vi reuniao de trabalho fisica nuclear - Sociedade Brasileira de Física

D. Caracterizaclo de estados cristalinos e Iocalizag5o de defei
tos'por canaliza45o.
Seri talvez oportuno comentar aqui como as ticnicas a
naliticas podem ser utilizadas para a interpretacio de results
dos de experiencias de fisica feitas em outro contexto. Por e-
xempla, o bombardeamento de superficies por ions de energies des
de alguns keV ate alguns MeV, provoca o feniimeno de pulverizac5o
(sputtering). E essencial conhecer o rendimento (niimero de itomos
emitidos no semi espago de onde provem o feixe, por ion incidente),
a natureza dos itomos emitidos, no caso do alvo ser u
ma liga ou uma mistura, e sua distribuicio angular. Para tanto,
6 comum cobrir o alvo com uma pequena calota esferica com um fu
ro em sua parte central por onde passa o feixe incidente colima
do. Os Stomas ou agregados de 5tomos pulverizados v5o se incrus
tar na parede interna da calota, em geral de carbon() ou revesti
da de alumTnio. Tecnicas de PIXE e RBS s5o usadas para fornecer
respostas is perguntas acima formuladas.
Vale a pena mencionar tambem o aspecto complementar
dos aceleradores de que estamos nos ocupando. Um implantador de
ions trabalha normalmente com tenses que v5o ate 200 ou 400kV.
Dependendo das massas da matriz e do material implantado, a tec
nica de RBS se imp -6e para analisar o perfil da implantacio. Ora,
o implantador se. pode fornecer ions He ate 400 ou 800 keV
conforme sua tensio maxima. Isso limita enormemente sua utilida
de como instrumento de an5lise. Um acelerador de 2 a 6 MV 6 en-
tic) indispens5vel para a anelise por RBS. Apenas para ilustrar,
mencionaremos o problema muito atual de mistura (ion beam mix-
ing) em que uma camada superficial fina 6 empurrada para den-
tro de uma amostra por colisaes devidas a um feixe, frequentemente
de um terceiro elemento (em geral um gis como o arganio).
Sendo as massas que se misturam compar5veis, o perfil da distri
buic5o final deve ser obtido com alta resoluc5o que pode mesmo
exigir a execucio de RBS com ions pesados de alta energia,se as
massas forem muito proximas.
Quando se trata da implanta45o de ions leves (hidroge
nac5o, bolhas de helio etc...), outras tecnicas analiticas se
impOe coma as reacOes nucleares inversas. Enfim, boa parte das
experiencias de implantacio sic) complementadas com o use de outro
acelerador com o qual se determinar5o os efeitos da implan-
tacio.
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