Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom – Molekyl ...
Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom – Molekyl ...
Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom – Molekyl ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
<strong>Historisk</strong> <strong>definition</strong><br />
<strong>Atom</strong> <strong>–</strong> <strong>Molekyl</strong> - Kristall<br />
Metall-<strong>Halvledare</strong>-Isolator<br />
Elektroner <strong>–</strong> Hål<br />
Intrinsisk halvledare <strong>–</strong> effekt<br />
av temperatur<br />
<strong>Föreläsning</strong> 2 - <strong>Halvledare</strong><br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
1
Bipolära Transistorer<br />
Optokomponenter<br />
Komponentfysik - Kursöversikt<br />
pn-övergång: strömmar<br />
och kapacitanser<br />
pn-övergång: Inbyggd spänning och rymdladdningsområde<br />
Dopning: n-och p-typ material<br />
Laddningsbärare: Elektroner, hål och ferminivåer<br />
Halvledarfysik: bandstruktur och bandgap<br />
Ellära: elektriska fält, potentialer och strömmar<br />
Minnen: Flash, DRAM<br />
MOSFET: strömmar<br />
MOSFET: laddningar<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
2
Metall: ρ < 10 -5 Ωm<br />
Isolator: ρ > 10 6 Ωm<br />
<strong>Halvledare</strong> <strong>–</strong> skumt namn!<br />
<strong>Historisk</strong> <strong>definition</strong> från resistiviteten<br />
ρ<br />
=<br />
1<br />
n<br />
eµ n<br />
<strong>Halvledare</strong> <strong>–</strong> varierande ρ från olika n<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
3
Vad är en kisel-kristall?<br />
• Kiselatomer sitter ordnat i ett gitter. 1 m 3 stor kiselbit: 5×10 28 atomer<br />
• ~ 10 30 m -3 elektroner <strong>–</strong> varför är den inte metallisk?<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
4
Hur kan vi förstå:<br />
• Var skiljer en atom från en kristall?<br />
•Hur beter sig en elektron i en halvledare<br />
•Varför är inte alla material metalliska?<br />
•Band: Ledningsband, Valensband<br />
•Fria laddningsbärare: Elektroner, Hål<br />
Vad är en halvledare?<br />
•Temperatur <strong>–</strong> Intrinsisk laddningskoncentration<br />
L<br />
M<br />
N<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
5<br />
K
N<br />
M<br />
L<br />
K<br />
<strong>Atom</strong> <strong>–</strong> skal och energier<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
6<br />
x<br />
E<br />
N<br />
M<br />
L<br />
K<br />
0.1 nm<br />
Kvantmekanisk beskrivning:<br />
Elektronmoln runt om atomkärnan<br />
0.1 nm
Valenselektroner<br />
överlappar!<br />
2-atomig molekyl - Pauliprincipen<br />
E<br />
x<br />
E E<br />
x x<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
7<br />
0.1 nm 0.2 nm 0.1 nm<br />
Valenselektronerna<br />
delas mellan båda<br />
atomerna!<br />
0.2 nm
E<br />
x<br />
16-atomig molekyl<br />
E<br />
x<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2011<br />
8<br />
0.1 nm<br />
E<br />
0.4 nm<br />
x,y<br />
Valenselektronerna<br />
delas mellan alla<br />
atomerna!<br />
0.4 nm<br />
0.4 nm
… …<br />
10 23 -atomig molekyl <strong>–</strong> energiband<br />
x<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
9<br />
0.1 nm<br />
E<br />
1 cm<br />
x,y,z<br />
Valenselektronerna delas<br />
mellan alla atomerna i<br />
kristallen!<br />
~ 10 23 nivåer<br />
1 cm
… …<br />
Valens- och ledningsband<br />
E<br />
Ledningsband<br />
Valensband<br />
x,y,z<br />
Valensband: Det högsta<br />
bandet som har elektroner<br />
Ledningsband: Nästa högre<br />
band<br />
Metall: Valensbandet halvfullt<br />
med elektroner<br />
<strong>Halvledare</strong> / Isolator:<br />
Valensbandet fullt med<br />
elektroner<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
10
Energi (eV)<br />
Ström <strong>–</strong> kräver rörliga elektroner<br />
Tomt band <strong>–</strong> inga elektroner<br />
Fullt band <strong>–</strong> alla platser<br />
upptagna<br />
Pauliprincipen<br />
x<br />
Tomt band <strong>–</strong> Ingen ström<br />
Fullt band <strong>–</strong> Ingen ström<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
11
Energi (eV)<br />
Metall <strong>–</strong> Isolator/<strong>Halvledare</strong><br />
Metall <strong>–</strong> halvfyllt<br />
valensband<br />
<strong>Halvledare</strong> / Isolator<br />
Pauliprincipen<br />
x<br />
Lediga platser <strong>–</strong> Kan gå ström<br />
Fullt band <strong>–</strong> Ingen ström<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
