21.09.2013 Views

Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom – Molekyl ...

Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom – Molekyl ...

Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom – Molekyl ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

<strong>Historisk</strong> <strong>definition</strong><br />

<strong>Atom</strong> <strong>–</strong> <strong>Molekyl</strong> - Kristall<br />

Metall-<strong>Halvledare</strong>-Isolator<br />

Elektroner <strong>–</strong> Hål<br />

Intrinsisk halvledare <strong>–</strong> effekt<br />

av temperatur<br />

<strong>Föreläsning</strong> 2 - <strong>Halvledare</strong><br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

1


Bipolära Transistorer<br />

Optokomponenter<br />

Komponentfysik - Kursöversikt<br />

pn-övergång: strömmar<br />

och kapacitanser<br />

pn-övergång: Inbyggd spänning och rymdladdningsområde<br />

Dopning: n-och p-typ material<br />

Laddningsbärare: Elektroner, hål och ferminivåer<br />

Halvledarfysik: bandstruktur och bandgap<br />

Ellära: elektriska fält, potentialer och strömmar<br />

Minnen: Flash, DRAM<br />

MOSFET: strömmar<br />

MOSFET: laddningar<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

2


Metall: ρ < 10 -5 Ωm<br />

Isolator: ρ > 10 6 Ωm<br />

<strong>Halvledare</strong> <strong>–</strong> skumt namn!<br />

<strong>Historisk</strong> <strong>definition</strong> från resistiviteten<br />

ρ<br />

=<br />

1<br />

n<br />

eµ n<br />

<strong>Halvledare</strong> <strong>–</strong> varierande ρ från olika n<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

3


Vad är en kisel-kristall?<br />

• Kiselatomer sitter ordnat i ett gitter. 1 m 3 stor kiselbit: 5×10 28 atomer<br />

• ~ 10 30 m -3 elektroner <strong>–</strong> varför är den inte metallisk?<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

4


Hur kan vi förstå:<br />

• Var skiljer en atom från en kristall?<br />

•Hur beter sig en elektron i en halvledare<br />

•Varför är inte alla material metalliska?<br />

•Band: Ledningsband, Valensband<br />

•Fria laddningsbärare: Elektroner, Hål<br />

Vad är en halvledare?<br />

•Temperatur <strong>–</strong> Intrinsisk laddningskoncentration<br />

L<br />

M<br />

N<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

5<br />

K


N<br />

M<br />

L<br />

K<br />

<strong>Atom</strong> <strong>–</strong> skal och energier<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

6<br />

x<br />

E<br />

N<br />

M<br />

L<br />

K<br />

0.1 nm<br />

Kvantmekanisk beskrivning:<br />

Elektronmoln runt om atomkärnan<br />

0.1 nm


Valenselektroner<br />

överlappar!<br />

2-atomig molekyl - Pauliprincipen<br />

E<br />

x<br />

E E<br />

x x<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

7<br />

0.1 nm 0.2 nm 0.1 nm<br />

Valenselektronerna<br />

delas mellan båda<br />

atomerna!<br />

0.2 nm


E<br />

x<br />

16-atomig molekyl<br />

E<br />

x<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2011<br />

8<br />

0.1 nm<br />

E<br />

0.4 nm<br />

x,y<br />

Valenselektronerna<br />

delas mellan alla<br />

atomerna!<br />

0.4 nm<br />

0.4 nm


… …<br />

10 23 -atomig molekyl <strong>–</strong> energiband<br />

x<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

9<br />

0.1 nm<br />

E<br />

1 cm<br />

x,y,z<br />

Valenselektronerna delas<br />

mellan alla atomerna i<br />

kristallen!<br />

~ 10 23 nivåer<br />

1 cm


… …<br />

Valens- och ledningsband<br />

E<br />

Ledningsband<br />

Valensband<br />

x,y,z<br />

Valensband: Det högsta<br />

bandet som har elektroner<br />

Ledningsband: Nästa högre<br />

band<br />

Metall: Valensbandet halvfullt<br />

med elektroner<br />

<strong>Halvledare</strong> / Isolator:<br />

Valensbandet fullt med<br />

elektroner<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

10


Energi (eV)<br />

Ström <strong>–</strong> kräver rörliga elektroner<br />

Tomt band <strong>–</strong> inga elektroner<br />

Fullt band <strong>–</strong> alla platser<br />

upptagna<br />

Pauliprincipen<br />

x<br />

Tomt band <strong>–</strong> Ingen ström<br />

Fullt band <strong>–</strong> Ingen ström<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

11


Energi (eV)<br />

Metall <strong>–</strong> Isolator/<strong>Halvledare</strong><br />

Metall <strong>–</strong> halvfyllt<br />

valensband<br />

<strong>Halvledare</strong> / Isolator<br />

Pauliprincipen<br />

x<br />

Lediga platser <strong>–</strong> Kan gå ström<br />

Fullt band <strong>–</strong> Ingen ström<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

