高K 栅介质研究进展 - 电路

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处 固 定 电 荷 的 Columbic 散 射 。
3 展 望 和 存 在 的 问 题
高 介 电 常 数 栅 介 质 以 替 代 二 氧 化 硅 已 经 成 为 国 际 上 的 又 一 个 研 究 热 点 , 各 国 的 研 究 者 已 经 对 其 进 行 了 深 入
的 研 究 , 取 得 了 很 多 的 成 果 , 但 是 还 有 很 多 问 题 有 待 于 解 决 和 进 一 步 地 研 究 。
(1) 在 引 入 高 介 电 常 数 栅 介 质 后 , 载 流 子 的 迁 移 率 有 较 大 幅 度 的 下 降 。
(2) 高 介 电 常 数 介 质 中 以 及 于 硅 衬 底 的 界 面 处 往 往 存 在 着 固 定 电 荷 , 这 将 会 使 平 带 电 压 和 阈 值 电 压 发 生
偏 移 。 虽 然 , 通 过 引 入 氮 的 方 法 可 以 减 少 固 定 电 荷 , 但 是 同 时 也 有 可 能 使 载 流 子 的 迁 移 率 降 低 。
(3) 杂 质 的 扩 散 问 题 。 在 超 薄 氧 化 膜 中 也 同 样 存 在 这 个 问 题 。 栅 极 中 的 杂 质 由 于 浓 度 梯 度 会 扩 散 到 高 介
电 质 或 者 衬 底 中 , 从 而 影 响 平 带 电 压 和 阈 值 电 压 。
(4) 在 高 介 质 和 硅 衬 底 ( 或 者 二 氧 化 硅 ) 以 及 栅 极 之 间 往 往 存 在 一 个 过 渡 层 , 这 个 过 渡 层 对 器 件 的 性 能
有 很 大 的 影 响 。 ( 转 自 中 电 网 )
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