yeni yarı-iletken teknolojileri - AFCEA Türkiye

More documents

Recommendations

Info

GaInP/GaAs Yüksek Hõzlõ Transistörler (MODFET, HBT) AlGaAs/GaAs Elektronik Uygulamalarõ InP/InGaAs AlInAs/InGaAs/InP AlGaN/GaN GaN Yüksek Güç/Yüksek Sõcaklõk Elektroniği AlN ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
III-Nitratlar III Nitratlar AlN,GaN AlN GaN,InN InN,AlGaN AlGaN,InGaAlN InGaAlN Bant aralõklarõ görünür spektrumu tamamiyle kaplar. 1.9 eV (InN)-6.2 eV (AlN) Mavi LED ve Lazer Küçük dalgaboyu, yüksek yoğunlukta optik depolama Büyük bant aralõğõ, yüksek õsõl <strong>iletken</strong>lik, yüksek güç/yüksek sõcaklõk elektroniği Kuvvetli bağ, kimyasal aşõnmaya karşõ dayanõklõ 2001 yõlõnda GaN Optoelektronik Pazarõ 2 Milyar A.B.D. Dolarõ ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH. BÖL.
Page 1 and 2: YENİ YARI-İLETKEN YARI İLETKEN T
Page 3 and 4: Mikroelektronik Teknolojisi Yeni Ka
Page 5: Elektronik Cihazlar Sayõsal Say sa
Page 9 and 10: ORTA DOĞU TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
Page 11 and 12: Moleküler Işõn Epitaksisi (MBE)
Page 13 and 14: Ev Yapõmõ MOCVD Reaktörü ORTA D
Page 15 and 16: 1 V Source Gate Drain ORTA DOĞU TE
Page 17 and 18: Neden InSb ve InAsSb? InAsSb Homoje
Page 19 and 20: Okuma Devresi ile Hibrid Entegrasyo
Page 21 and 22: 400 X 80 µµm 2 Dedektör Dizisi O
Page 23 and 24: Responsivity (kV/W) 100 10 0.1 Opti
Page 25 and 26: Sonuçlar 1.2 kV/W Gerilim Respons
Page 27 and 28: Yapõlmasõ Planlanan Çalõşmalar
Page 29 and 30: Center for Quantum Devices, Northwe
Page 31 and 32: Ar-Ge Harcamalarõnõn GSYİH İçi

yeni yarı-iletken teknolojileri - AFCEA Türkiye

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?