12


Energi (eV)<br />

Ledningsband<br />

Valensband<br />

Metall<br />

Metall <strong>–</strong> <strong>Halvledare</strong> - Isolator<br />

Ledningsband<br />

E g<br />

Valensband<br />

<strong>Halvledare</strong><br />

0 < E g < 4 eV<br />

Si: E g=1.12 eV<br />

Ge: E g=0.67 eV<br />

GaN: E g=3.42 eV<br />

Ledningsband<br />

Valensband<br />

Ledningsband<br />

Isolator<br />

E g > 4eV<br />

SiO 2: E g=9 eV<br />

Diamant (C): E g=5.5 eV<br />

Valensband<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

13<br />

E g<br />

x


Vilka material är halvledare?<br />

två-atomig bas (4<br />

atomer runtomkring)<br />

8 elektroner i<br />

valensskalet!<br />

4+1×4=8<br />

3+5=8<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2011<br />

14<br />

III<br />

B<br />

Al<br />

Ga<br />

IV V<br />

C<br />

Si<br />

Ge<br />

N<br />

P<br />

As<br />

In Sn Sb<br />

C GaP Si Ge InAs Sn (Tenn)<br />

E g 5.5 eV 2.24 eV 1.12 eV 0.67 eV 0.34 eV 0<br />

Typ Isolator Hal vle da re Metall


E<br />

Fria laddningar <strong>–</strong> Elektroner och hål<br />

=<br />

x<br />

Fria elektroner i<br />

ledningsbandet<br />

-<br />

+<br />

Fria hål i<br />

ledningsbandet<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

15<br />

+<br />

-<br />

+<br />

-<br />

+<br />

-<br />

+<br />

-


Varför varierar en halvledares ledningsförmåga?<br />

??<br />

Om T=0K<br />

Inga defekter i<br />

halvledaren<br />

Koncentration av<br />

(fria) elektroner och<br />

hål: n=p=0<br />

Vi kan generera fria elektroner/hål via:<br />

•Termisk energi (värme)<br />

•Ljus (Opto-komponenter)<br />

•Dopning (nästa föreläsning)<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

16


Energi (eV)<br />

Termisk Excitation<br />

E g<br />

•Varje elektron får i<br />

genomsnitt E kin=3/2kT<br />

•En elektron kan slumpvis<br />

exciteras till ledningsbandet<br />

•Högre T <strong>–</strong> fler elektroner<br />

•Vi får i genomsnitt n (m -3 ) i<br />

ledningsbandet<br />

•10 24 - n elektroner i<br />

valensbandet<br />

•p (m -3 ): (hål)<br />

•n=p<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

17


Energi (eV)<br />

E g<br />

Termisk Excitation - Fermienergi<br />

E C<br />

E V<br />

0<br />

1<br />

Sannolikheten att en<br />

energinivå har en elektron:<br />

Fermi-Dirac fördelningen<br />

Högre T <strong>–</strong> större<br />

sannolikhet att en nivå har<br />

en elektron<br />

Fermi-Dirac är symmetrisk<br />

kring: E F <strong>–</strong> Fermi-energi.<br />

Sätts så att halvledaren är<br />

laddningsneutral.<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

18<br />

E F<br />

Sannolikhet


Energi (eV)<br />

Termisk Excitation <strong>–</strong> antal elektroner<br />

E i<br />

E4 E3 E2 E1 E C<br />

0<br />

0.1<br />

f = f ,<br />

Sannolikhet<br />

( E E )<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

19<br />

FD<br />

i<br />

F


Energi (eV)<br />

E g E F<br />

Termisk Excitation - Fermienergi<br />

E C<br />

E V<br />

n<br />

p<br />

=<br />

=<br />

EF<br />

− E<br />

exp(<br />

kT<br />

Ev<br />

− E<br />

exp(<br />

kT<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

20<br />

N<br />

N<br />

c<br />

v<br />

N C, N V <strong>–</strong> effektiva tillståndstätheter <strong>–</strong><br />

hur tätt sitter E 1,E 2,E 3…<br />

Materialparametrar!<br />

Antal elektroner & hål <strong>–</strong> funktion av E F, T!<br />

Intrinsiskt halvledare:<br />

n=p=n i<br />

E F sitter ungefär mitt i bandgapet<br />

c<br />

F<br />

)<br />

)


=<br />

Intrinsisk halvledare <strong>–</strong> antal elektroner & hål<br />

Varje elektron som lyfts från valensbandet<br />

till ledningsbandet ger en elektron<br />

n = p =<br />

n<br />

i<br />

N<br />

ni<br />

c<br />

N<br />

v<br />

⎛ − E<br />

exp ⎜<br />

⎝ 2kT<br />

g<br />

⎞<br />

⎟<br />

⎠<br />

T=300K<br />

Kisel: n i=1×10 16 m -3<br />

E g=1.11eV<br />

Ge: n i= 2×10 19 m -3<br />

E g=0.67 eV<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

21


E g: Bandgap (eV) (J)<br />

E c: Ledningsbandets undre kant (eV)<br />

E v: Valensbandets övre kant (eV)<br />

n: elektronkoncentration (m -3 )<br />

p: hålkoncentration (m -3 )<br />

n i: Intrinsisk hål/elektronkoncentration (m -3 )<br />

E F: Fermienergi (eV)<br />

Sammanfattning<br />

Energier anges oftast i eV. 1 eV = e×1 J<br />

Energier anges alltid i referens till något annat <strong>–</strong> ex. E f-E c, E v-E f<br />

2012-03-02 <strong>Föreläsning</strong> 2, Komponentfysik 2012<br />

22

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!