yeni yarı-iletken teknolojileri - AFCEA Türkiye

More documents

Recommendations

Info

Dark Current (µA) 0 -20 -40 -60 -80 -100 -120 -140 -160 I S I T I +I S T Karanlõk Karanl k Akõm Ak Measured -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 Bias (V) 77 K ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
Sonuçlar 1.2 kV/W Gerilim Responsivitesi Düük Kaçak Akõm Homojen Dağõlõm Si taban üzerinde dünyada elde edilen en iyi performans InSb Dedektörlerin Si Okuma Devresi ile Monolitik Entegrasyonu Mümkün ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
Page 1 and 2: YENİ YARI-İLETKEN YARI İLETKEN T
Page 3 and 4: Mikroelektronik Teknolojisi Yeni Ka
Page 5 and 6: Elektronik Cihazlar Sayõsal Say sa
Page 7 and 8: III-Nitratlar III Nitratlar AlN,GaN
Page 9 and 10: ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
Page 11 and 12: Moleküler Işõn Epitaksisi (MBE)
Page 13 and 14: Ev Yapõmõ MOCVD Reaktörü ORTA D
Page 15 and 16: 1 V Source Gate Drain ORTA DOĞU TE
Page 17 and 18: Neden InSb ve InAsSb? InAsSb Homoje
Page 19 and 20: Okuma Devresi ile Hibrid Entegrasyo
Page 21 and 22: 400 X 80 µµm 2 Dedektör Dizisi O
Page 23: Responsivity (kV/W) 100 10 0.1 Opti
Page 27 and 28: Yapõlmasõ Planlanan Çalõşmalar
Page 29 and 30: Center for Quantum Devices, Northwe
Page 31 and 32: Ar-Ge Harcamalarõnõn GSYİH İçi

yeni yarı-iletken teknolojileri - AFCEA Türkiye

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?