture perio<strong>di</strong>che, con forte contrasto d'in<strong>di</strong>ce,<br />

mo<strong>di</strong> con bassissime per<strong>di</strong>te, cioè <strong>di</strong> ottenere ottime<br />

proprietà <strong>di</strong> confinamento della luce, e <strong>di</strong> riflettere<br />

in modo pressoché ideale tutte le onde che si<br />

propaghino con lunghezze d'onda nel BG. I PBG<br />

risultano <strong>di</strong> importanza cruciale per la realizzazione<br />

<strong>di</strong> <strong>di</strong>spositivi ottici ad alte prestazioni (guide, filtri,<br />

fibre ottiche, cavità risonanti, LASER a bassa<br />

soglia) e <strong>di</strong> microcircuiti, utilizzando tecnologie già<br />

mature e collaudate nell'elettronica per alte frequenze.<br />

Le tecnologie collaudate sono GaAs/AlGaAs e<br />

SiO 2 /Si 3 N 4 . Il parametro <strong>di</strong> progetto per strutture<br />

2-D è il rapporto d'aspetto delle buche: più sono<br />

piccole e profonde minori sono le per<strong>di</strong>te che ci si<br />

aspetta. Per l'etching si fa uso generalmente del RIE<br />

che è un processo già ottimizzato; per ottenere<br />

miglioramenti tecnologici ulteriori occorre far<br />

riferimento ad altre tecniche quali ECR/ICP, in plasma,<br />

o Ion Bema Etching per le sue caratteristiche<br />

<strong>di</strong> elevata <strong>di</strong>rezionalità (per via del meccanismo <strong>di</strong><br />

rimozione prevalentemente fisico) e bassa pressione<br />

operativa. Per accrescere strati epitassiali, la<br />

tecnica che permette <strong>di</strong> ottenere migliore qualità<br />

delle interfacce è la MBE.<br />

La struttura attualmente più promettente e<br />

maggiormente stu<strong>di</strong>ata è la 2-D WPBG costituita<br />

da cilindri a basso in<strong>di</strong>ce, <strong>di</strong>sposti a cella esagonale,<br />

perché presenta, se adeguatamente progettata,<br />

BG completo (PBG ideale).<br />

Le in<strong>di</strong>cazioni generali <strong>di</strong> progetto per ottimizzare<br />

le prestazioni dei <strong>di</strong>spositivi, sono:<br />

a) L'impiego <strong>di</strong> materiali con forte contrasto<br />

d'in<strong>di</strong>ce <strong>di</strong> rifrazione per ampliare il più possibile il<br />

BG;<br />

b) geometrie simmetriche per evitare accoppiamento<br />

tra mo<strong>di</strong> TE/TM e, quin<strong>di</strong>, ridurre le per<strong>di</strong>te,<br />

in quei <strong>cristalli</strong> che non presentano BG completo;<br />

c) regioni etchate strette, per migliorare le<br />

caratteristiche guidanti, e profonde, per garantire<br />

che tutto il modo che si propaga "v<strong>ed</strong>a" la stessa<br />

perio<strong>di</strong>cità: le parti del modo che non v<strong>ed</strong>ono la<br />

stessa struttura vengono inevitabilmente irra<strong>di</strong>ate.<br />

La Comunicazione - numero unico 2004<br />

181


NOTE<br />

Agostino Giorgio, Decio Pasqua, Anna Gina Perri<br />

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182 La Comunicazione - numero unico 2004

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