18.02.2015 Views

高级模拟集成电路设计 - 复旦大学

高级模拟集成电路设计 - 复旦大学

高级模拟集成电路设计 - 复旦大学

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

版 权 ©2009, 版 权 所 有 , 侵 犯 必 究<br />

BiCMOS 全 差 分 放 大 器 : 指 标<br />

工 艺 : BiCMOS L min<br />

= 0.8 μm ; V T<br />

= 0.7 V<br />

K' n<br />

= 60 μA/V 2 & K' p<br />

= 30 μA/V 2<br />

V En<br />

= 4 V/μm & V Ep<br />

= 6 V/μm<br />

f Tn<br />

= 12 GHz & f Tp<br />

= 4 GHz<br />

指 标 :GBW DM<br />

= 10 MHz C L<br />

= 3 pF<br />

GBW CM<br />

= 20 MHz<br />

所 有 PM > 70˚<br />

V DD<br />

/V SS<br />

=±1.5 V<br />

最 大 V swingptp<br />

= V OUTmax<br />

- V OUTmin<br />

最 小 I tot<br />

验 证 : 压 摆 率 、 噪 声 ……<br />

复 旦 大 学 射 频 集 成 电 路 设 计 研 究 小 组 -0744-<br />

唐 长 文

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!