12
Energi (eV)<br />
Ledningsband<br />
Valensband<br />
Metall<br />
Metall <strong>–</strong> <strong>Halvledare</strong> - Isolator<br />
Ledningsband<br />
E g<br />
Valensband<br />
<strong>Halvledare</strong><br />
0 < E g < 4 eV<br />
Si: E g=1.12 eV<br />
Ge: E g=0.67 eV<br />
GaN: E g=3.42 eV<br />
Ledningsband<br />
Valensband<br />
Ledningsband<br />
Isolator<br />
E g > 4eV<br />
SiO 2: E g=9 eV<br />
Diamant (C): E g=5.5 eV<br />
Valensband<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
13<br />
E g<br />
x
Vilka material är halvledare?<br />
två-atomig bas (4<br />
atomer runtomkring)<br />
8 elektroner i<br />
valensskalet!<br />
4+1×4=8<br />
3+5=8<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2011<br />
14<br />
III<br />
B<br />
Al<br />
Ga<br />
IV V<br />
C<br />
Si<br />
Ge<br />
N<br />
P<br />
As<br />
In Sn Sb<br />
C GaP Si Ge InAs Sn (Tenn)<br />
E g 5.5 eV 2.24 eV 1.12 eV 0.67 eV 0.34 eV 0<br />
Typ Isolator Hal vle da re Metall
E<br />
Fria laddningar <strong>–</strong> Elektroner och hål<br />
=<br />
x<br />
Fria elektroner i<br />
ledningsbandet<br />
-<br />
+<br />
Fria hål i<br />
ledningsbandet<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
15<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-
Varför varierar en halvledares ledningsförmåga?<br />
??<br />
Om T=0K<br />
Inga defekter i<br />
halvledaren<br />
Koncentration av<br />
(fria) elektroner och<br />
hål: n=p=0<br />
Vi kan generera fria elektroner/hål via:<br />
•Termisk energi (värme)<br />
•Ljus (Opto-komponenter)<br />
•Dopning (nästa föreläsning)<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
16
Energi (eV)<br />
Termisk Excitation<br />
E g<br />
•Varje elektron får i<br />
genomsnitt E kin=3/2kT<br />
•En elektron kan slumpvis<br />
exciteras till ledningsbandet<br />
•Högre T <strong>–</strong> fler elektroner<br />
•Vi får i genomsnitt n (m -3 ) i<br />
ledningsbandet<br />
•10 24 - n elektroner i<br />
valensbandet<br />
•p (m -3 ): (hål)<br />
•n=p<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
17
Energi (eV)<br />
E g<br />
Termisk Excitation - Fermienergi<br />
E C<br />
E V<br />
0<br />
1<br />
Sannolikheten att en<br />
energinivå har en elektron:<br />
Fermi-Dirac fördelningen<br />
Högre T <strong>–</strong> större<br />
sannolikhet att en nivå har<br />
en elektron<br />
Fermi-Dirac är symmetrisk<br />
kring: E F <strong>–</strong> Fermi-energi.<br />
Sätts så att halvledaren är<br />
laddningsneutral.<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
18<br />
E F<br />
Sannolikhet
Energi (eV)<br />
Termisk Excitation <strong>–</strong> antal elektroner<br />
E i<br />
E4 E3 E2 E1 E C<br />
0<br />
0.1<br />
f = f ,<br />
Sannolikhet<br />
( E E )<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
19<br />
FD<br />
i<br />
F
Energi (eV)<br />
E g E F<br />
Termisk Excitation - Fermienergi<br />
E C<br />
E V<br />
n<br />
p<br />
=<br />
=<br />
EF<br />
− E<br />
exp(<br />
kT<br />
Ev<br />
− E<br />
exp(<br />
kT<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
20<br />
N<br />
N<br />
c<br />
v<br />
N C, N V <strong>–</strong> effektiva tillståndstätheter <strong>–</strong><br />
hur tätt sitter E 1,E 2,E 3…<br />
Materialparametrar!<br />
Antal elektroner & hål <strong>–</strong> funktion av E F, T!<br />
Intrinsiskt halvledare:<br />
n=p=n i<br />
E F sitter ungefär mitt i bandgapet<br />
c<br />
F<br />
)<br />
)
=<br />
Intrinsisk halvledare <strong>–</strong> antal elektroner & hål<br />
Varje elektron som lyfts från valensbandet<br />
till ledningsbandet ger en elektron<br />
n = p =<br />
n<br />
i<br />
N<br />
ni<br />
c<br />
N<br />
v<br />
⎛ − E<br />
exp ⎜<br />
⎝ 2kT<br />
g<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
T=300K<br />
Kisel: n i=1×10 16 m -3<br />
E g=1.11eV<br />
Ge: n i= 2×10 19 m -3<br />
E g=0.67 eV<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
21
E g: Bandgap (eV) (J)<br />
E c: Ledningsbandets undre kant (eV)<br />
E v: Valensbandets övre kant (eV)<br />
n: elektronkoncentration (m -3 )<br />
p: hålkoncentration (m -3 )<br />
n i: Intrinsisk hål/elektronkoncentration (m -3 )<br />
E F: Fermienergi (eV)<br />
Sammanfattning<br />
Energier anges oftast i eV. 1 eV = e×1 J<br />
Energier anges alltid i referens till något annat <strong>–</strong> ex. E f-E c, E v-E f<br />
2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />
22