PLANO DE ENSINO DO 2º SEMESTRE LETIVO DE 2010 - LSI - USP

5. Processos de fabricação de circuitos integrados / deposição de filmes finos / isolantes, semicondutores
e condutores / filmes orgânicos passivação ou gravação / Características desejáveis e técnicas de
caracterização.
6. Deposição de filmes por CVD, Sputtering e evaporação térmica / Definição de padrões por litografia.
7. Difusão de dopantes para a obtenção de materiais semicondutores tipo N e tipo P / corrosão via seca (por
plasma) e via úmida (soluções químicas).
8. Fabricação de componentes eletrônicos integrados: resistores, diodos, capacitores e transistores.
9. Principais tecnologias de fabricação de CIs / Níveis de desenvolvimento e Etapas de projeto e fabricação
de CIs / Portas lógicas / Processos de fabricação de transistores MOS (exemplo de um circuito inversor
lógico CMOS).
10. Definição de linhas de interconexão / resistência de folha.
11. Funcionamento e parâmetros elétricos dos Transistores MOS
12. Projetos de Circuitos Integrados em CAD (Computer Aided Design) / Ferramenta CAD para projeto de
CIs (Software Microwind)
5) TRABALHO DISCENTE EFETIVO:
O Trabalho Discente Efetivo constitui-se em ações práticas desenvolvidas pelos alunos do Curso
que compreendem atividades realizadas além da sala de aula sob a orientação do professor. Incluem-se
aqui atividades de pesquisa, atividades experimentais (no campo, em laboratórios, em bibliotecas, etc),
trabalhos individuais e em grupo, totalizando uma carga horária de 5h.
6) ATIVIDADES COMPLEMENTARES:
Visitas técnicas a organizações, laboratórios, centros de pesquisa e treinamento.
Tecnologia da Instituição e participação de eventuais congressos externos.
Semana da
7) AVALIAÇÃO:
A apuração da nota do aluno deverá contemplar o seguinte critério: 80% de avaliação individual (Provas P1
e P2) e 20% de avaliação individual ou em grupo (trabalhos, exercícios, apresentação de seminários,
práticas de laboratório e outros).
8) CRONOGRAMA DAS ATIVIDADES:
O Calendário escolar da Uni Sant’Anna prevê um semestre com 20 semanas.
T=atividade teórica
P=atividade prática
Aula TP Conteúdo / Atividades
01 T Introdução a disciplina, avaliação e apresentação do conteúdo.
02 TP Histórico da fabrição de circuitos integrados e sua aplicação em sistemas analógicos, digitais e
computadores / demostração de componentes em laboratório.
03 TP Tipos de encapsulamentos / Montagem SMT (Surface Mounted Technology) em placas X
Circuitos Integrados / Demostração em laboratório.
04 T Processos de fabricação de Substratos de silício / dopagem tipo N e tipo P / processamento em
salas limpas.
05 T Deposições de filmes semicondutores, isolantes e condutores / filmes orgânicos de passivação ou
gravação.
06 T Deposição de filmes por CVD, Sputtering e evaporação térmica / Definição de padrões por
litografia.